DE3509910A1

DE3509910A1 - Verfahren zur herstellung eines siliziumfilms auf einem traeger in einer plasmaatmosphaere

Info

Publication number: DE3509910A1
Application number: DE19853509910
Authority: DE
Inventors: Naomichi Tokorozawa Saitama Kitsugi; Akihisa Matsuda; Kazunobu Tanaka; Makoto Kawagoe Saitama Toda; Kiyoshi Ibaragi Yagii
Original assignee: Agency of Industrial Science and Technology; Central Glass Co Ltd
Current assignee: Central Glass Co Ltd; National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date: 1984-03-26
Filing date: 1985-03-19
Publication date: 1985-10-03
Also published as: JPS60200523A; FR2561666A1; GB2156385A; GB8506730D0

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumfilmes auf einem Träger oder Unterlage durch Ablagerung aus einem Reaktionsgas im Plasmazustand.

Es ist wohlbekannt, daß ein Siliziumfilm auf einem Träger oder einer Unterlage eines gewünschten Materials dadurch gebildet werden kann, daß der Träger bzw. die Unterlage erhitzt und in Kontakt mit einem Plasma eines Reaktionsgases, welches eine Verbindung von Silizium mit Wasserstoff oder einem Halogen umfaßt, gehalten wird. Bislang wurde das Reaktionsgas aus Monosilan, Disilan und einigen Arten von Mischgasen wie Monosilan-Wasserstoff, Monosilan-Inertgas, Disilan-Wasserstoff, Disilan-Inertgas, Tetrafluormonosilan-Wasserstoff, Tetrafluormonosilan-Monosilan und Tetrafluormonosiian-Monosilan-Wasserstoff ausgewählt.

Derzeit wird entweder Monosilan oder Disilan als siliziumhaltige Komponente des zuvor beschriebenen Reaktionsgases überwiegend verwendet, da bei Verwendung eines solchen Reaktionsgases ein Siliziumfiim mit einer gewünschten hohen Wachstumsrate des Filmes gebildet wird und da der erhaltene Siliziumfilm gute photoelektrische Eigenschaften zeigt.

Jedoch reagieren sowohl Monosilan als auch Disilan leicht und heftig mit Sauerstoff in der Luft, wobei sie mit einer Flamme abbrennen, daher muß die Handhabung dieser Silangase mit großer Sorgfalt erfolgen.

Tetrafluormonosiian ist weniger gefährlich als die nichtsubstituierten Silane. Weiterhin wird angenommen, daß ein unter Verwendung von Tetrafluormonosiian als Hauptkomponente des Reaktionsgases bei der zuvor beschriebenen Methode gebildeter fluorhaltiger Siliziumfilm bessere thermische Stabilität als Siliziumfilme aufweist, welche unter Verwendung von entweder Monosilan oder Disilan gebildet wurden, und zwar wegen der hohen Bindungsfestigkeit zwischen

Silizium und Fluor. Die Verwendung von Tetrafluormonosilan als Hauptmaterial für einen Siliziumfilm ergibt jedoch ein industriell bzw. technisch schwieriges Problem, da die Wachstumsrate des Films wesentlich niedriger liegt als im Fall der Verwendung von Monosilan oder Disilan als Hauptmaterial. Zur Überwindung dieses Problemes wurde es als notwendig angesehen, den Filmbildungsvorgang unter sehr strengen Bedingungen durchzuführen, bei denen der Gasdruck in der Plasmaatmosphäre oberhalb etwa 133 Pa (1 Torr) und die Leistungsdichte der Plasma-

2 entladung auf der Kathodenseite oberhalb etwa 1 W/cm liegen.

Wenn die elektrische Entladung jedoch bei einer solch hohen Leistungsdichte durchgeführt wird, wirkt das Plasma auf die Wände der Vakuumkammer ein, so daß hierin Fremdmaterialien übertreten, welche auf der Wand oder auch auf einigen Bauelementen der Wand adsorbiert werden können oder hierauf haften können. Dann können solche Verunreinigungen in den in der Plasmaatmosphäre gebildeten Siliziumfilm übertreten, wobei ein beträchtlicher Abbau der Halbleitereigenschaften des Filmes bewirkt wird. Außerdem besteht die Notwendigkeit der Anwendung einer Hochfrequenzstromversorgung großer Kapazität, um eine Entladung mit einer solchen hohen Leistungsdichte, wie sie erforderlich ist, zu erreichen. Dies ist für eine industrielle Durchführung der Herstellungsmethode für einen Siliziumfilm ungünstig. Hinsichtlich des Gasdruckes ist es schwierig, einen stabilen Betrieb der Filmbildung unter einem solch hohen Druck, wie er zuvor genannt wurde, fortlaufend durchzuführen, da ein beträchtlicher Anteil von Pulver sich in der Vakuumkammer während des Wachstums eines Siliziumfilmes ansammelt«

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Vermeidung der zuvor beschriebenen Probleme bei der konventionellen Methode zur Herstellung eines Siliziumfilmes auf einem Träger in einer Plasmaatmosphäre durch Bereitstellung eines verbesserten Verfahrens, bei welchem ein sicheres Gasmaterial verwendet wird, und bei welchem die Wachstumsrate des Siliziumfilmes aus-

reichend hoch ist, selbst wenn die Leistungsdichte der Hochfrequenzentiadung sehr niedrig liegt.

Zur Lösung dieser Aufgabe dient das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Siliziumfilmes auf einem Träger, das die Stufe des Haltens des erhitzten Trägers in einer Plasmaatmosphäre eines Reaktionsgases umfaßt, wobei es dadurch gekennzeichnet' ist, daß das Reaktionsgas ein Fluorsilan, das wenigstens ein Wasserstoffatom aufweist, umfaßt.

Üblicherweise wird das zuvor genannte Fluorsilan, wie es bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendet wird, aus partiell fluorierten Monosilanen, SiH_vF, , worin χ = 3, 2

χ 4 —χ

oder 1 ist, und partiell fluorierten Disilanen, Si₀H F,- ,

ζ y b-y

worin y = 5, 4, 3, 2 oder 1 ist, ausgewählt. Diese Fluorsilane sind weniger gefährlich als Monosilan und Disilan, und daher sind sie für eine technische Anwendung sehr vorteilhaft. Beispielsweise sind SiHF₃ und SiH₂F₀ nicht entflammbar. SiH₃F beginnt beim Kontakt mit einer Hitzequelle hoher Temperatur zu brennen, jedoch ist diese Verbindung ein weit sichereres gasförmiges Material als SiH₇, und Si₀H^. Bei Verwendung dieser partiell fluorierten Silane ist außerdem die Wachstumsrate eines Siliziumfilmes in einer Plasmaatmosphäre bemerkenswert höher als im Fall der Verwendung von Tetrafiuormonosiian unter den gleichen Betriebsbedingungen. Insbesondere bei Verwendung von SiH₃F oder SiH₃F₂ ist die Wachstumsgeschwindigkeit des Siliziumfilmes wesentlich höher als im Fall der Verwendung von SiH und sie ist vergleichbar oder höher als im Fall der Verwendung von Si₂H,. In dieser Hinsicht sind die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens sehr signifikant, insbesondere wenn der Filmbildungsvorgang unter Bedingungen einer niedrigen Leistungsdichte durchgeführt wird.

Das Reaktionsgas bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann ein Gemisch von wenigstens einer Art von partiell fluoriertem Silan und wenigstens einem hiervon verschiedenen gasförmigen Material wie Wasserstoff, einem nichtsubstituierten oder fluorierten Silan und/oder einem Inertgas sein.

Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren gebildeten Siliziumfilme weisen gute photoelektrische Eigenschaften auf. Das erfindungsgemäße Verfahren kann einen Siliziumfilm liefern, welcher Fluor enthält, dies ist jedoch nicht unvermeidlich. Durch Steuerung der Bedingungen beim Filmbildungsvorgang ist es ebenfalls möglich, einen Siliziumfilm zu erhalten, der praktisch frei von Fluor ist und der Wasserstoff enthalten kann.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann unter Verwendung der üblichen Apparaturen und unter im allgemeinen denselben Betriebsbedingungen wie im Fall der Verwendung von Monosilan oder Disilan zur Bildung von Siliziumfilmen in einer Plasmaatmosphäre durchgeführt werden.

Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen näher erläutert; in der Zeichnung sind:

Fig. 1 IR-Absorptionsspektren, welche an zwei Arten von gemäß den Beispielen der vorliegenden Erfindung hergestellten Siliziumfilmen gemacht wurden, und

Fig. 2 eine schematische Darstellung einer in den Beispielen gemäß der vorliegenden Erfindung eingesetzten Herstellungsapparatur.

Die Erfindung wird im folgenden anhand bevorzugter Ausführungsformen näher erläutert.

Als Reaktionsgas wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wahlweise entweder nur eine Art von Fluorsilan, welches wenigstens ein Wasserstoffatom besitzt, oder ein Gemisch von zwei oder mehr Arten solcher Fluorsilane eingesetzt. In jedem Fall kann/können das Fluorsilan/die Fluorsilane mit wenigstens einem hiervon verschiedenen gasförmigen Material vermischt sein, wobei dieses üblicherweise unter Wasserstoff, Monosilan, Disilan, Tetrafiuormonosiian und Inertgasen wie Helium, Neon und Argon ausgewählt wird. Im Prinzip ist das Mischungsverhältnis nicht kritisch. In der Praxis ist es jedoch vorteilhaft, wenn die Gesamtmenge des partiell fluorierten Silanes oder der partiell fluorierten Silane in dem Mischreaktionsgas wenigstens 0,1 Vol.-% und vorzugsweise wenigstens 10 Vol.-% beträgt. In der Praxis wird es bevorzugt, das bzw. die partiell fluorierten Silane unter SiH F, SiH₃F₂ und Si^H F auszuwählen.

Bei der Herstellung eines Siliziumfilmes nach dem erfindungsgemäßen Verfahren kann die Ablagerung des Siliziums auf dem erhitzten Träger unter im allgemeinen denselben Bedingungen der Plasmaatmosphäre mit Ausnahme des Unterschiedes in der Zusammensetzung des Reaktionsgases wie bei konventionellen Plasmaablagerungsmethoden unter Verwendung von Monosilan oder Disilan als siliziumhaltiger Komponente durchgeführt werden. Dies bedeutet, daß der Gasdruck der Plasmaatmosphäre in weiten Bereichen von 0,133 bis 2664 Pa (0,001 bis 20 Torr) variabel ist, und die Leistungsdichte der Hochfrequenzentladung ist ebenfalls in dem breiten Bereich von 0,0001 bis 10 W/cm variabel. Jedes Trägermaterial, das bei der konventionellen Methode verwendet werden kann, kann auch bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzt werden. Dies bedeutet, daß das Trägermaterial bzw. das Unterlagenmaterial aus Glas, Quarz, Keramikmaterial oder Metall bestehen kann. Im Fall von einem nichtleitfähigen Trägermaterial kann die Oberfläche, auf welcher ein Siliziumfilm hergestellt v/erden

soll, zuvor mit einem leitenden Film wie einem Film aus Zinndioxid oder Diindiumtrioxid beschichtet werden. Die Temperatur des Trägers bei dem Vorgang der Bildung des Siliziumfilmes ist nicht kritisch. Üblicherweise liegt eine geeignete Trägertemperatur in dem Bereich von etwa 150°C bis etwa 500°C.

Ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellter Siliziumfilm enthält nicht in jedem Falle Fluor. Dies hängt von den Betriebsbedingungen ab. In der Fig. 1 zeigt (A) das IR-AbsorptionsSpektrum eines Siliziumfilms gemäß dem im folgenden beschriebenen Beispiel 9, bei welchem das Reaktionsgas aus 100 % SiH F bestand und in die Vakuumkammer für die Plasmaablagerung mit einer Strömungsrate von 2,5 ml/min unter Normalbedingungen zur Aufrechterhaltung des Gasdruckes in der Plasmaatmosphäre auf 6,66 Pa (50 mTorr) angeliefert wurde, wobei die Leistungsdichte

der Hochfrequenzentladung 0,03 W/cm und die Trägertemperatur 400°C betrugen. Das Spektrum (A) zeigt nur Absorptionsspitzen, welche der Si-H-Bindung bei etwa 2000 cm und bei etwa 625 cm zuzuschreiben sind. Damit wird bestätigt, daß dieser Siliziumfilm Wasserstoff enthält und praktisch frei von Fluor ist. Im Gegensatz dazu ergab ein anderer Siliziumfilm, der entsprechend dem im folgenden beschriebenen Beispiel 7 hergestellt wurde und bei dem das Reaktionsgas und die Betriebsbedingungen der Filmherstellung dieselben wie in Beispiel 9 mit der Ausnahme waren, daß die Trägertemperatur auf 200°C variiert wurde, das IR-Absorptionsspektrum (B) der Fig. 1. Das Spektrum (B) zeigt eine Absorption bei etwa 800-1000 cm" , welche der Si-F-Bindung zuzuschreiben ist, außerdem die der Si-H-Bindung zuzuschreibenden Absorptionsspitzen. Dies bestätigt, daß der Siliziumfilm Fluor zusammen mit Wasserstoff enthält. Wie durch diese Beispiele gezeigt, ist es gemäß der Erfindung möglich, Fluor in den Siliziumfilm nur dann, wenn dies gewünscht wird, einzuführen, und die Menge des einzuführenden

Fluors kann in einfacher Weise durch Steuerung der Betriebsbedingungen der Filmbildung geregelt werden.

Die Erfindung wird anhand der folgenden Beispiele näher erläutert.

Beispiele 1-13

In jedem Beispiel wurde ein Siliziumfilm auf einem Glasträger (Nr. 7059 von Corning Glass) unter Verwendung einer konventionellen Apparatur für das Züchten eines Films in einer Plasmaatmosphäre gebildet. Wie in der Fig. 2 gezeigt, besteht der Hauptteil der Apparatur aus einer Vakuumkammer 10, welche ein Paar Elektroden 12 und 14 zur Ausbildung einer Glimmentladung durch Anlegen einer Hochfrequenzspannung von einer Hochfrequenzstromversorgung 16 enthielt. In der Vakuumkammer 10 wurde ein Träger 20 auf einer (nicht gezeigten) Lagerung angeordnet, welche nahe der Kathode 14 lag und mit einer Heizeinrichtung 18 versehen war.

Zu Beginn wurden die Vakuumkammer 10 und die hiermit verbundenen Leitungen für die Einspeisung eines Ausgangsmaterialgases oder eines Gemisches der Ausgangsmaterialgase aus den Bomben 30, 32, 34 auf einen Druck unterhalb von 0,000133 Pa (1 χ 10~⁶ Torr) durch Anschluß an eine ölrotationspumpe 36 und eine Molekularturbopumpe 38 evakuiert. Danach wurde entweder ein ausgewähltes Fluorsilangas oder eine Mischung von ausgewähltem Fluorsilangas und Wasserstoffgas in die Vakuumkammer 10 aus der/den Bombe/n 30, 32 und/oder 34 über den/die Massenströmungsratenregler 24 und/oder 26 eingeführt, der/die so eingestellt war/waren, um eine vorbestimmte, konstante Strömungsrate am Einlaß der Vakuumkammer 10 zu erreichen. Das Ausmaß des Vakuums in der Kammer 10 wurde mit einem Vakuummeßgerät 22 überwacht, um einen vorbestimmten Gasdruck, der in jedem Beispiel 6,66 Pa (50 mTorr) betrug, in der Kammer 10 durch geeignete Einstellung eines Hauptventils 40 und Betrieb einer ölrotationspumpe 42 und einer mechanischen Zusatzpumpe aufrechtzuerhalten. Die Heizeinrichtung 18 wurde

so eingeregelt, daß der Träger 20 auf einer vorbestimmten Temperatur, weiche von 2OO°C bis 400 C in diesen Beispielen reichte, gehalten wurde. Unter diesen Bedingungen wurde die Stromversorgung 16 so betrieben, daß eine Hochfrequenzspannung an den Elektroden 12 und 14 angelegt wurde, um eine Glimmentladung mit einer vorbestimmten Leistungs-

o dichte zu erreichen, wobei diese entweder 0,03 W/cm oder

2
0,31 W/cm betrug, so daß ein Plasma des Reaktionsgases in der Kammer 10 erzeugt wurde. Die Zufuhr des Ausgangsmaterialgases oder der Ausgangsmaterialgase und das Anlegen der Hochfrequenzspannung wurden für eine ausgewählte Zeitspanne, die von 25 bis 240 min reichte, fortgeführt, um hierdurch die Ablagerung eines Siliziumfilms auf dem Träger 20 und das Wachstum des Siliziumfilms bis zu einer Dicke von etwa 1-2 um zu bewirken. Die Ausgangsmaterialien und die Besonderheiten der Betriebsbedingungen bei den jeweiligen Beispielen sind in der folgenden Tabelle zusammengestellt.

Die Dicke der in den Beispielen 1 bis 13 gebildeten Siliziumfilme wurde ausgemessen, um die Wachstumsgeschwindigkeit des Films zu berechnen, weiterhin wurden ihre photoelektrischen Eigenschaften bestimmt. Die Ergebnisse sind ebenfalls in der folgenden Tabelle zusammengestellt.

Vergleichsversuche A bis E

Zum Vergleich wurden anstelle der in den zuvorgenannten Beispielen 1 bis 13 verwendeten partiell fluorierten Silane die Verbindungen Monosilan, Disilan oder eine Mischung von Tetrafluorsilan und Wasserstoffgas eingesetzt, wie dies ebenfalls in der folgenden Tabelle angegeben ist. Die Apparatur und die Bedingungen zur Bildung eines Siliziumfilmes waren wie in diesen Beispielen beschrieben, jedoch wurden die Betriebsbedingungen partiell variiert, wie dies ebenfalls in der Tabelle gezeigt ist. Die an diesen Vergleichssiliziumfilmen gemessenen Eigenschaften sind ebenfalls in der Tabelle aufgeführt.

Beispiel Zusammensetzung Gas- Leistungs- Träger- Gasbzw, des Ausgangs- strö- dichte temp. druck Vergleich gases mungs-(in Volumen) rate

(ml/min+)

... 2» ^(W/cm >

(Pa) / (irfTorr)

Wachs- Film- Wachs- Dunkel-

tums- dicke turns- leit-

zeit . > rate fähig-

^ ^ (8/sec) ^keit

Photoleitfähigkeit

(XL ~¹cm~¹)

SiH₂F₂

%

SiH₂F₂/H₂=1/1
SiH₂F₂/H₂=1/9
SiH₀F 100 %

Il
It

SxH₃F/SxH₄=1/1

Si₃H₄F₂ 100 %

2,5 2,5 2,5 2,5 5,0 5,0 2,5 2,5 2,5 2,5 5,0 5,0 2,5

0,03 0,03 0,03 0,31 0,03 0,03 0,03 0,03 0,03 0,31 0,03 0,31 0,03

200 300 400 300 300 300 200 300 400 300 300 300 300

6,66/(50) 6,66/(50) 6,66/(50) 6,66/(50) 6,66/(50) 6,66/(50) 6,66/(50) 6,66/(50) 6,66/(50) 6,66/(50) 6,66/(50) 6,66/(50) 6,66/(50)

1,04 1,56 1,22 0,75 1,25 0,64 0,81 2,93 0,99 0,83 1,04 1,56 0,99

O,72 1,08 0,85 3,12 0,87 0,44 1,50 2,03 1,83 5,53 1,93 8,67 4,11

9,4χ1θ

"⁹

5,4χ1θ

.-6

1,5x10

-10

1,6x10 9,8x10'

—9

-10

2,6x1O

~¹¹

1,9x1O

~⁸

3,2x1O

-7

5,0x10

"¹⁰

9,7x1O

~⁹

3,4x1O

-¹⁰

2,Ox1O

.-8

1,3x1O

"⁷

1,6x10 7,3x10"

~⁵

6,3x10 1,3x10' 2,9x10

>-8

-5

9,0x10 7,1x10' 5,8x10'

"⁸

6,0x10

Γ⁶

2,7x1O

~⁵

1,6x10 8,3x10'

~⁶

.-6

A
B
C
D

SiH₄ 100 %

■I

SiF₄/H₂=7/3
SiF₄/H₂=5/5
Si_nH^ 100 %

5,0

10,0

5,0

0,03 0,31 0,15 0,15 0,03

300 300 300 300 300

6,66/(50) 6,66/(50) 6,66/(50) 107/(800) 6,66/(50)

1,14 0,79 1,30 5,42 0,19 0,13 0,44 1,13

4,8x1O

0,61 2,10

2,0x10 5,4x10' 2,4x10' 1,5x10

"¹⁰

Γ¹¹

-11

-9

2,2x10 4,1x10' 3,8x10' 1,2x10' 1,9x10

-5

Γ⁶

f⁹ -7

-5

unter Normalbedingungen des Druckes und der Temperatur

Die experimentellen Werte in der Tabelle zeigen, daß bei Verwendung eines partiell fluorierten Silans die Wachstumsrate eines Siliziumfilmes auf dem Träger wesentlich höher wird als im Fall der Verwendung von Tetrafluormonosilan unter ähnlichen Bedingungen. Wie sich aus den in den Vergleichsversuchen C und D bei Verwendung von SiF. erhaltenen Ergebnissen ergibt, bleibt die Wachstumsgeschwindigkeit des Filmes zur Vermeidung der Gefahr und/oder zur Herstellung eines Siliziumfilmes mit einem Gehalt an Fluor unterhalb des erwünschten Wertes, selbst wenn der Vorgang der Filmbildung unter beträchtlicher Erhöhung der Gasströmungsrate, des Gasdruckes und/oder der Leistungsdichte durchgeführt wird. Ebenfalls ist ersichtlich, daß sowohl SiH F als auch SiH F₂ gegenüber

^ hinsichtlich der Wachstumsrate eines Siliziumfilms unter den angegebenen Bedingungen vorteilhaft sind und daß sie vergleichbar oder besser als Si₃Hg sind. Der Vorteil von SiH F oder SiH F₂ wird besonders merklich, wenn die Leistungsdichte relativ niedrig ist. Die Leistungsdichte war beispielsweise in Beispiel 8 bei Verwendung von 100 % SiH-F und in Beispiel 2

bei Verwendung von 100 % SiH₃F₂ nur 0,03 W/cm und die Filmwachstumsraten betrugen 2,03 S/sec bzw. 1,08 S/sec. Diese Werte der Wachstumsgeschwindigkeit können als beträchtlich höher angesehen werden als die Filmwachstumsgeschwindigkeit von 0,79 S/ see im Vergleichsversuch A bei Verwendung von 100 % SiH₄ ohne Veränderung der Leistungsdichte und der anderen Faktoren.

Claims

Patentansprüche

Verfahren zur Herstellung eines Siliziumfilms auf einem Träger, wobei das Verfahren die Stufe des Haltens des erhitzten Trägers in einer Plasmaatmosphäre eines Reaktionsgases, wovon wenigstens ein Teil ein halogeniertes Silan ist, umfaßt, dadurch gekennzeichnet , daß das Reaktionsgas ein Fluorsilan, welches wenigstens ein Wasserstoffatom besitzt, enthält.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das Fluorsilan aus der aus partiell fluorierten Monosilanen und partiell fluorierten Disilanen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.

MANlTZ · FINSTERWALD · HEYN ■ MORGAN ■ 8000 MÜNCHEN 22 ROBERT-KOCH-STRASSE 1 · TEL. (089) 224211 ■ TELEX 5 29672 PATMF ■ FAX (0 89) 29 75 75 HANNS-JÖRG ROTERMUND · 7000 STUTTGART 50 (BAD CANNSTATT) ■ SEELBERGSTR. 23/25 · TEL. (0711) 567261

BAYER. VOLKSBANKEN AG ■ MÜNCHEN ■ BLZ 70090000 · KONTO 7270 ■ POSTSCHECK: MÜNCHEN 77062-805 BAYER. VEREINSBANK ■ MÜNCHEN· BLZ 700202 70· KONTO 578351 · BAYER. HYPO-U. WECHSELBANK · MÜNCHEN· BLZ 70020001 · KONTO 6 880119 980
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß das Fluorsilan aus der aus SiH^F, SiH₂F₂ und Si₃H F, bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das Reaktionsgas weiterhin Wasserstoff gas derart enthält, daß das Fluorsilan wenigstens 0,1 Vol.-% des Reaktionsgases ausmacht.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß das Fluorsilan wenigstens 10 Vol.-% des Reaktionsgases ausmacht.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das Reaktionsgas weiterhin eine andere Siliziumverbindung,ausgewählt aus der aus SiH₄, SiF^ und Si₂Hg bestehenden Gruppe derart umfaßt, daß das Fluorsilan mit wenigstens einem Wasserstoffatom wenigstens 0,1 Voi.-% des Reaktionsgases ausmacht.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß das Fluorsilan mit wenigstens einem Wasserstoffatom wenigstens 10 Vol.-% des Reaktionsgases ausmacht.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das Reaktionsgas weiterhin ein Inertgas umfaßt.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Träger auf eine Temperatur im Bereich von etwa 150°C bis etwa 500⁰C erhitzt gehalten wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch g e k e η η *-

zeichnet , daß der Gasdruck in der Plasmaatmosphäre im Bereich von 0,133 bis 2664 Pa (0,001 bis 20 Torr) liegt.
11. Verfahren nach Anspruch 1O, dadurch gekennzeichn e t , daß die Leistungsdichte der hochfrequenten elektrischen Entladung zur Aufrechterhaltung der Plasmaatmosphäre

2 im Bereich von 0,0001 bis 10 W/cm liegt.