DE1909721A1 - Elektrische Schaltung zur Erzeugung von Vorspannungen - Google Patents

Description

ίRCA 60 292

US-Ser.No. 709 274

Filed: February 29, I968

Radio Corporation of America, New York, N.Y. (V.St.A.)

Elektrische Schaltung zur Erzeugung von Vorspannungen.

Die Erfindung betrifft eine elektrische Schaltung zur Erzeugung von Vorspannungen aus einer Speisespannung, welche insbesondere für integrierte Schaltungen geeignet ist.

Unter der Bezeichnung "integrierte Schaltung" sei im folgenden ein monolithisches Halbleiterbauelement oder -plättchen verstanden, welches einer ganzen Schaltung miteinander verbundener aktiver und passiver Schaltungselemente entspricht. Beim Entwurf solcher integrierter Schaltungen treten zahlreiche Probleme auf, beispielsweise hinsichtlich der Widerstands-Kondensator-Kopplung _; zwischen hintereinandergeschalteten Verstärkerstufen, weil Kondensatoren in integrierten Schaltungen einen beträchtlichen Raum des Halbleiterplättchens einnehmen, selbst wenn es sich nur um kleine Kapazitäten handelt. Da die Abmessungen des Plättchens begrenzt sind, ist auch die Größe der Kapazität begrenzt, und daher muß auch der zur Stufenkopplung bestimmte Kapazitätswert beschränkt sein.

Eine Begrenzung der Größe des Kondensators begrenzt jedoch den Frequenzgang des Verstärkers nicht nur am unteren Ende, sondern ebenso am oberen Ende, und damit auch die Verstärkung bei der gewünschten Signalfrequenz. Wegen der parasitären Kapazitäten über dem integriert aufgebauten Kondensator wird die Frequenzgrenze des Verstärkers noch weiter herabgesetzt. Daher wählt man eine Gleichstromkopplung zwischen den Verstärkerstufen, wo dies möglich ist.

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Die Hintereinanderschaltung gleichspannungsgekoppelter Verstärkerstufen bringt jedoch andere Probleme mit sich. Da beispielsweise die an der Ausgangselektrode einer Stufe auftretende Gleichspannung gleichzeitig die Eingangsspannung für die nächste Stufe ist, benötigt man stabile Vorspannungsschaltungen, welche, den gewünschten Arbeitspunkt für jede der hintereinandergesehalteten Stufen festlegt. Außerdem muß die Ausgangsimpedanz der Vorspannungsschaltungen bei der Signalfrequenz genügend klein seih, so daß nur ein vernachlässigbar kleiner Spannungsabfall der Signalfrequenz an der Vorspannungsschaltung auftritt. Diese niedrige Ausgangsimpedanz macht es möglich, daß äußere Entkopplungskondensatoren entfallen können, welche andernfalls notwendig wären.

Die Aufgabe der Erfindung besteht'in der Verbesserung der bekannten Vorspannungsschaltungen. Insbesondere soll ein stabiler Arbeitspunkt für integrierte Verstärker bei Versorgungsspannungsschwankungen und Temperaturschwankungen erzeugt und aufrechterhalten werden*

■ ■ " ■ " .-■.-, ι

Diese Aufgabe wird durch die Erfindung dadurch gelöst, daß die Vorspannungsschaltung eine Mehrzahl von N+2 Transistoren (wobei N eine ganze Zahl ^O ist), aufweist, deren erster in gegengekoppelter Emittergrundschaltung geschaltet ist und mit seinem Kollektor in Reihe mit einem ersten Widerstand und einer Anzahl von Dioden liegt, mit seinem Emitter ebenfalls in. Reihe mit einem zweiten Widerstand und einer Anzahl von Dioden liegt, wobei der erste Widerstand (N+l) mal so groß wie der zweite Widerstand ist und im Kollektorkreis (N+l) mal soviel Dioden wie im Emitterkreis liegen, und deren zweiter in Kollektorgrundschaltung geschaltet ist, und mit seinem Emitter mit der Basis des ersten Transistors verbunden ist und er zur Abnahme einer Ausgangsspannung mit einer Ausgangsschaltung gekoppelt ist.

Die Erfindung ist im folgenden anhand der Darstellungen von Äusführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 das Schaltbild einer Vorspannungsschaitung nach der Erfindung;

Fig. 2 das Schaltbild einer abgewandelten Vorspannungsschaltung und .

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■ ■ " i

Fig. j5 das Schaltbild einer Verstärkerstufe, deren Vorspannung von der erfindungsgemäßen Vorspannungsschaltung geliefert wird. . j

Die in Fig. 1 dargestellte Vorspannungsschaltung enthält · zwei Transistoren 10.und 12. Der eine Transistor 10 ist in gegengekoppelter Emittergrundschaltung geschaltet, wobei sein Kollektor über die Reihenschaltung eines ersten Widerstandes 16 und einer ersten Halbleiterdiode 17 an der Klemme 14 einer Spe.ise-spannungsquelle liegt und sein Emitter über die Reihenschaltung • eines zweiten Widerstandes 20 und einer zweiten Halbleiterdiode i'21 an einem Bezugsspannungsanschluß l8 liegt. Die Anöde der Diode : 17 ist unmittelbar mit dem Anschluß l4 verbunden, während die !Kathode der Diode 21 direkt am Anschluß 18 liegt. j

j Der andere Transistor ist in Kollektorgrundschaltung ge- \ schaltet, wobei sein Kollektor unmittelbar am Anschluß 14 und sein Emitter über einen dritten Widerstand 22 an der Speisespannungsquelle 18 liegt. Der Emitter des Transistors 12 ist ferner mit der Basis des Transistors 10 und mit einer Ausgangsklemme 24

■ verbunden. Der Kollektor des Transistors 10 ist zusätzlich mit ι der Basis des Transistors 12 verbunden.

j Zwischen die Ausgangsklemme 24 und die Bezugsklemme 18 ist eine Last 26 geschaltet. Die.Spannungsklemme 14 und die Bezugsklemme 18 können mit einer Speisespannungsquelle geeigneter Polarität : verbunden werden,,welche jedoch nicht dargestellt ist. Bei der , j veranschaulichten Aus führungs form, ist der Widerstand 1.6 so bemes- ; sen, daß er praktisch den gleichen Wert wie der Widerstand 20 hat.

■ Wenn der durch die Last 26 fließende Strom ausreicht, um

ι einen geeigneten Spannungsabfall V_be über dem Basis-Emitter-Übergang des Transistors 12 zu erzeugen, dann kann der Widerstand 22 in der Schaltung nach Fig. 1 auch entfallen. Unter der Größe V, sei die mittlere Basis-Emitter-Spannung eines Transistors verstanden, der als aktives Bauelement in einer Verstärkerschaltung ■ oder dgl. arbeitet. Für Siliziumtransistoren beträgt diese Spannung V, etwa 0,7 V und Hegt, in einem geeigneten Bereich der Basis-Emitter-Spannungen für A-Verstärker.

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BAD

₄ T9Ü9721 j

Die Kondensatoren 10 und 12 bestehen aus dem gleichen Halb- : leitermaterial, wie es bei monolithischen integrierten Silizium- '

schaltungen der Fall ist, so daß ihre Basis-Emitter-Spannungen ^: V_be gleich sind. Ebenso besteht die Diode 17 aus dem gleichen ' Material wie die Diode 21, so daß ihre Durchlaßspannungsabfälle ebenfalls gleich sind. Bekannterweise liegen diese Durchlaß- ' Spannungsabfälle in der gleichen Größenordnung wie die Basis-Emitter-Spannung eines Transistors, der aus demselben Halbleiter hergestellt ist, und können .daher ebenfalls durch die Spannung V dargestellt werden.

Bei Anschluß einer geeigneten Speisespannungsquelle zwischen die Klemmen 14 und 18 erzeugt die Schaltung nach Fig. 1 zwischen ihren Anschlüssen 24 und 18 eine Ausgangsspannung, die halb so groß wie die Speisespannung ist, wie aus der folgenden Beschreibung hervorgeht. '

Im Gleichgewichtszustand ist die Ausgangsspannung (V _u^), j welche zwischen den Anschlüssen 24 und 18 entsteht, gleich der j

angelegten Speisespannung (^v _in) abzüglich des Durchschlagsspannungjs abfalls über der Diode 17 (^v _be ), des Spannungsabfalls am Wider- ? stand 16 (V_ ) und der Basis-Emitter-Spannung V. des Transistors

T £-\ D6

V =V-V -V -V (l)

out in ^beiY ^Ri6 ^bel2

Der Spannungsabfall am Widerstand 20 (V_R ) ist im Gleichgewichtszustand gleich der Ausgangsspannung (V _ut)> welche zwischen den Anschlüssen 24 und 18 entsteht, abzüglich der Basis-Emitter-Spannung V, des Transistors 10 und des Durchlaßspannungsabfalls an der Diode 21 (V_H ):

^De21

V=V-V-V (?)

R₂₀ out be₁₀ be₂₁ ^vc/

Da die Widerstände 16 und 20 gleich sind und da durch sie derselbe Strom fließt, ist der Spannungsabfall am Widerstand 20 (V_R ) gleich dem am Widerstand 16 (V_R ), und Gleichung (2) kann für V_R in Gleichung (1) eingesetzt werden:

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^Vout ^{= V}in - ^Vbe₁₇ " ^Vout ^{+ V}be₁₀ ^{+ V}be₂₁ " ^Vbe₁₂

Da die Basis-Emitter-Spannung V^₆ der Transistoren 10 und 12 ■ gleich sind, wenn diese Transistoren aus demselben Halbleitermaterial bestehen, und da die Spannungsabfälle V. an den Dioden j 17 und 21 auch gleich sind, wenn sie in gleicher Weise hergestellt] werden, reduziert sich Gleichung (3) zu j

V = -iS
out 2 ·

Hieraus ergibt sich, daß die von der Vorspannungsschaltung an die Last 26 abgegebene Spannung gleich der Hälfte der angelegten Speisespannung ist und insbesondere die Hälfte von der an der Anode der Diode 17 liegenden Spannung ist. Gleichung (3) läßt auch erkennen, daß die durch die Vorspannungsschaltung erzeugte Spannung unabhängig von Temperaturänderungen ist.

Fig. 2 zeigt eine abgewandelte Vorspannungsschaltung nach der Erfindung. Wie bei der Schaltung naoh Fig. 1 weist auch diese Schaltung einen ersten Transistor auf, der in gegengekoppelter Emittergrundschaltung geschaltet ist, und einen zweiten Transistor, der in Kollektorgrundschaltung gesohaltet ist. Im Gegensatz zur Schaltung nach Fig. 1 wird bei der Schaltung nach Fig.2 jedoch eine Transistorkopplung zur Verbindung der Ausgangselektrode des ersten Transistors mit der Eingangselektrode des zweiten Transistors anstatt einer unmittelbaren Kopplung verwendet.

Die Schaltung nach Flg. 2 enthält beispielsweise vier Transistoren 30, 32, 34 und 36. Ein Transistor 30 ist in gegengekoppelter Emittergrundsohaltung geschaltet, sein Kollektor liegt über einen ersten Widerstand 44 und drei in Reihe geschaltete Dioden 45, 47 und 49 an einer Speisespannungsquelle 42, sein Emitter liegt über einen zweiten Widerstand 48 und eine vierte Halbleiterdiode 51 an der Bezügeklemme 46. Ein weiterer Transistor 32 ist in Kollektorgrundeohftltung mit seinem Kollektor unmittelbar an die Speisespannungsquelle 42 und mit seinem Emitter über einen dritten Widerstand 50 an die Bezugsklemme 46 geschaltet. Der Emitter des Transistors 32 1st ferner mit der Basis des Transistors 30 und mit einem Ausgangsanschluß 52 ver-

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bunden, an den eine nichtdargestellte Last angeschlossen werden kann.

Der Kollektor des Transistors 30 ist zusätzlich über die Transistoren 34 und 36, welche zusammen mit dem Transistor 32 als Darlington-Schaltung in Kollektorgrundschaltung wirken, mit ' der Basis des Transistors 32 verbunden. Insbesondere ist der Kollektor des Transistors 30 mit der Basis des Transistors 34, der Emitter des Transistors 34 mit der Basis des Transistors 36, der Emitter des Transistors 36 mit der Basis des Transistors 32 und die Kollektoren der Transistoren 34 und 36 mit der Speisespannungsklemme 42 verbunden. Bei dieser Art von Transistorkopplung ist der an den Kollektor des Transistors 30 angeschlossene Widerstand 44 dreimal so groß wie der Widerstand 48, welcher mit dem Emitter dieses Transistors verbunden ist.

Bei Anlegen einer geeigneten Spannung zwischen die Anschlüsse 42 und 46 stellt sich ein Gleichgewichtszustand ein, bei dem die Aus gangs spannung (V

welche zwischen den Anschlüssen 52 und 46j

entsteht, gleich der angelegten Speisespannung (V*) abzüglich der Durchlaßspannungsabfälle an den Halbleiterdioden 45, 47 und

47

^rbe,

), des Spannungsabfalls am Widerstand 44

(V₀ ) und der Spannungsabfälle V,_ö an den Transistoren 32, 34 und 36 ist:

out

^vin be

- V₁

be-

45 - V

- V

be

47
- ν,

- V₁

be

be

Der Spannungsabfall am Widerstand 48 (V₀ ) ist im Gleich-

^R48

gewichtszustand gleich der Ausgangsspannung (V_QUt), welche zwischen den Klemmen 52 und 46 entsteht« abzüglich des Durchlaßspannungsabfalls an der Halbleiterdiode 5I (V. ) und des Span-

^De49

nungsabfalls V_foe am Transistor 30:

*48

v - v out be_c

- V₁

be-

Da der Widerstand 44 dreimal so groß wie der Widerstand 48 ist und da in beiden Widerständen derselbe Strom fließt, ist der

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₇ 19 ü 9 7 21

Spannungsabfall am Widerstand 44 dreimal so groß wie am Widerstand 48, und Gleichung (6) kann mit drei multipliziert werden

und für V₁-, in Gleichung (5) eingesetzt werden: ^R44

\ 7 / ι

44
^Vout ^{= V}in be₄ ^e^ be^₉ ^out ⁵be _χ

Unter der Annahme, daß die Transistoren J50, 32, 34 und aus demselben Halbleitermaterial bestehen ebenso wie Dioden 45, 47, 49 und 51, was bei einer monolithischen integrierten Siliziumschaltung der Fall ist, sind die Spannungsabfälle V, für die Transistoren und Dioden alle gleich, und Gleichung (7) reduziert a

i sich auf

V - fⁿ (R) i

^vout " ^T* ^K°^J ι

Gleichung (8) läßt so erkennen, daß die von der Vorspannungs·*- schaltung nach Fig. 2 an eine an die Ausgangsklemme 52 angeschlosf sene, nichtdargesteilte Last abgegebene Spannung gleich ein Viertel der zugeführten Speisespannung ist.

Andere ganze Bruchteile der Speisespannung lassen sich als j Ausgangsspannung erzeugen, wenn man die Transistorkopplung zwi- i sehen der gegengekoppelten Emittergrundschaltungsstufe und der < Kollektorgrundschaltungsstufe ändert und das Verhältnis der Halbleiterdioden und Widerstände in der gegengekoppelten Emittergrundschaltungsstufe entsprechend verändert. *

Es läßt sich allgemein leicht zeigen, daß, wenn N die Zahl der Koppeltransistoren zwischen den Stufen 30 und 32 ist, die _: Ausgangsspannungen gleich mal der Speisespannung betragen, wenn man einfach den Kollektorwiderstand in der gegengekoppelten Emittergrundschaltungsstufe (N + l) mal so groß wie den Emitterwiderstand dieser Stufe macht und die Anzahl der Kollektordioden N + 1 mal so groß wie die Anzahl der Emitterdioden dieser Stufe macht. Ein Bruchteil von ein Drittel erfordert daher einen ein- ■ stufigen Koppeltransistor und ein Verhältnis von 2:1 für die Widerstände und Dioden, ein Bruchteil von ein Fünftel erfordert drei Transistorkoppelstufen und ein Verhältnis von 4:1 für Widerstände und Dioden usw..

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- 8 - . ' 19U9721

In der oben angeführten ΆΗ? war angenommen worden, daß die Ausgangsspannung der Vorspannungsschaltung nach Fig. 2 zwischen den Klemmen 52 und 46 entsteht. Nimmt man an, daß die Ausgangsspannung stattdessen zwischen den Anschlüssen 52 und 42 auftritt, dann zeigt eine Untersuchung, daß die Ausgangsspannung sich zu mal der angelegten Speisespannung ergibt. So gilt für die an der Ausgangsklemme 52 gegenüber der Klemme 42 entstehende Spannung nach Fig. 2, wo N gleich 2 ist, der Ausdruck

^Vout

Man sieht, daß diese allgemeinen Ausdrücke - und ■- ■■■■ für die Ausgangsspannung ebenso für die Vorspannungsschaltung

nach Fig. 1 gelten, welche den speziellen Fall N gleich Null realisiert.

Fig. j5 zeigt ein Beispiel, wie die Vorspannungsschaltung nach Fig. 1 in einer typischen Verstärkerstufe eines mehrstufigen gleichspannungsgekoppelten Verstärkers den Arbeitspunkt erzeugt und aufrechterhält. Aus der folgenden Beschreibung ergibt sich, daß sowohl die Vorspannungsschaltung als auch der Verstärker auf ^! einem einzigen Halbleiterkörper ausgebildet sind und mindestens ; einen Teil eines integrierten Schaltungsplättchens bilden. Die Bezugsziffern sind entsprechend Fig. 1 gewählt. Außerdem ist der < Anschluß 18 mit Masse verbunden.

Der Verstärker nach Fig. j5 enthält drei Transistoren 60, 62 und 64. Ein Transistor 60 ist in Kollektorgrundschaltung geschaltet, wobei sein Kollektor unmittelbar an der Speisespannungsklemme 14 liegt und sein Emitter über einen Widerstand 66 an Masse liegt. Ein zweiter Transistor 62 ist in Basisgrundschaltung geschaltet, sein Kollektor liegt über einen Widerstand 68 an der Speisespannungsklemme 4θ und sein Emitter über einen Widerstand 66 an Masse.

Der dritte Transistor 64 ist in Kollektorgrundschaltung geschaltet, sein Kollektor liegt unmittelbar an der Speisespannungsklemme 14, sein Emitter liegt über einen Widerstand 70 an Masse. Die Basis des Transistors 60 ist über eine Leitung 72 an die Ausgangsschaltung der vorhergehenden, nichtdargestellten Stufe ange-

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schlossen. Der Kollektor des.Transistors 62 ist mit der Basis des | Transistors 64 verbunden, der Emitter des Transistors 64 ist über j eine Leitung 78 zur Ansteuerung eines weiteren Verstärkers der vorbeschriebenen Art geschaltet.

Der soweit beschriebene Verstärker enthält praktisch eine emittergekoppelte Verstärkerstufe, welche eine Kollektorstufe ansteuert, wie er im US-Patent 3 366 889 beschrieben ist. Bei Anschluß einer richtig gepolten Spannungsquelle zwischen die Klemmen 14 und Masse werden die über die Leitung 72 zugeführten Signale j zunächst durch die zusammengeschalteten Transistoren 60 und 62 ' und dann durch den Transistor 64 verstärkt. Die verstärkten Signale entstehen am Widerstand 70 der Kollektorstufe und erscheinen ; auf der Leitung 78 mit einem Gleichspannungspegel, der gleich dem der Basis des Eingangstransistors 60 zugeführten ist, unabhängig ; von Temperaturänderungen oder Betriebsspannungsschwankungen.

Einen symmetrischen Verstärkerbetrieb erhält man mit der Schaltung nach Pig. 3# wenn die an der Klemme 24 der Vorspannungsschaltung entstehende Ausgangsspannung den Basen der Transistoren 60 und 62 durch zwei gleiche Widerstände 82 bzw. 84 zugeführt wird. Bei dieser Dreieranordnung können mehrere solche Verstärker-! stufen hintereinander geschaltet werden, da, wenn das an der Vor- I spannungsschaltungsklemme 24 erzeugte Gleichspannungspotential ! dem Eingangstransistor 60 zugeführt wird, dieses gleiche Potential auch wieder am Ausgangsleiter 78 erscheint.

Die Genauigkeit, mit der die Ausgangsspannung mal so groß wie die Speisespannung, bzw. andererseits ^{mal so} 6^roß wie die Speisespannung ist, und damit die Stabilität und der Abgleich der durch die Vorspannung eingestellten Schaltung, hängt in; erster Linie vom Verhältnis der Kollektor- und Emitterwiderstände des gegengekoppelten in Emitterschaltung geschalteten Transistors ab, und nicht so sehr von deren absoluten Werten. Dies ist bei integrierten Schaltungen von besonderer Bedeutung, da die beiden Widerstände gleichzeitig ausgebildet werden können und ihr Verhältnis sich leicht einstellen läßt, während die absoluten Widerstandswerte von den Veränderlichen des Herstellungsverfahrens abhängen. Bei einem gegebenen Herstellungsverfahren kann daher eine höhere Ausbeute guter Schaltungen erwartet v/erden, wenn die 7er-

^f) π π π π η /1 η /> ι

hältnisse zwischen den Schaltungselementen von größerer Bedeutung als deren absoluten Werte sind.

Die Verwendung der in Reihe geschalteten Dioden 17 und 21 in den Fig. 1 und 3 und der Dioden 45, 47, 49 und 51 in Fig. 2 wirkt weiterhin verringern auf die Ausgangsimpedanz der beschriebenen Vorspannungsschaltungen, da sie eine niedrigere Impedanzbelastung für den Widerstand 10 (^O) und eine niedrigere Ansteuerimpedanz für den Transistor 12 (32) ergeben. Auf diese Weise wird die Ausgangsimpedanz weniger abhängig von Schwankungen der Stromverstärkung ß des Transistors, so daß Phasenverschiebungen im Transistor 10 (^O) verringert werden, welche ebenfalls die Ausgangsimpedanz der Vorspannungsschaltung erhöhen könnten.

Wenn die Dioden 17 und 21 (oder 45, 47, 49 und 51) weggelassen werden, dann könnte man wesentlich größere Ströme zur Erzielung der gleichen niedrigen Ausgangsimpedanz fließen lassen. Jedoch würde dann eine stärkere Speisespannungsquelle erforderlich, und die Erwärmung des integrierten Schaltungsplättchens wäre größer. Durch die Verwendung der in Reihe geschalteten Dioden läßt sich die erwünschte niedrige Ansteuerimpedanz für den Transistor 12 (J>2) erreichen, während zur gleichen Zeit die Vorspannungsstabilität als fester Bruchteil der Speisespannung bei Temperaturechwankungen erhalten bleibt, welche nur die absoluten Werte von V. und der integrierten Widerstände beeinflussen. Im Ergebnis kann daher die Gesamt-Ausgangsimpedanz der Vorspannungsquelle über einen weiten Frequenzbereich aufrechterhalten werden, und die sonst notwendigen äußeren Überbrüclcungskondensatoren können entfallen.

Claims (1)

1. Patentansprüche

   l.j Elektrische Schaltung zur Erzeugung von Vorspannungen aus ■ einer Speisespannung, gekennzeichnet durch j eine Mehrzahl von N + 2 Transistoren (10, 12) (wobei N eine ganze Zahl^O ist), deren erster (10) in gegengekoppelter Emittergrund- _: schaltung geschaltet ist und mit seinem Kollektor in Reihe mit einem ersten Widerstand (16) und einer Anzahl von Dioden (17) liegt, mit seinem Emitter ebenfalls in Reihe mit einem zweiten j Widerstand (20) und einer Anzahl von Dioden (21) liegt, wobei der ! erste Widerstand (N + 1) mal so groß wie der zweite Widerstand

   (20) ist und im Kollektorkreis (N + l) mal soviel Dioden wie im '. Emitterkreis liegen, und deren zweiter (12) in Kollektorgrund- , λ schaltung geschaltet ist, und mit seinem Emitter mit der Basis des ersten Transistors (10) verbunden ist und er zur Abnahme einer¹ Ausgangsspannung mit einer Ausgangsschaltung (26) gekoppelt ist.

   2.) Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsschaltung (26) zwischen den ₍ Emitter des zweiten Transistors (12) und dasjenige Ende der den zweiten Widerstand (20) aufweisenden Reihenschaltung geschaltet \ ist, welches dem Emitter des ersten Transistors (10) entgegengesetzt ist, so daß eine Ausgangsspannung entsteht, welche mal so groß wie die Speisespannung für den ersten (10) der N + 2 Transistoren ist.

   5.) Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsschaltung (26) zwischen den Emitter des zweiten Transistors (24) und dasjenige Ende der den ersten Widerstand (l6) enthaltenden Reihenschaltung geschaltet ist, welches vom Kollektor des ersten Transistors (10) entfernt '

   N + 1 ist, so daß eine Ausgangsspannung entsteht, welche mal so groß wie die Speisespannung für den ersten der N + 2 Transistoren ist.

   4.) Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß N gleich Null ist und daß der zweite Widerstand (20) praktisch gleich dem ersten Widerstand (16) ist.

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   5.) Schaltung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste und eine zweite Klemme (42 bzw. 46) zum Anschluß einer Speisespannungsquelle vorgesehen sind, daß die Kollektoren jeder der N Transistoren (34, 36) mit der ersten Klemme (42) gleichstromgekoppelt sind, daß der Kollektor des ersten Transistors (j5Q) mit der Basis des ersten Tran- I sistors (54) der N Transistoren gleichstromgekoppelt ist, daß die Basis des zweiten Transistors (52) dem Emitter des letzten Transistors (32) der N Transistoren gleichstromgekoppelt ist, daß der Emitter jedes der N Transistoren mit der Basis des nächstfolgenden Transistors dieser Reihenschaltung gleichstromgekoppelt ist, daß der Kollektor des zweiten Transistors (^4) mit der ersten Klemme (42) gleichstromgekoppelt ist und daß ein dritter Widerstand (50) , zwischen den Emitter des zweiten Transistors (32) und die zweite Klemme (46) geschaltet ist.

   6.) Elektrische Schaltung nach Anspruch 2, 'dadurch ge- j kennzeichnet, daß N gleich 2 ist.

   7.) Vorspannungsschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Transistor (j5O, 32) und die N Transistoren (^4, 36) sowie die N + 1 Dioden (45, 47, 49) der erste, der zweite und der dritte Widerstand (44, 48, 50) sowie die zweite Diode (5I) und die Gleichstromverbindungen in einer einzigen integrierten Schaltung ausgebildet sind.

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   ORIGINAL INSPECTED