DE3402664A1

DE3402664A1 - Verfahren zur behandlung und/oder handhabung von wafern sowie einrichtung zur durchfuehrung des verfahrens

Info

Publication number: DE3402664A1
Application number: DE19843402664
Authority: DE
Inventors: Jalal 94043 Mountain View Calif. Ashjaee; Susan 94611 Oakland Calif. Kung; Nobuo 95120 San Jose Calif. Kuwaki; Tuan 95035 Milpitas Calif. Ngo; Johann 95070 Saratoga Calif. Tam
Original assignee: ASML US Inc
Current assignee: ASML US Inc
Priority date: 1983-03-28
Filing date: 1984-01-24
Publication date: 1984-10-04
Anticipated expiration: 2004-01-25
Also published as: GB2137414B; GB2137414A; JPH0145975B2; GB8407962D0; GB2180097A; US4507078A; JPS59181617A; GB2180097B; DE3402664C2; GB8622394D0

Description

-40- ^Hamburs> <ien 13.4£k2&64i98-4-

276284

Anineldei*:

Silicon Valley Group
3901 Burton Drive
Santa Clara, CaI. 95 054
U.S.A.

Verfahren zur Behandlung und/oder Handhabung von "Wafern sowie Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens

LLi! Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung und/oder Handhabung von Wafern sowie eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens. Die Erfindung betrifft insbesondere ein Verfahren und eine Einrichtung zur Sicherung der Zentrierung

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eines Wafers an einer Bearbeitungsstation sowie ein Verfahren sowie eine Einrichtung zur Aufheizung eines Wafers zur Entfernung von Flüssigkeiten, wie z.B. Lösungsmittel, die beim Aufbringen einer Fotoresistschicht auf den Wafer zur Anwendung komaum, odv.-r l?^l.Lür,.s L^kcituri, die beim Waschen oder Mäubei"n des Wafers gebraucht werden.

Bei der Behandlung von Silizium-Wafern bei der Herstellung von Halbleitern gibt es eine Reihe von Verarbeitungsstufen, die das Entfernen von Flüssigkeiten vom Wafer erfordern, bevor weitere Bearbeitungsschritte ausgeführt werden können.

Nachdem z.B. eine Fotoresistschicht zentrifugal auf einen wafer aufgebracht wurde, werden die Lösungsmittel in der ü'otoresistsohicht durch Erhitzen (Aushacken) ausgetrieben. In automatischen Anlagen zur Behandlung von Wafern ist dieser Erhitzunüsprozcß, dox* als Weichbacken (coft bake) bezeichnet wird, häufig in l'Orm einer ütx'ahlungserhitzung in einem Ufen ausgeführt.

Eine andere Anwendung, die ein Backen, erfordert, ist das Entfernen von ungewünschten 'i'üilen des Motoresistmaterials, nachdem die Muster auf der Fotoresistschicht aufbelichtet sind. Das ungewünschte Material wird weggewaschen. Nach dieser Verarbeitungsstufe wird der Wafer in einer Verarbeitungsstufe, die als Hartbacken (.hard bake) bezeichnet wird, gebacken, um die Fotoresistschicht gegen Ätzmittel undurchlässig zu machen.

Es gibt weiterhin eine BeMrbeitungüstuf ο, die- air. Dehjdrationsbacken (dehydration bake) bezeichnet wird. Diese fcitufe vvird zur Entfernung von verbliebener Feuchtigkeit, die auf dem Wafer vorhanden ist, verwendet, nachdem der Wafer durch Wasser oder Detergentien gewaschen und gereinigt wurde.

Es gab auch Vorschläge zum Entfernen der Flüssigkeit durch Leitungsbacken (conducting baking), bei dem der Wafer auf eine heiße Platte gelegt wird, ohne daß ein Strahlungserhitzen

in Öfen verwendet ist. Die Anlage zum Backen auf einer heißen Platte kann kleiner als ein Strahlungsofen ausgeführt werden, denn Bodenfläohe ist oft sehr bedeutend bei der Wafer-Herstellung.

Die Einhaltung der Anstiegszeit der Temperatur bis zur Umwandlungstemperatur oder zur Ausbacktemperatur des Wafers mit einer heißen Platte kann Probleme bereiten. Wenn die Anstiegszeit zu schnell ist, können Blasen in dem Fotoresistmaterial auftreten. Wenn die Anstiegszeit zu langsam ist, wird die Zeit der Backbehandlung zu lange ausgedehnt.

Es ist ein besonderer Zweck der Erfindung, eine heiße Platte zum Backen des Wafers zu verwenden in einer Weise, daß die Wafer-Temperatur in jedem Punkt des Heizungszyklus genau eingestellt oder geregelt werden kann, und daß eine Flexibilität gegeben ist in der Weise, in der der Wafer zur Umwandlung s temperatur oder Ausbacktemperatur gebracht wird, wobei die gesamte erforderliche Zeit für die Backbehandlung minimal gehalten ist.

Es ist ein weiterer besonderer Zweck der vorliegenden Erfindung, den Wafer durch eine abstandsbestimmte Backtechnik aufzuheizen, bei der der Wert der übertragenen Hitze zum Wafer und das Maß, mit welcher Hitze der Wafer aufgeheizt wird, durch den Abstand zwischen dem Wafer und der heißen Platte bestimmt ist. Es ist ein anderer besonderer Zweck der uti Erfindung, die heiße Platte bei einer konstanten

be. L reiben, di.e. höher ist ols die höchste Tempernl/Ur, auf welche der Wafer aufgeheizt werden soll, go daß die Platte als übersteuerte Hitzequelle dient und die Temperaturregelung oder -steuerung des Wafers entweder durch Einhaltung eines vorbestimmten programmierten Abstandes, oder durch temperaturkontrollierte Abstandsregelung zwischen Wafer und heißer Platte erreicht wird.

Ein anderer Zweck der vorliegenden Erfindung zur Aufheizung

des Wafers ist die Angabe eines Verfahrens oder einer Einrichtung, die keinen Kontakt des Wafers -weder mit der heiBen Platte noch mit einem Pyrometer zur Messung der Temperatur des 'Wafers erfordert.

Für die meisten Bearbeitungsstufen an einer ArbeiLustution ist eine genaue Zentrierung des Wafers im Hinblick auf das Zentrum der Arbeitsstation bedeutend. Z.B. ist die Zentrierung bei Drehoperationen kritisch.

Ls ist ein anderer besonderer Zweck der Erfindung, ein Paar von Sensoren an Stellen der Arbeitsstation vorzusehen, die das Vorhandensein eines Wafers an der Arbeitsstation erkennen und die in Zusammenarbeit mit der Wafer-Transporteinrichtung und dem Steuergerät sicherstellen, daß der Wafer geeignet zentriert ist, bevor der Wafer an der Arbeitsstation an der Wafer-Transporteinrichtung abgehoben wird zum Start eines Bearbei tungsschrittes.

Ein weiterer besonderer Zweck der Erfindung ist die Verwendung von zwei Sensoren, um die Wafer-Zentrierung unabhängig von der Ebene des Wafers zu machen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Behandlung und/oder Handhabung von Wafern sowie eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens zur Aufheizung eines Wafers, insbesondere zum Austreiben von Lösungs- oder Reinigungsmitteln, derart auszubilden, daß eine möglichst schnelle Aufheizung des Wafers erreichbar ist, ohne daß eine Strahlungsaufheizung erfolgt und der Wafer in Kontakt mit einer Heizplatte tritt.

Diese Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen, der Beschreibung sowie der Zeichnung angegebene Erfindung gelöst. Weitergehende Merkmale der Erfindung sind in Unteransprüchen sowie Beschreibung und Zeichnung angegeben.

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Das erfiiidungsgeiiiäße "Verfahren und die Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens ermöglichen Flexibilität im Haß und der Art, in welcher der Wafer auf die Umwandlungsoder Ausbacktemperatur aufgeheizt wird, wobei die gesamte Zeit zur Ausbackbehandlung minimiert ist.

Die Heizplatte hat eine große Masse im Vergleich zur Masse des Wafers und verbleibt genau kontrolliert auf einer grundsätzlich konstanten Temperaturhöhe, die höher ist als die Ausback- oder Umwandlungstemperatur, auf die der Wafer · aufgeheizt werden soll.

Der Wafer wird zu Beginn des Aufheizzyklus in enger Nähe zur Aufheizplatte positioniert. Der Wafer wird dann relativ zur Aufheizplatte wegbewegt, um die Weite des Luftzwischenraumes zwischen dem Wafer und der Hitzeplatte zu variieren. Das Aufheizen des Wafers wird gesteuert als Funktion des Abstandes'zwischen Wafer und der Heizplatte.

Das Wafer-Behandlungsverfahren und die Einrichtung dieser Erfindung sichern die Zentrierung des Wafers an der Arbeitsstation durch zwei Wafer-Sensoren, die an der Arbeitsstation an Stellen positioniert sind, an der die Anwesenheit des Wafers an der Arbeitsstation erkannt werden kann. Die Sensoren erfassen die Anwesenheit des führenden Teils des Wafers, sobald der Wafer die Arbeitsstation erreicht, und geben ein Signal an ein Steuergerät, die Geschwindigkeit der Antriebsi'i ein cn und die Geschwindigkeit, mit der der Wafer die Arbeitsstation erreicht, zu verringern.

Die Sensoren weisen das Steuergerät an, die Antriebsriemen zu stoppen, sobald das nacheilende Ende des Wafers den optischen Weg von beiden Sensoren freigibt und der Wafer in der Arbeitsstation zentriert ist.

Wenn der Wafer nicht in der Arbeitsstation zentriert ist, wird dieser Zustand der Nichtzentrierung durch die WaferSensoren erkannt. Der Wafer wird dann zur Zentrierung zu-

rückgeführt. Die Antriebsriemen werden mit der geringeren Geschwindigkeit angetrieben, sobald eine Kante des Wafers im Eingriff mit einer gekrümmten Fläche steht, die dem Wafer ermöglicht zu rotieren und sich seitlich zu verschieben, bis der wafer zentriert ist und die optischen Wege beider bensoren durch den zurückzentrierten Wafer freigegeben sind. Dies sind weitere spezielle Zwecke der Erfindung.

Weitere Zwecke der vorliegenden Erfindung sind in der folgenden Beschreibung und den Ansprüchen angegeben und werden durch die beigefügten Zeichnungen erläutert. Die Zeichnungen zeigen spezielle Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und deren Prinzipien und welches als beste Ausführungsform dieses Prinzips angesehen wird. Weitere Ausführungsformen der Erfindung, die eine gleiche ■ oder ähnliche Arbeitsweise enthalten, und konstruktive Ausgestaltungen können vom Fachmann ausgeführt werden, ohne die vorliegende Erfindung und den Geltungsbereich der Ansprüche zu verlassen.

Die Erfindung wird nachstehend anhand eines Ausführungsbeispiels erläutert. Es zeigen

Fig. 1 eine isometrische Ansicht einer Wafer-Bear-

to

beitungseinrichtung, die entsprechend einer Ausführungsform der Erfindung konstruiert ist. Die wafer-Bearbeitungseinrichtung transportiert einen Ilalbieiter-Wafer zu eint-r Arbeitsstation, zentriert den Wafer an der Arbeitsstation und backt den Wafer an der Arbeitsstation.

Fig. 2 a - c Aufsichten entsprechend der Linie und der

Richtung, die in Fig. 1 mit den Pfeilen 2-2 gezeigt ist. Diese Zeichnungen zeigen eine Folge von Behandlungsschritten zur Zentrierung eines nichtzentritrten Wafers in das Zentrum der Arbeitsstation, bevor der Wafer durch die

Wafer-Hebeeinrichtung an der Ärbeitsstation von den Antriebsriemen, abgehoben wird.

Fig. 3 eine teilweise Seitenansicht im Querschnitt

entlang einer Linie und .Richtung, die in Fig. 2 c durch die Pfeile 3-3 gezeigt ist. Fig. zeigt, wie die Halteglieder den wafer auf der Unterseite des Wafers nur an den Umfangsflachen erfassen, wobei die Überseite und die Seitenkante des Wafers nicht in Kontakt zu den Haltegliedern steht. Fig. 3 zeigt weiterhin, daß das in Laufrichtung vordere Tragelement einen vertikalen Bereich von größerer Höhe als das hintere Tragelement enthält, um die Eückzentrierung des Wafers, wie in Fig. 2 b dargestellt, zu ermöglichen.

Fig. 4- eine vergrößerte isometrische Ansicht des rückseitigen Tragelements. Fig. 4- zeigt die gekrümmte Fläche, die dem Wafer ermöglicht zu rotieren und sich seitlich zu verschieben, bis der Wafer nach Fig. 2 b zentriert ist.

Fig. 5 a - eine Folge von Ansichten entlang der Linie und c der itichtung, wie in Fig.* 1 durch Pfeile 5-5 dargestellt. Diese Ansichten zeigen wie der Wafer aufgeheizt wird. Entsprechend einer Möglichkeit der vorliegenden Erfindung erfolgt das durch anfängliches In-Kontakt-bringen des. Wafers mit der Heizplatte zu Beginn des Zyklus, um eine schnelle Anfangsübertragung der Hitze von der Heizplatte zum Wafer zu gewährleisten, und dann durch Anheben des Wafers von der heißen Platte ohne weiteren Kontakt mit der heißen Platte .und dann weiteres Abheben des Wafers relativ zur heißen Platte zu verschiedenen Abständen, um einen Luftzwischenraum zwischen dem Wafer und der heißen Platte zu bilden und

die Hitze des Wafers als Funktion des Abstandes des Wafers von der heißen Platte zu regulieren.

Pig. 6 a drei unterschiedliche Kurven von Wafer-Temperatur gegen Zeit, die entsprechend der vorliegenden Erfindung durch Variieren des Abstandes des Wafers von der heißen Platte während der Aufheizzeit erhalten werden.

Fig. 6 b eine Darstellung, die die Variation des Abstandes des Wafers von der heißen Platte zu jeder von drei verschiedenen Wafer-Temperaturen über die Zeit, wie in Fig. 6 a dargestellt.

ü'ig. 7 eine Darstellung, die die Veränderung des

Hitzeflusses zwischen zwei parallelen Platten konstanter Temperatur als Punktion der Dicke des Luftraums zwischen den Platten darstellt.

Pig. 8 ist eine Darstellung, die die prozentuale Verteilung der Hitze durch Leitungkonvektion und strahlung bei Änderung der Dicke des Gases zwischen einer heißen Platte und einem Wafer in einem bevorzugten Bereich von Abständen angibt, die bei der Einrichtung und bei dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung auftritt.

.big. 1 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung mit einer ftiifer-iiecrbeitungsstatiori 11. Die Wafer-Bearbeiturigsstation enthält eine wafer-Transporteinrichtung 15 zum Transport des Wafers 13 in dichtung 16 zu und weg von der Bearbeitungsstation 17, eine Heizplatte 20 zum Backen des Wafers an der Bearbeitungsstation sowie ein Steuergerät 22 zur Steuerung der Punktion der Wafer-Bearbeitungsstation 11.

Fig. 1 zeigt weiterhin einen Halbleiter-Wafer 13, der sich am Anfang der Wafer-'i'ransporteinrichtung 15 zum Transport

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zur Bearbeitungsstation 17 befindet. Der Wafer 13 hat im allgemeinen eine runde Gestalt und v/eist im allgemeinen eine flache Seite 19 an der Peripherie auf.

Die Wafer-Transporteinrichtung 15 enthält ein Paar seitlich auseinander liegender und parallel geführter Treibriemen 21 und 23, die an einem Ende über Hollen 25 und 27 und am anderen Ende über Hollen 29 und 31 geführt sind. In einer besonderen Ausführungsform handelt es sich bei den Treibriemen 21 und 23 um Endlos-Riemen.

Wie in Pig. 2 a bis 2 c dargestellt ist, sind die Rollen 25 und 29 auf einem Träger 33 befestigt. Endlos-fiiemen 23 und die zugehörigen Rollen 27 und 31 sind dem Träger 35 zugeordnet.

Die Träger 33 und 35 besitzen innere Überflächen, die die Beitenkanten des Wafers begrenzen und die normalerweise den Wafer nicht berühren. Wenn sich jedoch ein Wafer außerhalb der Mittellinie der Wafer-Transporteinrichtung befindet oder gerät, wirken die inneren Oberflächen der Träger 33 und 35 während des Fortführens des Wafers durch die Treibriemen 21 und 23 zur Arbeitestation als Führungen zur Zurückführung des Zentrums des Wafers in Übereinstimmung mit der Mittellinie des Wafer-Transportsystems.

Die Träger 55 und 35 sind seitlich durch eine nicht dargeoteilte Trägertransporteinrichtung zueinander und von-

beweglich, entsprechend Pfeil 37 nach i'ig. 1, um diu! Arbcitüsohritte auf dem Wafer an der Bearbeitungsütation 17 vornehmen zu können.

Eine Einrichtung zum Zueinander- und Voneinanderbewegen der Träger 3:3 und 35 ist detailliert beschrieben in der US-PS 4,217,977, herausgegeben am 19.Ö.198O für den gleichen Anmelder.

Wie weiterhin in 3?ig. 1 dargestellt ist, ist ein Antriebs-

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motor 39 vorgesehen, um die Rollen 29 und 31 anzutreiben. Details zu diesem Antrieb sind gleichfalls in der US-PS 4,217,977 dargestellt. Das Steuergerät 22 regelt Start, Stop und Rotationsgeschwindigkeit des Antriebsmotors 39 durch die Leitung 43.

Ein wafer-Positionssensor 45, der ein nach oben gerichtetes Detektorelement 47 enthält, ist auf dem Träger 33 befestigt. In einer besonderen Ausführungsform der Erfindung ist der Sensor 45 ein optischer Sensor und das Element 47 ist ein Lichtref lexiorisdetektoreiement. Ein ähnlicher Waf er-Positionssensor 49, der ebenfalls ein aufwärts gerichtetes Lichtref lexionsdetektorelement 51 enthält, ist auf dem Träger 35 befestigt. Die Sensoren 45 und 49 sind mit dem Steuergerät 22 durch Leitungen 53 und 55 verbunden.

Wie im folgenden näher dargestellt ist, werden die Endlos-Riemen 21 und 23 mit gleicher Geschwindigkeit betrieben. Die Geschwindigkeit ist relativ hoch bis der Wafer die Bearbeitungsstation erreicht. Dies wird durch die Sensoren 45 und 49 angezeigt. Die Riemen 21 und 23 werden dann mit relativ langsamer Geschwindigkeit betrieben, bis der Wafer in Position über dem Zentrum der Arbeitsstation zentriert ist und die Detektoren 47 und 51 nicht mehr durch das rückwärtige Ende des Wafers bedeckt sind. Zu diesem Zeitpunkt wird der Antrieb der Treibriemen gestoppt.

Die wafer-Hebeanordnung 18 enthält ein Paar von Wafer-Tragegliedern, eine vordere Anordnung 57 und eine hintere Anordnung 59, in Waferlaufrichtung gesehen. Die Anordnungen 57 und 59 werden angehoben und abgesenkt in Richtung des Pfeiles 61, um den Wafer 13 von den Endlosriemen 21 und abzuheben, bevor die Wafer-Bearbeitung an der Bearbeitungsstation 17 erfolgt, und den Wafer 13 nach Abschluß der Wafer-Bearbeitungsschritte an der Bearbeitungsstation 17 auf die Endlosriemen 21 und 23 abzusenken.

Die Endlosriemen 21 und 23 werden, nachdem der Wafer 13 von

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den Riemen abgehoben ist, auswärts bewegt bis zur Position, die durch eine unterbrochene Linie entsprechend Pig. 1 dargestellt ist. Die Endlosrieinen 21 und 23 werden innenwärts zur nicht unterbrochenen Linie bewegt, nachdem die Bearbeitung des Wafers an der Bearbeitungsstation abgeschlossen ist, wenn der Wafer 13 auf die Treibriemen zum Transport weg von der Bearbeitungsstation 17 zurückgesetzt wird. Die Bearbeitungsfolge ist in der bereits genannten US-Pß 4,217,977 dargestellt, nämlich Abheben des Wafers von den Treibriemen 21 und 23, Bewegung der zugehörigen Träger nach auswärts, Absenken des Wafers an der Bearbeitungsstation 17 zur Bearbeitung, Anheben des Wafers auf die Treibriemen 21 und 23 nach Abschluß der Bearbeitung, Bewegung der Treibriemen nach innen, und Absenken des Wafers zurück auf die Treibriemen für den folgenden Transport des Wafers weg von der Bearbeitungsstation 17.

In einer besonderen Ausführungsform der Erfindung sind die Trageglieder 57 ußd 59 mit einem Joch 63 verbunden. Die vertikale Position des Jochs 63 wird durch einen linearen Servoantrieb 65 gesteuert, der mit dem Steuergerät 22 durch eine Leitung 67 verbunden ist.

Wie in den Fig. 1, 3» ^ und 5 gut dargestellt ist, weisen die vorderen und hinteren Anordnungen 57 und 59 (Trogeglieder) bogenförmige Kanten 69 und 7I auf, um den Wafer nur an der äußeren Unterseite des Wafers zu erfassen, damit die obere Fläche und die seitliche Kante des Wafers nicht in Kontakt mit den Transportmitteln steht. Diese Konstruktion verringert das Hisiko von Berührungen der kritischen oberen Oberfläche des Wafers.

iJie Lk-inrbeitungüstatiori 17 ist, wie in Fig. 1 gezeigt ist, eine Hoizübulion und sie wird zum Backen des Wafers 13 verwendet. Die Station 17 wird für alle Bearbeitungsstufen, wie Hartbacken, Weichbacken und die Hydration, wie bereits in der Einleitung beschrieben, verwendet.

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Eine Heizplatte 20 ist zentral in der Aufheizstation 17 nn^t-ortim-t., win in l^ri£. 1 dfirßer.tollt, um die ilitzo für den. üackvorgfng zum wafer 1:5 gelangen zu lassen. LIe Heizplatte 20 weist eine sehr große Masse auf im Vergleich zur Masse des Wafers, und die Temperatur der Heizplatte wird auf einer konstanten Temperatur innerhalb enger Toleranzen und auf einem Niveau gehalten, das höher als die Uinwandlun^o-(equilibrium temperature) oder Zieltemperatur ist, auf welcher der Wafer aufgeheizt werden soll. Die Hitzequelle für die Heizplatte 20 ist nicht gezeigt, aber ist in einer besonderen Ausführungsform der Erfindung eine elektrische Hitzequelle.

Mn Pyrometer 75 ist über der Heizstation 17 angeordnet, um die Tempera bur des Viafers 1^ zu wessun. in einer besonderen Ausführungsform der Erfindung mißt das Pyrometer 75 die Temperatur der ausgesandten Infrarotstrahlung des aufgeheizten Wafers 15· Das Pyrometer überträgt ein Signal, das die Temperatur zum Steuergerät 22 über die Leitung 77 angibt.

In der vorliegenden Erfindung wird der Wafer durch eine Abstandsbacktechnik aufgeheizt. Der Wert der zum Wafer transportierten Hitze und das Verhältnis, zu welchem die Hitze zum Wrfer transportiert wird, sind bestimmt durch den Abstand zwischen dem Wafer und der Heizplatte 20 und die Lance der Zeit, α.η dur der Wafer bei jedem Abstand zur Heizplatte gehalten wird.

Die vorliegende Erfindung sieht eine genaue Steuerung und/ oder Regelung der Wafer-Temperatur zu jedem Punkt des Ileizzyklur.ses vor und ermöglicht große Flexibilität in der Art, in der der Wafer zur Umwandlungs- oder Backtemperatur gebracht wird, welches in der folgenden lies ehr ei bung näher dargestellt ist.

Da die Heizplatte 20 eine große Masse hat - eine gigantische Masse im Vergleich zur Masse des Wafers - und auf einer

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Temperatur gehalten wird, die höher als die höchste Temperatur ist, auf welche der Wafer aufgeheizt werden. muß, stellt die Heizplatte 20 eine konstante Heiztemperaturquelle dar, die leicht zu steuern oder zu regeln ist und die praktisch als übersteuerte Heizquelle dient. Die Steuerung der wafer-Temperatur und das Verhältnis, mit weichem die Wafer-Temperatur geändert wird, sind nur abhängig vom Abstand zwischen dem Wafer und der Heizplatte.

Der Wafer kann in direktem Kontakt mit der Heizplatte positioniert werden, wie in Fig. 5 a demonstriert, wobei dieses die schnellste Hitzeübertragung von der Heizplatte zum Wafer gewährleistet.

Wenn eine langsamere Hitzeübertragung gewünscht ist, als durch direkten Kontakt mit der Heizplatte erreichbar ist, wird der Wafer 13 etwas oberhalb der Heizplatte gehalten und ist von der Heizplatte durch einen Luftspalt 79 von kleiner Dicke getrennt, wie in Fig. 5 b dargestellt.

Durch Vergrößern der Dicke des Luftspalts 79, wie in Fig. 5 b dargestellt, kann das Maß der Hitzeübertragung zum Wafer weiter reduziert werden.

Auf diese Weise kann durch Variieren der Entfernung zwischen Wafer und der Heizplatte mit der Zeit in der weise, wie durch die Kurven 1, 2 und 3 in Fig. 6 b illustriert ist, die Anstiegszeit der Wafer-Temperatur in einer Weise variieren, wie in den entsprechenden Kurven 1, 2 und 3 6 a dargestellt ist.

Obwohl der Wafer als ursprünglicn in direktem Kontakt mit der Heizplatte stehend in Fig. 6 b gezeigt ist, ist eine schnelle Anstiegszeit ebenfalls ohne Kontakt des Wafers mit der Heizplatte erreichbar. Bei kleiner Dicke des Luftspaltes 79 zwischen dem Wafer und der Heizplatte ist, wie in Fig. ü dargestellt, die primäre Heizübertragung eine Wärmeleitung (.conduction). Ein großer Hitzefluß wird über

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einen dünnen Luftspalt ohne direkten Kontakt übertragen. In einigen Anwendungsfällen ist ein Ausbacken des Wafers ohne jeden Kontakt mit der Heizplatte gewünscht, um das Äisiko von Berührung zu vermeiden. Die vorliegende Erfindung ermöglicht ein Ausbacken ohne Kontakt, obgleich eine schnelle Anstiegszeit der Temperatur erreichbar ist, wenn eine schnelle Anstiegszeit gewünscht ist.

Die vorliegende Erfindung ermöglicht ein Temperatur/Zeitprofil entweder durch Angabe von Ab stands vierten an das Steuergerät 22 oder durch .Regelung eines vorbestimmten Temperaturprofiles, das an das Steuergerät 22 gegeben ist, durch ständige Temperaturmessung einzuhalten. Im letzteren Fall wird die tatsächliche Temperatur des Wafers, die durch das Pyrometer 75 gemessen ist, mit der vorbestimmten Temperatur zu diesem Zeitpunkt im Backzyklus verglichen. Das Steuergerät 22 steuert einen linearen Servoantrieb 65? um notwendige Nachstellungen, entweder aufwärts oder abwärts, vorzunehmen, um den Wafer in die richtige Position zu bringen, und nun die tatsächliche Temperatur auf die vorbestimmte Temperatur zu bringen.

Wie in Figuren 7 und 8 bei der Angabe "Abstandsregelbereich" dargestellt ist, liegt der bevorzugte ,Regelbereich der vorliegenden Erfindung innerhalb des Bereichs, in dem die Wärmeleitung einen substantiellen Beitrag zum Wert der Hitzeübertragung ergibt und in dem die Wärmekonvektion entweder keinen Beitrag oder einen substantiell kleinen .beitrag zum Wert der Hitzeübertragung ergibt.

In einer besonderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrug der Kegelbereich des Abstandes zu dem Wafer und der Heizplatte annähernd 8 Inch (etwa 20 cm). Der lineare Servoantrieb 65 ist durch elektronische Impulse von einem Mikroprozessor gesteuert, der von einer Zentralprozessoreinheit innerhalb des Steuergerätes 22 angetrieben wird. Dadurch können die Wafer-Trageeinrichtungen 57 und 59 vertikal auf- und abwärts zu jedem von ungefähr

Mr-

500 diskreten Werten, die im Abstand von O, 002 Inch (etwa 0,05 ana) Entfernung liegen, gebracht werden.

In der Vafer-Backtechnik ist eine genaue Ausrichtung des Zentrums des Wafers mit der Bearbeitungsstation erforderlich. Dies ist ebenfalls in anderen Wafer-Bearbeitungsoporationen wichtig, insbesondere in solchen Bearbeitungsütufen, in denen es notwendig ist, den Wafer zu drehen.

In der Wafer-Bearbeitungsstation 11, die in JJ¹Ig. 1 dargestellt ist, kann das Zentrum des Wafers normalerweise auf einer Linie, die mit der Mittellinie der Wafer-Transporteinrichtung 15 übereinstimmt, in Abhängigkeit von der Genauigkeit, mit der der Wafer 13 ursprünglich auf den Treibriemen 21 und 23 positioniert wird, gehalten v/erden.

Wie oben dargestellt ist, enthält die Wafer-Transporteinrichtung 15 tführungsglieder entlang der Treibriemen 21 und 23, die in Kontakten mit dem Wafer 13 treten, um das Zentrum ZUx¹UCk zur Mittellinie zu führen im Falle, daß dab Zentrum an einigen Punkten des Transports auf dem Treibriemen 21 und 23 außerhalb der Mittellinie gerät.

Die vorliegende Erfindung beinhaltet eine betriebssichere Einrichtung und eine Verfahrensart zum Zentrieren des Wafers an der Bearbeitungsstation 17 für den Fall, daß der Wafer bei der Handhabung außerhalb des Zontrums gerät. Wliiii al:η-) i-j.H. die Wai'ei'-iiclKiudlungsst.ution 11 erschüttert vvird und der Wafi-r zu die υ ein Zeitpunkt unzentriert wird, gibt die vorliegende Erfindung ein Verfahren und eine Einrichtung an, um den Wafer 13 in das Zentrum der ßearbeitungs-L.tation zurück zu bringen. Diese Einrichtung und dos Vorfahren sind in Fig. 2 a bis 2 c, Fig. 3 und 4 dargestellt.

Pig. 2 a zeigt den Wafer 13, dessen Zentrum Ö1 außerhalb der Mittellinie 83 der Wafer-Transporteinrichtung liegt und außerhalb des Zentrums ü5 der Bearbeitungsstation 1?·

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j?ig. 2 a zeigt weiterhin den schlechtest möglichen Sail, bei dom die flache Seite 19 auf der einen bcite liegt, die Zentrierung des Wafers durch die Jiühruiigugliedur auf den Trägern 33 und 35 zu erreichen.

Die Rückzentrierung des sich nicht zentrisch befindenden wafers 13 ist, 'wie in i'ig. 2 a dargestellt ist, begleitet vom Zusammenwirken der optischen Sensoren 45 und 59, dur Steuerlogik im Steuergerät 22, das Signale von den Lc ii:;urcti iTilhül. I, Ui-Hi AriLricb dv.r Wj > HK-Ii ΓΊ und P 5, und der gekrümmten Überfläche 87 der vorderen Wafer-Trageeinrichtung 59·

üblichen Verfahrensgang der Wafer-Behandlungsstation 11 mit einem genau zentrierten Wafer 13 auf den Treibriemen 21 und 23 quert das führende Teil des Wafers 13 die optischen Wege der Detektoren 47 und 51, sobald der Wafer zur. Bearbeitungsstation 17 transportiert wird. Die Sensoren 45 und 59 senden dann Signale zum Steuergerät über die Leitungen 53 und 55, und das Steuergerät 22 verlangsamt den Antriebsmotor für die .Riemen 21 und 23 beträchtlich, so daß der 'w.'iJVr 1 'j ·.: Li^-U in Ui; u Ju/bi.· H.r.bon· Lr \\ der B(.-nrbfiituri[-';iu;trition mit einer relativ geringen Geschwindigkeit bewegt. Wenn das hintere Teil des Wafers 1^ den optischen Weg der Detektoren 47 und 51 nicht mehr abdeckt, senden die Sensoren und 49 ein Signal an das Steuergerät 22, und die logischo Linheit der, Steuergerätes 22 stoppt den Antrieb der Riemen 21 und 23, ε-ο daß der Wafer 13 an der Bearbeitungsstation gestoppt wird und sein Zentrum 81 übereinstimmt mit dem Zentrum 85 der Besrbeitungsstation.

Der Gebrauch von zwei oensoren in der vorliegenden Erfindung sichert die Zentrierung des Wafers unabhängig von der Lage (]._r. π :·.·.!·,.-ti ί,.-it.f- 1') und :.l.f:MI, Γ,ί'Ίκτ, d-'iß dnr W?if<:r --η der Be ar Dt-ituugLi s LaLion iu um«.;!¹ Wexku zuatrn.-rL χ.νΐ, eile nicht mi ο einem einzigen Sensor möglich ist. Durch die Lage der flachen Seite 19» die in Fig. 2 a dargestellt ist, in

der 12-Uhr-Position, kann der Wafer bis zu einem maximalen Wert außerhalb des Zentrums liegen. Die vorliegende Erfindung ermittelt diese außermittige Lage und die zwei |j<ii;,f.n'f u ,". i "'.licr'ti, cl.-iji u<r Wm Tor rJr.liLip; Mti d<:r Bc.'irbe: i tunp;nstation zentriert ist, wie unten weiter beschrieben ist. Wenn aber die flache Seite 19 sich in der 2-Uhr-Position befindet, könnte der Wafer tatsächlich zentral auf der Hittellinie der Wafertransporteinrichtung liegen, aber würde gleichwohl nicht vollständig zum richtigen Zentrum der Bearbeitungsstation transportiert, wenn nur ein einzelnes oensorelement ans belle von zwei Sensoren der vorliegenden Erfindung verwendet wären, um den Transport der Hieinen zu steuern. D.h., daß wenn die flache Seite 19 sich in der 2-Uhr-Position befindet und den einzigen Sensor an der Bearbeitungsstation nicht abdeckt, die Waf εΓ-Ι^τθηβροΓΐ-ο Lin· i i'hüuii-¹; Mtihn I bnn vvürdo, bt:vor <3?κ; Zentrum M1 de;» V/afeir. tatsächlich über das Zentrum c$5 der .Bearbeitungatitation bewegt würde. Die Verx^endung von zwei Sensoren in der vorliegenden Erfindung sichert, daß eine genaue Übereinstimmung der Zentren Ö1 des Wafers und des Zentrums ö5 der Bearbeitungsstation immer erreichbar ist, v/eil beide Sensoren freigegeben sein müssen, bevor der Antrieb stoppt.

Wenn der Wafer 15 außermittig liegt, wie in Jb'ig. 2 a dargestellt, bleibt einer der Detektoren, in diesem Fall Detektor 4'/, abgedeckt. Dies führt dazu, daß der Antrieb der Riemen bei geringer Geschwindigkeit fortgesetzt wird, bis beide der.· DoU ktorcn 4-7 ^un(ä b1 i'f c igopjebon sind.

In der Darstellung nach Fig. 2 b ist der Wafer 13 in. .Richtung des Pfeiles 87 in Fig. 2 b gedreht. Dies wird dadurch bewirkt, daß die Kante des Wafers 13 in Kontakt mit dem Teil dt;r gekrümmten Oberfläche Ö7 des vorderen Tragegliedes 59 tritt, dv'.s über das obere üiude des hinteren Trsgegliedes 7/ hüi.-nuirni-t,. S. dazu Ji¹Ig. 5, die den Unterschied in der liolic ÜV dart;tollt. Dieser Unterschied in der Höhe ermöglicht dom Wafer 13, die Überseite des Wafer-'i'ragegliedes 57 zu passieren, aber noch die Oberfläche Ö7 des vorderen Trage-

gliedes 59 zu kontaktieren, wenn der Wafer an diesem Punkt in der 'wafer-Beb.andlung außerhalb des Zentrums liegt.

Die Kombination des Eingriffs der Kante des Wafers 81 mit der gekrümmten Überfläche 87, d-er Gestalt der gekrümmten Überfläche 87 und des fortgesetzten langsamen Antriebs der Hiomen 21 und 23 führt dazu, daß der Wafer rotiert und gleichzeitig seitlich bewegt wird, bis das Zentrum 81 des wafers mit dem Zentrum 85 der Bearbeitungsstation 17 übereinstimmt, wie in Fig. 2 c dargestellt. Zu diesem Zeitpunkt sind beide der Detektoren 4-7 und 51 frei gegeben und ■ das Steuergerät 22 stoppt den Antrieb der Kiemen 21 und 23·

In eint-r speziellen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hat die gekrümmte Oberfläche 87 eine konisch gekrümmte Oberfläche.

Obwohl eine Desondere Ausführungsform der Erfindung dargestellt und beschrieben ist, ist die Erfindung jedoch auch auf andere Ausführungsformen anwendbar und nicht auf die vorliegende Ausführungsform beschränkt.

Claims

Ansprüche:

Verfahren zur Behandlung und/oder Handhabung eines Wafers, insbesondere für ein Verfahren, in dem das Ausbacken eines Lösungsmittels einer Fotoresistschicht oder einer Wasch- oder Reinigungsflüssigkeit erfolgt, dadurch gekennzeichnet, daß eine Heizplatte (20) mit relativ großer Masse im Vergleich zur Masse des Wafers (13) auf einer etwa konstanten temperatur gehalten ist, die höher als die Aushärte- oder Jbergangstemperatur, auf die der Wafer geheizt werden soll, liegt, wobei der Wafer zum Beginn des Heizzyklusses in engem Abstand zur Heizplatte gehalten ist, und dann relativ zur Heizplatte (20) wegbewegt wird, um die Dicke eines Luftspaltes (79) zwischen dem Wafer (13) und der Heizplatte (20) zu verändern, und um die Aufheizung des Wafers (13) als Funktion des Abstandes zwischen Wafer (13) und Heizplatte (20) zu bewirken.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, df;ß die Aufheizung des Wafers (13) ohne jeglichen Kontakt des Wafers (13) zur Heizplatte (20) erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wafer zu Beginn des Heizzyklus in Kontakt mit der Heizplatte (20) steht, um einen schnellen Hitzefluß von der Heizplatte (20) zum Wafer (13) zu erreichen, und daß danach der Wafer (13) von der Heizplatte (20) abgehoben

wird und im Hinblick auf die Heizplatte (20) so positioniert wird, daß ein Luftspalt (79) zwischen dem Wafer (13) und der Heizplatte (20) vorhanden ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturmessung des Wafers (13) ohne Kontakt des Wafers (13) zum Temperaturmeßaufnehmer (75) erfolgt.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Position des Wafers (13) relativ zur Heizplatte (20) in Abhängigkeit von der gemessenen Temperatur des Wafers für jedes Zeitintervall des Heizzyklusses des Wafers auf einer vorbestimmten Wafer-Temperatur gehalten ist.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wafer (13) an einer Heizstation (17) aufgeheizt wird, wobei der Wafer (13) zur Heizstation (17) auf einem Paar von seitlich gegeneinander und parallel geführten Treibriemen (21, 23) geführt wird, und bei dem eine Exzentrizität des Wafers (13) tm der ÜeizstaLion (17) korrigiert wird, indem der Wafer (13) während des Antriebs d^r Jüemen (21, 23) in der Heizstation (17) in Eingriff einer Kante des Wafers mit einer gekrümmten Oberfläche kommt, die dem Wafer (13) ermöglicht, zu rotieren und sich seitlich zu

verschieben, bis der Wafer (13) zentriert ist.
7· Vorfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ermittlung der außermittigen Lage des Wafers (13) durch zwei optische Sensoren (45, 49) an der Heizstation (17) erfolgt und daß die Treibriemen (21, 23) bei Ermittlung der außermittigen Lage durch die Sensoren (45, 49) mit einer relativ geringem Geschwindigkeit angetrieben werden bis der Wafer (13) zentriert ist.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der wafer (13) an der Heizstation (17) von Tragegliedern (57, 59) getragen wird, die den Wafer (13) nur an der

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äußeren Unterseite des Wafers (13) tragen und die Oberseite und Seitenkanten des Wafers (13) ohne Kontakt mit den Tragegliedern (57, 59) belassen.
9. Verfahren zum Transport und zur Zentrierung eines Wafers zu und an einer ßearbeitungsstation, dadurch gekennzeichnet, daß der Wafer (13) zur ßearbeitungsstation (17) auf einem Paar von seitlich gegeneinander und parallel geführten Treibriemen (21, 23) getragen wird, wobei zwei Wafer-Sens or en (45, 4-9) an der ßearbeitungsstation (17) angeordnet sind, die an geeigneten Stellen dio Anvjcr.onhoit von führenden Teilen des Wafers (13) direkt oberhalb der Sensoren (45, 49) feststellen, sobald der Wafer (13) den Bereich der Bearbeitungsstation (17) erreicht und in den optischen Weg der Sensoren (45, 49) tritt, wobei ferner die Geschwindigkeit der zwei Treibriemen (21, 23) beträchtlich erniedrigt wird, und damit die Geschwindigkeit, mit der der Wufer (13) in den Bereich der Arbeitsstation (17) gelangt, wenn der eintritt des Wafers (13) in die Bearbeitungsstation (17) festgestellt wird, und wobei die zwei Treibriemen (21, 23) und damit der Wafer (13), gestoppt werden, wenn die hinteren Teile des Wafers den optischen Weg der beiden Sensoren (45, 49) nicht mehr bedecken.
10. Verfahren nacn Anspruch 9? dadurch gekennzeichnet, daß jede Abweichung des Zentrums (81) des Wafers (13) von der iiittellinie (S3) der Treibriemen (21, 23) durch führungen, die entlang den Treibriemen (21, 23) angeordnet sind, korrigiert wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß an der Bearbeitungsstation (17) eine Dezentrierung ermittelt wird und eine Zentrierung des wafers mit dem Zentrum (35) der Bearbeitungsstation (17) erfolgt, indem bei Antrieb der Treibriemen (21, 23) eine Kante des Wafers miI oiuer ^C:krümmt'.·η Obtu'flunhr; («.'//) Ln KonUikt, tx'itU, cliu

den Wafer (13) ermöglicht, zu rotieren und sich seitlich zu verschieben, bis der Wafer (13) zentriert ist.
12. Verfahren zum Transport und zur Zentrierung eines Wafers zu und on einer Bearbeitungsstation, dadurch gekennzeichnet, daß der Wafer (13) zur Bearbeitungsstation auf einem Paar von seitlich gegeneinander und parallel geführten Treibriemen (21, 23) getragen wird, daß eine Dezentrierung des Wafers an der Bearbeitungsstation (17) ermittelt und ein dezentrierter wafer mit dem Zentrum (85) der Heizstation (17) zentriert wird, indem bei Antrieb der Treibriemen (21, 23) mit einer relativ geringen Geschwindigkeit eine Kante des Wafers (13) mit einer gekrümmten Oberfläche (87) in Kontakt tritt, die dem Wafer ermöglicht, zu rotieren und sich seitlich zu verschieben, bis der Wafer (13) zentriert ist.
13· Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die gekrümmte Oberfläche (87) eine konische Gestalt aufweist.
14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß zwei optische Sensoren (4-5, 4-9) an der Bearbeitungsstation (17) in geeigneten Positionen vorgesehen sind, um die Anwesenheit eines Teils des Wafers (13) direkt über wenigstens einem der Sensoren (4-5? 4-9) zu ermitteln, wenn der wafer (13) dezentriert ist, und die geeignet sind anzuzeigen, daß sich kein Teil des wafers direkt über einem Sensor (45, 4-9) befindet, wenn der wafer mit dem Zentrum (85) der Bearbeitungsstation (17) zentriert ist.
15. Liuricntung zur Durchführung eines Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Heizplatte (20) mit relativ großer Masse im Vergleich zur Masse des Wafers vorgesehen ist, Heizungsmittel zum erhalten der Temperatur der Heizplatte auf einem im wesentlichen konstanten Temperaturniveau, das höher ist als die Um-

wandlungs- oder Ausbacktemperatur, auf welche der wafer aufgeheizt werden soll, Wafer-Tragemittel (57* 59) zur Positionierung des Wafers (13) in enger iflähe zur Heizplatte zu Beginn des Aufheizungüzyklusseü und eine Steuereinrichtung (22) zur Wegbewegung der Wafer-Tragemittel und des Wafers relativ zur Heizplatte (20), um die Dicke eines Luftspaltes (79) zwischen Wsfer (13) und Heizplatte (20) zu variieren und die Aufheizung des Wafers (13) als Punktion des Abstandes des Wafers (13) von der Heizplatte (20) einzustellen.
16. Einrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Wafer-Tragemittel (57» 59) durch Steuermittel (22) derart positioniert sind, daß der Wafer (13) ohne Kontakt zwischen Wafer (13) und Heizplatte (20) während des Aufheizungszyklus gehalten wird.
17. Einrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Wafer-Tragemittel (57, 59) anfänglich durch die Steuermittel (22) derart positioniert sind, daß der Wafer (13) in Kontakt mit der Heizplatte zu Beginn des Heizzyklusses gehalten ist, um eine anfängliche schnelle Übertragung der Hitze von der Heizplatte (20) zum Wafer (13) zu gewährleisten, und daß danach der Wafer (13) zurückbewegt wird in Helation zur Heizplatte (20), um einen Luftspalt (79) zwischen Wafer (13) und Heizplatte (20) vorzusehen.
1Ö. Einrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß Temperaturmeßmittel (75) zur Messung der Temperatur des Wafers (13) vorgesehen sind, die den Wafer (13) nicht berühren.
19· Einrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (22) Hückführungsmittel zur Einstellung der Position des Wafers (13) im Hinblick auf die Heizplatte (.20) enthält, um in Abhängigkeit

von der gemessenen Temperatur des Wafers (13) eine vorbestimiate Wafer-Temperatür für jedes Zeitintervall dea Heizzykluösos des Wafers (13) zu erhalten.
20. Einrichtung nach Anspruch 15> dadurch gekennzeichnet, daß die Heizplatte (20) ein Teil der Heizstation (17) ist, die Wafer-Transportmittel zum Bewegen des Wafers zur Heizstation enthält, wobei die Wafer-Transporteinrichtung ein Paar seitlich parallel geführter Treibriemen (21, 23), Antriebsmittel zum Antreiben der Hiemen und Detektormittel an der Heizstation zur Ermittlung sowohl des Eintritts des Wafers in die Heizstation als auch der Zentrierung des Wafers im Hinblick auf das Zentrum der Heizstation enthält.
21. Einrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektormittel (4-5, 49) zwei optische Sensoren, die an der Heizstation (20) positioniert sind, in geeigneten Positionen enthalten, um die Anwesenheit des vorderen Teils des Wafers (13) unmittelbar über den Sensoren (45, 49) zu ermitteln, wenn der Wafer (13) den Bereich der Heizstation (17) erreicht und in den optischen Weg der Sensoren (45, 49) gerät, und logische Mttel, die zusammen mit den AntrieDsmitteln zur wesentlichen Erniedrigung der Geschwindigkeit der zwei Treibriemen (21, 23) und der Geschwindigkeit, mit der der Wafer in die Heizstation bewegt wird, bei der Ex'mittlung des Eintritts des Wafers in die Heizstation zum Stoppen der zwei Treibriemen (21, 23) und des Wafers (13) dienen, sobald der hintere Teil des Wafers den optischen Weg der beiden Sensoren (45, 49) nicht mehr abdeckt.
22. Einrichtung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß Führungen entlang den Seiten der Treibriemen zur Korrektur jeglicher Abweichungen des Zentrums (81) des Wafers von der Mittellinie (83) der Treibriemen (21,, 23) vorgesehen sind.

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23. Einrichtung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß zwei optische Sensoren (45, 49) jede Dezentrierung des Viafers (13) an der Heizstation (17) ermitteln und den logischen Mitteln signalisieren, den Antrieb der Treibriemen (21, 23) bei Ermittlung einer Dezentrierung fortzusetzen und daß Positionierungsmittel vorgesehen sind, um den Wafer in der Heizstation während des Antriebs mit den Treibriemen (21, 23) zu zentrieren, wobei die wafer-Positionierungsiuittel eine gekrümmte überfläche aufweisen, die dem Wafer ermöglichen, gedreht und seitlich bewegt zu werden, bis der rückwärtige Teil des Wafers (13) den optiscnen Weg von beiden optischen Sensoren (45, 49) nicht mehr abdeckt.
24. wafer-Bearbeitungsstation zum Transport und zur Zentrierung eines Wafers (13) zu und an einer Bearbeitungsstation, dadurch gekennzeichnet, daß Wafer-Transportmittel zum Transport des Wafers (13) zur Arbeitsstation (17) vorgesehen sind, die Wafer-Transportmittel ein Paar von seitlich und parallel geführten Treibriemen (21, 23) enthalten, Antriebsmittel zum Antrieb der Kiemen, zwei Wafer-Sensoren (45, 49) an der Arbeitsstation (17) an geeigneten Stellen, um die Anwesenheit von führenden Teilen des Wafers (13) unmittelbar über den Sensoren zu ermitteln, sobald der Wafer die Arbeitsstation (17) erreicht und in den optischen weg der Sensoren (.45, 49) gerät, logische Mittel, die mit den Sensoren (45, 49) und den Antriebsmitteln zusammenwirken, um die Geschwindigkeit der zwei Treibriemen (21, 23) wesentlich 'zu erniedrigen und damit die Geschwindigkeit, mit der der Wafer (13) in die Arbeitsstation gebracht wird, wenn der .eintritt des Wafers (13) in die Bearbeitungsstation festgestellt wird, und um die zwei Treibriemen (21, 23) zu stoppen und damit ebenfalls den Wafer (13)1 wenn das rückwärtige Lnde des Wafers (13) den optiscnen weg beider Sensoren (45, 49) nicht mehr abdeckt.
25· Einrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß Führungsmittel vorgesehen sind, die entlang der Treibriemen (21, 23) zur Korrektur jeder Abweichung des Zentrums (81) des Wafers (13) von der Mittellinie (Ö3) der Antriebsriemen (21, 23) dienen.
26. Einrichtung nach Anspruch 24·, dadurch gekennzeichnet, daß die optischen Sensoren (4-5* 49) jede De zentrierung des Wafers (13) an der Heizstation (20) ermitteln und den logischen Mitteln signalisieren, den Antrieb der Treibriemen fortzusetzen in iieaktion auf die Ermittlung der Dezentrierung, und Wafer-Hückbewegungsmittel vorgesehen sind, um den Wafer während die Treibriemen (21, 23) angetrieben werden mit der Arbeitsstation (17) zu zentrieren, wobei die Wafer-ßückbewegungsmittel eine gekrümmte Oberfläche aufweisen, die dem wafer (13) ermöglicht, zu drehen und sich seitlich zu bewegen, bis das rückwärtige Teil des Wafers (13) den optischen Weg der beiden Sensoren nicht mehr bedeckt.
27· Einrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß Tragemittel (69, 71) an der Arbeitsstation (17) vorgesehen sind, um den Wafer (13) nur an der äußeren Fläche auf der Unterseite des Wafers (13) zu tragen, um die Oberfläche und die Seiten des Wafers nicht in Eontakt mit den Tragmitteln zu bringen.
28. Wafer-Behandlungsstation zum Transport und zur Zentrierung eines Wafers zu einer ßearbeitungsstation (17), dadurch gekennzeichnet, daß Transportmittel zur Führung des Wafers zur Bearbeitungsstation auf einem Paar von seitlich beabstandeten und parallel verlaufenden Treibriemen (21, 23) vorgesehen sind, Detektormittel (45, 49) zum Ermitteln jeder Dezentrierung des Wafers (13) cn der Bearbeitungsstation (17) und Zentrierungsmittel· zur Wiederzentrierung eines dezentrierten wafers (13) mit dem Zentrum (85) der Arbeitsstation, wobei die

Sentrierungsmittel eine gekrümmte Oberfläche enthalten, die mit einer Kante des Hafers (13) in. Kontakt treten und derart geformt sind, daß der Wafer (U) gedreht und seitlich verschoben werden kann und Antriebsmittel zum Antrieb der Treibriemen (21, 23) mit einer relativ geringen Geschwindigkeit, wobei der Wafer (13) mit der gekrümmten Oberfläche in Kontakt steht, bis der Wafer (13) zentriert ist.