DE1943785A1 - Einrichtung zur maschinellen Identifizierung von Halbleiterscheiben - Google Patents
Einrichtung zur maschinellen Identifizierung von HalbleiterscheibenInfo
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Description
1943735
Böblingen, 27. August 1969 mö-rz
Anmelderin:
International Business Machines Corporation, Armonk, N.Y. 10 504
Amtliches Aktenzeichen:
Neuanmeldung
Aktenzeichen der Anmelderin:
Docket FI 967 119
Einrichtung zur maschinellen Identifizierung von Halbleiter-Scheiben
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur maschinellen Identifizierung
von Halbleiter-Scheiben, die auf einer Seite optisch abfühlbare, vorzugsweise geätzte, Markierungen aufweisen.
Zur Herstellung monolithisch integrierter Schaltungen wird allgemein
von relativ großflächigen runden Halbleiter-Scheiben ausgegangen. Bis zum fertigen integrierten Schaltkreis passiert diese
Halbleiter-Scheibe die verschiedensten Prozeßschritte in oftmals wiederholter Form, beispielsweise Photolithographie-, Diffusions-,
Ätzprozesse etc. Je nach den letztlich geforderten Schaltungseigenschaften
weisen diese Prozeßschritte Unterschiede auf, z.B. in der Maskenform, der Diffusionszeit etc. Es ist daher erforder-
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lieh, vor der Ausführung des jeweils folgenden Prozeßschrittes die
Identität der betroffenen Halbleiter-Scheibe festzustellen.
Bei dem bisherigen Umfang der in monolithischer Technik hergestellten
Schaltungen, die meist unter labormäßigen Bedingungen gefertigt wurden, reichten zur Unterscheidung der Halbleiter-Scheiben
solche Markierungen aus, die von dem Bedienungspersonal direkt abgelesen werden konnten, beispielsweise Farbmarkierungen,
geätzte oder sandgestrahlte Ziffern etc. Insbesondere bei den
letztgenannten Markierungsverfahren bestand ein wesentlicher Nach» teil darin, daß beim Zerschneiden der Halbleiter-Scheibe diese
in unerwünschter Weise an den geätzten oder sandgestrahlten Stellen zerbrach und somit die in diesem Flächenbereich der Halbleiter-Scheibe
hergestellten Schaltungen unbrauchbar wurden.
Da solche mit dem Auge abzulesenden Markierungen eine gewisse
Größe nicht unterschreiten konnten, wurden entsprechend viele Teilschaltangen unbrauchbar. Andererseits erwiesen sich Markie-
* rungen, bei denen die Halbleiter-Scheibe nicht derart angegriffen
wurde, z.B. Farbmarkierungen, als nicht den hohen Anforderungen durch z.B0 hohe Temperaturen im Diffusionsofen genügend.
Für eine industrielle Großserienfertigung ist es darüberhinaus
erforderlich, solche Identitätsmarkierungen maschinell erkennen und auswerten zu können, um z.B. automatisch die Prozeßbedingungen
entsprechend einzustellen. Ein besonderes Problem bei maschinellen
Einrichtraagaa zur Identifizierung von irgendwelchen Artikeln
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besteht jedoch in der notwendigen Berücksichtigung der jeweiligen
Lage des betreffenden Artikels. Besondere Positioniereinrichtungen stellen immer einen unerwünschten technischen und finanziellen
Mehraufwand dar.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Einrichtung zur maschinellen Identifizierung von Halbleiter-Scheiben, die auf
einer Seite optisch abfühlbare, vorzugsweise geätzte, Markierungen aufweisen, anzugeben, bei der die oben erwähnten Nachteile nicht
in Kauf genommen werden müssen. Insbesondere soll durch die Markierung die Entstehung eines unerwünscht hohen Ausschusses beim
schließlichen Zerschneiden der Halbleiter-Scheibe vermieden werden. Darüber hinaus soll eine weitgehend lageinvariante Abftihlung
der Identitätsinformation auf der Halbleiter-Scheibe erreicht
werden. Schließlich soll die Einrichtung ά&η relativ kleinen Abmessung
der zu identifizierenden Objekte Rechnung tragen und die
Möglichkeit einer Fehlersicherung bieten.
Die Lösung dieser,Aufgaben gemäß der Erfindung besteht darin,
daß die Markierungen in codierter Form in den Trennbereichen zwischen den für die Aufnahme der eigentlichen Schaltkreise vorgesehenen
Teilbereichen gebildet sind und sich aus einzelne Markierungslinien enthaltenden Bereichen zusammensetzen. Ein vorteilhaftes
Ausführungsbeispiel der Erfindung sieht ν or, daß die Codeelemente
durch Bereiche mit in unterschiedlichem Abstand angeordneten Markierungslinien dargestellt sind. Eine andere vorteilhafte
Möglichkeit besteht darin, die Codeelemente durch Bereiche mit
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und ohne derartige, beispielsweise geätzte, Markierungslinien darzustellen. Um bei der optischen Abfühlung der Markierungslinien
Interferenzen mit im eigentlichen Schaltungsbereich vorhandenen,
beispielsweise ebenfalls geätzten, Linien zu verhindern bzw. zu
vermindern sind die Markierungslinien in den Trennbereichen vorzugsweise
unter einem Winkel zu den Trennbereichsgrenzen auszubilden. Man geht dabei von der Annahme aus, daß derartige, die
fehlerfreie Identifizierung störende Linien innerhalb des Schaltungsbereichs einer integrierten Schaltung zum überwiegenden Teil
senkrecht oder parallel zu den Bereichsgrenzen und damit auch zu den Trennbereichsgrenzen verlaufen. Da die Ausbeute an reflektierter
Strahlung besonders groß ist, wenn die Markierungslinien unter einem Winkel von 90 bestrahlt werden, werden die
an sich störenden Linien nur wenig oder gar nicht zum insgesamt reflektierten Strahl beitragen.
IAn eine rieh tungs invariante Abfühlung der zellenförmig ausgebildeten
Identitätsmarkierungen zu erzielen, sieht ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung vor, daß vor bzw. nach der die Identitätsinformation
aufweisenden Markierung besondere Markierungen angebracht sind, aus denen bei ihrer Abfühlung auf die richtige Reihenfolge
der Bestandteile der Identitatsinformation geschlossen
wird. Ferner läßt sich in vorteilhafter Weise eine Fehlerprüfbarkeit
durch Wiederholung des Markierungsmusters erreichen. Eine weitere Möglichkeit zur riehtungsinvarianten Abfühlung der Identitätsinformation
besteht in deren Wiederholung in der umgekehrten Bedeutungsreihenfolge.
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Eine weitere Ausbildung der Erfindung ist gekennzeichnet durch eine Abfüh!einrichtung, bestehend aus einem auf die Halbleiter-Scheibe gerichteten Strahler, einem im Reflexionsstrahlengang
angeordneten umdrehenden DOVE1sehen Umkehrprisma, einem Drehspiegel und einem senkrecht zu dessen Drehachse angeordneten lichtempfindlichen Element, dem eine auf die Abmessung der jeweiligen
Markierungslinien abgestimmte Schlitzblende vorgeschaltet ist, sowie durch ein elektrisches Netzwerk zur Dekodierung der Identitätsinformation· In diesem Fall sieht eine Weiterbildung der Erfindung vor, daß der Strahler und das DOVE'sehe Umkehrprisma gemeinsam umdrehen und relativ zueinander derart angeordnet sind,
daß in jeder Winkelstellung des Prismas, bei der die Abbildung der Markierungslinien parallel zur öffnung der Schlitzblende auftritt, die Markierungslinien etwa rechtwinklig angestrahlt werden. Schließlich ist eine vorteilhafte Ausbildung der Erfindung
dadurch gekennzeichnet, daß die umdrehende Abbildung der Markierungsbereiche durch Drehung der Halbleiter-Scheibe selbst erzielt
wird.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 die Draufsicht auf einen Teilbereich einer Halbleiter-Scheibe;
codierte Identitätsinformation aufweisenden Trennbereiche
auf der Halbleiter-Scheibe mit der entsprechenden Code*
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Zuordnung;
Fig. 3 ein Blockschaltbild der elektrischen Schaltungsanordnung zur Dekodierung der Identitatsinformation;
Fig. 4 das Blockschaltbild einer elektrischen Anordnung, mit deren Hilfe die Identitätsinformation nach Fig. 2 unabhängig
von der Bewegungsrichtung der Halbleiter-Scheibe abgefühlt werden kann;
Fig. 5 eine schematische Darstellung der optischen Abfühleinrichtung
mit umdrehender Abbildung der Halbleiter-Scheibe;
Fig. 6 eine schematische Darstellung der optischen Abfühleinrichtung,
bei der die Halbleiter-Scheibe selbst umdreht und
Fig. 7 eine weitere stark vergrößerte Ansicht des die Identitätsinformation
enthaltenden Trennbereiches auf der Halbleiter-Scheibe mit den zugehörigen elektrischen
Signalen.
In Fig. 1 ist ein Ausschnitt aus einer Halbleiter-Scheibe dargestellt,
auf der sich eine große Anzahl von separaten, je eine integrierte Schaltung aufnehmenden Teilbereichen 1 befindet.
äiei©E Teilbereichen 1 befinden sich Treimbereiche 2«
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Nachdem alle Prozeßschritte zur Herstellung der integrierten Schaltungsmuster auf der Halbleiter-Scheibe durchlaufen sind,
wird die Halbleiter-Scheibe entlang der Trennbereiche in bekannter Weise zerschnitten. Diese Trennbereiche 2 fallen demnach weg,
sobald die einzelnen integrierten Schaltungen fertiggestellt und einzeln weiterbehandelt werden. Erfindungsgemäß werden diese
Trennbereiche zur Aufnahme der die jeweilige Halbleiter-Scheibe kennzeichnenden codierten und maschinell abfühlbaren Identitätsinformation während der einzelnen Prozeßschritte der Halbleiter-Scheibe
ausgenutzt.
In Fig. 2 ist eine Möglichkeit zur Ausbildung dieser codierten Identitätsinformation in den Trennbereichen der Halbleiter-Scheibe
geezeigt. Nach bekannten Verfahren werden die Markierungslinien 3 in vier verschiedenen gegenseitigen Abstände!? in den Trennbereichen
durch Ätzung hergestellt. In diesem speziellen Ausführungsbeispiel sind vier verschiedene Linienabstände als Markierungsmuster
benutzt, es kann jedoch je nach den Erfordernissen eine kleinere oder auch größere Anzahl benutzt werden. Werden
diese vier abstandscodierten Markierungsmuster in der noch zu beschreibenden Abfüh!einrichtung abgefühlt, lassen sich daraus
Signale mit den vier Frequenzen f1-f4 ableiten.
Das in Fig. 2 dargestellte vier Frequenzen aufweisende Markierungsmuster
weist den Vorteil der richtungsunabhängigen Abfühlbarkeit
auf. Bei einer AbfühIrichtung von links nach rechts
wird als e^ste Frequenz f4 erscheinen, während bei einer Abfüh-
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lung in der Richtung von rechts nach links als erste Frequenz
f3 erhalten wird. Das Auftreten der Frequenz f4 zu Anfang des Abfühlvorganges bedeutet beispielsweise, daß die Abfühlung in
der korrekten und nicht umgekehrten Richtung stattfindet. In entsprechender Weise gibt das Auftreten der Frequenz f3 einen
Hinweis auf den Beginn und das Ende des eigentlichen numerischen Codemusters.
Tritt demnach zu Beginn der Abfühlung die Frequenz f3 auf, wird dadurch in der nachgeschalteten logischen Schaltung eine richtungsumgekehrte
Ausgabe der abgefühlten Information veranlaßt. Zwischen den f3-Signalen treten die Frequenzen fV und f2 auf, die
den binären Bedeutungen "0" und "1" entsprechen. Selbstverständlich
können im Bedarfsfall auch mehr als diese zwei Frequenzen zur Informationscodierung verwendet werden. In dem in Fig. 2
dargestellten Trennbereich ist also die Binärinformation 10011 enthalten und einmal wiederholt. Durch diese Wiederholung wird
eine Fehlerprüfbarkeit erreicht, auf die im Einzelfall jedoch auch verzichtet werden kann. Eine weitere Möglichkeit für die
Anordnung der codierten Identitätsinformation besteht in deren richtungsumgekehrten Wiederholung, so daß in diesem Fall das
f4-Signal zur Anzeige der Bedeutungsrichtung entfallen kann.
In Fig» 3 ist das Blockschaltbild einer elektrischen Anordnung
zur Umwandlung der von der später beschriebenen Abtastschaltung
10 empfangenen Signale der Frequenzen f1-f4 in die entsprechenden Binärsignale p1-p4 dargestellt. Beispielsweise enthält der
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Kanal zur Umwandlung der Frequenz £1 in das Binärsignal p1 das auf die Frequenz £1 abgestimmte Bandpassfilter 11-1. In dem
nachfolgenden Detektor 12-1 wird die Einhüllende des Filterausgangssignals gebildet, so daß nach dem Durchgang des Detektorsignals
durch den nachgeschalteten Diskriminator 13-1 am Ausgang das Binärsignal p1 zur Verfügung steht, wenn das Eingangssignal
des Diskriminators oberhalb eines bestimmten Schwellwertes liegt. Die übrigen Kanäle für die Frequenzen f2-f4 sind
ähnlich aufgebaut, und die Binärausgänge p1-p4 aller Kanäle sind gemeinsam auf den Eingang des logischen Verknüpfungsnetzwerks
14 zur Erzeugung eines Ausgangssignals geführt.
In Fig. 4 ist das Blockschaltbild eines dazu verwendbaren logischen Verknüpfungsnetzwerkes 14 gezeigt. Das ODER-Glied 20
verursacht immer dann ein Ausgangssignal, wenn ein p1 oder p2
Signal auftritt. Der gesteuerte Taktgeber 21 wird durch ein erstes p3 Signal eingeschaltet und durch das nächste p3 Signal
wieder abgeschaltet. Zwischen diesen Zeitpunkten erzeugt der
gesteuerte Taktgeber 21 eine vorbestimmte Anzahl von Impulsen. Das UND-Glied 22 erzeugt immer dann einen Schiebeimpuls für das
Schieberegister 23, wenn entweder ein p1 oder p2 Signal zusammen mit einem Taktimpuls des gesteuerten Taktgebers 21 auftritt. Die
p2 Impulse werden in das Schieberegister 23 eingeschrieben, wenn sie während des Verschiebevorgangs auftreten.
Ober die gemeinsam getakteten UND-Glieder 24 werden die Daten
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aus dem Schieberegister 23 beispielsweise in aufsteigender numerischer
Wertigkeit und über die gemeinsam getakteten UND-Glieder 25 in der dazu umgekehrten Wertigkeitsrichtung entnommen. Diese
UND-Glieder 24 und 25 werden von den komplementären Ausgängen des Flip-Flops 28 gesteuert, so daß die Daten über die ODER-Glieder
29 in einer der beiden Wertigkeitsrichtungen in das Register 30 eingeschrieben werden. Die p4 Signale passieren das
NAND-Glied 33, wenn ihnen nicht ein p3 Signal unmittelbar vorausgeht, das nach einer entsprechenden Verzögerung in der
Verzögerungseinrichtung 31 das NAND-Glied 33 für die p4 Signale sperrt. Dieses NAND-Glied 33 verhindert die Funktion der Schaltung
für den Fall, daß ein p4 Signal am Ende eines Impulszuges unmittelbar nach einem p3 Impuls auftritt. Durch den p4 Impuls
wird das Flip-Flop 28 über das ODER-Glied 26 derart eingestellt, daß die UND-Glieder 24 durchgeschaltet und die UND-Glieder 25
gesperrt werden. Auf diese Weise wird die binärcodierte Identitätsinformation
in normaler Wertigkeitsrichtung in das Register 30 eingeschrieben. Tritt ein p4 Signal nicht auf, werden die
UND-Glieder 25 durchgeschaltet und entsprechend die UND-Glieder 24 zum Einschreiben der Identitatsinformation in der umgekehrten
W@rtigk@itsrichtung gesperrt.
Unter der Annehme, daß die Identitatsinformation aus fünf Bitstellen
besteht, wird bei einer Anzahl von fünf Impulsen der Zähler 27 einen Impuls abgeben. Ist das Flip-Flop 28 durch ein
p4 Signal in seinen einen Zustand geschaltet worden, wird das Il durchgeschaltet, so daß der von dem Zähler 27 abgo-
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gebene Impuls auf das Flip-Flop 28 gelangt, womit der Eingangszyklus beendet wird.
In Fig. 5 ist ein Ausführungsbeispiel der Abfühleinrichtung für die Halbleiter-Scheibe dargestellt. Da die geätzten Markierungslinien auf der Halbleiter-Scheibe nicht in jeder Lage in der für
die Abfühlung optimalen Orientierung ausgerichtet sein können, weist dieses bevorzugte Ausführungsbeispiel eine Einrichtung zur
Bilddrehung des Markierungsmusters auf. Diese Drehung des Markierungsbildes kann entweder optisch oder durch Drehung der
Halbleiter-Scheibe mechanisch vorgenommen werden.
In der Einrichtung nach Fig. 5 ist der Strahler 41 unter einem Winkel auf die Halbleiter-Scheibe 40 gerichtet» Die an der
Halbleiter-Scheibe reflektierten Strahlen tr^ffsa aa£ -in umlaufendes
Umkehrprisma nach DOVE. Die Drehbewegung dieses Umkehrprismas kann mit bekannten Einrichtungen erzielt werden. Im
weiteren Strahlengang befinden sich eine Linse 43 sowie ein Drehspiegel 44. In der' Zeichnung ist zwar ein Flachspiegel dargestellt,
es kann jedoch ohne weiteres auch ein Spiegel mit mehreren Außenflächen, beispielsweise an den Kanten eines Achtecks Verwendung
finden. Die von dem Drehspiegel 44 reflektierten Strahlen gelangen zu« Teil durch eine Schlitzblende 46 in einen Tubus 45,
an dessen Ende sie auf ein lichtempfindliches Element 47 treffen.
Nur wenn die Abbildung der Markierungslinien auf der Halbleiter-Scheibe
über die soeben beschriebene Einrichtung parallel zur Docket FI 967 119 009836/1756
öffnung der Schlitzblende 46 auftritt, wird das lichtempfindliche
Element 47 zur Abgabe von durch den Abstand der Markierungslinien bestimmten Signalen der entsprechenden Frequenz erregt. Bei jeder
anderen Orientierung werden lediglich Teilbereiche mehrerer Markierungslinien gleichzeitig durch die Schlitzblende 46 gelangen,
wodurch der frequenzbestimmende Effekt abgeschwächt oder zunichte gemacht wird.
Dieser vollständige Frequenzeffekt stellt sich demnach lediglich für zwei Stellung des Umkehrprismas 42 ein, und zwar sind diese
beiden Stellungen gerade um 180° gegen einander gedreht und entsprechen der richtigen und der umgekehrten Bedeutungsrichtung.
Die Strahlrichtung der von dem Strahler 41 auf die Markierungslinien gerichteten Strahlen sollte zur maximalen Beleuchtung der
Markierungslinien senkrecht zu diesen verlaufen. Demzufolge ist der Strahler 41 so angeordnet, daß er mit dem Umkehrprisma 42
umdreht. Die relative Anordnung des Prismas 42 und des Strahlers 41 zueinander ist so vorgenommen, daß jede geätzte Markierungslinie
auf der Halbleiter-Scheibe, deren Abbild parallel zur Schlitzblende orientiert ist, unter einem Winkel von 90° angestrahlt
wird.
Statt eines umlaufenden Prismas können auch spannungsgesteuerte
elektrooptische Kristalle zur Bilddrehung benutzt werden. Bei all diesen nichtmechanischen Bilddreheinrichtungen können
weiterhin mehrere separat gesteuerte bzw. bezüglich des Gesamtstrahlungsvektors gesteuerte Strahler Verwendung finden.
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In Fig. 6 ist ein weiteres Aus-Führungsbeispiel einer optischen
Abfühleinrichtung dargestellt, bei der die Bilddrehung durch Drehung der Halbleiter-Scheibe bewirkt wird. Der Strahler 41 ist
auf die Halbleiter-Scheibe 40 gerichtet. Diese Halbleiter-Scheibe ist auf einer durch einen Motor 52 in Drehbewegung versetzten
Unterlage aufgelegt. Das von der Halbleiter-Scheibe reflektierte Licht fällt durch die Linsen 50 und 51 auf den Drehspiegel 44
und von dort zum Teil durch die Schlitzblende 46 in einen Tubus 45, an dessen Ende sich ein 1ichtempflindliches Element 47 befindet.
Die Bezeichnung der Teile dieser Einrichtung entspricht der Bezeichnung in Fig. 5. Für die mechanische Drehung der
Halbleiter-Scheibe können zahlreiche andere sich anbietende Verfahren Anwendung finden, beispielsweise kann die Halbleiter-Scheibe
auf einem Luftpolster bewegt werden.
Fig. 7 zeigt schließlich ein weiteres in den Trennbereichen der Halbleiter-Scheibe ausgebildetes Markierungsmuster. Gegenüber dem
in Fig. 2 dargestellten Markierungsmuster weist dieses zwei wesentliche Abänderungen auf. Zum Ersten ist die Identitätsinformation
nicht abstands- bzw. frequenzcodiert sondern besteht in der Anwesenheit bzw. im Fehlen geätzter Linien in bestimmten
Teilbereichen der Trennbereiche. Auf diese Weise kann das Markierungsmuster nach Fig. 7 auf einer kleineren Fläche dieselbe
Informationsmenge tragen.
Zum Zweiten sind die geätzten Markierungslinien unter einem 'von
90° unterschiedlichen Winkel zu den Trennbereichsgrenzen ausge-
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bildet. Eine solche Ausbildung verringert wesentlich etwaige Interferenzen der reflekierten Strahlen mit den innerhalb der
für die integrierten Schaltungen vorgesehenen Bereiche 1 auftretenden Ätzlinien· Das hat seinen Grund darin, daß der größte
Teil der in der eigentlichen integrierten Schaltung auftretenden Ätzlinien entweder parallel oder senkrecht zu den
Bereichsgrenzen verläuft. Werden daher die in den Trennbereichen
ο untergebrachten Markierungslinien unter einem Winkel von 90 bestrahlt, erhält man eine maximale Reflexion, während man von
den übrigen Linien im Bereich der eigentlichen integrierten Schaltung nur eine wesentlich reduziertere Reflexion bekommt.
Fig. 7b zeigt in idealisierter Form die Impulsantwort des lichtempfindlichen Elements 47 bezüglich der Markierungen 60.
In Wirklichkeit wird die Impulsanwort eine weniger ideale Form
haben, beispielsweise wie in Fig. 7c dargestellt mit überlagerten und separat auftretenden Störimpulsen. Eine Unvollkommenheit
61 der die Halbleiter-Scheibe bedeckenden Oxydschicht kann beispielsweise in einem Störimpuls 63 im Ausgangsimpuls
resultieren. Durch einen Vergleich der tatsächlichen Ausgangssignale des lichtempfindlichen Elements mit dem Taktsignal
(Fig. 7d) können jedoch nach bekannten Störunterdrückungsverfahren
die richtigen Binärinformationen (Fig. 7e) bestimmt werden.
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Claims (9)
1. Einrichtung zur maschinellen Identifizierung von Halbleiter-Scheiben,
die auf einer Seite optisch abfühlbare, vorzugsweise geätzte, Markierungen aufweisen, dadurch gekennzeichnet,
daß die Markierungen in codierter Form in den Trennbereichen (2) zwischen den für die Aufnahme der eigentlichen
Schaltkreise vorgesehenen Teilbereichen (1) gebildet sind und sich aus einzelne Markierungslinien (3) enthaltenden
Bereichen (60) zusammensetzen.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Codeelemente durch Bereiche mit in unterschiedlichem
Abstand angeordneten Markierungslinien (3) dargestellt sind.
3· Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Codeelemente durch Bereiche mit und ohne derartige
Markierungslinien (60, Fig. 7a) dargestellt sind.
4· Einrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 3, gekennzeichnet
durch vor bzw. nach der zellenförmig ausgebildeten Identitätsaarkierung
(f1, f2) angeordnete Markierungen (f3, f4)
zur richtungsinvarianten Abfühlung der Identitätsinformation.
5. Einrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,,
laß zur Erzielung einer Fehlerprüfbarkeit
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die Identitätsmarkierung wiederholt ist.
6. Einrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Identitätsmarkierung zur richtungsinvarianten
Abfühlung in der umgekehrten Bedeutungsreihenfolge wiederholt ist.
7. Einrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 6, gekennzeichnet durch eine Abfüh!einrichtung (Fig. 5) bestehend aus einem
auf die Halbleiter-Scheibe (40) gerichteten Strahler (41), einem im Reflexionsstrahlengang angeordneten umdrehenden
DOVE'schen Umkehrprisma (42), einem Drehspiegel (44) und einem senkrecht zu dessen Drehachse angeordneten lichtempfindlichen
Element (47), dem eine auf die Abmessungen der Markierungslinien abgestimmte Schlitzblende (46) vorgeschaltet
ist, sowie durch ein elektrisches Netzwerk (Fign. 3, 4) zur Dekodierung der Identitätsinformation.
8. Einrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Strahler (41) und das DOVE'sehe Umkehrprisma (41) gemeinsam
umdrehen und relativ zueinander derart angeordnet sind, daß in jeder Winkelstellung des Prismas, bei der die
Abbildung der Markierungslinien parallel zur öffnung der Schlitzblende (46) auftritt, die Markierungslinien etwa
rechtwinklig angestrahlt werden.
9. Einrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekenn-Docket
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zeichnet, daß die umdrehende Abbildung der Markierungsbereiche
durch Drehung der Halbleiter-Scheibe erzielt wird (Fig. 6).
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Leerseite
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DE1943785A Expired DE1943785C3 (de) | 1968-08-30 | 1969-08-28 | Halbleiterscheibe mit Markierungen zur maschinellen Identifizierung und Einrichtung zur maschinellen Identifizierung solcher Halbleiterscheiben |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3562536A (de) |
| DE (1) | DE1943785C3 (de) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4047025A (en) * | 1972-01-24 | 1977-09-06 | Lemelson Jerome H | Position indicating system and methods |
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| US4585931A (en) * | 1983-11-21 | 1986-04-29 | At&T Technologies, Inc. | Method for automatically identifying semiconductor wafers |
| JPH0722179B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1995-03-08 | 日本電気株式会社 | 半導体ウエ−ハの位置合せマ−クの形成方法 |
| US4794238A (en) * | 1987-10-09 | 1988-12-27 | Ultracision, Inc. | Method and apparatus for reading and marking a small bar code on a surface of an item |
| CA2011296A1 (en) | 1989-05-15 | 1990-11-15 | Douglas C. Bossen | Presence/absence bar code |
| DE4038723A1 (de) * | 1990-12-05 | 1992-06-11 | Bosch Gmbh Robert | Auf einer platte gemeinsam hergestellte und danach vereinzelte, gleichartige halbleiter-chips mit indizierung |
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Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3109933A (en) * | 1958-05-27 | 1963-11-05 | Hydel Inc | Photoelectric high scanning-rate digital storage and read-out device |
| US2927216A (en) * | 1957-12-19 | 1960-03-01 | Burroughs Corp | Photometric character recognition device |
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| US3401589A (en) * | 1964-12-23 | 1968-09-17 | Ibm | Method of controlling a testing apparatus through the use of a photograph of the object being tested |
| US3446978A (en) * | 1966-07-27 | 1969-05-27 | Wilkata Codes Inc | Detection of anomalous conditions in the handling of sheet material comprising sequentially printing and counting a predetermined number of lines on each sheet |
-
1968
- 1968-08-30 US US756540A patent/US3562536A/en not_active Expired - Lifetime
-
1969
- 1969-08-28 DE DE1943785A patent/DE1943785C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1943785B2 (de) | 1980-06-04 |
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| US3562536A (en) | 1971-02-09 |
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|---|---|---|---|
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