DE3177289T2 - Mos-transistorschaltung mit durchschlagschutz. - Google Patents

Mos-transistorschaltung mit durchschlagschutz.

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DE3177289T2 DE8585102555T DE3177289T DE3177289T2 DE 3177289 T2 DE3177289 T2 DE 3177289T2 DE 8585102555 T DE8585102555 T DE 8585102555T DE 3177289 T DE3177289 T DE 3177289T DE 3177289 T2 DE3177289 T2 DE 3177289T2
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Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine MOS-Transitor-Schutzschaltung und spezieller auf eine integrierte MOS-Transistorschaltung, welche eine Schaltung einschließt, um einer Schädigung des Gate-Oxids eines MOS-Transistors vorzubeugen, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist.
  • Es ist bis jetzt bekannt, daß ein verhältnismäßig hohes Potential, das an das Gate eines MOS-Transistors angelegt wird, einen Durchschlag des Gate-Oxid verursacht. Dies führt zu einem permanenten elektrischen Kurzschluß zwischen dem Gate und dem Substrat, auf welchem der MOS-Transistor ausgebildet ist, wodurch der MOS-Transistor zerstört wird.
  • Das Gate-Oxid schlägt dann durch, wenn die Feldstärke über das Gate, welches normalerweise Siliziumoxid ist, mehr als ungefähr 10&sup7; V/cm beträgt. Folglich tritt dann, wenn zum Beispiel 80-100 V an ein 80-100 nm dickes Gate-Oxid angelegt werden, ein Durchschlagen auf. (Im Nachstehenden wird die Spannung, bei welcher ein Durchschlagen auftritt, als dielektrische Durchschlagspannung bezeichnet).
  • Deshalb wird gewöhnlich eine schützende Eingangsschaltung, welche für eine spannungsbegrenzende Funktion sorgt, an jedem Signaleingangsanschluß eines integrierten MOS-Transistor-Schaltungschips (MOS-IC-Chip) angebracht, die mit einem MOS-Transistor-Gate verbunden ist.
  • Es sind bis jetzt verschiedene Arten schützender Eingangsschaltungen zur Anwendung gekommen, wie zum Beispiel auf den Seiten 96 - 101 in MOS/LSI Design and Application (Dr. William N. Cart und Dr. Jack P. Mize; herausgegeben von Robert E. Sawyer und John R. Miller: McGraw-Hill Book Company) und in dem US-Patent Nr. Re. 27,972 für Daniel R. Borror u.a. gezeigt.
  • Diese schützenden Eingangsschaltungen nutzen entweder die Durchschlagspannung einer Zenerdiode oder die hohe Schwellenspannung eines Dickoxid-Transistors, um für einen Schutz zu sorgen. Die Schutzspannung (d.h. die Durchschlagspannung der Zenerdiode oder die hohe Schwellenspannung des Dickoxid-MOS-Transistors) wird auf einen Wert gesetzt, der niedriger als die dielektrische Durchschlagspannung ist, bei welcher das Gate-Oxid durchschlägt.
  • Trotz dieser schützenden Eingangsschaltungen treten Durchschläge während der Handhabung (Versand, Prüfung, Zusammenbau der Schaltungskarte usw.) auf, insbesondere bei hochintegrierten (LSI-) Schaltungen als Folge von Stromstößen.
  • Dieses Problem ist infolge der Tatsache bedeutsamer geworden, daß die Gate-Oxid-Schichten in dem Maße immer dünner geworden sind (z.B. 30 - 50 nm), in dem die Dichte der Elemente in integrierte Schaltungen größer geworden ist.
  • So ist die dielektrische Durchschlagspannung immer geringer geworden, weil das Gate-Oxid immer dünner geworden ist; und im Ergebnis dessen ist die dielektrische Durchschlagspannung ungefähr gleich der oder gelegentlich noch niedriger als die Schutzspannung geworden.
  • Weiterhin tritt selbst dann, wenn die dielektrische Durchschlagspannung höher als die Schutzspannung ist, ein Durchschlagen des Gate-Oxids häufig auf, weil die schützende Zenerdiode oder der schützende Dickoxid-MOS-Transistor nicht sofort reagiert, wenn übermäßig hohe Stromstöße an den Signaleingangsanschlüssen auftreten. Deshalb findet ein Durschlagen des Gate-Oxids statt, bevor die schützende Zenerdiode oder der schützende Dickoxid- MOS-Transistor leitend wird. Die langsame Reaktion der schützenden Zenerdiode oder des schützenden Dickoxid-MOS-Transistors führt gelegentlich auch zu einem Durchschlagen der Zenerdiode oder des Dickoxid-MOS-Transistors selbst.
  • Das Durchschlagproblem tritt nicht nur bei Eingangs-MOS-Transistoren auf, sondern auch bei Ausgangs-MOS-Transistoren. Weiterhin tritt das Durchschlagproblem beim Handhaben viel öfter auf, wenn die Leistungszufuhr abgeschaltet ist, als wenn die Leistungszufuhr eingeschaltet ist.
  • Tatsächlich tritt das Durchschlagproblem dann selten auf, wenn die Leistungszufuhr eingeschaltet ist. Deshalb besteht eine Notwendigkeit für eine Schutzschaltung für eine MOS-Transistorschaltung, welche einen MOS-Transistor vor einem Durchschlagen schützen kann, der durch übermäßig hohe Stromstöße verursacht wird, insbesondere während der Handhabung, wenn die Leistungszufuhr abgeschaltet ist.
  • Eine alternative Herangehensweise an dieses Problem wird als Beispiel durch die japanische Patentanmeldung Nr. 55-70071 dargestellt, welche eine Schutzschaltung für eine Schaltung offenbart, die mindestens einen MOS-Transistor (4) der Art beinhaltet, welcher einen Bereich hat, der gegenüber einer Schädigung empfindlich ist, die durch ein zufälliges Aufbringen von Streuspannungen an einen Anschluß (1) des MOS-Transistors (4) verursacht wird, wenn der MOS-Transistor (4) nicht in Funktion ist, wobei die Schutzschaltung eine Einrichtung (10) einschließt, die mit dem Anschluß (1) verbunden ist und einen ersten Status hat, wenn die Energiezufuhr eingeschaltet ist (d. h. wenn der MOS- Transistor verwendet wird), in welchem Energie über die Einrichtung nicht absorbiert wird, und einen zweiten Status, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist (d.h. wenn der MOS- Transistor nicht benutzt wird), in welchem Energie der Streuspannungen über die Einrichtung (10) absorbiert wird.
  • Diese Erfindung zielt darauf ab, für eine verbesserte MOS-Transistor-Schutzschaltung zu sorgen, welche für eine Integration geeignet ist und bei welcher das Gate-Oxid eines Eingangs- oder Ausgangs-MOS-Transistors vor einem Durchschlagen geschützt werden kann, das durch übermäßig hohe Stromstöße verursacht wird, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist.
  • Die Erfindung sieht eine MOS-Transistor-Schutzschaltung mit einem ersten MOS-Transistor (TrI) mit einer Mehrzahl von Anschlüssen; und einem Bereich vor, der bei abgestellter Leistungszufuhr durch unbeabsichtigt auftretende Störspannungen an einem Anschluß des MOS-Transistors beschädigt werden kann; Schutzvorrichutngen mit einem zweiten MOS-Transistor (Trp) vom Verarmungstyp mit einem Source-Drain-Weg, welcher zwischen dem Anschluß und einer Bezugsspannung und einem Substrat verbunden ist, wobei der zweite MOS-Transistor eine Schwellenspannung hat, deren Polarität wechselt, wenn eine am zweiten Transistorsubstrat angelegte Spannung variiert wird; und einer Schaltung (20), welche eine Substratvorspannung erzeugt, die bei angeschalteter Leistungszufuhr auf das Substrat angewandt wird, wobei die Substratvorspannung einen Wert hat, der bewirken kann, daß die Schwellenspannung ihre Polarität ändert, so daß der zweite Transistor bei abgeschalteter Leistungszufuhr leitend und bei angeschalteter Leistungszufuhr nichtleitend ist.
  • Diese Erfindung erstreckt sich auch auf eine integrierte MOS- Transistorschaltung, die eine solche Schutzschaltung einschließt. Vorzugsweise ist die Einrichtung ein MOS-Transistor vom Verarmungstyp, der als Schalter arbeitet, um den Anschluß selektiv mit der Masse zu verbinden. Die Schutzschaltung kann am Eingang zu oder am Ausgang aus der MOS-Transistorschaltung verwendet werden.
  • Es werden jetzt einige Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Verweis auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, bei welchen:
  • Figur 1 ein Schaltschema einer MOS-Transistor-Eingangsschaltung mit einer Schutzschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung ist, die aus einem MOS-Transistor vom Verarmungstyp besteht;
  • Figur 2 ein Schaltschema einer Schaltung für die Erzeugung eines Steuerspannungspegels ist, die einen Steuerspannungspegel erzeugt, der in der in Figur 1 veranschaulichten Schaltung verwendet wird;
  • Figur 2A eine Eingangs-MOS-Transistorschaltung mit einer Schutzschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, die einen MOS-Transistor vom Verarmungstyp einschließt, der auf alternative Weise geschaltet ist;
  • Figur 3 ein Schaltschema ähnlich demjenigen ist, das in Figur 1 veranschaulicht ist, wobei ein Schutzwiderstand mit eingeschlossen ist;
  • Figur 4 ein Schaltschema einer Schaltung ähnlich der von Figur 3 unter Einschluß eines Kondensators ist;
  • Figur 5A ein Schaltschema ähnlich dem von Figur 4 unter Hinzufügen eines Transistors parallel zu dem Kondensator ist;
  • Figur 5B eine Schaltung ähnlich der von Figur 5A mit einer Vielzahl in Reihe geschalteter Transistoren ist, die einen einzelnen Transistor ersetzen; und
  • Figur 6 die Schutzschaltung von Figur 3 veranschaulicht, die mit einer Ausgangs-MOS-Transistorschaltung verbunden ist.
  • Figur 1 veranschaulicht einen MOS-Transistor und eine Schutzschaltung gemäß einer typischen Ausführungsform dieser Erfindung, wobei das Ganze als MOS-Transistor-IC-Chip ausgebildet ist. Der MOS-Transistor mit Schutzschaltung schließt eine Eingangs-MOS-Transistorschaltung 1 und ein Schutzmittel, wie beispielsweise eine Schaltung 10 ein.
  • Die Eingangs-MOS-Transistorschaltung 1 kann zum Beispiel eine Inverterschaltung sein, welche einen N-Kanal-MOS-Transistor vom Verarmungstyp (TrL) als Belastung und einen N-Kanal-MOS-Transistor vom Anreicherungstyp (TrI) als Treiber einschließt. MOS- Transistor TrL hat einen Drain, der mit einem positiven Spannungspegel VDD (z.B. 5V) verbunden ist, eine Source und ein Gate, das mit der Source verbunden ist. Die Schwellenspannung von MOS-Transistor TrL beträgt zum Beispiel -2V. MOS-Transistor TrI ist ein Ausgangs-MOS-Transistor, der einen Drain hat, der mit der Source von Transistor TrL verbunden ist, eine Source, die mit einem Bezugsspannungspegel VSS (z.B. Masse) verbunden ist und ein Gate, das mit dem Signaleingangspegel 100 und mit einem Bezugsspannungspegel VSS (z.B. Masse) über die Schutzschaltung 10 verbunden ist. Die Schwellenspannung von MOS-Transistor TrI beträgt 0,8 V. Ein Eingangssignal Vin wird an das Gate von Eingangs-MOS-Transistor TrI angelegt, und ein Signal, das mit Vin in Beziehung steht, erscheint am Drain des Eingangs-MOS-Transistors TrI und wird an einen anderen (nicht gezeigten) Transistor angelegt.
  • Die Schutzschaltung 10 schließt einen N-Kanal-MOS-Transistor vom Verarmungstyp TrP ein. Transistor TrP hat einen Drain, der an einem ersten Anschluß 11 mit dem Gate von Eingangs-MOS-Transistor TrI verbunden ist, eine Source, die an einem zweiten Anschluß 12 mit dem Bezugsspannungspegel VSS verbunden ist, und ein Gate, das an einen dritten Anschluß 13 angeschlossen ist, um den Steuersignalpegel VC zu empfangen. Die Schwellenspannung Vthp von Transistor TrP beträgt zum Beispiel -2 V.
  • Wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist (d.h. wenn keine Energie der integrierten Schaltung zugeführt wird, in welcher die MOS- Transistorschaltung ausgebildet ist), beispielsweise beim Versand, dann wird das Steuersignal VC nicht an das Gate von MOS- Transistor TrP geliefert. Deshalb wird die Spannung am Gate von Transistor TrP im wesentlichen auf dem Wert Null gehalten. Dementsprechend ist Transistor TrP leitfähig, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist, weil Transistor TrP vom Verarmungstyp ist. Im Ergebnis dessen werden übermäßig hohe Stromstöße, die am Signaleingangsanschluß 100 auftreten, schnell über Transistor TrP abgeleitet, und das Gate-Oxid von Eingangs-MOS-Transistor TrI wird vor einem Durchschlagen geschützt.
  • Wenn die Energiezufuhr eingeschaltet ist (d.h. wenn Energie an die integrierte Schaltung geliefert wird, in welcher die MOS- Transistorschaltung ausgebildet ist), dann ist die Schaltung in ihrer gewöhnlichen Funktion, und das Steuersignal VC wird an das Gate des schützenden MOS-Transistors TrP geliefert.
  • Der Wert von Steuersignal VC wird so gewählt, daß Transistor TrP nicht-leitend gemacht wird. Bei dieser Ausführungsform ist beispielsweise -3 V und hat die folgende Beziehung (für Nicht- Leitung): VC - VSS < Vthp .
  • Da nun Vthp -2 V ist, wird der MOS-Transistor vom Verarmungstyp TrP nichtleitend gehalten, wenn die Energiezufuhr eingeschaltet ist und beeinflußt dementsprechend nicht den Eingangs-MOS- Transistor TrI.
  • Es sollte beachtet werden, dar übermäßig hohe Stromstöße, welche ein Durchschlagen des Gate-Oxids des Eingangs-MOS-Transistors TrI verursachen könnten, im allgemeinen dann auftreten, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist und nur selten, wenn überhaupt, wenn die Energiezufuhr eingeschaltet ist. Demgemäß kann ein Durchschlagen des Gate-Oxids eines Eingangs-MOS-Transistors TrP im wesentlichen vermieden werden, wenn das Gate-Oxid ausreichend dann geschützt ist, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist. Bei der Ausführungsform von Figur 1 ist das Gate-Oxid von Eingangs- MOS-Transistor TrI ausreichend geschützt, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist, weil die Schutzschaltung 10 das Gate von MOS- Transistor TrI mit einem Bezugsspannungspegel VSS (z.B. Masse oder 5 V) verbindet.
  • Weiterhin wird ein p-n-Übergang (d.h. eine Zenerdiode) in natürlicher Weise zwischen dem Drain des schützenden MOS-Transistors TrP und dem Substrat, auf welchem der MOS-Transistor ausgebildet ist, gebildet. Deshalb wird gegen ein Durchschlagen infolge übermäßig hoher Stromstöße durch Zusammenbrechen dieses p-n-Übergangs ebenfalls geschützt.
  • Folglich wird, wie es für jene offensichtlich ist, die mit dieser Technik vertraut sind, Transistor TrP benutzt, um Energie zu absorbieren.
  • Die Kapazität seines Substrats ist groß und in der Tat viel größer als die Kapazität der Quelle des Stromstoßes, typischerweise eines menschlichen Körpers (höchstwahrscheinlich wird der Stromstoß durch jemanden verursacht, der den Eingangsanschluß berührt). Deshalb ist die Spannung, die sich am Gate von Transistor TrI entwickelt, verhältnismäßig gering, wenn Transistor TrP leitet. Wenn der Transistor TrP nicht leitet, ist die Kapazität eines Substrats verhältnismäßig klein, und folglich absorbiert Transistor TrP keine nennenswerte Energie und beeinflußt folglich die Schaltung nicht.
  • Eine konventionelle schützende Eingangsschaltung, wie sie zum Beispiel auf den Seiten 96 - 101 von MOS/LSI Design and Application (Dr. William N. Carr und Dr. Jack P. Mize; herausgegeben von Robert E. Sawyer und John R. Miller; McGraw-Hill Bock Company) gezeigt wird, kann in Kombination mit der Schutzschaltung 10 verwendet werden.
  • Das Steuersignal VC kann als externe Spannung von außen dem Chip mit der integrierten MOS-Transistorschaltung geliefert werden, auf welchem die Eingangs-MOS-Transistorschaltung 1 und die Schutzschaltung 10 ausgebildet sind. VC kann jedoch auch innerhalb des Chips erzeugt werden. Ein Substratspannungspegel (d.h. eine Substratvorspannung) kann als VC benutzt werden, wenn eine eine Substratspannung erzeugende Schaltung in dem Chip enthalten ist. Die die Substratspannung erzeugende Schaltung selbst ist allgemein bekannt, und ein Beispiel wird im US-Patent 3,806,741 für Frederic J. Smith offenbart.
  • Figur 2 zeigt ein Beispiel für eine ein Steuersignal erzeugende Schaltung, die für ein Erzeugen von VC geeignet ist.
  • Die das Steuersignal erzeugende Schaltung 2 hat grundsätzlich denselben Aufbau wie die bekannte Schaltung zum Erzeugen der Substratspannung, welche auch durch das Bezugszeichen 20 in Figur3 gezeigt wird.
  • Das heißt, die das Steuersignal erzeugende Schaltung 2 umfaßt eine Oszillatorschaltung 21, einen Kondensator C&sub2; und einen N- Kanal-MOS-Transistor vom Anreicherungstyp Tr21, der als Gleichrichterkreis verwendet wird und einen weiteren N-Kanal-MOS- Transistor vom Anreicherungstyp Tr22, der als Gleichrichterkreis verwendet wird. Die Oszillatorschaltung 21 umfaßt zum Beispiel drei Inverter 211, 212 und 213, die in Reihe geschaltet sind, wobei der Ausgangsanschluß von Inverter 213 mit dem Eingangsanschluß von Inverter 211 verbunden ist.
  • Der Ausgangsanschluß von Inverter 213 ist auch mit einem Anschluß von Kondensator C&sub2; verbunden. Der andere Anschluß von Kondensator C&sub2; ist mit dem Drain und Gate von Transistor Tr21 verbunden, dessen Source mit einem Bezugsspannungspegel VSS (z.B. Masse) verbunden ist. Der Drain von Transistor Tr21 ist mit einem stromleitenden Anschluß (d.h. der Source oder dem Drain) von Transistor Tr22 verbunden. Das Gate von Transistor Tr22 ist mit dem anderen stromleitenden Anschluß (d. h. dem Drain oder der Source) von Transistor Tr22 verbunden. Ein Ausgangssignal (d.h. ein Konstantspannungs-Ausgangspegel) wird von dem anderen Anschluß von Transistor Tr22 abgegeben und wird als Steuersignal VC benutzt, welches zum Beispiel -3 V ist, wenn die Energiezufuhr eingeschaltet ist, und im wesentlichen 0 V, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist.
  • Die die Substratspannung erzeugende Schaltung 20 umfaßt die Oszillatorschaltung 21, die bei dieser Ausführungsform gleichzeitig von der Schaltung für das Erzeugen des Steuersignals 2 verwendet wird, einen Kondensator C&sub2;&sub0;, einen N-Kanal-MOS-Transistor vom Anreicherungstyp Tr201, der als Gleichrichterkreis verwendet wird, und einen weiteren N-Kanal-MOS-Transistor vom Anreicherungstyp Tr202, der als Gleichrichterkreis verwendet wird.
  • Der Ausgangsanschluß von Oszillatorschaltung 21 ist mit einem Anschluß von Kondensator C&sub2;&sub0; verbunden. Der andere Anschluß von Kondensator C&sub2;&sub0; ist mit dem Drain und Gate von Transistor Tr201 verbunden, dessen Source mit einem Bezugsspannungspegel VSS (z.B. Masse) verbunden ist. Der Drain von Transistor Tr201 ist mit einem stromleitenden Anschluß (d. h. der Source oder dem Drain) von Transistor Tr202 verbunden. Das Gate von Transistor Tr202 ist mit dem anderen stromführenden Anschluß (d. h. dem Drain oder der Source) von Transistor Tr202 verbunden. Ein Ausgangssignal (d. h. ein Konstantspannungs-Ausgangspegel) wird von dem anderen Anschluß von Transistor Tr202 abgegeben und wird als Substrat-Vorspannung Vsub verwendet, welche zum Beispiel -3 V ist, wenn die Energiezufuhr eingeschaltet ist.
  • Wie aus der vorstehenden Beschreibung offenbar wird, kann die Substrat-Vorspannung Vsub direkt als Steuersignal VC verwendet werden, insbesondere dann, wenn eine kleine Anzahl an Transistoren in einer integrierten MOS-Transistorschaltung gefordert wird. Es ist jedoch besser, ein Steuersignal VC zu verwenden, welches unabhängig von einer Substrat-Vorspannung Vsub erzeugt wird, wie in Figur 2 gezeigt, wenn es erforderlich ist, daß eine MOS-Transistorschaltung schnell in einem stabilen Zustand arbeitet, sobald elektrische Energie (eine Batterie) an die Schaltung angeschlossen wird. Dies deshalb, weil dann, wenn Energie zugeführt wird, die Substrat-Vorspannung Vsub nicht schnell genug einen gewünschten Spannungspegel (z. B. -3 V) erreicht, der den schützenden MOS-Transistor TrP nichtleitend macht, was die Folge einer parasitären Substratkapazität ist, der verhältnismäßig groß ist. Das heißt, der schützende MOS-Transistor TrP, welcher sich abschalten sollte, wenn Energie zugeführt wird, kann leitfähig bleiben, und es können Leckströme eine Zeitlang durch den Transistor TrP fließen, nachdem elektrische Energie zugeführt wird. Wenn das Steuersignal VC unabhängig von der Substrat-Vorspannung Vsub erzeugt wird, dann erreicht VC schnell einen gewünschten Spannungspegel (z.B. -3 V), weil das Steuersignal VC nicht durch die große Kapazität eines Substrats beeinflußt wird.
  • Bei MOS-Transistoren ist die Schwellenspannung Vth von der Substratspannung abhängig. Speziell erhöht sich Vth, wenn die Substratspannung stärker negativ wird. In vielen Fällen ist die Substratspannung Null, und in dieser Anmeldung sind typische Werte für Vth für die Substratspannung Null gegeben.
  • Typischerweise ist für MOS-Transistoren vom Verarmungstyp Vth negativ für alle Werte einer Substratspannung. Jedoch ändert sich für bestimmte Transistoren vom Verarmungstyp Vth von einem negativen Wert auf einen positiven Wert, wenn die Substratspannung stärker negativ wird.
  • Dies legt den Gedanken an eine Art und Weise der Nutzung der vorliegenden Erfindung nahe, welche die Schaltung zur Erzeugung des Steuersignals eliminiert, solange die Substrat-Vorspannungs-Erzeugungsschaltung 20 verwendet wird, und diese Ausführungsform ist in Figur 2A veranschaulicht. Bei dieser Ausführungsform sind das Gate und die Source von Transistor TrP miteinander verbunden. Transistor TrP muß ein Transistor vom Verarmungstyp wie vorstehend beschrieben sein, dessen Schwellenspannung Vth positiv wird, wenn die Substrat-Vorspannung ausreichend negativ ist.
  • Wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist, dann ist die Substrat- Vorspannung 0, deshalb ist Vthp negativ. Da nun VC = VSS = 0, ist die Bedingung für Nicht-Leitung, VC - VSS < Vthp, nicht erfüllt, weshalb der Transistor TrP leitet. Wenn Energie zugeführt wird, wird die Substratspannung erniedrigt, um zu bewirken, daß Vth positiv wird. Da nun VC = VSS = 0, die Bedingung für Nicht-Leitung, erfüllt ist, funktioniert Schutzschaltung 10 so, wie vorstehend unter Verweis auf die vorangegangene Ausführung beschrieben.
  • Die in Figur 3 veranschaulichte Ausführungsform ist wegen des Hinzufügens eines Schutzwiderstandes RP zwischen dem Eingangsanschluß 100 und sowohl dem Gate von Transistor TrI, als auch dem Drain von Transistor TrP von der vorangegangenen Ausführungsform verschieden. Infolge der Ahnlichkeit finden dieselben Bezugszeichen für entsprechende Elemente in Figur 1 und 3 Anwendung und wird deren Beschreibung weggelassen. Widerstand RP kann beispielsweise ein Diffusionswiderstand sein, welcher einen p-n-Übergang mit dem Substrat bildet. Der Widerstand RP hat vorzugsweise 1 kX - 2 kX und funktioniert, um übermäßig hohe Stromstöße zu dämpfen, welche am Anschluß 100 auftreten. Das heißt, der Spannungspegel am Anschluß 11 ist geringer als die Spannung am Eingangsanschluß 100, weil der Strom, welcher durch Widerstand RP und Transistor TrP fließt, einen Spannungsabfall über Widerstand RP verursacht. Deshalb wird das Gate-Oxid von Eingangstransistor TrI in hohem Maße geschützt, und die Schutzschaltung 10 selbst wird ebenfalls gegen ein Durchschlagen als Folge der Stöße geschützt.
  • Der Unterschied zwischen der Ausführungsform von Figur 3 und der Ausführungsform von Figur 4 ist, daß die Schutzschaltung 10 in Figur 4 eine Wechselschaltung 40 und einen Schalt-MOS-Transistor TrS einschließt. Die Ausführungsform von Figur 4 hat im wesentlichen dieselbe Anordnung und Funktion, wie jene von Figur 3 in anderer Hinsicht. Dieselben Teile der Ausführungsform von Figur 4, wie jene der Ausführungsform von Figur 3 werden durch dieselben Zahlen bezeichnet.
  • Die Schutzschaltung 10 bei dieser Ausführungsform hat einen ersten Anschluß 11, der mit einem Eingangsanschluß 100 über den Schutzwiderstand RP verbunden ist, einen zweiten Anschluß 12, der mit einem Bezugsspannungspegel (z. B. Masse) verbunden ist, einen dritten Anschluß 13, um das Steuersignal VC zu empfangen, und einen vierten Anschluß 14, der mit dem Eingangsanschluß 100 über den Schutzwiderstand RP verbunden ist.
  • Das Gate des schützenden MOS-Transistors TrP ist mit einem ersten Anschluß 41 der Wechselschaltung 40 verbunden. Die Wechselschaltung 40 hat auch einen zweiten Anschluß 42, welcher mit Anschluß 14 der Schutzschaltung 10 verbunden ist. Die Wechselschaltung unterstützt die Änderung der Leitfähigkeit des schützenden MOS-Transistors TrP in Übereinstimmung mit dem Betrag der übermäßig hohen Stromstöße, welche am Eingangsanschluß 100 auftreten. Wechselschaltung 40 beinhaltet einen Kondensator CP, von welchem ein Anschluß mit Anschluß 41 der Wechselschaltung 40 verbunden ist und ein anderer Anschluß mit Anschluß 42 der Wechselschaltung 40 verbunden ist.
  • Wenn übermäßig hohe Stromstöße am Eingangsanschluß 100 auftreten, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist, dann ändert sich das Spannungspotential an Anschluß 14 der Wechselschaltung 40 als Reaktion darauf. Dann ändert sich wegen Kondensator CP auch das Spannungspotential am Gate des schützenden MOS-Transistors TrP. Mit anderen Worten, die Spannung am Gate des schützenden MOS-Transistors TrP wird groß, wenn die durch die Stöße verursachte Spannung groß ist, und die Spannung am Gate wird klein, wenn die durch die Stöße verursachte Spannung klein ist. Dies bedeutet, daß die Leitfähigkeit des Source-Drain-Weges des schützenden MOS-Transistors TrP ansteigt, wenn die Stoßspannung zunimmt. Deshalb werden selbst dann, wenn größere Stöße auftreten, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist, die Stöße schneller und leichter über den Source-Drain-Stromweg entladen, der eine höhere Leitfähigkeit hat. Das heißt, das Gate von Eingangs-MOS-Transistor TrI wird viel effektiver gegen ein Durchschlagen geschützt.
  • Weiterhin kann die Größe schützender MOS-Transistoren wegen der größeren Leitfähigkeit geringer gemacht werden.
  • Es erübrigt sich zu sagen, daß der Wert von Kondensator CP, die Dicke des Gate-Oxids und die Schwellenspannung Vth von Transistor TrP und der Wert des Schutzwiderstandes RP eines Diffusionsbereichs entsprechend durch die Erwägung bestimmt werden, daß ein Durchschlagen von MOS-Transistor TrP nicht auftreten sollte.
  • Der Schalt-MOS-Transistor TrS ist zwischen das Gate des schützenden MOS-Transistors TrP und Anschluß 13 der Schutzschaltung 10 geschaltet, um zu gewährleisten, daß die Wechselschaltung 40 wirksam arbeitet und so, daß der Wert von Kondensator CP leicht gewählt werden kann. Der Schalt-MOS-Transistor TrS ist zum Beispiel ein N-Kanal-Transistor vom Anreicherungstyp. Die Schwellenspannung für den Transistor TrS beträgt beispielsweise 0,8 V. Wenn Energie zugeführt wird, dann empfängt das Gate des Schalt- MOS-Transistors TrS einen Spannungspegel (ein Signal) Va, welches zum Beispiel der Spannungspegel VDD (z.B. 5 V) ist. Dies bewirkt, daß Transistor TrS leitfähig ist, wenn Energie zugeführt wird, und nichtleitend, wenn keine Energie zugeführt wird. Deshalb wird der Gate-Spannungspegel des schützenden MOS-Transistors TrP nicht durch die parasitäre Kapazität, welche zum Beispiel in der das Steuersignal erzeugenden Schaltung 2 existiert, wie in Figur 2 gezeigt, nicht beeinflußt; und der Gate-Spannungspegel von Transistor TrP wird auf -3 V (= VC) gehalten, wenn Energie zugeführt wird.
  • Bei der Ausführungsform von Figur 4 wird aus der vorstehenden Beschreibung offensichtlich, dar das Gate-Oxid von Eingangs-MOS- Transistor TrI ausreichend geschützt wird, wenn keine Energie zugeführt wird, weil die Schutzschaltung 10 so funktioniert, daß das Gate des Eingangs-MOS-Transistors TrI mit einem Bezugsspannungspegel VSS (z. B. Masse) verbunden wird, wenn keine Energie zugeführt wird. Weiterhin wird als Reaktion auf Stromstöße die Leitfähigkeit des schützenden MOS-Transistors TrP groß, und das Gate von Eingangs-MOS-Transistor TrI wird infolge der Wechselschaltung 40 wirksam gegen ein Durchschlagen geschützt. Auch kann die Größe des schützenden MOS-Transistors wegen der erhöhten Leitfähigkeit des schützenden MOS-Transistors TrP als Reaktion auf Stromstöße gering gemacht werden.
  • Wie leicht aus den Figuren offensichtlich wird, besteht der Unterschied zwischen der Ausführungsform von Figur 4 und der Ausführungsform von Figur 5A im Hinzufügen des MOS-Transistors TrC zur Wechselschaltung 40. Ansonsten hat die Ausführungsform von Figur 5A im wesentlichen dieselbe Anordnung und Funktion wie jene von Figur 4, und deshalb sind dieselben Teile der Ausführungsform von Figur 5A und jene der Ausführungsform von Figur 4 mit denselben Bezugszeichen bezeichnet und ist eine Beschreibung derselben weggelassen.
  • MOS-Transistor TrC ist parallel zu Kondensator CP geschaltet (d. h. MOS-Transistor TrC ist auch zwischen das Gate des schützenden MOS-Transistors TrP und den Schutzwiderstand RP geschaltet). Der MOS-Transistor TrC ist beispielsweise ein N-Kanal-Transistor vom Anreicherungstyp. Die Source von Transistor TrC ist mit einem dritten Anschluß 43 der Wechselschaltung 40 verbunden, welcher mit dem Gate des schützenden MOS-Transistors TrP verbunden ist. Das Gate und der Drain des Transistors TrC sind miteinander und mit einem vierten Anschluß 44 der Wechselschaltung 40 verbunden, welcher mit einem fünften Anschluß 15 der Schutzschaltung 10 verbunden ist. Der fünfte Anschluß 15 ist mit dem Eingangsanschluß 100 über den Schutzwiderstand RP verbunden.
  • Wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist, ist der schützende MOSTransistor TrP leitfähig, weil Transistor TrP vom Verarmungstyp ist. Wenn übermäßig hohe Stromstöße am Eingangsanschluß 100 auftreten, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist, dann werden die Stöße schnell über den Source-Drain-Stromweg des schützenden MOS-Transistors TrP abgeleitet.
  • Zu diesem Zeitpunkt wird die Leitfähigkeit von Transistor TrP groß, weil Strom, der sowohl durch den Kondensator CP als auch durch den MOS-Transistor TrC fließt, den Gate-Spannungspegel von Transistor TrP erhöht, was die Leitfähigkeit vergrößert. Wenn ein Stromstoß über einen längeren Zeitraum andauert und die Wechselschaltung nur aus Kondensator CP besteht, dann verringert sich der Gate-Spannungspegel des schützenden MOS-Transistors TrP allmählich als Folge von Kriechstrom. Jedoch wird die Gate- Spannung des schützenden MOS-Transistors TrP bei der Ausführungsform von Figur 5A auf einem Spannungspegel von nicht weniger als
  • (V&sub1;&sub5;- Vthc )
  • gehalten, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist, weil bei dieser Ausführungsform der MOS-Transistor TrC verwendet wird. [V&sub1;&sub5; ist ein Spannungspegel kleiner als der Stoßpegel am fünften Anschluß 15 der Schutzschaltung 10. Vthc ist die Schwellenspannung von MOS-Transistor TrC].
  • Deshalb wird die Leitfähigkeit des schützenden MOS-Transistors TrP groß gehalten, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist, selbst dann, wenn Stöße über einen längeren Zeitraum fortdauern. Im Ergebnis dessen werden Stöße viel schneller und leicht über den Source-Drain-Stromweg abgeleitet, dessen Leitfähigkeit groß ist, selbst dann, wenn die Stöße über einen langen Zeitraum abgeschalteter Energiezufuhr fortdauern. Dementsprechend wird das Gate von Eingangs-MOS-Transistor TrI wirksamer gegen ein Durchschlagen geschützt.
  • Wenn die Energiezufuhr eingeschaltet ist, dann ist der schaltende MOS-Transistor TrS leitfähig und wird die Steuerspannung VC (=-3V) dem Gate des schützenden MOS-Transistors TrP zugeführt. Deshalb wird der schützende MOS-Transistor TrP nichtleitend gehalten.
  • Zu diesem Zeitpunkt sollte der MOS-Transistor TrC auch nichtleitend gehalten werden. Deshalb wird die Schwellenspannung Vthc von Transistor TrC so gewählt, dar sie die folgende Bedingung erfüllt:
  • Vinh-Vc < Vthc
  • [Vinh ist ein hohes Spannungssignal des Eingangssignals Vin, wenn die Energiezufuhr eingeschaltet ist, und ist generell (VDD + 1V).]
  • Wenn die Schwellenspannung Vthc die vorstehende Bedingung erfüllt, dann wird der MOS-Transistor TrC nicht leitfähig. Deshalb beeinflußt weder der Transistor TrC noch der Transistor TrP die Funktion von Eingangs-MOS-Transistor TrI, wenn die Energiezufuhr eingeschaltet ist.
  • Bei der Ausführungsform von Figur 5A wird aus der vorstehenden Beschreibung offensichtlich, daß das Gate-Oxid von Eingangs-MOS- Transistor TrI ausreichend geschützt ist, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist, weil die Schutzschaltung 10 so funktioniert, daß das Gate von Eingangs-MOS-Transistor TrI mit einem Bezugsspannungspegel VSS (z. B. Masse) verbunden wird, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist. Weiterhin wird als Ergebnis der Wechselschaltung 40 die Leitfähigkeit von Transistor TrP im Verlauf von Stößen groß, um das Gate von Transistor TrI vor einem Durchschlagen zu schützen. Auch wird die Leitfähigkeit von Transistor TrP selbst dann groß gehalten, wenn Stöße über einen langen Zeitraum fortdauern, weil die Wechselschaltung 40 den Transistor TrC einschließt. Zusätzlich kann die Größe von Transistor TrP gering gemacht werden, weil die Leitfähigkeit von Transistor TrP groß wird.
  • Obwohl die Wechselschaltung 40 sowohl den Kondensator CP als auch den Transistor TrC bei der Ausführungsform von Figur 5A umfaßt, kann die Wechselschaltung 40 nur den Transistor TrC umfassen, und wenn sie derart ausgeführt ist, ist der Transistor TrC in der Lage, die Leitfähigkeit von Transistor TrP effektiv groß zu machen. Jedoch ist eine Wechselschaltung 40, die sowohl den Kondensator CP als auch den Transistor TrC umfaßt, einer Wechselschaltung 40 vorzuziehen, die nur den Kondensator CP oder den Transistor TrC umfaßt.
  • Bei der Ausführungsform von Figur 5A ist nur ein MOS-Transistor TrC zwischen Anschluß 43 und Anschluß 44 von Wechselschaltung 40 geschaltet. Dies braucht nicht der Fall zu sein. Statt dessen kann eine Vielzahl von Transistoren anstelle des einzelnen MOS- Transistors verwendet werden. Figur 5B zeigt eine MOS-Transistorschaltung mit Schutzschaltung 10, die eine Vielzahl von MOS-Transistoren zwischen Anschluß 43 und Anschluß 44 der Wechselschaltung 40 einschließt.
  • So kann der einzelne MOS-Transistor TrC, der bei der Ausführungsform von Figur 5A verwendet wird, durch eine Vielzahl von MOS-Transistoren TrC&sub1;, TrC&sub2;,...., TrCn ersetzt werden, wie in Figur 5B gezeigt. Ansonsten ist die Schaltung in Figur 5B nach Konfiguration und Funktion im wesentlichen dieselbe, wie jene von Figur 5A, so daß dieselben Teile der Schaltungen in Figur 5B und Figur 5A dieselben Bezugszeichen haben und nicht noch einmal beschrieben werden.
  • Jeder der MOS-Transistoren TrC&sub1;, TrC&sub2;,...., TrCn ist zum Beispiel ein N-Kanal-Transistor vom Anreicherungstyp, der eine Source, einen Drain und ein Gate hat. Das Gate und der Drain jedes der Transistoren TrC&sub1;, TrC&sub2;,..., TrCn sind miteinander verbunden. Die Source-Drain-Stromwege der MOS-Transistoren TrC&sub1;, TrC&sub2;,...., TrCn sind in Reihe zwischen Anschluß 43 und Anschluß 44 von Wechselschaltung 40 geschaltet.
  • Wenn übermäßig große Stromstöße über einen langen Zeitraum andauern, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist, dann wird der Gate-Spannungspegel des schützenden MOS-Transistors TrP auf einem Spannungspegel gehalten, der nicht kleiner als
  • ist. [V&sub1;&sub5; ist ein Spannungspegel größer als der Stoßpegel an Anschluß 15 von Schutzschaltung 10. Vthck (k = 1, 2, ..., n) ist die Schwellenspannung von Transistor TrCk (k = 1, 2, ..., n)]. Deshalb wird die Leitfähigkeit von MOS-Transistor TrP groß gehalten, wenn die Energiezufuhr abgeschaltet ist, selbst dann, wenn die Stöße über einen langen Zeitraum fortdauern.
  • Weiterhin wird der Gate-Spannungspegel des schützenden MOS- Transistors TrP auf einen höheren Spannungspegel gebracht, was die Leitfähigkeit des schützenden MOS-Transistors TrP größer macht, ohne die Schwellenspannung Vthck (k = 1, 2, ..., n) der entsprechenden MOS-Transistoren TrC&sub1;, TrC&sub2;, ..., TrCn zu erhöhen, weil eine Vielzahl leicht zu bildender MOS-Transistoren in der Wechselschaltung 40 verwendet wird.
  • Die entsprechenden Schwellenspannungen Vthck (k = 1, 2, ...., n) müssen mit der folgenden Bedingung in Übereinstimmung stehen:
  • [Vinh ist ein hohes Spannungssignal des Eingangssignals Vin, wenn die Energiezufuhr eingeschaltet ist, und ist generell (VDD + 1 V).
  • Wenn die vorstehende Bedingung erfüllt ist, fließt kein Strom von dem Signaleingangsanschluß 100 zu einer Source (z. B. einer Schaltung zur Erzeugung eines Steuerspannungspegels) des Steuerspannungspegels VC, wenn die Energiezufuhr eingeschaltet ist. Dementsprechend arbeitet der Eingangs-MOS-Transistor TrI ohne Beeinflussung, wenn die Energiezufuhr eingeschaltet ist.
  • Wie vorstehend erwähnt, sorgt diese Erfindung für eine verbesserte MOS-Transistorschaltung mit schützenden Mitteln für das Gate-Oxid eines Eingangs-MOS-Transistors gegen einen Durchschlag als Folge übermäßig hoher Stromstöße. Diese Erfindung kann ebenso bei einer Ausgangs-MOS-Transistor- wie bei einer Eingangs- Transistorschaltung zur Anwendung kommen, wie in Figur 6 gezeigt wird. Eine Ausgangs-MOS-Transistorschaltung 6 erzeugt ein Ausgangssignal Vout nach außen von einer integrierten Schaltung über einen Signalausgangspfad 600. Die Ausgangs-MOS-Transistorschaltung 6 kann zum Beispiel eine Gegentaktschaltung sein. Die Ausgangs-MOS-Transistorschaltung 6 umfaßt zum Beispiel einen ersten Ausgangs-MOS-Transistor Tr0&sub1; und einen zweiten Ausgangs-MOS-Transistor Tr0&sub2;. Der erste Ausgangs-MOS-Transistor Tr0&sub1; ist zum Beispiel ein N-Kanal-Transistor vom Anreicherungstyp. Die Schwellenspannung von Transistor Tr0&sub1; beträgt beispielsweise 0,8 V. Transistor Tr0&sub1; hat einen Drain, der mit einem positiven Spannungspegel VDD (z.B. 5 V) verbunden ist, eine Source und das Gate, um ein Signal VSIG zu empfangen, das in einer (nicht gezeigten) internen Schaltung erzeugt wird.
  • Die Source von Transistor Tr0&sub1; ist mit dem Drain des zweiten Ausgangs-MOS-Transistors Tr0&sub2; verbunden. Die Source von Transistor Tr0&sub2; ist mit einem Bezugsspannungspegel VSS (z.B. Masse) verbunden. Das Gate von Transistor Tr0&sub2; empfängt ein Signal VSIG, welches eine invertierte Form von Signal ist. Das Ausgangssignal Vout wird von dem Drain des zweiten Ausgangs-MOSTransistors Tr0&sub2; abgegeben.
  • Der Drain von Transistor Tr0&sub2; ist mit einem Anschluß eines Schutzwiderstandes RP verbunden, dessen anderer Anschluß mit dem Signalausgangsanschluß 600 verbunden ist. Der Schutzwiderstand RP funktioniert, um übermäßig hohe Stromstöße herabzusetzen, welche am Signalausgangsanschluß 600 auftreten und ist beispielsweise aus einen Diffusionshalbleiterbereich gefertigt. Der Wert von Widerstand RP sollte nicht so groß sein, daß dadurch der normalerweise erforderliche Ausgangsstrom reduziert wird. Der Wert von Widerstand RP ist beispielsweise 10 X bis 20 X. Wenn ein größerer Ausgangsstrom benötigt wird, kann der Widerstand RP eliminiert werden.
  • Die Schutzschaltung 10 ist zwischen den Drain von Transistor Tr0&sub2; und die Bezugsspannung VSS (z. B. Masse) geschaltet. Die Schutzschaltung 10 schützt die Gate-Oxide der Transistoren Tr0&sub1; und Tr0&sub2; vor einem Durchschlagen infolge übermäßig hoher Stromstöße, welche am Signalausgangsanschluß 600 auftreten,
  • Die in Figur 6 benutzte Schutzschaltung 10 hat im wesentlichen dieselbe Anordnung und Funktion wie jene von Figur 1, deshalb sind Komponenten der Schutzschaltung 10 in Figur 6 dieselben Bezugszahlen zugeordnet, wie entsprechenden Komponenten der Schutzschaltung von Figur 1 und wird deren Beschreibung weggelassen.
  • Wenn eine Energiezufuhr eingeschaltet ist, ist ein erster Anschluß 11 der Schutzschaltung 10 effektiv mit einem zweiten Anschluß 12 der Schutzschaltung 10 verbunden (d. h. der Drain von Ausgangs-MOS-Transistor Tr0&sub2; ist mit dem Bezugsspannungspegel VSS verbunden). Deshalb werden, selbst wenn übermäßig hohe Stromstöße am Signalausgangsanschluß 600 auftreten, die Stöße schnell zum Bezugsspannungspegel VSS über die Schutzschaltung 10 (d.h. über den Source-Drain-Stromweg eines schützenden MOS-Transistors TrP) entladen, und das Gate-Oxid der Ausgangs-MOS-Transistoren Tr0&sub1; und Tr0&sub2; wird vor einem Durchschlagen geschützt.
  • Wenn Energie zugeführt wird, ist der Anschluß 11 der Schutzschaltung 10 von Anschluß 12 der Schutzschaltung 10 getrennt. Deshalb wird die Funktion der Ausgangs-MOS-Transistorschaltung 6 nicht durch die Schutzschaltung 10 beeinflußt.
  • Wie für jene offensichtlich ist, die übliche Kenntnisse in der zutreffenden Technik haben, kann die Schutzschaltung 10 eine Wechselschaltung 40 einschließen, wie sie in Figur 4, Figur 5A oder Figur 5B gezeigt wird, wenn sie in Verbindung mit einer Ausgangsschaltung, wie sie in Figur 6 gezeigt wird, verwendet wird.
  • Offensichtlich sind viele Modifikationen und Abänderungen bei dieser Erfindung im Licht der vorstehenden Erläuterungen möglich. Es ist deshalb selbstverständlich, daß innerhalb des Geltungsbereiches der beigefügten Ansprüche diese Erfindung auch in anderer Weise praktiziert werden kann, als speziell beschrieben.

Claims (6)

1. MOS-Transistor-Schutzschaltung mit einem ersten MOS-Transistor (TrI) mit einer Mehrzahl von Anschlüssen; und einem Bereich, der bei abgestellter Leistungszufuhr durch unbeabsichtigt auftretende Störspannungen an einem Anschluß des MOS-Transistors beschädigt werden kann; Schutzvorrichutngen mit einem zweiten MOS-Transistor (Trp) vom Verarmungstyp mit einem Source-Drain-Weg, welcher zwischen dem Anschluß und einer Bezugsspannung und einem Substrat verbunden ist, wobei der zweite MOS-Transistor eine Schwellenspannung hat, deren Polarität wechselt, wenn eine am zweiten Transistorsubstrat angelegte Spannung variiert wird; und einer Schaltung (20), welche eine Substratvorspannung erzeugt, die bei angeschalteter Leistungszufuhr auf das Substrat angewandt wird, wobei die Substratvorspannung einen Wert hat, der bewirken kann, daß die Schwellenspannung ihre Polarität ändert, so daß der zweite Transistor bei abgeschalteter Leistungszufuhr leitend und bei angeschalteter Leistungszufuhr nichtleitend ist.
2. MOS-Transistor-Schutzschaltung nach Anspruch 1, wobei das Gate des zweiten Transistors mit der Bezugspannung verbunden ist.
3. MOS-Transistor-Schutzschaltung nach Anspruch 1, weiterhin mit einer ein Steuersignal erzeugenden Schaltung (2), deren Ausgang an das Gate des zweiten MOS-Transistors angelegt ist.
4. MOS-Transistor-Schutzschaltung nach Anspruch 3, weiterhin mit einer Oszillator-Schaltung (21) zur Erzeugung eines Signals zum Betreiben der die Substratvorspannung erzeugenden Schaltung (20) und/oder der das Steuersignal erzeugenden Schaltung (2).
5. MOS-Transistor-Schutzschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite MOS-Transistor eine n-Kanal-Vorrichtung ist, deren Schwellenspannung sich bei zunehmend negativ werdender Substratspannung von negativ nach positiv verändert, und wobei die die Substratspannung erzeugende Schaltung eine Vorspannung erzeugen kann, die bei angeschalteter Leistungszufuhr negativ ist.
6. MOS-Transistor-Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der zweite MOS-Transistor eine p-Kanal-Vorrichtung ist, deren Schwellenspannung sich bei zunehmend positiv werdender Substratspannung von positiv nach negativ verändert, und wobei die die Substratspannung erzeugende Schaltung eine Vorspannung erzeugen kann, die bei angeschalteter Leistungszufuhr positiv ist.
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