FR2513013A1 - Diode a semiconducteurs sous boitier tubulaire - Google Patents
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Abstract
DIODE A SEMICONDUCTEURS SOUS BOITIER TUBULAIRE, DANS LEQUEL LE SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR EST DISPOSE ENTRE DEUX ELEMENTS DE CONNEXION. UN DES ELEMENTS DE CONNEXION 4, 5 AU MOINS PRESENTE A L'EXTERIEUR DU BOITIER 1 UNE SURFACE DE CONTACT AGRANDIE SOUS FORME D'UN EMBOUT DE CONTACT 6, 7.
Description
La présente invention concerne une diode à semiconducteurs sous boîtier tubulaire, dans lequel le substrat semiconducteur est disposé entre deux éléments de connexion.
De telles diodes à semiconducteurs sont constituées par un substrat semiconducteur dont une face superficielle porte une électrode. La face inférieure du substrat semiconducteur est fixée sur un des deux éléments de connexion, tandis que l'électrode sur l'autre face du substrat est en contact avec l'autre élément de connexion. Les éléments de connexion sont avantageusement adaptés à la section intérieure du boîtier. Dans le cas d'un boîtier tubulaire, les éléments de connexion présentent la forme d'une broche ou d'un piston et s'étendent des deux côtés à l'intérieur du boîtier, jusqu'à la diode à semiconducteurs interposée. Le boîtier est en verre.
Dans les diodes à semiconducteurs connues du type décrit, les éléments de connexion ou broches portent des fils d'alimentation9 pour établir une liaison électrique avec d'autres composants ou fils d'alimentation.
L'invention a pour objet une diode à semiconducteurs se pétant particulièrement bien à l'équipement automatique de cartes imprimées par exemple. Selon une caractéristique essentielle de l'invention, un des éléments de connexion au moins présente à ltextérieur du boîtier une surface de contact agrandie, sous forme d'un embout de contact. Ce dernier constitue généralement une fermeture du boîtier. La coupe d'un élément de connexion selon 1 invention rappelle celle d'un bouchon ou d'un rivet.
D'autres caractéristiques seront mieux compris à l'aide de la description détaillée ci-dessous d'un exemple de réalisation, dont la figure unique représente le schéma.
La diode à semiconducteurs selon l'invention comporte un boîtier tubu laire 1, en verre par exemple. Le boîtier 1 contient la diode proprement dite, constituée par le substrat semiconducteur 2 et l'électrode 3. Les éléments de connexion 4 et 5 sont en contact chacun avec une face de la diode à semiconducteurs. Les diodes présentant une telle constitution sont appelées diodes DH. Selon l'invention, les extrémités des éléments de connexion 4 et 5 ne portent pas des fils, mais des embouts de contact 6 et 7, réalisés sous forme de disques et obturant le boîtier comme un couvercle.
Les embouts de contact (6, 7) sont par exemple produits en une seule pièce (fil Dumet). Les diodes selon l'invention à embouts de contact plats se prêtent particulièrement bien au montage automatique sur cartes imprimées
Bien entendu, diverses modifications peuvent etre apportées par l'homme de llart au principe et aux dispositifs qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs, sans sortir du cadre de l'invention.
Bien entendu, diverses modifications peuvent etre apportées par l'homme de llart au principe et aux dispositifs qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs, sans sortir du cadre de l'invention.
Claims (3)
1. Diode à semiconducteurs sous boîtier tubulaire, dans lequel le substrat semiconducteur est disposé entre deux éléments de connexion, ladite diode étant caractérisée en ce qu'un des éléments de connexion au moins présente à l'extérieur du boîtier une surface de contact agrandie, sous forme d'un embout de contact.
2. Diode à semiconducteurs selon revendication 1, caraetérisoeen ce que l'embout de contact est fixé sur la partie de l'élément de connexion située à l'intérieur du boîtier et est constituée par une seule pièce.
3. Diode à semiconducteurs selon une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que l'embout de contact obture le bottier.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19813136730 DE3136730A1 (de) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | Halbleiterdiode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2513013A1 true FR2513013A1 (fr) | 1983-03-18 |
Family
ID=6141800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8215600A Withdrawn FR2513013A1 (fr) | 1981-09-16 | 1982-09-15 | Diode a semiconducteurs sous boitier tubulaire |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3136730A1 (fr) |
| FR (1) | FR2513013A1 (fr) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4141980A1 (de) * | 1991-12-19 | 1993-07-01 | Sel Alcatel Ag | Leuchtdiode mit einer umhuellung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR88680E (fr) * | 1964-08-08 | 1967-03-10 | Siemens Ag | Dispositif semiconducteur |
| DE1514369A1 (de) * | 1964-09-29 | 1970-07-23 | Raytheon Co | In Glas gekapseltes Halbleiterelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
| DE1489809B2 (de) * | 1965-11-09 | 1974-07-04 | Danfoss A/S, Nordborg (Daenemark) | Symmetrisch arbeitende Spannungsbegrenzungsvorrichtung mit einem Halbleiterkörper |
| DE2022616A1 (de) * | 1970-05-08 | 1971-11-25 | Semikron Gleichrichterbau | Scheibenfoermiges Halbleiter-Bauelement |
| DE2122487A1 (de) * | 1971-05-06 | 1972-11-16 | Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München | Halbleiterbauelement mit Aluminiumkontakt |
| JPS531469A (en) * | 1976-06-26 | 1978-01-09 | Hitachi Ltd | Glass seal type semiconductor device |
-
1981
- 1981-09-16 DE DE19813136730 patent/DE3136730A1/de not_active Ceased
-
1982
- 1982-09-15 FR FR8215600A patent/FR2513013A1/fr not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR88680E (fr) * | 1964-08-08 | 1967-03-10 | Siemens Ag | Dispositif semiconducteur |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3136730A1 (de) | 1983-03-31 |
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