DE2525390A1 - Steuerbares halbleiterbauelement - Google Patents

Steuerbares halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE2525390A1
DE2525390A1 DE19752525390 DE2525390A DE2525390A1 DE 2525390 A1 DE2525390 A1 DE 2525390A1 DE 19752525390 DE19752525390 DE 19752525390 DE 2525390 A DE2525390 A DE 2525390A DE 2525390 A1 DE2525390 A1 DE 2525390A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor component
connecting conductor
controllable semiconductor
component according
control electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19752525390
Other languages
English (en)
Inventor
Herbert Vogt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19752525390 priority Critical patent/DE2525390A1/de
Priority to US05/691,622 priority patent/US4041523A/en
Priority to GB2274176A priority patent/GB1502066A/en
Priority to IT2388276A priority patent/IT1060796B/it
Priority to ES448545A priority patent/ES448545A1/es
Priority to FR7617005A priority patent/FR2313776A1/fr
Priority to JP6640776A priority patent/JPS5231678A/ja
Publication of DE2525390A1 publication Critical patent/DE2525390A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01021—Scandium [Sc]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

Steuerbares Halbleiterbauelement
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein steuerbares Halbleiterbauelement mit einem Gehäuse, welches aus zwei massiven Metallkörpern besteht, die am Rand von einem Isolierring umgeben sind, und mit einem zwischen den Metallkörpern kathoden- und anodenseitig mit diesen wärme- und stromleitend verbundenen, eine Steuerelektrode aufweisenden Halbleiterelement, mit einem Anschlußleiter, der mit der Steuerelektrode verbunden und durch das Gehäuse nach außen geführt ist.
Halbleiterbauelemente dieser Art sind seit längerem bekannt. Die beiden massiven Metallkörper werden bei solchen Halbleiterbauelementen im allgemeinen durch zwei·Kupferscheiben gebildet, die am Rand z.B. mit einem Keramikring, z.B. durch Löten oder Schweißen, verbunden sind. Der Anschlußleiter für die Steuerelektrode wird bei diesen scheibenförmigen steuerbaren Halbleiterbauelementen meist durch den Isolierring nach außen geführt. Auf der Außenseite des Isolierrings sitzt eine Steckbuchse oder beispielsweise ein blattfederartig ausgebildeter Kontakt, der mit einer Zuleitung verbunden werden kann. Diese bekannten Kontaktierungen der Steuerelektrode mit einer außerhalb des Gehäuses liegenden Zuleitung sind nun relativ aufwendig, da sie von Hand vorgenommen werden müssen. Außerdem muß der Anschlußleiter asymmetrisch, d.h. in bestimmter, gezielter Weise eingebaut werden. Außerdem ist hinsichtlich der Isolation ein hoher Aufwand nötig, da der Anschlußleiter sowohl innerhalb des Gehäuses isoliert sein muß als auch isoliert und gasdicht durch den Isolierring geführt werden muß.
VPA 75 E 1023 Hab-12 Pj
609851 /0570
-2-
Dieser Aufwand erscheint für große Thyristoren tragbar, ist jedoch für in großen Stückzahlen herzustellende und einzubauende Klein-Bauelemente oftmals aus Kostengründen nicht mehr anwendbar.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, ein steuerbares Halbleiterbauelement der eingangs erwähnten Gattung so weiterzubilden, daß eine einfache Kontaktierung des Anschlußleiters für die Steuerelektrode mit einer äußeren Zuleitung möglich ist.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der kathodenseitige Metallkörper mit einer zentrischen Aussparung versehen ist, daß der Anschlußleiter im wesentlichen starr ausgebildet ist und in der zentrischen Aussparung sitzt und daß der Anschlußleiter über den kathodenseitigen Metallkörper nach außen hinausragt.
Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, daß die Lage des Anschlußleiters davon unabhängig ist, in welcher Lage sich ein bestimmter Punkt am Umfang des Gehäuses befindet. Dadurch, daß der Anschlußleiter im wesentlichen starr ausgebildet ist, läßt sich dann sogar eine maschinelle Kontaktierung des Anschlußleiters durchführen.
Vorteilhafterweise ist die genannte zentrische Aussparung völlig mit Isoliermaterial ausgefüllt. Die genannte einfache Kontaktierung läßt sich zweckmäßigerweise durch eine geschlitzte, mit einer Aussparung für den Anschlußleiter versehene, wenigstens annähernd rechtwinkelig zum Anschlußleiter liegende metallene Lasche durchführen. Der Anschlußleiter kann jedoch auch durch Löten oder durch eine Druckfeder kontaktiert sein.
Die Erfindung ist an Hand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den Figuren 1 und 2 näher erläutert. Es zeigen:
Fig.1 einen Schnitt durch ein steuerbares Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung und
Fig. 2 eine vorteilhafte Ausführung der äußeren Kontaktierung des Anschlußleiters.
VPA 75 E 1023 609851/0570 -3--
In Fig.1 ist das steuerbare Halbleiterbauelement mit I- bezeichnet. Es weist einen oberen massiven Metallkörper 2 und einen unteren massiven Metallkörper 3 auf. Beide Metallkörper bestehen aus einem elektrisch und Wärme gut leitendem Metall, beispielsweise aus Kupfer. Die beiden Metallkörper sind mit umlaufenden Rändern versehen, um die ein Isolierring 4 herumgreift. Der Isolierring 4 besteht beispielsweise aus aufgespritztem, aufgeschmolzenem, aufgeschrumpftem oder gegossenem Kunststoff. Zwischen den Metallkörpern 2 und 3 liegt ein Halbleiterelement 5, dessen Kathodenelektrode mit 6 und dessen Steuerelektrode mit 7 bezeichnet ist. Der obere Metallkörper 2 ist mit einer zentralen Aussparung 8 versehen, in der zentrisch ein Anschlußleiter 10 sitzt. Der Anschlußleiter ist auf der Unterseite elektrisch mit der Steuerelektrode, beispielsweise durch Schweißen, Löten, Legieren verbunden oder sitzt auf der Steuerelektrode auf. Der obere Metallkörper 2 steht im Kontakt mit der Kathodenelektrode 6, mit der er ebenfalls durch Löten, Legieren, Schweißen verbunden ist oder sitzt lediglich auf der Kathodenelektrode 6 auf.
Besondere Vorteile ergeben sich bei miteinander durch Legieren oder Löten verbundenen Teilen. Dabei kann das Halbleiterelement 5 auf den unteren Metallkörper 3 und gleichzeitig der Anschlußleiter 10 und der obere Metallkörper 2 anlegiert oder aufgelötet werden.
Die Aussparung 8 ist mit einem isolierenden Kunststoff 11 oder Glas gefüllt, das einen Zutritt der Außenatmosphäre zum Gehäuseinnern verhindert. Außerdem dient der Kunststoff 11 zur Fixierung des Anschlußleiters 10. Zweckmäßigerweise ist die Aussparung 8 dazu völlig mit Kunststoff oder Glas angefüllt.
Der Anschlußleiter 10 ragt über den oberen Metallkörper 2 hinaus und ist dort mit einer Zuleitung 12 kontaktiert. Diese Zuleitung kann beispielsweise aus einer Blechlasche (Fig.2) bestehen, die mit einer Aussparung 13 versehen ist, in die der Anschlußleiter 10 hineinpaßt. Veiter weist die Lasche
VPA 75 E 1023 609851/0570
einen V-förmigen Schlitz 14 auf, so daß diese auf den Anschlußleiter 10 aufgeschoben werden kann. Der Schlitz weitet sich dann so weit auf, bis der Anschlußleiter in die Aussparung hineinrutscht. Dann schnappt die Blechlasche zu und der Kontakt ist hergestellt.
Da der Anschlußleiter 10 im wesentlichen starr ausgebildet ist; können auch andere Arten der Verbindung mit einer Zuleitung gewählt werden. Beispielsweise ist es möglich, den Anschlußleiter im Tauchlötverfahren mit einer Zuleitung zu verbinden. Die Zuleitung kann z.B. Teil einer gedruckten Schaltung oder auf einer Trägerplatte montiert sein. Der Kontakt mit der Zuleitung kann auch durch eine Druckfeder hergestellt werden.
Besonders vorteilhaft ist die Erfindung bei gesteuerten Gleichrichterbrücken anwendbar, bei denen bekanntlich jeweils vier oder sechs Bauelemente Verwendung finden. Diese können gleichzeitig mit einem vier bzw. sechs Anschlußleiter tragenden Träger verbunden werden. Ebenso kann die Erfindung bei halbgesteuerten Brücken Anwendung finden, bei denen jeweils nur die Hälfte der Bauelemente steuerbar ausgeführt ist. Die Zu- bzw. Abführung des Laststroms des steuerbaren Halbleiterbauelements geschieht über die Metallkörper 2 und 3. Diese können, wie dargestellt, sich vom Halbleiterelement 5 weg konisch verjüngen und in entsprechend konisch ausgebildete Ausnehmungen von Sammelschienen oder als Sammelschienen dienenden Kühlkörpern eingesetzt werden. Die Lage eines Punktes aro Umfang des Halbleiterbauelementes bezüglich eines Punktes am Umfang der Ausnehmung ist wegen der Rotationssymmetrie des Halbleiterbauelementes unwichtig. Die Metallkörper können auch zylindrische Form haben. Sie können auch Sitzstellen 9 für Federn aufweisen, durch die die Metallkörper an die Kühlkörper angepreßt werden. Die Sitzstellen sind vorzugsweise so ausgebildet, daß ein möglichst zentraler Kontaktdruck gewährleistet ist. Im Ausführungsbeispiel ist die Sitzstelle ballig ausgebildet.
VPA 75 E 1023 -5-
609851 /0570
Im Fall, daß die Steuerelektrode und die Metallkörper lediglich auf dem Halbleiterelement aufliegen, ohne durch Löten oder Legieren mit diesem verbunden zu sein, können diese Federn oder eine Feder für mehrere Bauelemente den notwendigen inneren Kontaktdruck aufbringen.
7 Patentansprüche,
2 Figuren.
VPA 75 E 1023 -6-
609851 /0570

Claims (7)

Patentansprüche
1.^ Steuerbares Halbleiterbauelement mit einem Gehäuse, welches aus zwei massiven Metallkörpern besteht, die am Rand von einem Isolierring umgeben sind, und mit einem zwischen den Metallkörpern kathoden- und anodenseitig mit diesen wärme- und stromleitend verbundenen, eine Steuerelektrode aufweisenden Halbleiterelement, mit einem Anschlußleiter, der mit der Steuerelektrode verbunden und durch das Gehäuse nach außen geführt ist, dadurch gekennzeichnet, daß der kathodenseitige Metallkörper (2) mit einer zentrischen Aussparung (8) versehen ist, daß der Anschlußleiter (10) im wesentlichen starr ausgebildet ist und in der zentrischen Aussparung sitzt und daß der Anschlußleiter über den kathodenseitigen Metallkörper nach außen hinausragt.
2. Steuerbares Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Aussparung (8) völlig mit Isoliermaterial (11) ausgefüllt ist.
3. Steuerbares Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußleiter (10) durch eine geschlitzte, mit einer Aussparung (13) für den Anschlußleiter versehene, wenigstens annähernd rechtwinkelig zu dem Anschlußleiter (10) liegende metallene Lasche (12) kontaktiert ist.
4. Steuerbares Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußleiter (10) an seinem von der Steuerelektrode (7) abgewandten Ende mit einer Zuleitung verlötet ist.
5. Steuerbares Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußleiter (10) an seinem von der Steuerelektrode (7) abgewandten Seite mit einer Zuleitung durch eine Druckfeder verbunden ist.
VPA 75 E 1023 -7-
609851/0570
6. Steuerbares Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche
1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallkörper (2, 3) vom Halbleiterelement (5) weg konisch ausgebildet sind.
7. Steuerbares Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche
1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einer der Metallkörper (2, 3) Sitzstellen (9) für Druckfedern aufweist.
VPA 75 E 1023
6098 5 1/0570
Leerseite
DE19752525390 1975-06-06 1975-06-06 Steuerbares halbleiterbauelement Withdrawn DE2525390A1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752525390 DE2525390A1 (de) 1975-06-06 1975-06-06 Steuerbares halbleiterbauelement
US05/691,622 US4041523A (en) 1975-06-06 1976-06-01 A controllable semiconductor component having massive heat dissipating conically shaped metal bodies
GB2274176A GB1502066A (en) 1975-06-06 1976-06-02 Controllable semiconductor components
IT2388276A IT1060796B (it) 1975-06-06 1976-06-03 Componente a semiconduttori comandabile
ES448545A ES448545A1 (es) 1975-06-06 1976-06-04 Perfeccionamientos en componentes semiconductores goberna- bles.
FR7617005A FR2313776A1 (fr) 1975-06-06 1976-06-04 Composant a semi-conducteurs commandable
JP6640776A JPS5231678A (en) 1975-06-06 1976-06-07 Controllable semiconductor element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752525390 DE2525390A1 (de) 1975-06-06 1975-06-06 Steuerbares halbleiterbauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2525390A1 true DE2525390A1 (de) 1976-12-16

Family

ID=5948506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752525390 Withdrawn DE2525390A1 (de) 1975-06-06 1975-06-06 Steuerbares halbleiterbauelement

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4041523A (de)
JP (1) JPS5231678A (de)
DE (1) DE2525390A1 (de)
ES (1) ES448545A1 (de)
FR (1) FR2313776A1 (de)
GB (1) GB1502066A (de)
IT (1) IT1060796B (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5563650A (en) * 1978-11-02 1980-05-13 Nitsupi Kousan Kk Full automatic sterilizer
US4263607A (en) * 1979-03-06 1981-04-21 Alsthom-Atlantique Snap fit support housing for a semiconductor power wafer
JPS55160437A (en) * 1979-05-31 1980-12-13 Hitachi Ltd Semiconductor device
DE3221794A1 (de) * 1982-06-09 1983-12-15 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Scheibenfoermige halbleiterzelle fuer druckkontaktierbare leistungshalbleiterbauelemente
JPS5951852A (ja) * 1982-09-17 1984-03-26 三洋電機株式会社 蒸気式滅菌器
US4587377A (en) * 1984-09-21 1986-05-06 Illinois Tool Works Inc. Electrically insulating fastener for heat sinks of different thicknesses
KR100453019B1 (ko) * 1995-12-14 2004-12-30 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 비교적높은전압들에적합한표면실장용반도체장치제조방법및그반도체장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3513361A (en) * 1968-05-09 1970-05-19 Westinghouse Electric Corp Flat package electrical device
US3525910A (en) * 1968-05-31 1970-08-25 Westinghouse Electric Corp Contact system for intricate geometry devices
US3636419A (en) * 1969-07-11 1972-01-18 Siemens Ag Pressure-biased semiconductor component free from damage to semiconductor body
BE790502A (fr) * 1971-10-26 1973-04-25 Westinghouse Electric Corp Dispositif semiconducteur encapsule a l'aide d'un elastomere
US3962719A (en) * 1974-12-05 1976-06-08 Plastronics, Inc. Mounting pad and semiconductor encapsulation device combination

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5231678A (en) 1977-03-10
IT1060796B (it) 1982-09-30
ES448545A1 (es) 1977-07-01
JPS5750073B2 (de) 1982-10-25
US4041523A (en) 1977-08-09
FR2313776A1 (fr) 1976-12-31
GB1502066A (en) 1978-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3734214C2 (de)
DE2806099A1 (de) Halbleiter-baugruppe
DE1963478A1 (de) Halbleitergleichrichteranordnung fuer hohe Spitzenstroeme
DE102015102083A1 (de) Komplexe Schutzvorrichtung
DE1912045A1 (de) Halterungsanordnung fuer ein Halbleiterbauelement
DE2525390A1 (de) Steuerbares halbleiterbauelement
EP0169356B1 (de) Wechsellastbeständiges, schaltbares Halbleiterbauelement
DE2004776C2 (de) Halbleiterbauelement
DE1248814B (de) Halbleiterbauelement und zugehörige Kühlordnung
DE6804915U (de) Gluehlampe
DE1564107A1 (de) Gekapselte Halbleiteranordnung
DE1978283U (de) Integrierte gleichrichter-schaltungsanordnung.
DE19505387A1 (de) Druckkontaktgehäuse für Halbleiterbauelemente
DE9015206U1 (de) Widerstandsanordnung in SMD-Bauweise
DE2855265A1 (de) Thyristor
EP0320618A1 (de) Gehäuse für einen abschaltbaren Leistungsthyristor (GTO)
DE1200951B (de) Halbleiteranordnung
DE2606885B2 (de) Halbleiterbauelement
DE2252830C2 (de) Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterelement in einem hermetisch geschlossenen Gehäuse
CH695406A5 (de) Gategleichgerichtetes Turn-Off Thyristormodul.
DE1614630B2 (de) Steuerbares Hableiter-Gleichrichterelement für hohe Strombelastbarkeit
DE2226395A1 (de) Elektrische schaltungsanordnung
DE2904806A1 (de) Elektrisches bauteil
EP0418555A2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Festelektrolykondensators in Chip-Bauweise
DE1639159A1 (de) Kapsel fuer Halbleiterbauelemente

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee