DE3137105A1

DE3137105A1 - "metallplattiertes laminat und verfahren zu seiner herstellung

Info

Publication number: DE3137105A1
Application number: DE19813137105
Authority: DE
Inventors: Joseph David Cargioli; Eric Loudonville N.Y. Lifshin; Stephen Jan Schroder; Joe Schenectady N.Y. Wong
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1980-09-22
Filing date: 1981-09-18
Publication date: 1982-04-01
Also published as: GB2084925A; US4383003A; GB2152078B; IT8124066A0; FR2490553A1; DE3137105C2; FR2490553B1; GB2152078A; JPS5787359A; GB8401911D0; IT1139461B; GB2084925B

Description

Metallplattiertes Laminat und Verfahren zu seiner Herstellung

Die vorliegende Erfindung betrifft metallplattierte Laminate sowie Verfahren zu deren Herstellung und ist mit dem Gegenstand der DE-Patentanmeldung P 31 31 688.3 verwandt. Auf diese und alle anderen in der vorliegenden Beschreibung angeführten Patentschriften und Veröffentlichungen wird ausdrücklich Bezug genommen und der "Offenbarungsgehalt aller dieser Veröffentlichungen durch diese Bezugnahme in vollem Umfang in die vorliegende Anmeldung aufgenommen. So sind die extrem glatten, im wesentlichen porenfreien und sehr feinkörnigen Kupferoberflachen der nach dem Verfahren dieser Erfindung · hergestellten kupferplattierten Laminate wichtige Merkmale der Produkte der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung

Der Ausdruck "Träge.:", wie er hier und in den Ansprüchen verwendet wird, umfaßt Aluminiumblech-Material"von kalibrierter Dicke derart, daß e.s durch eine Fertigungsstraße geführt und für Lagerung oder Versand gewalzt werden kann, und er schließt auch derartiges Blechmaterial aus anderen Metallen, als auch Folienmaterial aus Kunststoffen, ein, wie beispielsweise von

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der Firma Du Pont unter dem Handelsnameh MYLÄR und KAPTON auf den Markt gebrachte Produkte, und andere organische polymere Materialien von ähnlicher Flexibilität, welche den Verarbeitungstemperaturen widerstehen, welche bei dieser Erfindung auftreten und welche bei der Äbscheidungstemperatur des Kupferfilms die Festigkeit und die Eigenschaften des inerten Verhaltens und der Bindungsfähigkeit zu Trennmittel-Überzügen aufweisen, die für ein Anhaften der Beschichtung erforderlich sind, wenn kupferplattierte Laminätprodukte von den Trägerblechen, abgezogen werden.

Der Ausdruck "Trennmittel" bedeutet und .schließt Oxide ein, in welchen die Diffusionstendenz von Kupferatomen unter den ieit- und Temperaturbedingungen vergleichbar 1 Atmosphäre bei 175°C zu vernachlässigen ist. Weiter sind dies Materialien, welche Kupfer oder ein anderes als Film darauf abge- ' schiedenes Metall nicht so fest binden wie an das Aluminium oder ein anderes Trägerblech-Material, und ferner werden sie zur Verhinderung der'Zwischendiffusion und auch der Reaktion zwischen dem Kupferfilm und dem Aluminiumblech oder einem anderen Träger unter den Bedingungen der Herstellung oder der Verwendung, dienen.

"Ultradünn" bezeichnet Dicken von weniger als etwa 16 ym (16 Mikron).

"Film" und "Folie" bedeuten in diesem Zusammenhang einen ultradünnen Überzug beziehungsweise die Kombination eines derartigen Überzugs und einer oder mehrerer ultradünner Überzüge aus einem anderen Metall oder Material=

"Aufdampfen" bedeutet und umfaßt Zerstäuben, physikalische Verdampfung (d.h. Elektronenstrahl, induktive und/oder Widerstandsverdampfung) , chemisches Aufdampfen und lonenplattieren.

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Der Ausdruck "Substrat", wie er in dieser Beschreibung und den Ansprüchen verwendet wird, bedeutet und bezieht sich auf denjenigen Teil des kupferplattierten Laminatprodukts oder eines anderen Herstellungsartikels dieser Erfindung, welcher als die physikalische Trägervorrichtung für den Metallfilm oder -folie dient, und ist geeigneterweise ein Glas-Epoxykörper, der in Form eines vorimprägnierten Glas- . fasermaterials für die Härtung in Kontakt mit Kupfer- oder einer anderen Metallfolie vorgesehen ist. Andere für diesen Zweck brauchbare Materialien umfassen, sind jedoch nicht darauf beschränkt, diejenigen Materialien., die als "phenolic sehe Papierharze¹¹ auf dem Markt sind, wobei dies blattförmige Papierprodukte sind, die mit einem'härtbaren Harz zur Schaffung einer.Klebstoffbindung zwischen dem Substrat und der Metallfolie des Laminats imprägniert sind. Wiederum andere derartige Materialien sind Polyimide und Polyesterharze.

Der Ausdruck "dünnes Kupferblech", wie er hier verwendet ■ wird, bezeichnet ein selbsttragendes gewalztes oder elektrolytisch abgeschiedenes Kupferblech mit einer Dicke von bis zu etwa 80 ym (80 Mikron).

Der Ausdruck "Kupplungsmittel" wird hier gemäß dem Sprachgebrauch dieses Ausdrucks auf dem Fachgebiet verwendet und bedeutet daher insbesondere diejenigen verschiedenen hydrolysierfähigen Organosilanester, welche die Fähigkeit aufweisen, sowohl mit Epoxyharzen als auch mit Siliciumdioxid chemische Bindungen auszubilden. ■

Diese Erfindung betrifft die Herstellung von kupferplattier-, ten Laminaten, die für die Herstellung von gedruckten Schaltkreisplatten brauchbar sind, und insbesondere betrifft sie ein neues Verfahren zur Herstellung derartiger Laminate und

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verbesserter Laminatprodukte, als auch neuer Zwischenprodukte.

Kupferplattiertes Laminat ist eines der Äusga'ngsmaterialien, die für die Herstellung von gedrückten Schaltkreisplatten eingesetzt werden. Ein derartiges Laminat besteht aus einem Substrat mit einer fest damit verbundenen Kupferfolie. Die Hersteller von gedruckten Schaltkreisplatten-(PCB)-Produkten tragen die gewünschten Schaltungsmuster auf verschiedene Weisen auf. Bei dem üblichsten Verfahren, das als subtraktives Verfahren bekannt ist, wird das gewünschte Muster durch einen Photolack oder ein maskierendes Schablonen-Material auf dem kupferplattierten Laminat maskiert und dann die unerwünschte Kupferplattierung durch Ätzen entfernt.

Ein anderes Verfahren zur Herstellung von Schaltungsmustern erfordert die Verwendung eines mit ultradünnem Kupfer überzogenen Substrats. Das Maskieren wird, wie oben beschrieben, angewandt. Jedoch ist das Kupfer in dem Bereich ungeschützt, in welchem das Schaltungsmuster gewünscht wird« Änschlies— send wird eine elektrolytische Abscheidung durchgeführt, welche die Dicke der Schaltungsleitung vergrößert, und anschließend wird die Maskierung und das dünne Untergrundkupfer durch Ätzen entfernt. Dieses Vorgehen ist als die semi-additive Methode bekannt.

Es ist selbstverständlich erwünscht, PCB's herzustellen, die eine maximale Anzahl von darauf enthaltenen Schaltungsleitungen aufweisen. Je mehr Schaltungsleitungen, und demzufolge je mehr Komponenten auf einer einzigen Schaltkreisplatte, aufgebracht werden können, desto kompakter und ökonomischer wird sie. Einer der einschränkenden Faktoren für die Anzahl der Schaltungsleitungen, die auf einer gegebenen Fläche auf-

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gebracht werden können, ist der Feinheitsgrad, mit welchem derartige Leitungen hergestellt werden können. Eine andere Beschränkung ist der Grad der Präzision, mit welcher die Leitungen als solche und die Räume zwischen denselben begrenzt werden können.

Für den Fachmann ist es ersichtlich, daß es im Lichte der vorstehenden Ziele und aus anderen Gründen erwünscht ist, relativ dünne Folien bei der Herstellung des Basis-Laminatproduktes, das in der Produktion von PCB's eingesetzt werden soll, zu verwenden. Mit dem für dickere Folien angewandten subtraktiven Verfahren ist ein größerer Verlust an Kupfer verbunden, wenn die Untergrundfolie weggeätzt wird, wie dies oben beschrieben wurde. Auch erfolgt hier notwendigerweise eine gewisse Flankenätzung der Schaltungsleitungen, wodurch die Menge an stromführendem Material verringert und die Oberflächenmorphologie der Schaltungsleitungen ver-· ändert wird. Offensichtlich- führt dies zu einer weiteren Beschränkung dafür, wie dicht die Schaltungsleitungen räumlich voneinander angeordnet sein können. Wo das semi-additive Verfahren von Laminaten mit dünner Kupferfolxe angewandt wird, sind diese Nachteile eindeutig auf ein_: Minimum herabgesetzt.

Bis zum heutigen Tag wurden Folien für kupferplattierte Laminate hauptsächlich durch elektrolytische Abscheidung hergestellt. Dieses Verfahren bietet viele Vorteile, einschließlich der Prodüktionsgeschwindigkeit, der Ökonomie und einer damit verbundenen, in hohem Maße entwickelten Technologie. Jedoch haften diesem elektrolytischen Absehe!düngeverfahren gewisse Beschränkungen.an, wenn diese Technologie auf die Herstellung von ultradünnen Kupferfolien ausgedehnt wird. Einmal hat man hier die wachsende Sorge wegen auftretender

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• Umweltschädigungen. Andererseits ist es sehr schwierig, Folien mit einer Dicke von weniger als 16 pm (16 Mikron) herzustellen, die frei von Poren sind. Die in- dünneren, durch elektrolytische Abscheidung erzeugten Folien auftretenden Poren sind auf die Gegenwart von Verunreinigungen oder Fehlstellen an zufallsbedingten Stellen an der Oberfläche der Elektrode, ari welcher die Abscheidung erfolgt, oder als ein Ergebnis des Einschlusses von Verunreinigungen, die beim elektrolytischen Abscheidungsverfahren vorhanden sind, zurückzuführen. Diese Verunreinigungen verhindern daher die elektrolytische Abscheidung an diesen Stellen unter Bildung von Poren, die nur dann verschlossen werden können, wenn eine gewisse Dicke erreicht ist. Außerdem wird dann, wenn man einen im wesentlichen porenfreien ultradünnen Film elektrolytisch herstellen sollte, dieser Film untrennbar mit einer relativ großen Korngröße verbunden sein. Bei ultradünnen Filmen, insbesondere bei denjenigen in den äußerst dünnen Bereichen, beginnt die durchschnittliche Tiefe der Korngrenzen sich der Dicke des Filmes selbst zu nähern. Da manche organische Verunreinigungen gewöhnlich an Punkten in diesen Grenzen gesammelt werden, liegt eine mögliche Schwächung derartiger Filme an diesen Punkten vor.

Das Verbinden derartiger ultradünner Filme in was für einer Weise auch immer zu geeigneten Substraten wie Laminaten, geeignet für die PCB-Produktion, kann mit bleibendem Erfolg in der Weise bewerkstelligt werden, wie es ±a der oben erwähnten DE-Patentanmeldung P 31 31 688„3 offenbart wurde. Es wurde jedoch gefunden, daß die gewünschte Haftung zwischen derartigen Kupferfilmen und deren Substraten auch ohne die Notwendigkeit einer Änderung der Natur der Kupferfilm-Ober-." fläche, wie sie abgeschieden worden ist, erhalten werden kann. Insbesondere wurde gefunden, daß durch die Verwendung von

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ultradünnen Filmen aus einem oder einem anderen von gewissen Metallen in Kombination mit einem geeigneten ultradünnen Oxidfilm das gewünschte Bindungsergebnis hergestellt werden kann. Daher wird ein ultradünner Film aus einem derartigen Metall auf dem Kupferfilm vorgesehen und mit einem ultradünnen Oxidfilm überschichtet, der in Kontakt mit dem Substrat gehalten wird, während die Laminierung durchgeführt "wird.

Geeignete Metalle für eine Verwendung gemäß der vorliegenden Erfindung sind solche, die mit Kupfer einigermaßen wechsel-, seitig löslich sind und unter den Bedingungen.der Verarbeitung gemäß der vorliegenden Erfindung fest haftende Oxide, ausbilden können. Entweder das Metall oder sein Oxid muß ebenfalls an der anschließend aufgebrachten Oxidschicht haften. Beispielsweise entsprechen Zink, Aluminium, Zinn und Chrom diesen Anforderungen, wohingegen Eisen als ein Beispiel diesen Forderungen nicht genügt. Darüber hinaus ist es erwünscht, daß die vorstehend erwähnten Metalle feste Lösungen mit Kupfer bilden,- die mit Hilfe der gleichen Ätzmittel, wie sie normalerweise bei der Entfernung von Kupfer" von gedruckten Schaltkreisplatten verwendet werden, leicht ätzbar sind. "

Es wurde gefunden, daß in dem Falle, wo Zink zum Zwecke der Kupferbindung in dieser Erfindung eingesetzt und der Zinkfilm durch Zerstäuben hergestellt worden ist, die Systembedingungen so eingestellt werden sollten, daß die Bildung einer Messingoberfläche nicht begünstigt wird.

Oxide, die mit bleibendem Erfolg bei der praktischen Durchführung der· vorliegenden Erfindung eingesetzt werden können, schließen Siliciumdioxid und Aluminiumoxid, d.h. SiO^ und

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Al₂O₃, oin. Sie können weiterhin mit den verschiedenen oben eingegebenen Metallen austauschbar verwendet werden, jedoch sollten sie zur Erzielung bester Ergebnisse bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens in jedem Fall aufgedampft sein.

Bei Verwendung des Verfahrens der oben erwähnten DE-Patentanmeldüng P 31 31 688.3 zur Herstellung ultradünner Kupferfilme, kann man unter Anwendung der vorliegenden Erfindung durchwegs kupferplattierte Laminate mit extrem glatten, tatsächlich porenfreien Oberflächen für eine nachfolgende elektrolytische Abscheidung von Schaltungsleitungen hoher Integrität herstellen. Mit anderen Worten gesagt, werden die hauptsächlichen Vorteile des in der DE-Patentanmeldung P 31 31 -688.3 offenbarten Verfahrens in vollem Ausmaß bei der praktischen Durchführung und in den Produkten der vorliegenden Erfindung beibehalten. Daher haben das erfindungsgemäße neue Verfahren und die Produkte außer den Vorteilen der dünnen Filme oder Folien noch Vorteile vori erheblicher Wichtigkeit gegenüber ihren Gegenstücken nach dem Stande der Technik beim Aufbringen, auf dünne Bleche, und demzufolge ist die Erfindung nicht streng auf die Herstellung und Verwendung von Laminaten mit ultradünnen Filmen oder Folien beschränkt-
Kurz gesagt, bezieht die vorliegende Erfindung das Aufdampfenauf eine Schicht von Kupfer mit einer Dicke bis zu 80 ym (80 Mikron), vorzugsweise auf einem ultradünnen Film von Kupfer, eines ultradünnen Film eines Metalls, wie Zink, Aluminium, Zinn oder Chrom, ein, und anschließend das Aufdampfen eines ultradünnen Filmes von Siliciumdioxid oder Aluminiumoxid auf den erhaltenen Metallfilm, und schließlich das Laminieren des mit Siliciumoxid oder Aluminiumoxid überzogenen Metallkörpers mit einem Substrat, um eine relativ

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starke Haftung zwischen dem Körper und dem Substrat zu schaffen. Die Kupferschicht oder der Kupferfilm kann durch Aufdampfen, Walzen oder durch eine elektrolytische Arbeitsweise erhalten werden, jedoch sollte das Kupfer in der Form eines ultradünnen Films vorliegen, wenn eine gedruckte Schaltung mit hoher Auflösung gewünscht wird. Gemäß der bevorzugten praktischen Ausführungsform wird Zink durch Zerstäuben auf der Kupferschicht oder dem Kupferfilm abgeschieden und anschließend wird sich das Zink während des Verlaufs der Substrat-Laminierungsstufe, bei der die Anordnung erhitzt wird, mit dem Kupfer unter Bildung von Messing legieren. Eine Verfärbung (staining) des Substrats durch das Messing, wie dies erfahrungsgemäß bei den Verfahren des Standes der Technik'erfolgt, tritt nicht auf, weil die Aluminiumoxidoder Siliciuradioxid-Schicht eine wirksame Barriere gegen die Wanderung von verfärbenden Verbindungen in das Substrat darstellt. Vorzugsweise liegt auch die Dicke des auf den Kupferfilm aufgebrachten Zinks, Aluminiums, Zinns oder Chroms in der Größenordnung von nur 1200 bis 7000 Angstrom, wohingegen die Dicke des Aluminiumoxid- oder Siliciumdioxid-Films nur 200 bis 1200 Rngström beträgt, und durch'Zerstäuben hergestellt worden ist. ·

Es wurde beobachtet, daß, wenn Zink zur Herstellung eines ultradünnen Films in Gegenwart einer kleinen Menge an Feuchtigkeit zerstäubt worden ist, der Film eine irreguläre mikroskopische Oberflächenmorphologie aufweist, gekennzeichnet durch die Anwesenheit von feinen Whisker-ähnlichen Dendriten, und es wurde ebenfalls bemerkt, daß in manchen Fäl- ' len die Anwesenheit derartiger Dendrite mit einer guten bis ausgezeichneten Substrat-Haftung in dem fertiggestellten Laminatprodukt verknüpft ist, so daß die bevorzugte praktische Durchführung do.r vorliegenden Erfindung die Verwendung

einer Zerstäubungsatmosphäre einbesieht, welche ein derartiges Dendriten-Wachstum in gemäßigtem Ausmaß fördert. Daher wird bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung Feuchtigkeits-enthaltendes Argon für diesen Zweck verwendet, das man durch Mischen von trockenem Argon in etwa gleichen Anteilen mit feuchtem Argon erhält, welch letzteres mittels Einleiten von Wasserdampf in einen Argon-Strom bei Raumtemperatur hergestellt wird.

Kurz gesagt, enthält auch ein Laminatprodukt dieser Erfindung einen mit einem Trennmittel beschichteten Träger, eine Schicht von Kupfer bis zu 80 ym (80 Mikron) Dicke auf dem ' Trennmittel, einen aufgedampften ultradünnen Film von Zink, Aluminium, Zinn oder Chrom auf der Kupferschicht und eine aufgedampfte ultradünne Schicht von Siliciumdioxid oder ■ Aluminiumoxid auf der Oberfläche des aufgedampften Films. Vorzugsweise liegt die Kupferschicht in Form eines aufgedampften ultradünnen Films vor. Weiterhin ist ersichtlich, daß dieses Produkt eine Brauchbarkeit für' verschiedenartige Zwecke aufweist, einschließlich der Herstellung von kupferplattierten Laminaten für die PCB-Produktion, insbesondere wenn der Kupferfilm ultradünn ist, so daß Schaltungen mit hoher Auflösung durch semi-additive oder subtraktive Verfahren leicht hergestellt werden können. In dem letzteren Fall wird der Träger zusammen mit der Trennschicht von der Kupferfilm-Oberfläche abgestreift, nachdem ein Substrat mit der Anordnung verbunden wird. In dem Falle von dickeren Kupferfilm-Laminaten und Produkten ähnlich denjenigen der Fig. 6, können herkömmliche gedruckte Schaltkreisplatten leicht hergestellt werden, insbesondere durch subtraktive Arbeitsweisen, wenn die Oberfläche des Kupfer.körpers beim Entfernen des Trägers freigelegt wird, oder wenn ein Träger nicht verwendet wird, wie bei der Herstellung des Laminats gemäß Fig. 6.

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Fig. 1 ist eine schematische Darstellung, welche eine Querschnittsansicht eines Laminatprodiakts der vorliegenden Erfindung einschließlich des Substrates zeigt.

Fig. 2 ist ein Fließdiagramm, welches die bei der praktischen Durchführung einer bevorzugten Ausführungsform aufeinanderfolgenden Stufen zur Herstellung des kupferplattierten Laminatprodukts von Fig. 1 zeigt.

Fig. 3 ist ein Fließdiagramm ähnlich demjenigen von Fig. 2, welches die aufeinanderfolgenden Stufen eines alternativen Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung zur Herstellung eines derartigen Laminatprodukts erläutert.

Fig. 4 ist ein schematisches Diagramm, welches eine Querschnittsansicht eines anderen Produktes gemäß der vorliegenden Erfindung, zeigt. .

Fig. 5 ist ein schematisches. Diagramm, welches eine Querschnittsansicht eines weiteren Produktes der vorliegenden Erfindung zeigt.

Fig. 6 ist ein anderes' Diagramm ähnlich demjenigen von Fig. 1 eines anderen Laminatprodukts der vorliegenden Erfindung.

Fig. 7 ist ein anderes Diagramm ähnlich denjenigen der Fig. 4 und Fig. 5 von einem weiteren Produkt gemäß der vorliegenden Erfindung.

Wie in Fig. 1 erläutert, ist das Produkt der vorliegenden Erfindung ein Laminat 10, enthaltend ein Substrat 12, welches einen aufgedampften Siliciumdioxid-Film 15, eine darüberliegende Schicht von aufgedampftem Zink als Film 16 und eine zweite darübergelegte Schicht von aufgedampftem Kupferfilm 17 trägt, die eine freigelegte obere Oberfläche aufweist. Die Grenzflächenzone zwischen den Filmen 16 und ist im vorliegenden- Falle abgestufte Messinglegierung, die während des Erhitzens dieser Anordnung gebildet wurde,.wenn das Substrat 12 mit den mehreren angeordneten Schichten ver-

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bunden wurde. Die Oberfläche der anderen Seite-des Zinkfilms ist durch die Anwesenheit von feinen Whisker-ähnlichen Dendriten gekennzeichnet, die in gemäßigter Menge mehr oder weniger gleichmäßig in statistischer Orientierung über die Filmoberfläche verteilt sind.

Fig. 2 erläutert das bevorzugte Verfahren der vorliegenden Erfindung. Zuerst wird ein Aluminium-Trägerblech, vorzugsweise mit einer Dicke von 25,4 bis 177,8 um (1 bis 7 mil), jedoch möglicherweise dünner oder sogar auch viel dicker, mit einer geeigneten Substanz beschichtet, welche dazu neigt, • eine relativ schwache Bindung mit Kupfer auszubilden. Derartige Substanzen sind bekannt und werden hier als Trennmittel bezeichnet und sind Siliciumdioxid, Siliciumoxid oder Natron-kalk-Fensterglas oder andere Materialien, welche fähig sind, diesem Zweck in zufriedenstellender Weise zu dienen. Der Überzug von Siliciumdioxid kann durch Zerstäuben, chemisches Aufdampfen oder durch Elektronenstrahl-Verdampfungstechnik erfolgen, welche Verfahren dem Fachmann bekannt sind.

Sobald das Aluminium-Trägerblech auf diese Weise geeignet beschichtet ist, wird eine Kupferschicht durch Zerstäuben oder ein anderes Aufdampf-Verfahren darauf aufgebracht. Die abgeschiedene Schicht ist geeigneterweise ein ultradünner Film, jedoch kann sie um vieles dicker bis etwa 80 pm (80 Mikron) sein, in Abhängigkeit von der endgültigen Verwendung, für die der Artikel vorgesehen ist. Der Vorteil des Aufdampfens besteht darin, daß ein glatter, kontinuierlicher und tatsächlich porenfreier Überzug von Kupfer erhalten wird, auch wenn die Abschnitte extrem dünn sind.

Als nächste Stufe wird in dem Verfahren eine ultradünne Zinkschicht durch eine Aufdampf-Arbeitsweise der Wahl aufgebracht.

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Diese auf das Kupfer direkt aufgebrachte Schicht wird gegebenenfalls zur Bildung von Messing in der Grenzflächenzone zwischen dem Zink- und Kupferfilm führen, sowohl während der SiO„-Abscheidung und der Erhitzungsphase des noch im einzelnen zu.beschreibenden Verfahrens der Substratbindung. Weiterhin wird bei der bevorzugten praktischen Durchführung der vorliegenden Erfindung die Zinkschicht in Gegenwart einer vergleichsweise geringen Feuchtigkeitsmenge hergestellt, die jedoch ausreichend ist, eine Bildung von Whisker-ähnlichen Dendriten in der erhaltenen Filmoberfläche zu liefern.

Dann wird eine Schicht·von Siliciumdioxid oder Aluminiumoxid auf die Zinkoberfläche aufgebracht, wobei diese Stufe mittels Aufdampf-Techniken, vorzugsweise durch Zerstäuben, durchgeführt wird, so daß. ein ultradünner Film des Oxidmaterials im wesentlichen gleichmäßig über der bloßen Oberfläche der Zinkschicht geschaffen wird.

Die Anordnung kann als nächstes in irgendeiner geeigneten Weise mit einer Lösung eines Silan-Kupplungsmittels in Kontakt gebrächt werden, wie beispielsweise durch Eintauchen der bloßen Oberfläche des Siliciumdioxid- oder Aluminiumoxid-Films in Kontakt mit einer Lösungsmittellösung oder durch Bürsten der Lösung auf die freiliegende Oberfläche der Oxidschicht und anschließendes Verdampfen des Lösungsmittels, wodurch das Kupplungsmittel in richtiger Lage auf der Oxidschicht zurückbleibt.

Bei einer alternativen praktischen Durchführung kann das Kupplungsmittel in das Substrat so inkorporiert werden, daß es während der Anwendung von Wärme während der Substrat-Laminierung zu der Oxidfilm-Substrat-Grenzfläche wandert, um die Bindung des Oxidfilms an das Glas und die Harzkomponen-

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- 21 ten des Substrates zu fördern.

Die Laminierungsstufe, in welcher ein Substrat an die Anordnung angefügt wird, wird in der herkömmlichen Weise durch Pressen der Oberfläche der Siliciumdioxid- oder Aluminiumoxid-Schicht gegen das vorimprägnierte Glasfaser-Epoxy-Plattenmaterial des Substrats durchgeführt. Dies wird bei einer ausreichend erhöhten Temperatur bewerkstelligt, so daß das Epoxyharz in einem flüssigen Zustand von niedriger Viskosität vorliegt, und es dadurch ermöglicht wird, daß es über die freie Oberfläche des Oxids, die mit dem Silan-Kupplungsmittel beschichtet oder auch nicht beschichtet sein kann, gleichmäßig fließt, mit einer daraus hervorgehenden Bildung einer starken Verbindung und von Schälfestigkeiten (bei Verwendung des Standard-Jaquet 90 Schältests) von annähernd 1,43 kg/cm (8 pounds per inch) oder darüber.

Als letzte Stufe wird das Aluminium-Trägerblech durch mechanisches Abstreifen des Trägers mit dem Trennmittel darauf von dem Laminatprodukt abgezogen. Wenn das Trennmittel Siliciumdioxid, Siliciumoxid oder ein anderes geeignetes Material ist, wird es gemäß der vorliegenden Erfindung sauber von·der Oberfläche des Kupferfilms entfernt werden, so daß das Laminatprodukt dann bereit für eine Verwendung zur Herstellung von gedruckten Schaltkreisplatten oder für andere Zwecke, welche eine freiliegende Kupfer-Oberfläche erfordern, ist. Wie bereits früher festgestellt, weist die freiliegende Oberfläche der Kupferplattierung des Laminates eine relativ kleine Korngröße auf, wenn der Kupferfilin durch Auf dampf-Verfahren aufgebracht worden ist, und es weist die Oberfläche eine derartig überlegene Qualität auf, daß sie für die Herstellung von gedruckten Schaltkreisplatten ideal ist.

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Fig. 3 erläutert eine alternative Ausfuhrungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei welcher anstelle des Aluminium-Trägerblechs gemäß dem Verfahren von Fig. 2 ein Preßspan aus rostfreiem Stahl verwendet wird. Der Unterschied zwischen diesen zwei Verfahren wird daher hauptsächlich in der Endstufe des Abziehens des Preßspans von dem Laminatprodukt wiedergespiegelt, im Gegensatz zum mechanischen Abstreifen des Aluminium-Trägers davon. In allen anderen Merkmalen sind die Verfahren jedoch ziemlich ähnlich, mit der Ausnahme, daß das Abstreifen zum Zeitpunkt der Laminierung erfolgt, anstatt am Ende der Herstellung, daß der Preß-· span in das Verfahren zurückgeführt wird, und mit der weite-ren Ausnahme, daß man der Oberfläche des Laminats, nachdem dasselbe von dem Preßspan entfernt worden ist, wegen seiner zerbrechlichen Natur einen schälbaren oder ätzbaren metallischen oder polymeren physikalischen Schutzüberzug geben ' kann. Das letztere ist die zweite wahlweise Stufe, die in Fig. 3 angegeben ist.

Der Fachmann wird erkennen, daß die Kommerzialisierung dieser Erfindung auf verschiedenen Wegen durchgeführt werden kann. So können es die.Hersteller geeignet beziehungsweise bequem finden, das in Fig. 4 erläuterte Produkt auf den Markt zu bringen, welches ein Aluminium-Trägerblech', das mit einem geeigneten Trennmittel beschichtet ist, einen Kupferfilm, einen über dem Kupferfilm liegenden Aluminium-Film und einen über dem Aluminium-Film liegenden Aluminiumoxid-Film enthält,-Als Alternative kann das Produkt ein Aluminium-Trägerblech und eine Trennmittel-Schicht mit einem darüberliegenden Kupferfilm und mit einem· Zinkfilm anstelle des Aluminium-Films enthalten, wie dies· in Fig. 5 erläutert wird. Als weitere Alternative kann das Produkt das in Fig. 6 gezeigte sein, welches eine dünne Kupferschicht enthält, die einen

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zerstäubten Zinkfilm und einen serstäubten SiOj-FiXm₁, der über dem Zinkfilm liegt, trägt. Ein anderes in Fig. 7 gezeigtes Produkt ist ähnlich dem Produkt von Fig. 5, mit der Ausnahme, daß eine zerstäubte SiOj-Schicht über dem Zinkfilm liegt. Diese vier Produkte sind alle zur Herstellung von kupferplattiertem Laminat für eine endgültige Verwendung zur Herstellung von Schaltkreisplatten.' brauchbar« Selbst-■verständlich können die Abnehmer mit diesen Zwischenprodukten leicht die'Endfabrikation von kupferplattierten Schaltkreisplatten, geeigneterweise in Übereinstimmung mit den vorstehend gegebenen Richtlinien, durchführen.

Nachfolgend werden Beispiele für die praktische Durchführung der vorliegenden Erfindung gegeben, wie sie tatsächlich ausgeführt wurden, wobei in jedem Falle die erzielten. Ergebnisse im einzelnen angegeben sind.

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Auf 4 etwa 0,18 ran dicken Aluminiumblechen, welche zerstäubte Überzüge von Siliciumdioxid in einer Dicke von 570 Angstrom als Trennmittel trugen, würden 10 ym-(10 Mikron)-Kupferfilme durch Zerstäuben aufgebracht. Ein Zinkfilm von 5000 Angstrom wurde auf der Kupferfilm-Oberfläche von jeder dieser Proben durch Zerstäuben in einer Vakuumkammer unter einer Feuchtigkeit enthaltenden Argonatmosphäre, in welcher der Argondruck annähernd 10 ym (10 Mikron) betrug und mehr als zehnfach größer als der Feuchtigkeitsdruck war, aufgebracht. Auf jede dieser Proben wurde wiederum durch Zeratäubungstechnik eine Siliciumdioxid«Sehicht in Form eines 660 Rngström-Films aufgebracht und Kupplungsmittel-Lösungen wurden auf drei dieser Proben aufgebürstet, um die Bindung und Adhäsion zwischen der Kupfer-Zink-Laminatstruktur und dem in der nächsten Stufe aufzubringenden Glas-Epoxy-Substrat zu fördern. Das bei

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der ersten Probe verwendete Kupplungsmittel war ein im Handel unter der Bezeichnung A186 bekanntes Produkt, dessen chemische Bezeichnung $- (3,4-Epoxy-cyclohexyl) -äthyl'-trimeth.oxysilan ist. Dieses Kupplungsmittel wurde als wasserfreie methanolische Lösung aufgebracht. Bevor man die Substrat-Bindungsstufe durchführte, ließ man das Methanol verdampfen. Die zweite Probe hatte ein darauf aufgebrachtes Kupplungs-· mittel, das im Handel unter der Bezeichnung A187 erhältlich und dessen chemische Bezeichnung γ-Glycidoxypropyl-trimethoxysilan ist. Das Kupplungsmittel war wie im Falle der ersten Probe auf die Siliciumdioxid-Schicht in Form einer methanolischen Lösung aufgebracht worden, wobei diese nach Verdampfen des Methanols das Kupplungsmittel als Rückstand auf der Oberfläche des Siliciumdioxid-Films zurückließ. Die dritte Probe war in ähnlicher Weise mit dem Kupplungsmittel A11OO, das als γ-(Amino)-propyl-triäthoxysilan bekannt ist, behandelt worden. Die vierte Probe war nicht mit einem Kupplungsmittel behandelt. Die Laminierung wurde in jedem Fall dadurch bewerkstelligt, daß man eine vorimprägnierte Glasfaser-Epoxyplatte, die in gehärteter Form bekanntlich als FR4-Platte im Handel ist, so gegen die Proben anordnete, daß die Siliciumdioxid-Schicht an die vorimprägnierte Glas-Epoxy-.Schicht angrenzte und einen Druck von etwa 11,0 bar (160 psl) anlegte, während man eine Temperatur von etwa 170C während 40 · Minuten aufrechterhielt, in welcher Zeit die Härtung vollständig durchgeführt war. Im Anschluß an das Abkühlen und .an die Entfernung der Proben in jedem Falle aus der Laminationspresse, wurden die Aluminium-Träger von der laminier- ■ ten Anordnung abgestreift, wobei das fertiggestellte Produkt zurückblieb'. Für die Schälfestigkeit, der mit A186 behandelten Probe wurden Werte zwischen 1,29 und 1,43 kg/cm (7,2 und 8,0 pounds per Lnch) gemessen, für die mit A187 behandelte' Probe ein Wert von 1,43 kg/cm (8,0 pounds per inch) und für

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die mit A1100 behandelte Probe Werte von 1,29 bis 1,43 kg/cm (7,2 bis 8,0 pounds per inch). Die nicht mit einem Kupplungsmittel behandelte Probe ergab Werte für die Schälfestigkeit " von 1,43 bis 1,57 kg/cm (8,0 bis 8,8 pounds per inch).

Beispiel 2

In einem anderen Versuch ähnlich demjenigen von Beispiel 1 wurde für die mit A186 behandelte Probe genau die'gleiche Schälfestigkeit gemessen, jedoch ergaben die anderen in der Reihe gemessenen Proben erheblich kleinere Werte als ihre entsprechenden Versuche in Beispiel 1. So zeigte die mit A187 behandelte Probe eine Schälfestigkeit von 1,0 kg/cm (5,6 pounds per inch), die mit A 1100 behandelte Probe eine Schälfestigkeit von 0,86 bis 1,2.9 kg/cm (-4,8 bis 7,2 pounds per inch) und die nicht mit einem Kupplungsmittel behandelte Probeeine Schälfestigkeit von 1,0 bis 1,21 kg/cm (5,6. bis 6,8 pounds per inch).

Beispiel 3

Auf. 12 etwa 0,08 mm dicken Aluminiumbleche mit 200 Sngströmüberzügen aus SiO₂ als Trennmittel wurden durch Zerstäuben Kupferfilme mit einer Dicke von 10 ym (10 Mikron) aufgebracht. Auf die Kupfer-Oberflächen dieser Proben wurden durch Zerstäuben während variierender Zeiten bei der gleichen Leistungsaufnahme von 100 Watt darüberliegende Zinkschichten aufgebracht, derart, daß 4 Proben 5000 Sngström-Zinkfilme, 4 andere Proben 2500 Sngström-Zinkfilme und die anderen 4 Proben 1200 Sngström-Zinkfilme hatten. Auf jeweils 2 Proben von jeder dieser drei Serien wurde ein 660 Ängström-Film von SiO₂, und auf die anderen 2 Proben einer jeden Serie ein 330 Sngström-Film aus SiOg aufgebracht, wobei in allen Fällen die gleiche Leistung angewandt wurde und die Zerstäubungszeit auf 20 Minuten bzw. 10 Minuten festgesetzt war, mn

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die gewünschten Filmdicken herzustellen. Dann wurde eine 0,5%ige methanolische Lösung von dem Kupplungsmittel A186 auf eine Probe eines jeden Paares der 660 Angstrom- und 330 Angström-SiO^-beschichteten-Proben der 5000 Angström- und 2500 Ängström-Zinkfilmreihen aufgebürstet, wobei die anderen Proben eines jeden Paares diesbezüglich unbehandelt gelassen wurden. Ebenso wurde eines von jedem der zwei Paare der 1200 Ängström-Zinkfilmreihen mit dem Kupplungsmittel nicht behandelt, während die anderen eines jeden Paares mit einer 2%igen Methanollösung des Kupplungsmittels A110Ö gebürstet .wurden. Im Anschluß an die Substrat-Laminierung gemäß Beispiel 1,-wurden die Schälfestigkeitsuntersuchungen wie oben beschrieben durchgeführt, wobei die Messungen Werte von 1/0 bis 1,07'bzw. 1,14 kg/cm (5,6 bis 6,0 bzw. 6,4 pounds per inch) für die unbehandelten und behandelten 660 Sngström-SiO₃-FiIm- und 5000 Angström-'Zinkfilm-Proben ergaben. Die anderen 2 500.0 Sngström-Zinkfilm-Proben (330 8ngström-SiO„- ■ Film), behandelt und unbehandelt, ergaben Werte in kg/cm (pounds per inch) von 1,14 .bis 1,32 bzw. 1,21 bis 1,29 (6,4 bis 7,4 bzw. 6,8 bis 7,2). Sowohl die unbehandelten Proben der zweiten Reihen' (2500 Angström-Zinkfilm) und der behandelten 330 Ängström-SiO»rFilm-Reihen hatten die gleichen Werte bei Ί,07. kg/cm (6 pounds per inch), wohingegen die behandelte 660 Sngström-SiO_?-Filmprobe einen Wert von 1,14 bis 1,29 kg/cm (6,4 bis 7,2 pounds per inch) ergab. Die unbehandelten Proben der dritten Reihen (1200 Sngström-Zinkfilm) zeigten wesentlich größere Schälfestigkeiten mit Wer~ ten von 1,21 bis 1,36 bzw. 1,07 bis 1,14 gegen 0,36 bis 0,93' und 0,71 kg/cm (6,-8 bis 7,6 bzw. 6,0 bis 6,4 gegen 2,0 bis 5,2 und 4,0 pounds per inch) für den behandelten 660 Rngström- bzw. 330 Sngström-SiOj-Film.

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B e i s p i e 1 4

Bei einem anderen Versuch ähnlich demjenigen von Beispiel 3 wurden auf 4 etwa 0,18 ran dicken Aluminiumbleche, von. denen jedes mit einem 570 Äigström-SiC^-Filia beschichtet war, • 10 um-(10 Mikron)-Kupferfilme durch Zerstäuben hergestellt. Auf die freiliegenden Kupferfilm-Oberflächen wurden Zinkfilme durch Zerstäuben bei einer Leistungsaufnahme von 100 Watt während Intervallen von 20 bis 5 Minuten, zur Herstellung ' von Filmen mit verschiedenen Dicken, d.h. 14 000 Angstrom, 7000 Sngström, 5250 Sngström und 1200 Sngström, aufgebracht. Bei jeder dieser Zinkabscheidungsoperationen wurde Feuchtig- ***■ keit in der Zerstäubungsatmosphäre von Argon vorgesehen, wobei etwa die Hälfte des Argons bei Raumtemperatur durch Wasser geleitet wurde, während der Rest des Argons bei einem jeden Versuch in trockenem Zustand in die.Zerstäubungskammer eingeführt wurde. Auf drei dieser Proben wurde dann ein 660 Sngström-SiO₂-Film aufgebracht, während der Zinkfilm auf den anderen (3500 Sngström) mit einem nur 200 Sngström dicken Film von SiO₂ überzogen wurde. Jede erhaltene SiIi-. ciumdioxid-Filmoberfläche wurde mit einer 0,5%igen äthanolischen Lösung von Ai86-Kupplungsmittel gebürstet und nach dem Verdampfen des Alkohols wurde die Anordnung mit einem Substrat laminiert und die Schälfestigkeit, wie oben beschrieben, gemessen. Die Schälfestigkeit der 14 000 Angstrom-Zink-, beschichteten Probe lag erheblich unter dem annehmbaren . Betrag und betrug weniger als 0,36 kg/cm (2 pounds per inch), während die 7000 Sngström-Zink-beschichtete Probe Werte in ■ dem annehmbaren Bereich von 1,30 bis 1,57 kg/cm (7,3 bis 8,8 pounds per inch) aufwies. Die 5250 Sngström-Zinkprobe hatte Werte bei 1,07 bis 1,21 kg/cm (6,0 bis 6,8 pounds per inch),' und die 3500 Sngström-Probe hatte eine Schälfestigkeit von 1,36 kg/cm (7,6 pounds per inch).

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B eis ρ i e 1 5

In einem anderen Versuch ähnlich denjenigen der vorstehenden Beispiele wurde Aluminium anstelle von Zink eingesetzt und 3 Proben mit 5000 Angstrom dicken Aluminium-Filmen hergestellt und zwar unter einer Argonatmosphäre von 10 ym (10 Mikron) Druck und einem Feuchtigkeitsdruck von 1 pm ( 1 Mikron). Wiederum war das Siliciumdioxid von einer Spezifikation der vorstehenden Beispiele und es wurde auf die. ersten 2-Proben A186- bzw.. A187-Kupplungsmittel aufgebracht, während bei der dritten Probe kein Kupplungsmittel verwendet wurde. Der Schältest wurde bei den Proben nach dem Binden mit einer vorimprägnierten Glasfaser-Epoxyplatte, wie dies in Beispiel 1 beschrieben wurde und im Anschluß an die Entfernung des Aluminiumträger-Streifens und.des Trennmittels durchgeführt und es wurden für jede der ersten 2 Proben Werte von 0,86 kg/cm (4,8 pounds per inch) und für die unbehandelte Probe ein Wert von.1,0 kg/cm (5,6 pounds per inch) gemessen.

Beispiel' 6.

In einem genau·wie in Beispiel 5 durchgeführten Versuch, mit der Ausnahme, daß die Argonatmosphäre im wesentlichen wasserfrei war und weniger als 1"Teil pro 1000 Teile Feuchtigkeit enthielt, zeigte sich, daß die 3 hergestellten Proben bei den wie in Beispiel 4 beschriebenen Untersuchungen genau die gleichen Schälfestigkeiten von 0,93 kg/cm (5,2 pounds per inch) aufwiesen. . ·

B e i s ρ "i el 7

In einem anderen Versuch.ähnlich demjenigen von Beispiel 6' wurden 4 Proben unter Verwendung von Fensterglas anstelle von Siliciumdioxid als Schicht für den Aluminium-Film über . dem Kupferfilm hergestellt. Die fertiggestellten Produkte entsprachen denjenigen der .oben gemessenen Schälfestigkeit

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von 0,93 kg/cm (5,2 pounds per inch) Im Falle der A186- · behandelten Probe, 1,0 kg/cm (5,6 pounds per inch) für die Ai87-behandelte Probe und 0,93 bis 1,0 kg/cm (5,2 bis 5_r6 pounds per inch) für die A1100-behandelte Probe und schließlich 1,21 kg/cm (6,8 pounds per inch) für die unbehandelte Probe. · .

Leerseite

Claims

Patentansprüche

Verfahren zur Herstellung eines kupferplattierten Laminats, dadurch gekennzeichnet, daß man

auf einen Kupferkörper von weniger als etwa 80 ym (80 Mikron) Dicke einen ultradünnen Film aus einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Zink, Aluminium, Zinn und Chrom, aufdampft,

auf den erhaltenen ultradünnen Metallfilm einen ultradünnen Film eines Oxids, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Siliciumdioxid und Aluminiumoxid, aufdampft, und den erhaltenen., mit Siliciumdioxid oder Aluminiumoxid beschichteten Metallkörper zur Ausbildung einer relativ starken Adhäsion zwischen dem Körper und dem Substrat mit einem Substrat laminiert.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kupferkörper ein ultradünner Kupferfilm ist.

.3. Verfahren nach Anspruch'1, dadurch gekennzeichnet, daß es die vorbereitende Stufe der Ausbildung eines ultradünnen Kupferfilms durch Aufdampfen auf einen mit Trennmittel beschichteten Träger und weiter die

abschließende Stufe des Entfernens des mit Trennmittel beschichteten Trägers unter Zurücklassung des an dem Substrat haftenden, mit Siliciumdioxid oder Aluminiumoxid beschichteten Metallkörpers umfaßt.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Zink ist und das Aufdampf-Verfahren zum Aufbringen des Zinkfilms auf dem Kupferfilm zur Herstellung einer Kupfer-Zink-Folie ein Zerstäubungsverfahren ist.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn ζ e-i cn η e t, daß der Zinkfilm eine Dicke zwischen etwa 1200 und 7000 Angstrom, und der Siliciumdioxid- oder Aluminiumoxid-Film eine Dicke zwischen etwa 200 und 1200 Sngström aufweist und durch Zerstäuben hergestellt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es die Stufe der-Ausbildung einer Schicht eines Silan-Kupplungsmittels auf dem ultradünnen Oxidfilm einschließt.

7. Verfahren nach Anspruch 6, · d adurch gekennzeichnet, daß das Kupplungsmittel durch In-Kontaktbringen der aufgedämpften ultradünnen Oberfläche mit einer methanolischen Lösung eines Silan-Kupplungsmittels bereitgestellt und anschließend das Methanol durch Verdampfen entfernt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß es die vorbereitende Stufe· der Ausbildung des ultradünnen Kupferfilms durch Zerstäuben einschließt.

<t ö α »a * *

9. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß es die vorbereitenden Stufen der Beschichtung eines Trägers oder von Preßspan mit einem Trennmittel und das Zerstäuben von Kupfer unter Ausbildung eines Kupferfilms auf der Trennmittelschicht umfaßt, und in welchem Zink unter Ausbildung eines Zinkfilms von 1200 bis Ί7ΟΟ ym (1200 bis 7000 Mikron) Dicke auf dem Kupferfilm und Siliciumdioxid unter Ausbildung eines Siliciumdioxid-FiIms von 200 bis 1200 Sngström Dicke auf dem Zinkfilm, zerstäubt werden. ·

10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Aluminium ist unä in welchem das Zerstäuben das Verfahren des Aufdampfens zum Aufbringen eines Aluminium-Films unter Bildung einer Kupfer-Aluminium-Folie .ist.

11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch- gekennzeichnet, daß das Metall Zinn ist und in welchem das Zerstäuben das Verfahren des Aufdampfens zum Aufbringen eines■Zinnfilms unter Bildung einer Kupfer-Zinn-Folie ist. - -

12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge-

k e η n'z e i chne t, daß das Metall Chrom ist und in ■ welchem das Zerstäuben das Verfahren des Aufdampfens zum Aufbringen eines Chromfilms unter Bildung einer Kupfer-Chrom-Folie ist. .

13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metall-Aufdampfstufe in einer Feuchtigkeit enthaltenden Atmosphäre durchgeführt wird.

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14. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kupferkörper ein dünnes Kupferblech ist.

15. Verfahren nach Anspruch. 14, dadurch gekennzeichnet, daß man einen Zinkfilm mit einer Dicke zwischen etwa 1200 und 7000 Angstrom auf dem dünnen Kupferblech, und einen Siliciumdioxid-Film mit einer Dicke" von etwa 200 bis 1200 Angstrom auf dem erhaltenen, ultradünnen Zinkfilm durch Zerstäuben aufbringt.

16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß es die vorbereitende Stufe der Formierung, des dünnen Kupferblechs durch elektrolytische Abscheidung oder durch Walzen einschließt.

17. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß es die Stufe des Aufbringens eines Überzugs aus einem Silan-Kupplungsmittel auf dem ultradünnen Siliciumdioxid-Film auf dem Zinkfilm umfaßt.

18. Verfahren nach Anspruch 1, dadurchgekennzeichnet, daß das auf dem Kupfer aufgedampfte Metall Zink ist und die Aufdampf-Stufe aus dem Zerstäuben von Zink unter einer Argonatmosphäre, die etwa 1 Teil Feuchtigkeit pro 100 Teile enthält, besteht.

19. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Zink-Zerstäubungsstufe in Gegenwart einer kleinen, zur Herbeifühung der Bildung von Whisker-ähnlichen Dendriten auf dem entstehenden ultradünnen Zinkfilm wirksamen Feuchtigkeitsmenge -durchgeführt wird.

«i Λ * 4

2ϋ. Metallplattiertes Laminat, da. durch gekennzeichnet, daß es ein Substrat, eine Schicht eines ersten Metalles und ein Bindemittel zwischen dem Substrat und der ersten Metallschicht zur Herstellung einer festen Verbindung enthält, wobei das Bindemittel einen ultradünnen Film eines zweiten Metalls, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Zink, Aluminium, Zinn und Chrom, auf dem ersten Metall, und einen dazwischen und in Kontakt mit dem zweiten Metallfilm und dem Substrat angeordneten ultradünnen Film eines Oxids, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Aluminiumoxid und Siliciumdioxid, umfaßt.

21. Metallplattiertes Laminat nach Anspruch 20, dadurch gekennze i c h η e t, daß. das erste Metall Kupfer ist. " '

22. Metallplattiertes Laminat nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Metall Zink ist. · . - _:

23. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferschicht ein aufgedampfter Film mit einer Dicke von weniger als etwa 16 ym (16 Mikron) ist.

24. Metallplattiertes Laminat nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Metallschicht ein dünnes Kupferblech, das zweite Metall Zink und das Oxid Siliciumdioxid ist.

25. Metallplattiertes Laminat nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Metall Aluminium und das Oxid Aluminiumoxid ist.

26. Laminat-Produkt, bestehend aus einem mit einem Trennmittel beschichteten Träger, einem ultradünnen Film von Kupfer auf dem Trennmittel und einem aufgedampften ultradünnen Film eines Metalles, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Zink, Aluminium, Zinn und Chrom, auf dem Kupferfilm.

27. Laminat-Produkt nach Anspruch 26, dadurch g e.-kennzeichnet, daß' der Metallfilm Zink ist, und der Zinkfilm Whisker-ähnliche Dendrite, die im wesentlichen über den ganzen Oberflächenbereich verteilt sind, aufweist.

28. Laminat-Produkt nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger ein Aluminiumblech ist und das Trennmittel aus der Gruppe bestehend aus Siliciumdioxid, Siliciuitimonoxid und Natronkalk-Fensterglas ausgewählt ist.

29. Laminat-Produki nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet,, daß der Träger ein Polymeres ist.

30. Laminat-Produkt nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger ein Aluminiumblech, das Trennmittel Siliciumdioxid,.der Kupferfilm aufgedampft und der ultradünne Metallfilm, der auf dem Kupferfilm aufgebracht ist, zerstäubtes.Zink ist.

31.. Laminat-Produkt;, dadurch gekennzeich net, daß es aus einem dünnen Kupferblech und aus einem auf dem Kupferblech aufgedampften,·ultradünnen Film eines Metalles, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Zink, Aluminium, Zinn und Chrom, besteht.

.32. Laminat-Produkt nach Anspruch 31, dadurch ge kennzeichnet, daß das Metall Zink ist und einen Oberflächenteil aufweist, der durch die Anwesenheit von Whisker-ähnlichen Dendriten gekennzeichnet ist.

33. Laminat-Produkt nach Anspruch 32, dadurch ge kenn ze ichnet, daß auf der Oberfläche des Zinkfilms, ein ultradünner Film von Siliciumdioxid aufgedampft ist. ■