DE3136730A1 - Halbleiterdiode - Google Patents

Halbleiterdiode

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DE3136730A1
DE3136730A1 DE19813136730 DE3136730A DE3136730A1 DE 3136730 A1 DE3136730 A1 DE 3136730A1 DE 19813136730 DE19813136730 DE 19813136730 DE 3136730 A DE3136730 A DE 3136730A DE 3136730 A1 DE3136730 A1 DE 3136730A1
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Germany
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housing
semiconductor diode
semiconductor
connection elements
diode
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DE19813136730
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English (en)
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Franz 4801 Traunkirchen Mathe
Wilhelm 4840 Vöcklabruck Schiller
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Telefunken Electronic GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
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    • H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
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    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
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Description

Licentia Patent-Verwaltungs-G.m.b.H. Theodor-Stern-Kai 1, βΟΟΟ Frankfurt 70
Heilbronn, den 11„09.81 Z13-HN-Be-et - HW 81/30
Halbleiterdiode
Die Erfindung betrifft eine Halbleiterdiode mit einem rohrförmigen Gehäuse, in dem der Halbleiterkörper der Diode zwischen zwei Anschlußelementen angeordnet ist.
Solche Halbleiterdioden bestehen aus einem Halbleiterkörper mit einer Elektrode auf einer Oberflächenseite des Halbleiterkörpers. Der Halbleiterkörper der Diode ist mit seiner Unterseite auf einem der beiden Anschlußelemente befestigt, während die Elektrode auf der anderen Seite des Halbleiterkörpers durch das andere Anschlußelement kontaktiert ist. Die Anschlußelemente sind vorzugsweise dem Innenquerschnitt des Gehäuses angepaßt. Die Anschlußelemente sind bei rohrförmigen Gehäuse stiftoder. kolbenförmig ausgebildet und erstrecken sich von beiden Seiten aus in das Gehäuseinnere bis zu der dazwischen befindlichen Halbleiterdiode. Das Gehäuse besteht aus · Glas. Bei den bekannten Halbleiterdioden der beschriebenen Bauart sind" an den Anschlußelementen, die auch als Plugs bezeichnet werden. Drähte als Zuleitungen angebracht, um eine elektrisch leitende Verbindung mit anderen Bauelementen oder Zuleitungen herzustellen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiterdiode anzugeben, die sich besonders gut zum automatischen Bestücken von Leiterplatten und dgl. eignet. Diese Aufgabe wird durch eine Halbleiterdiode der eingangs erwähn-
ten Art gelöst, bei der nach der Erfindung mindestens eines der beiden Anschlußelemente außerhalb des Gehäuses eine erweiterte Kontaktfläche in Gestalt einer kopfförmigen Kontaktkappe aufweist. Die Kontaktkappe bildet im allgemeinen einen Gehäuseabschluß. Der Querschnitt eines Anschlußelementes nach der Erfindung ähnelt dem Querschnitt eines Stöpsels oder einer Niete.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
Nach der Figur besitzt die Halbleiterdiode nach der Erfindung ein rohrförmiges Gehäuse 1, welches beispielsweise aus Glas besteht. Im Inneren des Gehäuses 1 befindet sich die eigentliche Halbleiterdiode, die aus dem Halbleiterkörper 2 und der Elektrode 3 besteht. Die Halbleiterdiode wird von beiden Seiten kontaktiert, und zwar durch die Anschlußelemente 4 und 5. Dioden mit einem solchen Aufbau werden DH-Dioden genannt. Gemäß der Erfindung sind an den Enden der Anschlußelemente 4 und 5 keine Drähte angebracht, sonderen Kontaktkappen 6 und 7, die scheiben- bzw. plattenförmig ausgebildet sind und wie Gehäusedeckel das Gehäuse abschließen. Die Kontaktkappen (6, 7) sind beispielsweise aus einem Teil (Dumetdraht) hergestellt. Die erfindungsgemäßen Dioden mit den flachen Kontaktkappen eignen sich in besonderer Weise zum automatischen Einbau in Leiterplatten.
L e er s e i t e

Claims (3)

  1. Licentia Patent-Verwaltungs-G.m.b.H. Theodor-Stern-Kai 1, 6000 Frankfurt 70
    Heilbronn, den 11.09.81 Z13-HN-Be-et - HN 81/30
    Patentansprüche
    1/ Halbleiterdiode mit einem rohrförmigen·Gehäuse, in dem der Halbleiterkörper der Diode zwischen zwei Anschlußelementen angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens, eines der beiden Anschlußelemente außerhalb des Gehäuses eine erweiterte Kontaktfläche in Gestalt einer kopfförmigen Kontaktkappe aufweist.
  2. 2) Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Kontaktkappe auf dem im Gehäuseinneren befindlichen Teil des Anschlußelementes befestigt ist und aus einem Stück besteht.
  3. 3) Halbleiterdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet/daß die Kontaktkappe einen Gehäuseabschluß bildet.
DE19813136730 1981-09-16 1981-09-16 Halbleiterdiode Ceased DE3136730A1 (de)

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FR2513013A1 (fr) 1983-03-18

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