DE3250026C2 - - Google Patents

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DE3250026C2
DE3250026C2 DE3250026A DE3250026A DE3250026C2 DE 3250026 C2 DE3250026 C2 DE 3250026C2 DE 3250026 A DE3250026 A DE 3250026A DE 3250026 A DE3250026 A DE 3250026A DE 3250026 C2 DE3250026 C2 DE 3250026C2
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Kohji Itami Hyogo Jp Shinomiya
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Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur Erzeugung eines Stromes mit positivem Temperaturkoeffizienten.
Aus DE-OS 25 08 226 und DE-OS 24 12 393 sind Stabilisierungs­ schaltungen bekannt, in denen Ströme mit positivem Temperatur­ koeffizienten erzeugt werden. Die in der zuerst genannten Druckschrift beschriebene Schaltung weist eine Stromspiegel­ schaltung mit identischen Transistoren auf.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine verbesserte Schaltung zum Erzeugen eines Stromes mit positivem Temperatur­ koeffizienten zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch angegebene Schaltung gelöst.
Im weiteren erfolgt die Beschreibung eines Ausführungsbeispiels an Hand der Figuren. Von den Figuren zeigt
Fig. 1 ein Beispiel eines Grundschaltbildes zur Erläuterung des Grundprinzipes eines Referenzspannungserzeugers; und
Fig. 2 ein abgewandeltes Schaltbild, in dem die in Fig. 1 gezeigte Grundschaltung des Referenzspannungserzeugers zu einer praktischen Schaltung abgewandelt wurde.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich ist, sind fünfte bis siebte PNP-Transistoren Q5 bis Q7, deren Emitter mit einem Anschluß T1 einer Spannungsversorgung verbunden und bilden einen ersten Stromspiegel. Kollektor und Basis des sechsten Transistors Q6 sind kurzgeschlossen, so daß dieser eine Diodenwirkung besitzt. Die Kollektorströme des fünften und siebten Transistors Q5 und Q7 fließen jeweils in Ab­ hängigkeit eines Kollektorstromes des sechsten Transistors Q6. In ähnlicher Weise bilden neunte bis dreizehnte PNP-Transistoren Q9 bis Q13, deren Emitter jeweils mit dem Anschluß T1 einer Spannungsversorgung verbunden sind, einen zweiten Stromspiegel. Der Kollektor und die Basis des elften PNP- Transistors Q11 sind kurzgeschlossen, so daß dieser eine Diodenwirkung aufweist. Die Kollektorströme der vier Transistoren Q9, Q10, Q12 und Q14 fließen in Abhängigkeit eines Kollektorstromes des elften Transistors Q11.
Eine Basis des zweiten NPN-Transistors Q2 und eine Basis des dritten NPN-Transistors Q3 sind miteinander verbunden. Ferner ist ein Kollektor und eine Basis des zweiten Transistors Q2 kurzgeschlossen, so daß dieser eine Diodenwirkung aufweist. Ein Emitter des zweiten Transistors Q2 ist mit einem Ende des zweiten Widerstandes R2 verbunden. Das andere Ende des zweiten Widerstandes R2 ist mit einem Emitter des dritten Transistors Q3 sowie mit dem geerdeten Anschluß T2 verbunden. Der Kollektor des zweiten Transistors Q2 ist mit dem Kollektor des im zweiten Stromspiegel enthaltenen Transistors Q10 ver­ bunden. Der Kollektor des dritten Transistors Q3 ist mit dem Kollektor des im zweiten Stromspiegel enthaltenen neunten Transistors Q9 verbunden.
Der dritte Transistor Q3 wird mit einer relativ großen Strom­ dichte J1 betrieben. Andererseits wird der zweite Transistor Q2 mit einer relativ geringen Stromdichte J2 betrieben. Folgende Lösungswege werden zum Festsetzen der Stromdichte J1 und J2 in Betracht gezogen. Der erste ist ein Lösungsweg zur geeigneten Wahl eines Verhältnisses einer Basis-Emitter- Übergangszone des Transistors Q9 und einer Basis-Emitter- Übergangszone des Transistors Q10. Der zweite ist ein Lösungsweg zur geeigneten Wahl eines Verhältnisses einer Basis- Emitter-Übergangszone des Transistors Q2 und einer Basis- Emitter-Übergangszone des Transistors Q3. Vorzugsweise kann die Stromdichte J1 des dritten Transistors Q3 etwa auf den zehnfachen Wert der Stromdichte J2 des zweiten Transistors Q2 festgesetzt werden. Damit kann ein geeigneter Wert von ΔVBE erhalten werden und die Schaltungskonstruktion ist daher einfach. Theoretisch kann jedoch eine Schaltung auch dann betrieben werden, wenn J1 < J2 ist. Entgegengesetzt zum gezeigten Aufbau kann der zweite Widerstand R2 zwischen den Emitter des dritten Transistors Q3 und die Erdungsklemme T2 geschaltet sein. Dies ist der gleiche Aufbau wie bei dem in Fig. 2 gezeigten herkömmlichen Gerät. In diesem Fall ist es erforderlich, die Stromdichte des zweiten Transistors Q2 größer als die Stromdichte des dritten Transistors Q3 zu machen.
Ein von einer gestrichelten Linie in Fig. 1 umrandetes Gebiet 20 zeigt eine Schaltung zum Erzeugen eines Stromes mit positivem Temperaturkoeffizient. Das Grundprinzip ist das gleiche wie im herkömmlichen Fall. Die Differenz ΔVBE zwischen den Basis-Emitter-Spannungen eines Paares von Transistoren Q2 und Q3 wird durch folgende Gleichung (1) dargestellt:
Die Potentialdifferenz ΔVBE wird an den zweiten Widerstand R2 angelegt. Daher fließt ein durch die folgende Gleichung (2) dargestellter erster Strom IT in den Widerstand R2:
Wie aus der Gleichung (2) ersichtlich ist, besitzt der Strom IT einen positiven Temperaturkoeffizient im Hinblick auf eine absolute Temperatur T.
In der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform ist zu dem Zweck, einen Strom IT mit positivem Temperaturkoeffizient in stabiler Weise zu erzeugen, eine im folgenden beschriebene negative Rückkopplungsschleifenschaltung vorgesehen. Insbesondere wird ein Strom des zweiten Strom­ spiegels, der in einer im folgenden beschriebenen Weise be­ stimmt wird, an die Basis des achten Transistors Q8 zur Strom­ verstärkung zusammen mit dem dritten Transistor Q3 über den neunten Transistors Q9 angelegt. Damit fließt ein verstärkter Kollektorstrom in den Transistor Q8. Der Kollektorstrom des Transistors Q8 ist ein Kollektorstrom des Referenztransistors Q11 des zweiten Stromspiegels. In derartiger Weise wird ein Strom des zweiten Stromspiegels durch einen stromverstärkenden Transistor Q8 und einen Referenztransistor Q3 im zweiten Stromspiegel gesteuert. Der derart bestimmte Strom des zweiten Stromspiegels wird an den zweiten Transistor Q2 über den zehnten Transistor Q10 sowie an den dritten Transistor Q3 und die Basis des achten Transistors Q8 über den neunten Tran­ sistor Q9, wie oben beschrieben, angelegt. Der damit ange­ legte Kollektorstrom des zweiten Transistors Q2 ist ein Basisstrom des dritten Transistors Q3. Immer, wenn der Strom ansteigt, steigt auch der Kollektorstrom des dritten Tran­ sistors Q3 an. Damit wird ein der Basis des stromverstärkenden Transistors Q8 zugeführter Strom kleiner. Deshalb sinkt der Kollektorstrom des Transistors Q8, d. h., der Strom des zweiten Stromspiegels. Daher sinkt auch ein dem zweiten Tran­ sistor Q2 über den Transistor Q10 im zweiten Stromspiegel zugeführter Strom. Auf diese Weise ist eine negative Rück­ kopplungsschleife gebildet.
In der oben beschriebenen Weise wird ein stabiler Strom einem Paar von Transistoren Q2 und Q3 zugeführt. Damit nehmen die Stromdichte J2 des Transistors Q2 und die Stromdichte J3 des Transistors Q3 einen stabilen Wert an. Als Folge davon nimmt die Differenz ΔVBE zwischen den Basis-Emitter-Spannungen dieser beiden Transistoren einen stabilen Wert an. Derart wird auf stabile Weise der Strom IT erzeugt, der einen positiven Temperaturkoeffizient aufweist und von der Potential­ differenz ΔVBE und dem Betrag des Widerstandes R2 be­ stimmt wird. Mit anderen Worten wird ein Strom in jedem Teil des zweiten Stromspiegels durch die Potentialdifferenz ΔVBE und den Widerstand R2 bestimmt. Damit wird der Strom des zweiten Stromspiegels durch den folgenden Ausdruck (3) dargestellt, in der m für eine Proportionalitätskonstante steht:
m · IT (3)
Die Proportionalitätskonstante m kann in geeigneter Weise beispielsweise durch Veränderung der Basis-Emitter-Übergangszone jedes Transistors im zweiten Stromspiegel eingestellt werden.
Im Prinzip ist es möglich, einen Strom IT mit positivem Temperatur­ koeffizient herzustellen oder zu erzeugen, ohne daß der zweite Stromspiegel und ein stromverstärkender Transistor Q8 verwendet werden, da ein Strom mit einem positivem Temperatur­ koeffizient in den Widerstand R1 dadurch fließt, daß ein Konstantstrom in ein Paar von Transistoren Q2 und Q3 fließt. Daher kann ein Strom von einer auf Konstantstrom regu­ lierten Stromquelle den Transistoren Q2 und Q3 zugeführt werden. In einem solchen Fall kann ein in den Widerstand R1 fließender Strom direkt als Strom mit positivem Temperatur­ koeffizient abgegriffen werden.
In der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform ist eine negative Rückkopplungsschleife unter Verwendung eines Stromspiegels und eines strom­ verstärkenden Transistors gebildet, so daß ein Strom IT mit positivem Temperaturkoeffizient in stabiler Weise erzeugt wird. Die Vorteile der Ausführungsform sind folgende: Zunächst ist es möglich, den Stromverbrauch zu reduzieren, da der gesamte Strom durch einen Stromspiegel fließt. Zweitens schwankt das Potential des Kollektors des Transistors Q3 nicht so weit, da das Potential von einem Basispotential eines stromverstärkenden Transistors Q8 bestimmt wird. Damit kann eine stabile Potentialdifferenz ΔVBE zwischen einer Basis und einem Emitter erhalten werden, da eine Schaltung mit einem Kollektorpotential des Transistors Q2 betrieben werden kann, das gleich dem Kollektorpotential des Transistors Q3 ist. Aus diesem Grunde kann eine extrem stabile Referenz­ spannung auch dann erhalten werden, wenn eine starke und häufige Schwankung der Spannung einer Spannungsversorgung auftritt.
Ein von einer gestrichelten Linie in Fig. 1 umgrenztes Gebiet 30 stellt eine Schaltung zum Herstellen oder Erzeugen eines Stromes mit negativem Temperaturkoeffizient dar. Der Kollektor des ersten NPN-Transistors Q1 ist mit der Basis des vierten NPN-Transistors Q4 und der Kollektor des zwölften Transistors Q12 im zweiten Stromspiegel mit deren Verbindung verbunden. Der Kollektor des vierten Transistors Q4 ist mit dem Kollektor des sechsten Transistors Q6 im ersten Stromspiegel und dessen Emitter mit dem Anschluß T2 verbunden. Die Basis des ersten Transistors Q1 ist mit dem Kollektor des fünften Transistors Q5 im ersten Stromspiegel und einem Ende des ersten Widerstandes R1 verbunden. Das andere Ende des ersten Widerstandes R1 und der Emitter des ersten Transistors Q1 sind jeweils mit dem Anschluß T2 verbunden.
Im oben beschriebenen Aufbau wird der Strom m · IT des zweiten Stromspiegels vom Kollektor des zwölften PNP- Transistors Q12 im zweiten Stromspiegel dem Kollektor des ersten NPN-Transistors Q1 und der Basis des vierten NPN- Transistors Q4 zugeführt. Die Konstante m wird in diesem Fall durch eine geeignete Bestimmung des Verhältnisses einer Basis- Emitter-Übergangszone des Referenztransistors Q11 und einer Basis-Emitter-Übergangszone des zwölften Transistors Q12 im zweiten Stromspiegel festgelegt.
Immer wenn ein Stromverstärkungsfaktor des stromverstärkenden Transistors Q4 genügend groß ist, wird der überwiegende Anteil des Stromes m · IT dem ersten Transistors Q1 zugeführt. Durch diesen Strom wird die Basis-Emitter-Spannung VBE des ersten Transistors Q1 festgelegt beziehungsweise eingestellt. Die Spannung VBE wird in vereinfachter Weise durch die folgende Gleichung (4) dargestellt, wie in Verbindung mit der herkömmlichen Technik beschrieben wurde.
Die Spannung VBE wird an den ersten Widerstand R1 angelegt. Als Folge davon fließt ein zweiter Strom Iβ, der durch die Gleichungen (5) und (6) dargestellt ist, in den Widerstand R1.
Wie aus Gleichung (6) ersichtlich ist, besitzt der Strom Iβ einen negativen Temperaturkoeffizient bezüglich einer absoluten Temperatur T.
Zu dem Zweck, den Strom Iβ mit negativem Temperaturkoeffizient in stabiler Weise zu erzeugen, ist eine negative Rückkopplungs­ schleife in gleicher Weise wie im Fall der Erzeugung des oben beschriebenen Stromes IT mit positivem Temperaturkoeffizient vorgesehen. Insbesondere wird ein Strom des ersten Stromspiegels durch den stromverstärkenden Transistor Q4 und den Referenztransistor Q6 des ersten Stromspiegels gesteuert. Der Strom wird der Basis des ersten Transistors Q1 und dem ersten Widerstand R1 über den fünften Transistor Q5 zugeführt. Der dem Widerstand R1 zugeführte Strom ist ein auf der Basis der Basis-Emitter-Spannung VBE des ersten Transistors Q1 in den Widerstand R1 fließender Strom Iβ.
Wenn die Stromstärke ansteigt, steigt auch der Kollektor­ strom des ersten Transistors Q1 an und der der Basis des stromverstärkenden Transistors Q4 zugeführte Strom nimmt ab. Damit nimmt die Stromstärke des ersten Stromspiegels ab.
Damit wird in stabiler Weise ein Strom mit einem negativen Temperaturkoeffizient erzeugt. Insbesondere wird ein Strom jedes Teiles des ersten Stromspiegels durch die Basis-Emitter- Spannung VBE des ersten Transistors Q1 und den ersten Wider­ stand R1 bestimmt. Daher wird die Stromstärke des ersten Stromspiegels dargestellt durch:
a · Iβ (7)
wobei a eine Proportionalitätskonstante ist. Die Proportionalitäts­ konstante a kann in geeigneter Weise beispielsweise durch Veränderung einer Basis-Emitter-Übergangszone jedes im ersten Stromspiegel vorgesehenen Transistors bestimmt werden.
Zu dem Zweck, die Basis-Emitter-Spannung VBE konstant zu halten, ist es erforderlich, den Kollektorstrom des ersten Transistors Q1 so weit wie möglich aufrecht zu erhalten. Daher wird bei der vorliegenden Ausführungsform ein Strom des zweiten Stromspiegels als Kollektorstrom des Transistors Q1 über den Transistor Q12 zugeführt. Wenn jedoch eine geregelte Konstantstromquelle unabhängig davon vorgesehen ist, kann ein Strom von der geregelten Konstantstromquelle dem Tran­ sistor Q1 zugeführt werden. In einem solchen Fall kann zwischen den Transistoren Q1 und Q4 und dem Anschluß T1 eine geregelte Konstantstromquelle anstelle des Transistors Q12 vorgesehen sein.
Danach werden der erste Strom IT mit positivem Temperaturkoeffizient und der zweite Strom Iβ mit negativem Temperaturkoeffizient, wie sie in der oben beschriebenen Weise erzeugt worden sind, zusammengesetzt. Insbesondere ist ein Kollektor des siebten Transistors Q7 im ersten Stromspiegel mit dem dreizehnten Transistor Q13 im zweiten Stromspiegel verbunden. Deren Ver­ bindung ist mit einem Referenzspannungs-Ausgangsanschluß T3 sowie über den dritten Widerstand R3 mit dem Anschluß T2 verbunden. Damit fließt ein Strom a · Iβ + m · IT, die Summe des durch Gleichung (7) dargestellten Stromes a · Iβ des ersten Stromspiegels und des durch Gleichung (3) dargestellten Stromes m · IT im zweiten Stromspiegel. Die Proportionalitäts­ konstante a kann in diesem Fall auf einen geeigneten Wert durch geeignete Wahl des Verhältnisses der Basis-Emitter- Übergangszone des sechsten Transistors Q6 und der Basis-Emitter- Übergangszone des siebten Transistors Q7 im ersten Stromspiegel eingestellt werden. Ebenso kann die Proportionalitätskonstante m in diesem Fall auf einen geeigneten Wert durch günstige Wahl des Verhältnisses der Basis-Emitter-Übergangszone des elften Transistors Q11 und der Basis-Emitter-Übergangszone des dreizehnten Transistors Q13 im zweiten Stromspiegel ein­ gestellt werden.
Auf diese Weise wird eine von der folgenden Gleichung (8) dargestellte Referenzspannung Vref zwischen den beiden Enden des dritten Widerstandes R3 erzeugt.
Vref = R3 (a · Iβ + m · IT) (8)
Durch Einsetzen der Gleichungen (2) und (5) in die Gleichung (8) wird Gleichung (8) in folgender Weise modifiziert:
Zum Zweck größerer Einfachheit wird durch Setzen von a = m = 1 Gleichung (9) in folgender Weise vereinfacht:
Unter Bezug auf die Gleichungen (1) und (4) wird Gleichung (10) im folgenden weiter modifiziert zu:
Zu dem Zweck, einen Temperaturkoeffizient von Gleichung (11) zu bestimmen, wird Gleichung (11) nach einer absoluten Temperatur T differenziert. Als Ergebnis wird folgende Gleichung (12) erhalten:
Nimmt man die rechte Seite von Gleichung (12) zu 0 an, dann kann folgende Bedingung daraus erhalten werden:
Durch Modifizieren von Gleichung (13) erhält man die folgende Gleichung (14):
Durch Dividieren beider Seiten von Gleichung (14) durch Iβ wird folgende Gleichung (15) erhalten:
Unter Verwendung der Gleichungen (2) und (5) wird Gleichung (15) in folgender Weise modifiziert:
Setzen von VT = Vg0 - VBE0 ergibt:
Gleichung (18) zeigt, daß der zusammengesetzte Strom des zweiten Stromes Iβ mit negativem Temperaturkoeffizient und des ersten Stromes IT mit positivem Temperaturkoeffizient temperaturkompensiert ist, wenn das Verhältnis des zweiten Stromes Iβ und des ersten Stromes IT gleich ist dem Verhältnis der Spannung VBE und der Spannung VT = Vg0 - VBE0.
In der ersten und zweiten Wandlereinrichtung werden jeweils ein erster Widerstand R1 und ein zweiter Widerstand R2 zum Wandeln einer Spannung in einen Strom verwendet. Der dritte Widerstand R3 wird als dritte Wandlereinrichtung zum Wandeln bzw. Umformen des dritten Stromes, der einen aus dem ersten Strom und dem zweiten Strom zusammengesetzten Strom darstellt, in eine Referenzspannung verwendet. Damit ist es zu dem Zweck, die Temperaturkoeffizienten der entsprechenden Widerstände gegeneinander aufzuheben, notwendig, daß die Temperatur­ koeffizienten der Widerstände R1, R2 und R3 alle gleich sind. Immer dann, wenn der Referenzspannungserzeuger in einer inte­ grierten Halbleiterschaltung aufgebaut ist, kann diese Bedingung einfach erfüllt werden. Es ist jedoch auch möglich, diese Bedingung selbst dann zu erfüllen, wenn der Referenzspannungs­ erzeuger nicht in bzw. mit einer integrierten Halbleiter­ schaltung gebildet ist.
Die in Fig. 2 gezeigte Schaltung ist eine abgewandelte Schaltung, bei der die Prinzipschaltung des in Fig. 1 gezeigten Referenzspannungserzeugers zu einer praktischen Schaltung abgewandelt ist. Die Widerstände R6 bis R14 sind jeweils zwischen eine Spannungsversorgungsklemme T1 und einen Emitter jedes der Transistoren geschaltet, die den ersten und zweiten Stromspiegel bilden. Diese Widerstände sind symmetrierte Widerstände zum Betrieb des ersten und zweiten Stromspiegels in stabiler Weise.
Eine Startschaltung für eine Schaltung, die einen Strom mit positivem Temperaturkoeffizient erzeugt, wie sie im in Fig. 1 gezeigten, von einer gestrichelten Linie umgrenzten Gebiet 20 gezeigt ist, ist in dem durch eine gestrichelte Linie umgrenzten Bereich 40 gezeigt. Ein zwischen dem Emitter des Transistors Q8 und dem geerdeten Anschluß T2 geschalteter Wider­ stand R9 und ein zwischen den Kollektor des Transistors Q9 und den Kollektor des Transistors Q10 geschalteter Kondensator C1 bilden eine Phasenausgleichsschaltung für eine Schaltung, die einen Strom mit positivem Temperaturkoeffizient erzeugt. Ein zwischen den Emitter des Transistors Q4 und dem Anschluß T2 geschalteter Widerstand R15 und ein zwischen den Kollektor und die Basis des Transistors Q1 geschalteter Kondensator C2 bilden eine Phasenausgleichsschaltung für eine einen Strom mit negativem Temperaturkoeffizient erzeugende Schaltung.
Im Betrieb wird eine Netzspannung zwischen den Anschlüssen T1 und T2 angelegt. Als Folge davon fließt zunächst ein sehr kleiner Strom zur Basis des zweiten Stromspiegels mittels der "Startschaltung". Danach beginnt die einen Strom mit positivem Temperaturkoeffizient erzeugende Schaltung zu arbeiten und ein Strom mit positivem Temperaturkoeffizient fließt von jedem Kollektor der Transistoren Q12 und Q13. Ein Strom vom Kollektor des Transistors Q12 verursacht den Betriebsbeginn der einen Strom mit negativem Temperaturkoeffizient erzeugenden Schaltung, so daß ein Strom mit negativem Temperaturkoeffizient vom Kollektor des Transistors Q7 fließt. Der Strom mit positivem Temperaturkoeffizient und der Strom mit negativem Temperaturkoeffizient werden dann zusammengesetzt und der zusammengesetzte Strom wird dem Widerstand R3 zugeleitet, so daß die entsprechende Spannung erzeugt wird. Die Spannung wird zwischen den Anschlüssen T3 und T2 abgegriffen, wodurch man eine temperaturkompensierte Referenzspannung erhält.
Mit dem Referenzspannungserzeuger kann eine temperaturkompensierte und gegenüber Spannungsschwankungen der Spannungsversorgung sehr stabile Spannung erhalten werden. Ferner ist es möglich, den Stromverbrauch zu reduzieren, da der gesamte Strom mit Ausnahme eines durch den Widerstand R4 in der treibenden Startschaltung 40 fließenden Stromes durch einen Stromspiegel fließt. Wenn der Referenzspannungserzeuger in einer integrierten Halbleiterschaltung ausgebildet ist, kann die Schaltung mit einer Spannung einer Spannungsquelle betrieben werden, die geringer ist als eine Extrapolationsspannung Vg0 eines Energiebandabstandes des als Halbleitermaterial verwendeten Halbleiters. Allgemein ist im Falle von Silicium (Si) Vg0 gleich 1,205 V; ein Betrieb ist jedoch auch ohne irgendwelche Verschlechterung der Eigenschaften nach der erfindungsgemäßen Schaltung auch dann möglich, wenn die Spannung einer Spannungsversorgung auf etwa 0,9 V verringert wird. Ferner ist es ein sehr vorteilhafter Effekt, daß die gewünschte Referenzspannung innerhalb eines Bereiches einer Spannung einer Spannungs­ versorgung frei erzeugt werden kann.

Claims (1)

  1. Schaltung (20) zur Erzeugung eines Stromes (IT) mit positivem Temperaturkoeffizienten, bestehend aus
    • - einem ersten Anschluß (T1) und einem zweiten Anschluß (T2) für die Versorgungsspannung,
    • - einem zweiten Transistor (Q2), dessen Emitter über einen zweiten Widerstand (R2) mit dem zweiten Anschluß (T2) verbunden ist und dessen Basis mit dem Kollektor des zweiten Transistors (Q2) und mit der Basis eines dritten Transistors (Q3) verbunden ist, dessen Emitter mit dem zweiten Anschluß (T2) verbunden ist;
    • - einem achten Transistor (Q8), dessen Basis mit dem Kollektor des dritten Transistors (Q3) verbunden ist und dessen Emitter mit dem zweiten Anschluß (T2) verbunden ist, sowie
    • - neunten, zehnten und elften Transistoren (Q9, Q10, Q11), deren Emitter mit dem ersten Anschluß (T1) verbunden sind und deren Basen miteinander verbunden sind, wobei der Kollektor des neunten Transistors (Q9) mit der Basis des achten Tran­ sistors (Q8) und mit dem Kollektor des dritten Transistors (Q3) verbunden ist, und der Kollektor des zehnten Transistors (Q10) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (Q2) und der Kollektor des elften Transistors (Q11) mit dem Kollektor des achten Transistors (Q8) und der Basis des elften Transistors (Q11) verbunden ist,
    • - wobei der erste Strom (IT) der durch den zweiten Widerstand (R2) fließende Strom ist.
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