DE3200593A1

DE3200593A1 - "kupfer-plattiertes laminat und verfahren zu seiner herstellung

Info

Publication number: DE3200593A1
Application number: DE19823200593
Authority: DE
Inventors: Margo Elaine Mountain View Calif. Gill; Eric Loudonville N.Y. Lifshin
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1981-01-22
Filing date: 1982-01-12
Publication date: 1982-09-02
Also published as: IT1150131B; IT8219222A0; FR2498125B1; GB2091634A; JPS57142355A; FR2498125A1; GB2091634B

Description

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Kupfer-plattiertes Laminat und Verfahren zu seiner Herstellung

Die Erfindung bezieht sich allgemein auf Laminate und insbesondere auf ein neues Kupfer-plattiertes Laminat mit besonderer Verwendbarkeit bei der Herstellung hoch auflösender gedruckte r Schaltungen sowie auf ein neues Verfahren zur Herstellung solcher Erzeugnisse.

Die Erfindung steht im Zusammenhang mit den in der älteren Patentanmeldung P 31 31 688.3 vom 11. August 1981 offenbarten metallkaschierten Laminaten. So sind die extrem glatten, tatsächlich nadeliochfreien und feinkörnigen Kupferoberflächen der nach dem Verfahren jener Erfindung hergestellten Kupfer-plattierten Laminate wesentliche Merkmale bei den Erzeugnissen der bevorzugten Ausführung der vorliegenden Erfindung.

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Die hier offenbarte und beanspruchte Erfindung steht auch im Zusammenhang mit den in der älteren Patentanmeldung P 31 37 105.1 vom 18.September 1981 offenbarten metallplattierten Laminaten.

Der hier und in den Ansprüchen verwendete Ausdruck "Träger" umfaßt AluminiumpLattenmaterial von Normalmaßdicke, so daß es durch eine Verarbeitungsstraße geführt und zur Lagerung oder Verschiffung gerollt werden kann, und er umfaßt auch solch ein Platten- oder Bahnmaterial anderer Metalle, wie Kupfer, sowie aus Kunststoffen, wie den handelsüblichen Produkten MYLAR und KAPTON, und aus anderen organischen Polymermaterialien ähnlicher Flexibilität. Alle diese Materialien haben die Fähigkeit gemeinsam, den erfindungsgemäß beteiligten Verarbeitungstemperaturen zu wiederstehen, haben bei der Abscheidungstemperatur des Kupferfilms die Festigkeit und die Eigenschaften der Inertheit und des Bindungsvermögens an Kupferfilme, die zur Wahrung der Integrität der Film/Trägerfolienkombination durch die nachfolgende Verarbeitung und Substratbefestigung hindurch und zur Ermöglichung des mechanischen Abziehens der Trägerfolie ohne Beschädigung des Kupferfilms nötig sind.

"Ultradünn" bezeichnet eine Dicke unter etwa 16 um.

"Film" und "Folie" in diesem gleichen Zusammenhang bedeuten jeweils einen ultradünnen überzug und die Kombination eines solchen Überzugs und eines oder mehrerer ultradünner Überzüge eines anderen Metalls oder eines anderen Materials.

"Dampfabscheidung" oder "Abscheidung aus der Dampfphase" bedeutet und umfaßt Zerstäuben,physikalisches Verdampfen (d.h. Elektronenstrahl-, induktive und/oder Widerstandsverdampfung), chemische Dampfabscheidung und Ionenplattieren.

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"Substrat" bedeutet, wie hier verwendet, den Teil des Kupferplattierten Laminaterzeugnisses oder eines anderen gewerblichen Gegenstands der Erfindung, der als Trägerkörper für den Metallfilm oder die Metallfolie dient, geeigneterweise ein Glas-Epoxy-Körper in Form eines Vorimprägnats zur Härtung in Kontakt mit Kupfer oder einer anderen Metallfolie. Weitere für diesen Zweck brauchbare Materialien umfassen, ohne hierauf beschränkt zu sein, solche, die im Handel als "phenolische Papierharze" bekannt sind, Papierbahnerzeugnisse, imprägniert mit einem härtbaren Harz zur Ausbildung einer Haftverbindung zwischen dem Substrat und der Metallfolie des Laminats. Weitere solche Materialen sind Polyimide und Polyesterharze .

Folien für Kupfer-plattierte Laminate, die sich für die Herstellung gedruckter Schaltungen eignen, sind bislang größtenteils durch Elektroabscheidung hergestellt worden. Den zahlreichen Vorteilen dieser Methode, darunter Produktionsgeschwindigkeit, Wirtschaftlichkeit und eine sehr eingehend entwickelte Technologie, stehen jedoch im erheblichen Ausmaß wesentliche Nachteile gegenüber. Ein sehr wesentlicher Nachteil ist die Schwierigkeit der Herstellung nadellochfreier Folien von weniger als 16 pm Dicke. Ein weiterer Nachteil ist der Einfluß der Elektroabscheidungspraxis auf die' Umwelt. Während das Nadellochproblem in gewissem Umfang durch Elektroplattieren von Kupfer auf einer speziell nach der in der US-PS 3 969 199 beschriebenen Arbeitsweise vorbereiteten Aluminium-Trägeroberfläche minimal gehalten werden kann, geschieht dies auf Kosten erheblich erhöhter Verarbeitungskomplexität und Kosten.

Diese Nachteile des Standes der Technik können durch die Anwendung der in den oben genannten anhängigen Patentanmeldungen offenbarten und beanspruchten Erfindungen vermieden werden. Sie können nun auch in einer weiteren, anderen Art und Weise,

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wie sie durch das erfindungsgemäße Verfahren verkörpert wird, vermieden werden. So wird, statt die Trägeroberfläche mit einem Trennmittel vor der Abscheidung des Kupferfilms zu überziehen, das Kupfer direkt auf der blanken Trägeroberfläche so abgeschieden, daß die anschließende nichts zerstörende Trennung des Films vom Träger möglich wird. Mit anderen Worten, die Erfindung ermöglicht das Weglassen der Trennmittelschicht unter Erhaltung ihrer Funktion. Dies wird durch die Steuerung der filmbildenden Wirkung beim Abscheiden des Kupfers auf dem Träger erreicht. Die Erfindung basiert somit auf dem neuen Konzept der Dampfabscheidung von Kupfer unter Bedingungen der Trägeroberflächentemperatur, Rauhigkeit und Sauberkeit, die zu einem tatsächlich nadellochfreien, qualitativ hochwertigen Kupferfilm führen, der an den Träger gebunden ist, aber nach Anwendung einer Abschäl- oder Abziehkraft innerhalb eines annehmbaren Bereichs abtrennbar ist. Als allgemeine Regel ist erfindungsgemäß die Trägeroberfläche sauber und frei von anhaftendem öl und Schmutz, was eine angemessene Bindung beeinträchtigen oder den anfallenden Kupferfilm verunreinigen würde, und sie ist relativ glatt und frei von starken körperlichen Unregelmäßigkeiten. Ferner ist die Temperatur der Trägeroberfläche erfindungsgemäß zwischen etwa 100 und etwa 250 ⁰C, so daß Bindungen, die stark genug, aber nicht zu stark sind, zwischen dem Kupferfilm und dem Träger ausgebildet werden.

Im Verlauf der Anwendung der Erfindung wurde gefunden, daß Elektronenstrahlverdampfung eine besonders zufriedenstellende Methode der Durchführung der Kupferabscheidungsstufe ist, wobei die Trägeroberflächentemperatur in verschiedenen Weisen unter solchen Bedingungen leicht steuerbar ist und sich ein Film der erforderlichen Dicke rasch und gleichförmig über der Trägeroberfläche, wie gewünscht, aufbaut. Doch kommt auch die Möglichkeit der Ionenplattierabscheidung des Kupferfilms in Betracht, wozu das Vorspannen des Trägers und, wenn ge-

wüiiBclit., du η I¹UnI (Ihren eines Inortgauen, wie; Argon, in den Kupferdampf zum Aufbau des nötigen Ionisationseffekts gehören würde. Auch im Falle des Ionenplattierens wäre die Trägeroberflächentemperatur nach einer Reihe von Alternativen leicht steuerbar. Ebenso kommt die Induktions (RF)-Verdampfung des Kupfers anstelle der Elektronenstrahlverdampfung als Maßnahme zur Bildung von Kupfer aus der Dampfphase in Betracht, und wieder wäre natürlich die Trägeroberflächentemperatur leicht steuerbar. Wenn jedoch Zerstäuben die Abscheidungsmethode für die praktische Durchführung der Erfindung ist, muß speziell für Wärmeabführung gesorgt werden, um die Trägeroberflächentemperatur in dem Bereich zu halten, der für die Begrenzung der Entwicklung der Bindefestigke.it auf den Bereich nötig ist, der sich als für die neuen Ergebnisse und Vorteile der Erfindung kritisch erwiesen hat.

Der Fachmann wird verstehen, daß man, wie auch immer die Erfindung durchgeführt wird, um den Kupferfilm auf der Trägeroberfläche herzustellen, die Wahl des Vorgehens zur Herstellung des Laminats nach irgendeiner der in den vorerwähnten anhängigen Patentanmeldungen offenbarten und beanspruchten Methoden hat. Die Offenbarungsgehalte einer jeden der Patentanmeldungen hinsichtlich der Herstellungsstufen der laminierten Erzeugnisse werden durch die Bezugnahme in die vorliegen- - de Anmeldung aufgenommen, wobei jede der einzelnen Stufen bei jedem der verschiedenen Verfahren in diesen Offenbarungen allgemein und im speziellen ausgeführt ist.

Kurz zusammengefaßt umfaßt also das erfindungsgemäße Verfahren die Stufen der Bildung eines Kupferfilms auf einem Träger durch Dampfabscheidung von Kupfer direkt auf der Trägeroberfläche bei einer Temperatur zwischen etwa 100 und etwa 250 C, Abscheiden einer Substrat-Bindeschicht auf dem Kupferfilm, Laminieren des anfallenden Körpers mit einem Substrat zur Bildung einer starken, festen Haftung zwischen dem Körper und dem Substrat und schließlich Entfernen des Trägers

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unter Zurücklassen des am Substrat haftenden Körpers. Im Einklang mit der Erfindung der Patentanmeldung P 31 31 688.3 ist die Substrat-Bindeschicht ein elektrolytisch abgeschiedener Film, der vorzugsweise aus Kupfer ist und in jedem Fall so hergestellt ist, daß er eine kugelige oder dendritische Oberflächenform hat oder bietet, um die Substratbindung zu fördern. Andererseits ist die Substrat-Bindeschicht ein elektrolytisch abgeschiedener ultradünner Film aus Zink, Aluminium, Zinn oder Chrom, überlagert von einem ultradünnen Film aus Siliciumdioxid oder Aluminiumoxid, wie in der Patentanmeldung P 31 37 105.1 ausgeführt.

Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer Schnittansicht eines erfindungsgemäßen Laminats in einer Zwischenstufe der Herstellung;

Fig. 2 ist eine Ansicht ähnlich Fig. 1 des erfindungsgemäßen Erzeugnisses vor dem Entfernen des Aluminiumträgers;

Fig. 3 ist eine Ansicht ähnlich Fig. 1, die die Stufe des Entfernens der Trägerbahn durch Abstreifen vermittels Ausüben einer Abschälkraft von etwa 2,2 bis 3,9 N/25 mm (0,5 bis 2,0 lbs/inch) veranschaulicht.

Wie in Fig. 3 dargestellt, weistein erfindungsgemäßes Erzeugnis 10, wie es als Handelsprodukt zur Endverwendung beispielsweise bei der Herstellung von gedruckten Schaltungen in Erscheinung treten kann, ein Substrat 12 mit einem aus der Dampfphase abgeschiedenen Kupferfilm 14, an das Substrat durch eine elektrolytisch abgeschiedene oder anderweitig aufgebaute Bindeschicht 16 gebunden, auf. Es umfaßt auch eine Trägerbahn 18, vorzugsweise aus Aluminium oder Aluminiumlegierung, worauf der aus der Dampfphase abgeschiedene Kupferfilm in der neuen Stufe entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren aufgebaut wird. So ist, wie ebenfalls in Fig. 1 veranschaulicht, die Stufe des Verfahrens, der die Hauptvorteile der Erfindung zuzuschreiben

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sind, wie oben im einzelnen angegeben, die Bildung des anfänglichen Kupferfilms 14 auf der Trägerbahn durch Dampfabscheidung unter Bedingungen, die schließlich eine Trennung durch Abschälen oder Abstreifen vermittels Ausüben einer Kraft in nur so geringem Umfang ermöglichen, daß das fertige Produkt-Laminat nicht beschädigt oder zerstört wird, z.B. durch Zerreissen oder Brechen des Kupferfilms, auf dem letztlich eine gedruckte Schaltung durch halbadditive oder subtraktive Technik auszubilden ist.

Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt als erste Stufe das Reinigen der Aluminiumträgerbahn. Dies ist ein Bahnerzeugnis, wie gewalzt, dessen Oberfläche speziell vorbereitet sein kann, z.B. durch Reinigen, oder verwendet werden kann, wie bei der normalen kommerziellen Herstellung des Bahnmetalls hergestellt. Auf jeden Fall wird das Aluminium oder Aluminiumlegierungsblech typischerweise einen natürlich gebildeten Oxidüberzug von etwas weniger als etwa 5 nm (etwa 50 A) Dicke und in gewöhnlichen Situationen von 1 bis 3 nm (10 bis 30 8) haben. Die Trägerbahn oder das Trägerblech ist vorzugsweise

etwa
von einer Dicke von 2 5 bis/180 um (1 bis 7 mils), kann aber etwas dünner oder viel dicker sein, wenn gewünscht, und hat einen quadratischen iyiittelwert der Oberflächeribeschaffenheit von besser als -0,2 ,um {- uin) quadratische Rautiefe. Reinigen der Bahn oder des Blechs, wie sie bzw. es van Markt erhalten oder bei einen kormerziellen Walzvorgang frisch hergestellt wird, ist wesentlich für die Produktion gleichförmigen Laminaterzeugnisses, da der auf das Aluminiumblech als erste Stufe des Abscheidungsverfahrens aufgebrachte Kupferfilm, wenngleich verhältnismäßig schwach, an die Trägerbahn oder das Trägerblech zwecks Erhaltung der Einheit in der folgenden Bearbeitung gebunden werden muß. Dampfreinigung mit Freon-Flüssigkeit oder einem anderen geeigneten Material kann nützlich sein, bevorzugt wird aber Plasmaätzung oder Ozonreinigung, bekannte und auf dem Gebiet der allgemeinen Reinigung wohl eingeführte Techniken, wo ein gleichförmig hohes Maß an Oberflächenreinheit erforderlich

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Mit der so vorbereiteten Trägeroberfläche erfolgt die Kupferaufbringung durch Abscheidung aus der Dampfphase, wie oben beschrieben, und e;in Kupferfilm wird auf der sauberen Aluminiumträgerblechoberfläche aufgebaut. Bevorzugt werden Eloktronenstrahlen verwendet, und in jedem Falle erfolgt der Schritt zur Bildung eines Überzugs, der ultradünn oder etwas dicker, bis zu 25 um, wenn gewünscht, sein kann. So oder nach einem Alternativverfahren, wie durch Induktionsheizung oder Ionenplattierung abgeschiedener Kupferfilm hat eine Korngröße in der Größenordnung von einigen wenigen zehn bis einigen wenigen hundert Nanometern (einigen wenigen hundert bis einigen wenigen tausend 8) im Gegensatz zur viel größeren Korngröße galvanisch abgeschiedener Kupferfilme in der Größenordnung von 1 bis 2 um mindestens. Um zu diesem Ergebnis zu gelangen, wird die Aluminiumträgerblechoberfläche, auf der der Kupferfilm abgeschieden wird, während des ganzen Abscheidungsvorgangs bei einer Temperatur von etwa 100 bis 250 ⁰C gehalten. Wie gefunden wurde, führen etwas höhere Temperaturen zur Ausbildung einer Bindung zwischen dem Kupferfilm und dem Aluminiumträgerblech, die stark genug ist, ein mechanisches Abstreifen oder Abschälen des Films von dem Blech ohne seine Beschädigung schwierig oder unmöglich zu machen. Andererseits führen etwas tiefere Temperaturen, wie gefunden wurde, zu unzureichender Bindung, um Kupferfilm und Aluminiumträger während der folgenden Bearbeitungsstufen unversehrt beisammen zu halten.

Ist der Aufbau des Kupferfilms durch Dampfabscheidungstechnik abgeschlossen, ist die anfallende Einheit für die nächste Verfahrensstufe bereit. Sie umfaßt die Vorbereitung des Kupferfilms zur Befestigung an einem Substrat, und diese Stufe kann nach einem in den oben genannten älteren Anmeldungen beschriebenen und beanspruchten Verfahren durchgeführt werden. Es versteht sich jedoch, daß er auch anderweitig nach derzeitigen oder

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künftigen Methoden behandelt werden kann, um das letztlich gewünschte Ergebnis im Hinblick auf die Bindung des Kupferfilms an den letztendlichen Substratkörper zu erzielen, mit dem er laminiert und bei der Herstellung von gedruckten Schal tungen oder für andere Zwecke verwendet werden soll. Daher wird der Teil der obengenannten älteren Patentanmeldungen, der die Vorbereitung der Kupferfilmoberfläche und die folgende Stufe der Substratbindung betrifft, durch diese Bezugnahme in die vorliegende Anmeldung aufgenommen. Derzeit besteht keine Bevorzugung für eine dieser Arbeitsweisen gegenüber der anderen bei der praktischen Durchführung der Erfindung, da sie gleichermaßen zuverlässig und vergleichbar wirtschaftlich in der Anwendung sind.

Die Substratbindung erfolgt nun nach einer der angegebenen Methoden oder irgendeiner anderen Methode der Wahl zur Erstellung des Fertigerzeugnisses, und dem Endverbraucher verbleibt nur das Entfernen des Trägerblechs oder der Trägerbahn durch mechanisches Abstreifen oder Wegschälen. Dies ist die bevorzugte Methode zum Entfernen des Trägers, es versteht sich aber, daß chemische Maßnahmen, d.h. Auflösung, eine Alternative der Wahl unter bestimmten Bedingungen sein können. Das Abstreifen oder Abschälen jedoch erfolgt in der einfachstmöglichen mechanischen Weise und erfordert nur die Ausübung einer begrenzten Abtrennkraft, die die Unversehrtheit des Kupferfilms nicht zerstört, der als aktiver Teil des Laminats dient, das direkt bei der Herstellung gedruckter Schaltungen oder für andere Verwendung ähnlicher Art des Laminats eingesetzt wird.

Die folgenden Beispiele, die veranschaulichen, nicht aber einschränken, dienen der weiteren Darstellung der speziellen neuen Merkmale und Vorteile der Erfindung:

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Beispiel 1

Drei Aluminium-Trägerbahnen von 76 pm (3 mil) im Zustand wie gewalzt wurden durch Plasmaätzen gereinigt und an eine 10,2 χ 10,2 cm-Glasplatte (6,35 mm bzw. 0,25 " dick) geklammert und ein Thermoelement in jedem Falle an einer Kante der Bahn befestigt. Mit Hilfe von zwei Quarzlampen von 15,24 cm (6") auf jeder Seite der Einheit in einer Vakuumkammer angeordnet, wurde die Temperatur der Trägerbahn in jedem Falle auf 300 ⁰C gebracht und gehalten, während der Druck in der Kammer bis auf 1,1 χ 10~ mbar (8 χ 10 torr) herabgesetzt wurde. Dann wurde durch Verwendung einer Elektronenstrahlvorrichtung ein 5 pm-Film Kupfer aus der Dampfphase auf der freien Oberfläche der Aluminiumbahn abgeschieden. Während der 10 min, die das Kupfer geschmolzen wurde, war der Vakuumkammerdruck 4,8 χ 10 mbar (3,6 χ 10 torr). Dann, während der Verdampfungsstufe, war der Druck 8 χ 10 mbar (6 χ 10 torr) Die Temperatur der Aluminiumbahn wurde bei 300 - 5 C während der 45 Minuten dauernden Abscheidungsstufe des Verfahrens gehalten. Beim Test erwies sich die Abschälfestigkeit einer der Kupferfilmproben als 13,53 N/ 25,4 mm (3,04 lbs/in). Die zweite Probe wurde in einem Kupfersulf a tbad bei 1 A/6,45 cm² (1 in²) für 30 s zur Ausbildung einer kugeligen Oberfläche behandelt und auf eine FR4-Epoxyglasplatte bei einem Druck von 11 bar (160 psi) und 166 C für 35 min gepreßt, wie in der vorerwähnten USSN 189 003 offenbart. Der auf der Trägerbahn durch Schneiden eines Streifens von 3,2 mm (1/8") von der Kante durchgeführte Abziehtest führte dazu, daß der Kupferfilm von der Platte abgezogen und so der Verbundkörper für die beabsichtigte Verwendung bei der Herstellung gedruckter Schaltungen zerstört wurde.

Die dritte Probe wurde mit dem Substrat zusammengesetzt, was dann 45 min auf 300 ⁰C erhitzt wurde, mit der Folge, daß das Kupfer mit dem Aluminium unter Bildung eines Verbundes temper-

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te, der durch Aufwendung der Abzieh- oder Abstreifkräfte nicht sauber getrennt werden konnte.

Beispiel 2

Bei einem weiteren Versuch ähnlich dem des Beispiels 1, mit der Ausnahme, daß die Trägerbahn mit Freon-Dampf gereinigt war, wurde die Temperatur der Aluminium-Kupfer-Bahn bei etwa 120 ⁰C während der Kupferabschexdungsperiode gehalten. Beim Test erwies sich die Abziehfestigkeit des Kupferfilms zu 7,12 N/25,4 mm (1,6 lbs/in). Dieser Test wurde durchgeführt, wie in Beispiel 1 beschrieben, indem die mit dem Kupferfilm überzogene Trägerbahn mit der Bindeschicht und dem Substrat zusammengesetzt wurde, wie in Beispiel 1 beschrieben. Der Abziehfestigkeitstest erfolgte dann an dem 3,2 mm (1/8")-Streifen, der von der Probe abgeschnitten worden war, und es wurde eine Abziehtestvorrichtung wie in Beispiel 1 zur Messung der Abziehfestigkeit verwendet.

Beispiel 3

Bei einem weiteren Test ähnlich dem des Beispiels 2 unter Verwendung einer mit Freon-Dampf gereinigten Aluminiumträgerbahn von 76 pm (3 mil) Dicke, wobei die übrigen Abscheidungsbedingungen für den Kupferfilm und die Herstellung des Substrat-Laminat—Erzeugnisses die gleichen waren, wurde bei dem in der gleichen Weise wie oben beschrieben durchgeführten Test gefunden, daß die Abziehfestigkeit des Laminaterzeugnisses Null war. Ein vorläufiger Abziehfestigkeitstest, der an dem Film vor dem Zusammensetzen mit dem Substrat durchgeführt wurde, ergab ebenfalls den Wert Null.

Beispiel 4

Bei einem weiteren Versuch wie dem des Beispiels 2, mit der Ausnahme, daß die Temperatur der Trägerbahn bei 250 C während

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der Kupferfilm-Abscheidungsperiode gehalten wurde, wurde beim Test des endgültigen Substrat-Laminat-Körpers gefunden, daß die Abziehfestigkeit zwischen 3,92 und 4,45 N/25,4 mm (O,88 und 1,00 lbs/in) lag.

Beispiel 5

Ein weiterer Versuch wie der des Beispiels 2 führte zu Abziehfestigkeiten von 6,23 und 7,83 N/25,4 mm (1,4 und 1,76 lbs/in), wenn die Temperatur der Aluminiumträgerbahn bei 260 ⁰C während der Kupferfilm-Abscheidungsperiode bei sonst unveränderten Bedingungen gehalten wurde.

Beispiel 6

Bei einem weiteren Versuch wie dem des Beispiels 5, mit der Ausnahme, daß die Trägertemperatur während der Abscheidungsperiode bei 240 C gehalten wurde, war die Abziehfestigkeit in einem Falle 1,068 N/25,4 mm (0,24 lbs/in), während sie in einem weiteren Falle 2,14 und in einem weiteren Falle 3,56 N/ 25,4 mm (0,48 bzw. 0,80 lbs/in) war.

Bei einem weiteren, neueren Versuch wurde ein aus der Dampfphase abgeschiedener Kupferfilm von 0,3 um auf einer ungereinigten Aluminiumbahn wie gewalzt bei Raumtemperatur hergestellt. Die Abziehfestigkeit dieses Films erwies sich als Null.

Aus den den oben beschriebenen Versuchen entnommenen Daten wird augenscheinlich, daß die neuen Ergebnisse und Vorteile der Erfindung unter bestimmten Umständen erhalten werden können, die in erheblichem Maße kritisch sind.. So ist klar, daß die Temperatur, bei der die Trägerbahnoberfläche während der KupferfiJm-Abscheidungsperiode gehalten wird, von entscheidender Bedeutung für die Festigkeit der zwischen dem Kupferfilm und dem Aluminiumträger ausgebildeten Bindung ist. Ferner wird

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augenscheinlich, daß die Art der Oberfläche der Aluminiumträgerbahn, auf der der Kupferfilm abgeschieden wird, einen wesentlichen Einfluß auf die Festigkeit dieser Bindung hat. Schließlich wird aus diesen Versuchen klar, daß die Reinheit der Oberfläche der Trägerbahn, auf der der Kupferfilm aufgebaut wird, einen wesentlichen Einfluß auf die Abziehfestigkeit der Bindung hat und natürlich auch hinsichtlich der Verunreinigung des sich ergebenden Kupferfilms und des Werts und der Brauchbarkeit des Laminat-Endprodukts wichtig sein kann. Das bevorzugte Reinigungsverfahren ist die auf dem Fachgebiet bekannte Plasmaätz-Reinigungstechnik. Die Freon-Verdampfung und andere Dampfreinigungsverfahren rufen unterschiedliche Ergebnisse hervor, wie sich aus den oben berichteten Daten ergibt, und ist folglich bei der besten Ausführungsform der Erfindung nicht bevorzugt.

Claims

Ansprüche

=' 1jh Kupfer-plattiertes Laminat-Erzeugnis mit einer unbeschichteten Metallträgerbahn (18) und einem feinkörnigen, aus der Dampfphase abgeschiedenen Film aus Kupfer (14) in direktem Kontakt mit der Trägerbahnoberfläche und mit einer Abziehfestigkeit zwischen etwa 2,2 und etwa 8,9 N/25 mm (etwa 0,5 und etwa 2,0 lbs/in) daran haftend.
2. Laminat-Erzeugnis nach Anspruch 1, bei der die Trägerbahn (18) Aluminium im gewalzten, nicht-anodisierten Zustand ist und folglich einen natürlichen Oxidüberzug mit einer Dicke von weniger als etwa 5 nm (etwa 50 S) aufweist.
3. Laminat-Erzeugnis nach Anspruch 1, dessen Träger (18) aus organischem Polymermaterial ist.

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4. Laminat-Erzeugnis nach Anspruch 1, dessen Trägerbahn (18) gewalztes Aluminium ist, dessen Oberfläche einen quadratischen Mittelwert der Beschaffenheit von besser als 0,2 μια (8,0 uin) hat.
5. Laminat-Erzeugnis nach Anspruch 4, dessen Trägerbahn (18) gereinigt worden ist.
6. Verfahren zur fierstel^ng eines Kupfer-plattierten Laminats, gekennzeichnet durch

Bilden eines Kupferfilms auf einer Trägerbahn durch Abscheiden von Kupfer aus der Dampfphase direkt auf der Trägeroberfläche, wobei die Trägeroberfläche im Temperaturbereich von etwa 100 bis etwa 250 C gehalten wird,

Abscheiden einer Substrat-Bindeschicht auf dem Kupferfilm,

Laminieren des anfallenden Metallfolienkörpers mit einem Substrat zur Schaffung einer starken Haftung zwischen dem Körper und dem Substrat und

Entfernen der Trägerbahn unter Zurücklassung des Körpers, an dem Substrat haftend.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Entfernen der Trägerbahn durch physikalisches Abstreifen oder Abziehen des Metallfolienkörpers von der Trägerbahn durch Aufwendung einer Abziehkraft zwischen etwa 2,22 und 8,9 N/25 mm (etwa 0,5 und 2,0 lbs/in) am Metallfolienkörper erfolgt.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Kupferfilm durch Elektronenstrahlverdampfen erzeugt

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9. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Kupferfilm durch Ionenplattieren gebildet wird.
10. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Trägerbahn Aluminiumfolie wie gewalzt mit einem Oxidfilm einer Dicke zwischen 1 und 2 nm (10 und 20 2) verwendet wird, der Kupferfilm durch E'lektronenstrahlverdampfen gebildet wird und daß es die Stufe der elektrolytischen Behandlung des Kupferfilms zur Erzeugung einer Folie zur erhöhten Haftung am Substrat umfaßt.
11. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß es die Stufen der Dampfabscheidung eines Zinkfilms auf dem Kupferfilm und der Dampfabscheidung eines Siliciumdioxidfilms auf dem Zinkfilm umfaßt.
12. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Stufe der Abscheidung der Substrat-Bindeschicht die galvanische Abscheidung von Kupfer als hoch-unregelmäßigen überzug auf dem Kupferfilm umfaßt.
13. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrat-Bindeschicht-Abscheidung die Dampfabscheidung eines ultradünnen Films eines Metalls aus der Gruppe feinen Aluminiums, Zinns und Chroms auf dem Kupferfilm und die Dampfabscheidung eines ultradünnen Films eines Oxids aus der Gruppe Siliciumdioxid und Aluminiumoxid auf der sich ergebenden Metallfolie umfaßt.