DE3247141A1 - Verfahren zum anordnen von aufnahmeflaechen bei einem aufteilungs-druckgeraet - Google Patents

Verfahren zum anordnen von aufnahmeflaechen bei einem aufteilungs-druckgeraet

Info

Publication number
DE3247141A1
DE3247141A1 DE19823247141 DE3247141A DE3247141A1 DE 3247141 A1 DE3247141 A1 DE 3247141A1 DE 19823247141 DE19823247141 DE 19823247141 DE 3247141 A DE3247141 A DE 3247141A DE 3247141 A1 DE3247141 A1 DE 3247141A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
units
special
dipl
munich
ing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19823247141
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Yokohama Kanagawa Kosugi
Hiroshi Tokyo Sato
Kazuo Takahashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of DE3247141A1 publication Critical patent/DE3247141A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/44—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique

Description

Verfahren zum Anordnen von Aufnahmeflächen bei einem
Aufteilungs-Druckgerät
Die Erfindung bezieht sich auf ein Aufnähmeflächen-Anordnungsverfahren, das bei einem Halbleiter-Druckgerät, und insbesondere bei einem Aufteilungs-Druckgerät (Schrittdruckgerät) verwendet wird, bei welchem eine Verkleinerungsprojektionsbelichtung erfolgt und besondere Schaltungs- bzw. Flächeneinheiten ausgelassen werden.
Allgemein sind Halbleiter-Druckgeräte so gestaltet, daß ein Bildmuster, das auf einer Maske ausgebildet ist, welche ein Negativbild darstellt, auf ein Halbleiterplättchen (wafer) übertragen wird, wobei als Verfahren zum Übertragen eines solchen Bildmusters auf das Halbleiterplättchen ein Verfahren, bei dem die Übertragung mittels einer einzigen Aufnahme bzw. Belichtung erfolgt (Gesamtdruck), und ein Verfahren angewandt werden, bei dem die Übertragung mittels einer Vielzahl von Aufnahmen bzw. Belichtungen erfolgt (Aufteilungsdruck).
Dresdner Bank (München) Kto. 3 939 844
A/28
Bayer. Vereinsbank (München) Kto. 508
Postscheck (München) Kto. 670-43-80
Der Gesamtdruck bzw. Sammeldruck wird angewandt, wenn zum Übertragen die Maske und das Halbleiterplättchen miteinander in Berührung gebracht werden (Kontaktverfahren) oder einander unter einem sehr kleinen Zwischenraum ohne g Zwischensetzen eines Abbildungssystems gegenüber gesetzt werden (Nahübertragungsverfahren) und wenn zum Übertragen die Maske und das Halbleiterplättchen ausreichend voneinander entfernt in einem Lageverhältnis für eine Abbildung mittels eines Abbildungssystems mit der Vergrößerung 1:1
.Q gehalten werden, wobei ein Linsensystem oder ein Spiegelsystem eingesetzt wird (1:1-Projektionsverfahren). D.h., bei dem Gesamtdruck wird das Bildmuster der Maske gleichzeitig und unverändert auf das Halbleiterplättchen übertragen. Bei dem Gesamtdruck treten jedoch insbesondere
^j- dann Schwierigkeiten bei der Herstellung der Maske auf, wenn Elemente mit dichtem Integrationsgrad zu bilden sind, weil dann das auf das Halbleiterplättchen zu übertragende erwünschte Bildmuster sehr fein ist und das auf der Maske zu bildende Bildmuster auch die gleiche Form im Maßstab lsi wie das Bildmuster für das Halbleiterplättchen haben muß „
In Anbetracht dessen wurde unter Verwendung eines Linsensystems , dessen Abbildungsvergrößerung kleiner als 1 ist, das Bildmuster der Maske unter Verkleinerung auf das Halbleiterplättchen projiziert und übertragen, wobei für jeweilige Einzelaufnahmen bzw. Einzelbelichtungen die Maske und das Halbleiterplättchen in Bezug aufeinander so versetzt wurden, daß keine gegenseitige Überlappung von Belichtungsflachen entsteht, und das gleiche Bildmuster wie bei dem Gesamtdruck mit einer Vielzahl von Aufnahmen bzw. Belichtungen auf die nutzbare Fläche des Halbleiterplättchen übertragen wurde.
Bei dem Aufteilungsdruck mit einer derartigen Verkleinerungs-Pro jektionsbelichtung wird auf der Maske das Bildmuster gegenüber dem auf dem Halbleiterplättchen auszubildenden Bildmuster mit dem Kehrwert der Abbildungsvergrößerung des
,. Abbildungssystems vergrößert ausgebildet, so daß daher die Herstellung der Maske erleichtert ist. Zur Ausführung des Aufteilungsdrucks gibt es ein Verfahren, bei dem gemäß der Darstellung in Figur 1 der Zeichnung für eine jeweilige Belichtung ein Objektträger geradlinig versetzt wird. Nach diesem Verfahren wird der Objektträger beispielsweise geradlinig in einer X-Richtung versetzt, so daß .sich hinsichtlich der Verstellungsgenauigkeit des Objektträgers Fehler in der X-Richtung und der Y-Richtung nicht aufaddieren.
In der Figur 1 ist a ein Halbleiterplättchen, während b
die bei einer jeweiligen Einzelaufnahme zu belichtende Fläche ist, wobei die Reihenfolge der Einzelaufnahmen durch die Zahlen angegeben ist und Pfeile die Verstellunasrich-2Q tung angeben.
Hinsichtlich der Aufnahmen bzw. Aufnahmeflächen ist für die übergänge von Nr. 4 auf Nr. 5 sowie Nr. 28 auf Nr. 29 eine Schrägversetzung gezeigt, jedoch betreffen diese Aufnahme-2,-flächen einen ungenutzten Bereich, so daß daher hinsichtlich des nutzbaren Bereichs eine geradlinige Bewegung bzw. Versetzung erfolgt.
Dieses Verfahren hat jedoch die folgenden Mangel:
Bei der sogenannten Mehreinheiten—Aufnahme, bei der bei einer jeden einzelnen Aufnahme gleichzeitig eine Belichtung für mehrere Schaltungseinheiten (Chips) erfolgt, ergeben sich viele ungenutzte Schaltungseinheiten, die nicht auf das Halbleiterplättchen übertragen werden.
*~ j ■■■
■j^ Dies stellt ein Problem dar, das insbesondere dann auftritt, wenn der Aufteilungsdruck zusammen mit dem Gesamtdruck angewandt wird, und zwar deshalb, weil bei dem Aufteilungsdruck angestrebt wird, Ausrichtungsmuster für den
_ Gesamtdruck und Flächen von Sondereinheiten wie Test-Schalo
tungseinheiten nicht zu belichten.
D.h, die Anordnung der Aufnahmeflächen erfolgt gemäß Figur 1 in der Weise, daß bei dem Aufteilungsdruck die Flächen von besonderen Einheiten c nicht belichtet werden, aber auf dem Bereich dieser Aufnahmefläche mit Ausnahme der Sondereinheit keine Schaltungseinheit übertragen wird, da keine Aufnahme bzw. Aufnahmefläche vorhanden ist, die eine Sondereinheitsfläche enthält; daher werden bei einer Mehreinheiten-Aufnähme mit vier Einheiten je Belichtung drei ungenutzte Einheiten d gebildet.
Dieses Problem gilt auch für die sogenannte "Schritt für Schritt"-Ausrichtung, bei der die Ausrichtung für eine jede Einzelaufnahme vorgenommen wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Aufnahmeflachen-Anordnungsverfahren zu schaffen, bei dem die Anzahl ungenutzter Einheiten auf ein Mindestmaß herabgesetzt ist und auf die Oberfläche eines Halbleiterplättchen mit Ausnahme einer Fläche für Sondereinheiten die Schaltungseinheiten nutzbringend übertragen werden.
Ferner soll mit der Erfindung ein Aufnahmeflächen-Anord-3Q nungsverfahren geschaffen werden, bei dem der Innenabstand L zwischen den besonderen Einheiten an einem Halbleiterplättchen auf einen vorbestimmten Bereich begrenzt ist.
.:!Λ L6-L:!. *\Λ::, 3247U1
Die Aufgabe wird dadurch erfindungsgemäß gelöst, daß entsprechend dem Abstand zwischen den besonderen Einheiten und der Größe der Belichtuhgsflache bei einer jeweiligen Aufnahme die Aufnahmeflächen zumindest um die besondere ,. Einheit herum in einer schrägen Richtung angeordnet werden, so daß die Anzahl ungenutzter Einheiten um die besonderen Einheiten herum auf ein Mindestmaß herabgesetzt wird. Ferner wird erfindungsgemäß der Innenabstand L zwischen den Sondereinheiten auf L ·= (mN + q) 1 festgelegt, wenn in der -n Richtung der Anordnung der Sondereinheiten bei einer Einzelaufnahme m Schaltungseinheiten zu übertragen sind und die Breite einer Schaltungseinheit 1 ist, wobei N eine positive ganze Zahl ist und q eine positive ganze Zahl ist, für die 0 ^ q ^m - 2 gilt.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
Figur 1 veranschaulicht das Aufnahmeflächen-Anordnungsver-2Q verfahren bei dem Aufteilungsdruck nach dem Stand der Technik.
Figur 2 veranschaulicht eine Ausführungsart des Verfahrens zur Aufnahmeflächen-Anordnung im Falle einer An-λγ Ordnung für vier Schaltungseinheiten je Belichttung.
Figuren 3A,3B,3C und 3D veranschaulichen Anwendungsbeispiele
des Aufnahmeflächen-Anordnungsverfahrens bei der üblichen Mehreinhei- QQ ten-Aufnähme.
Die Figur 2 zeigt eine Ausführungsart des Aufnahmeflächen-Anordnungsverfahrens im Falle einer "Vier Schaltungseinheiten je Belichtung"- Anordnung. Durch das Anordnen der Aufnahmeflächen in der dort gezeigten Reihenfolge der
Nummern kann die nutzbare Fläche eines Halbleiterplättchens belichtet werden, während nur eine Sondereinheiten-Fläche ausgelassen wird. Die Aufnahmeflächen werden nämlich nicht wie nach dem Stand der Technik geradlinig, sondern zumin-
c dest um eine Sondereinheit c herum in schräger Richtung angeordnet, so daß die belichtete Fläche b soweit wie möglich keinen unerwünschten Leerbereich um die Sondereinheit c herum bildet» Natürlich muß ein Leerbereich in einem Format gebildet sein, das die Sondereinheit c aufnimmt.
Die allgemeine Lösung wird im folgenden beschrieben, während
hier nur vereinfacht angegeben wird, daß ein Innenabstand L •zwischen zwei besonderen bzw. Sondereinheiten c ein Vielfaches einer Breite W der zu belichtenden Fläche bzw. Flä-,pcheneinheit b ist.
In diesem Fall entsteht aufgrund der in Figur 2 gezeigten Aufnahmeflächen-Anordnung keine ungenutzte Einheit.
Nach Figur 2 erfolgt wie gemäß Figur 1 das übertragen bzw. Drucken mit 32 Aufnahmen bzw. Belichtungen, jedoch wurden nach Figur 1 im Falle der Mehreinheiten-Aufnahme mit vier Einheiten je Belichtung sechs ungenutzte Einheiten d gebildet, wogegen nach Figur 2 die Anzahl der ungenutzten Einheiten = 0 ist. Bei dem Anordnungsverfahren ist die Aufnahmenreihenfolge nicht auf die dargestellte beschränkt. Im Falle der üblichen Mehreinheiten-Aufnähme, bei der mit einer einzelnen Aufnahme eine Belichtung für mehr als vier Schaltungseinheiten erfolgt, ist es gleichfalls möglich, das Bilden ungenutzter Einheiten auf ein Mindestmaß herabzusetzen, während nur die Sondereinheiten-Fläche ausgelassen wird; dies wird nachstehend anhand der Figur 3 beschrieben.
Die Figuren 3A, 3B, 3C, 3D zeigen, daß entsprechend dem Abstand L zwischen Sondereinheiten die Anzahl ungenutzter Einheiten auf ein Mindestmaß herabgesetzt werden kann.
Falls allgemein die Anzahl der Schaltungseinheiten je Belichtung bzw. Aufnahme m χ η ist (wobei m die Anzahl in der Richtung der Anordnung der Sondereinheiten ist und η die Anzahl in der Richtung senkrecht hierzu ist), 1 die Seitenlänge einer einzelnen Schaltungseinheit in der Richtung der Sondereinheiten ist, N eine positive ganze Zahl ist (N =" 1) , q eine positive ganze Zahl ist, die nicht m übersteigt (0 - q "=" m - 1) und für den Innenabstand L zwischen den Sondereinheiten L = (mN + q)1 gilt, so ist die kleinste Anzahl ungenützter Einheiten gleich (m-2), wenn 0 = q = m-2 gilt, und gleich (m-1), wenn q = m-1 gilt. Dies ist aus den Figuren 3A, 3B, 3C und 3D ersichtlich. Die Figur 3A zeigt den Fall q = 0, die Figur 3B zeigt den Fall q=1 und die Figur 3C zeigt den Fall q=2, wobei bei diesen Fällen die Summe der kleinsten Anzahl unbelichteter Einheiten im linken und rechten Bereich gleich m ist und die Anzahl der ungenutzten Einheiten mit Ausnahme der beiden Sondereinheiten gleich (m-2) ist.
Die Figur 3D zeigt den Fall q = m-1 (wobei z.B. q=3 gilt, wenn m=4 gilt). An der nach Figur 3D rechten Sondereinheit werden einschließlich derselben m Einheiten nicht belichtet. D.h., die Summe der kleinsten Anzahlen unbelichteter Einheiten im linken und rechten Bereich ist (m+1), während die Anzahl ungenutzer Einheiten unter Ausschluß der Sondereinheiten gleich (m-1) ist.
Falls nach dem in Figur 1 gezeigten Verfahren nach dem Stand der Technik bei einer einzelnen Aufnahme m χ η Schaltungseinheiten belichtet werden, ist die Summe der kleinsten Anzahlen unbelichteter Einheiten gleich 2mn,
während die Anzahl ungenutzter Einheiten unter Ausschluß der beiden Sondereinheiten gleich (2mn-2) ist; somit ist der Vorteil der kleinsten Anzahl (m-2) ungenutzter Einheiten bei dem Aufnahmeflächen-Anordnungsverfahren gemäß den Ausführungsbeispielen offensichtlich.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung kann mit dem Aufnahmeflächen-Anordnungsverfahren das Erzeugen ungenutzter Einheiten entsprechend dem Abstand zwischen den Sondereinheiten und der Größe des bei einer jeweiligen Aufnahme zu belichtenden Bereich auf ein Mindestmaß herabgesetzt werden. Ferner kann die absolute Anzahl ungenutzter Einheiten dadurch auf (m-2) herabgesetzt werden, daß der Abstand L zwischen den Sondereinheiten auf L = (mN + q) 1 festgelegt wird, wobei 0 =' q ^- m-2 gilt; dies ist bei dem Aufteilungsdruck äußerst vorteilhaft.
Bei einem Aufteilungsdruckgerät,, bei dem das Bildmuster einer Maske unter Verkleinerung auf ein Halbleiterplättchen projiziert una. übertragen wird und das Halbleiterplättchen und die Maske in Bezug zueinander für jede Einzelbelichtung so bewegt werden, daß zwischen den Belichtungsflächen keine Überlappung auftritt, während auf die nutzbare Fläche des Halbleiterplättchens mit einer Vielzahl von Belichtungen das gleiche Bildmuster wie bei dem Gesamtdruck übertragen wird, wird nach dem beschriebenen Aufnahmeflächen-Anordnungsverfahren im Falle der sogenannten Mehreinheiten-Aufnähme, bei der bei jeder Aufnahme gleichzeitig eine Vielzahl von Schaltungseinheiten belichtet wird, eine Sondereinheiten-Fläche des Halbleiterplättchens nicht belichtet, aber das Halbleiterplättchen nutzbringend derart belichtet, daß die Entstehung ungenutzter Einheiten auf ein Mindestmaß herabgesetzt ist.
Leerseite

Claims (1)

1ier»Twc — RiiLJi ιKi^ — lC,*,*,r- Patentanwälte und em
IEDTKE DUHLING IVlNNE Vertreter beim EPA if·
fK Ql f*. Dipl.-lng, H.Tiedtke f
tJIRUPE - rELLMANN - ViRAMS Dipl.-Chem. G. Bühling
Dipl.-lng. R. Kinne Dipl.-lng. R Grupe
32471 41 Dipl.-lng. B. Pellmann Dipl.-lng. K Grams
Bavariaring 4, Postfach 2024( 8000 München 2
Tel.: 089-539653 Telex: 5-24845 tipat Telecopier: 0 89 / 537377 cable: Germaniapatent Münche
20. Dezember 1982 DE 2670
Patentansprüche
1»]Verfahren zur Anordnung von Aufnahmeflachen bei einem Auftexlungs-Druckgerät, bei dem ein Bildmuster unter Aufteilung mittels einer Vielzahl von Aufnahmen auf ein Halbleiterplättchen übertragen wird, wobei eine Sondereinheitsfläche ausgelassen wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufnahmeflächen zumindest um die Sondereinheit herum entsprechend dem Abstand zwischen den Sondereinheiten und der Größe der bei jeder Aufnahme zu belichtenden Fläche in schräger Richtung so versetzt werden, daß die Anzahl um die Sondereinheiten herum gelegener unbelichteter ungenutzter Schaltungseinheiten auf ein Mindestmaß herabgesetzt ist»
2„ Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der Richtung der Anordnung der Sondereinheiten bei einer Einzelaufnahme m Schaltungsexnheiten übertragen werden, wobei bei einer Breite 1 einer einzelnen Schaltungseinheit für den Innenabstand L zwischen den Sondereinheiten L = (mN + q)1 gilt, wobei N eine positive ganze Zahl ist und q eine positive ganze Zahl ist, für die 0lq4 m-2 gilt.
Dresdner Bank (München) Kto. 3 939 844 Bayer. Vereinsbank (München) Kto. 508 941 Postscheck (München) Kto. 670-43-80
DE19823247141 1981-12-21 1982-12-20 Verfahren zum anordnen von aufnahmeflaechen bei einem aufteilungs-druckgeraet Ceased DE3247141A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56207679A JPS58107633A (ja) 1981-12-21 1981-12-21 特殊チツプを逃げたシヨツト配列方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3247141A1 true DE3247141A1 (de) 1983-06-30

Family

ID=16543770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19823247141 Ceased DE3247141A1 (de) 1981-12-21 1982-12-20 Verfahren zum anordnen von aufnahmeflaechen bei einem aufteilungs-druckgeraet

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4488806A (de)
JP (1) JPS58107633A (de)
DE (1) DE3247141A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0768575A2 (de) * 1995-10-10 1997-04-16 Deutsche ITT Industries GmbH Verfahren zum Optimieren einer Anordnung von Halbleiterelementen auf einem Halbleiterwafer
EP0854430A2 (de) * 1997-01-08 1998-07-22 Texas Instruments Incorporated Verfahren zur Optimierung der Herstellung von integrierten Schaltungen
EP0905764A2 (de) * 1997-09-25 1999-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Maximierung der Chipausbeute von Halbleiterscheiben

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4883359A (en) * 1984-02-28 1989-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Alignment method and pattern forming method using the same
JPH0628225B2 (ja) * 1985-10-29 1994-04-13 キヤノン株式会社 露光方法
GB2190215B (en) * 1986-05-01 1989-12-13 Smiths Industries Plc Integrated circuit substrates and masks
GB8610655D0 (en) * 1986-05-01 1986-06-04 Smiths Industries Plc Integrated circuit substrates
GB8803171D0 (en) * 1988-02-11 1988-03-09 English Electric Valve Co Ltd Imaging apparatus
US4849313A (en) * 1988-04-28 1989-07-18 Vlsi Technology, Inc. Method for making a reticle mask
JP2577507B2 (ja) * 1990-12-19 1997-02-05 株式会社東芝 ウェーハの描画装置
US5617182A (en) * 1993-11-22 1997-04-01 Nikon Corporation Scanning exposure method
US6118515A (en) * 1993-12-08 2000-09-12 Nikon Corporation Scanning exposure method
JP3320262B2 (ja) * 1995-07-07 2002-09-03 キヤノン株式会社 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法
JP3728610B2 (ja) * 1996-07-04 2005-12-21 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
US5719605A (en) * 1996-11-20 1998-02-17 Lexmark International, Inc. Large array heater chips for thermal ink jet printheads
AU5067898A (en) * 1996-11-28 1998-06-22 Nikon Corporation Aligner and method for exposure
JPH10303126A (ja) * 1997-02-28 1998-11-13 Nikon Corp 移動シーケンスの決定方法
KR100418194B1 (ko) * 2001-04-07 2004-02-19 주식회사 메닉스 다이의 갯수를 최대화하는 방법
EP1860506B1 (de) * 2003-10-16 2009-04-08 ASML Netherlands B.V. Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
TWI797737B (zh) * 2017-09-29 2023-04-01 美商昂圖創新公司 用於在曝光裝置時減少未對準誤差的方法和設備
US11687010B2 (en) 2020-02-21 2023-06-27 Onto Innovation Inc. System and method for correcting overlay errors in a lithographic process

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4431304A (en) * 1981-11-25 1984-02-14 Mayer Herbert E Apparatus for the projection copying of mask patterns on a workpiece

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Solid State Technology, June 1975, S. 14 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0768575A2 (de) * 1995-10-10 1997-04-16 Deutsche ITT Industries GmbH Verfahren zum Optimieren einer Anordnung von Halbleiterelementen auf einem Halbleiterwafer
DE19537756A1 (de) * 1995-10-10 1997-04-17 Itt Ind Gmbh Deutsche Verfahren zum Optimieren einer Stepfeldanordnung auf einem Halbleiterwafer
EP0768575A3 (de) * 1995-10-10 1997-11-19 Deutsche ITT Industries GmbH Verfahren zum Optimieren einer Anordnung von Halbleiterelementen auf einem Halbleiterwafer
EP0854430A2 (de) * 1997-01-08 1998-07-22 Texas Instruments Incorporated Verfahren zur Optimierung der Herstellung von integrierten Schaltungen
EP0854430A3 (de) * 1997-01-08 1999-08-04 Texas Instruments Incorporated Verfahren zur Optimierung der Herstellung von integrierten Schaltungen
EP0905764A2 (de) * 1997-09-25 1999-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Maximierung der Chipausbeute von Halbleiterscheiben
EP0905764A3 (de) * 1997-09-25 1999-10-13 Siemens Aktiengesellschaft Maximierung der Chipausbeute von Halbleiterscheiben
US6070004A (en) * 1997-09-25 2000-05-30 Siemens Aktiengesellschaft Method of maximizing chip yield for semiconductor wafers

Also Published As

Publication number Publication date
US4488806A (en) 1984-12-18
JPS58107633A (ja) 1983-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3247141A1 (de) Verfahren zum anordnen von aufnahmeflaechen bei einem aufteilungs-druckgeraet
DE2905636C2 (de) Verfahren zum Kopieren von Masken auf ein Werkstück
EP0001042A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung durch Korpuskularstrahlen-Schattenwurf
DE2106678A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Magnetfeldspule
DE3404063C2 (de)
DE1945247A1 (de) Materialpruefverfahren mittels Roentgenbildaufnahme und -vergleich
DE2922017A1 (de) Ausrichtverfahren mit hoher aufloesung und vorrichtung dafuer
DE19931886B4 (de) Halbleiterwafer und Halbleiterbauelement
DE3337300A1 (de) Verfahren zum herstellen integrierter halbleiterschaltkreise
DE10205330A1 (de) Verfahren zur Korrektur optischer Nachbarschaftseffekte
DE4447264B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske
DE1943785A1 (de) Einrichtung zur maschinellen Identifizierung von Halbleiterscheiben
DE2123887C3 (de)
DE1194939C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Matrizen fuer elektronische Schaltungseinheiten
DE10236027B3 (de) Verfahren zum Überprüfen einer Maske
DE1932926A1 (de) Vorrichtung zur Justierung des Elektronenstrahles einer Mikrosonde
DE1166935B (de) Verfahren zum Erzeugen von Masken auf Halbleiterkoerpern
DE10128269A1 (de) Eine Chipflächen-Justierstruktur
DE2727190C3 (de)
DE19624649A1 (de) Maske zur Überprüfung der Linsenverzerrung bei einem Stepper
EP0246577A2 (de) Elektrodenstruktur für einen Druckkopf
DE3048362A1 (de) "verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen"
DE19829674A1 (de) Lithografisches Verfahren zur Individualisierung einzelner Chips im Scheibenprozeß
DE1960463A1 (de) Verfahren zum fehlerfreien fotografischen UEbertragen
DE3246305A1 (de) Maskenausrichtvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: G03F 9/00

8131 Rejection