DE2226395A1 - Elektrische schaltungsanordnung - Google Patents

Elektrische schaltungsanordnung

Info

Publication number
DE2226395A1
DE2226395A1 DE2226395A DE2226395A DE2226395A1 DE 2226395 A1 DE2226395 A1 DE 2226395A1 DE 2226395 A DE2226395 A DE 2226395A DE 2226395 A DE2226395 A DE 2226395A DE 2226395 A1 DE2226395 A1 DE 2226395A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor body
circuit arrangement
arrangement according
conductor tracks
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE2226395A
Other languages
English (en)
Inventor
Anton Dipl Phys Kaiser
Helmut Dipl Ing Keller
Adolf Kugelmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE2226395A priority Critical patent/DE2226395A1/de
Priority to US337742A priority patent/US3919602A/en
Priority to SE7304071A priority patent/SE395200B/xx
Priority to IT22000/73A priority patent/IT987041B/it
Priority to NL7304025.A priority patent/NL166362C/xx
Priority to GB1375673A priority patent/GB1428701A/en
Priority to FR7310642A priority patent/FR2177106B1/fr
Priority to JP48033390A priority patent/JPS4913666A/ja
Publication of DE2226395A1 publication Critical patent/DE2226395A1/de
Priority to US428910A priority patent/US3885304A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4018—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by the type of device to be heated or cooled
    • H01L2023/4031—Packaged discrete devices, e.g. to-3 housings, diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
    • H01L2023/4043—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink heatsink to have chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
    • H01L2023/4062—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink heatsink to or through board or cabinet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1305—Moulding and encapsulation
    • H05K2203/1316—Moulded encapsulation of mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/30—Details of processes not otherwise provided for in H05K2203/01 - H05K2203/17
    • H05K2203/304—Protecting a component during manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3447—Lead-in-hole components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Description

  • Elektrische Schaltungsanordnung (Zusatz zum Patent ................................
  • - Patentanmeldung P 22 14 163.5-34) Die Erfindung betrifft eine elektrische Schaltungsanordnung mit mindestens einem Halbleiterkörper, welcher wenigstens ein Halbleiterelement enthält, und mit einer aus einem isolierenden Substrat bestehenden Leiterplatte, auf die mindestens eine elektrisehe Leiterbahn urid mindestens ein weiteres, diskretes elektrisches Bauelement aufgebracht ist, nach Patent ................... (Patentanmeldung P 22 14 163.5-34).
  • In elektrischen Schaltungsanordnungen können in einem halbleiterkörper ein oder - in monolithisch integrierter Technik - mehrere Halbleiterelemente untergebracht sein. In jedem Falle aber sind bei den bekannten elektrischen Schaltungsanordnungen der eingangs genannten Art sowohl die die Halbleitetelemente enthaltenden Halbleiterkörper als auch die sonstigen elektrischen Schaltelemente mit einem besonderen Gehäuse und mit nach außen gehenden Anschlußleitern versehen, welche entweder direkt oder über geeignet ausgebildete Sockel mit den Leiterbahnen verbunden sind. Derartige elektrische Schaltungsanordnungen sind deshalb in der Herstellung aufwendig und teuer.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese Nachteile zu beseitigen.
  • Erfindungsgemäß ist diese Aufgabe dadurch gelöst, daß der Halbleiterkörper unmittelbar auf die die Leiterbahn tragende Leiterplatte aufgebracht ist. Dadurch wird erreicht, daß bei dem Halbleiterkörper auf ein besonderes Gehäuse verzichtet werden kann.
  • Der Halbleiterkörper kann dabei auf die Leiterplatte oder auf die Leiterbahn aufgeklebt sein. Er kann auch auf die Leiterbahn aufgelötet sein. In Weiterbildung der Erfindung ist der Halbleiterkörper an seiner Oberseite mit metallischen Anschlußkontakten versehen, und diese Anschlußkontakte sind mit ihnen zugeordneten Leiterbahnen elektrisch leitend verbunden.
  • Durch die Erfindung wird ein Vorurteil beseitigt-, das darin bestand, daß ein Halbleiterkörper zur Wärmeabfubr und zum Schat ein besonderes Gehäuse haben mÜsse. lLuf dieses Gehäuse wird gemäß der vorliegenden Erfindung verzichtet. Der hierdurch erzielte Vorteil ist effensichtlich und besteht in einer erheblichen Senkung der Herstellungskosten gegenüber den cntsprechenden hekömmlichen Schaltungsanordnungen.
  • Die an der Oberseite des Halbleiterkörpers angebrachten Anschlu kontakte können durch Bonddrähte mit ccn ihnen zugeordneten Leiterbahnen verbunden sein. Sie können aber auch durch Beam-Lead-Anschlüsse mit diesen Leiterbahnen verbunden sein. Im Bereich des Halbleiterkörpers und seiner elektrischen Anschlüsse kann die Anordnung mit einer Abdeckung versehen sein. Vorteilhaft besteht die Leiterplatte aus einem Kunststoff, beispielsweise aus glasfaserverstärktem Epoxydharz oder aus Hartpapier. Die Leiterbahnen bestehen zweckmäßig aus Kupfer mit einer Dicke größer als 20 zum Die Herstellung der Leiterbahnen kann dabei in der bei gedruckten Schaltungen üblichen Weise durch Kupferkaschierung der Leiterplatte und anschließendes Freiätzen der Leiterbahnen mit Hilfe einer gebräuchlichen Maskierungstechnik erfolgen. Zur bestehen Ableitung der im Halbleiterkörper entstehenden Verluatwärme kann die den Halbleiterkörper-tragende Leiterbahn im Vergleich zu den anderen Leiterbahnen großflächig ausgebildet sein. Statt dessen oder zusätzlichkann diese Leiterbahn auch mit einer Lotschicht belegt sein. Zur weiteren Verbesserung der Wärmeableitung kann darübeihinaus das die Leiterplatte bildende, aus Kunststoff bestehende Substrat in seinem Inneren mit einem gut wärmeleitenden Füllstoff, beispielsweise mit einem Gewebe aus Metalldraht, versehen sein. Eine weitere Abnahme zur Verbesserung der Wärmeableitung besteht darin, daß die den Halbleiterkörper tragende Beiterbahn mit mindestens einem weiteren Kühlkörper in Wärmekontakt gebracht ist. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist es vorteilhaft, den Halbleiterkörper am Rande der großflächig ausgebildeten Leiterbahn anzubringen und die mit seinen metallischen Anschlußkontakten elektrisch leitend verbundenen Leiterbahnen von einer Seite her an die den HaTbleiterkörper tragende Leiterbahn heranzuführen. Gemäß einer zweiten Weiterbildung der Erfindung kann es auch vorteilhaft sein, den Halbleiterkörper auf einen seitlich vorspringenden Teil der großflächig ausgebildeten Leiterbahn aufzubringen und die mit den metallischen Anschlußk'ontakten des Halbleiterkörpers elektrisch leitend verbundenen Leiterbahnen von drei. Seiten her an den den Halbleiterkörper tragenden Vorsprung heranzuführen. Gemäß einer dritten Weiterbildung der Erfindung besteht auch die Möglichkeit-, die großflächig ausgebildete Leiterbahn an der Stelle, wo sie den Halbleiterkörper trägt, als schmalen Verbindungssteg zweier großfl«Jchiger Teilbereiche auszubilden und die mit den metallischen Anschlußkontakten des Ha3bleiterkörpers elektrisch leitend verbundenen Leiterbainen von zwei Seiten her an diesen Verbindungssteg heranzuführen, In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist es besonders zweckmäßig, alle außer dem Halbleiterkörper vorgesehenen diskreten elektrischen Bauelemente an einer der beiden Oberflächenseiten der Leiterplatte anzubringen, die zugehörigen Leiterbahnen an der gegenüberliegenden Oberflächenseite der Leiterplatte anzubringen, die Anschlußleiter der diskreten elektrischen Bauelemente durch Bohrungen hindurchzuführen, die sowohl die Leiterplatte als auch die diesen Anschlußleitern zugeordneten Leiterbahnen durchdringen, und diese Anschlußleiter mit den ihnen zugeordneten Leiterbahnen zu verlöten. Der Halbleiterkörper kann hierbei an der den diskreten elektrischen Bauelementen gegenüberliegenden Oberflächenseite der Leiterplatte, die sämtliche Leiterbahnen trägt, angebracht sein. Statt dessen ist es aber auch möglich, beide Oberflächenseiten der Leiterplatte mit Leiterbahnen zu versehen, den Halbleiterkörper an derjenigen Oberflächenseite der Leiterplatte anzubringen, an der die diskreten elektrischen Bauelemente untergebracht sind, und die mit den Anschlßkontakten des Halbleiterkörpers elektrisch leitend verbundenen Leiterbahnen der einen Oberflächenseite mit den zugehörigen Leiterbahnen der anderen Oberflächenseite über Durchkontaktierungen zu verbinden.
  • Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung der beschriebene?1 elektrischen Schaltungsanordnung. Dieses Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß auf die mit den Leiterbahnen und mit den Bohrungen versehene Leiterplatte zuerst der an einer Cberflächenseite bereits mit Anschlußkontakten versehene halbleiterkörper aufgebracht wird, daß diese Anschlußkontakte dann mit'den ihnen zugeordneten Leiterbahnen elektrisch leitend verbunden werden, daß anschließend auf den Halbleiterkörper und seine elektrischen Anschlüsse die Abdeckung aufgebracht wird, daß hierauf sämtliche diskreten elektrischen Bauelemente mit ihren Anschlußleitern von derjenigen Oberflächenseite der Leiterplatte her, dic den ihnen zugeordneten Leiterbahnen gegenüberliegt, in die Bohrungen gesteckt werden und daß dann diese Anschlußleiter mit den ihnen zugeordneten Leiterbahnen dadurch verlötet werden, daß die gesamte Anordnung über ein Lö-tbad geführt wird.
  • Anhand der Zeichnung soll die Erfindung näher erläutert werden.
  • Es zeigen: Fig. 1 eine Draufsicht auf ein erstes Ausführungsbeispiel einer elektrischen Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung, teilweise abgebrochen, Fig 2 eine Draufsicht auf ein zweites Ausführungsbeispiel einer elektrischen Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung, teilweise abgebrochen, Fig. 3 eine Draufsicht auf ein drittes Ausführungsbeispiel einer elektrischen Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung, teilweise abgebrcchen, Fig. 4 einen Schnitt durch ein viertes Ausführungebeispiel einer elektrischen Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung, teilweise abgebrochen, Fig. 5 einen Schnitt durch ein fünftes Ausführungsbeispiel einer elektrischen Schaltungsanordnung gemäß der Erfii£dung, teilweise abgebrochen, Fig 5a einen Schnitt durch ein sechstes Ausführungsbeispiel einer elektrischen Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung, teilweise abgebrochen, Fig. G eine Draufsicht auf ein siebtes Ausführungsbeispiel einer elektrischen SchaitungPanordnung gemäß der Erfindung, teilweise abgebrochen, Fig. 7 einen Schnitt nach der Linie VII-VII der Fig. , Fig. 8 eine perspektivische darstellung einer ringförmigen Berandung für die Abdeckung des Halbleiterkörpers.
  • Bei der in Fig. 1 dargestellten elektrischen Schaltungsanordnung dient als Träger eine Leiterplatte 1, die aus einen isolierenden Substrat besteht. Æuf die Leiterplatte 1 sind elektrische Leiterbahnen 2, 3, 4 und 5 aufgebracht, die in bekannter Weise eine so genannte gedruckte Schaltung bilden. Die Leiterplatte 1 ist außerdem Trager von in Fig. 1 nicht dargestellten aktiven und/ocler passiven und/oder elektromechanischen Pauelementen, die in diskreter Technik ausgeführt und in ebenfalls bekannter Weise an ale Leiterbahnen angeschlossen sind.
  • Erfindungsgemäß ist auf die Leiterbahn 2 ein Halbleiterkörper 10 aufgeklebt, der eine monolithisch integrierte Schaltung enthält.
  • Die Unterseite des Haloreiterkorpere 10 ist dabei nicht metallisiert. Sie bildet aber eine Elektrode, die unter Verwendung eines elektrisch leitenden Klebemittels mit der Leiterbahn 2 elektrisch leitend verbunden ist. Der Halbleiterkörper 10 kann jedoch auch auf die Leiterbahn 2 aufgelötet sein Hierzu muß aber die Unterseite des Halbleiterkörpers 10 zusätzlich metallisiert sein. Es besteht auch die Nöglichkeit, daß die Unterseite des Halbleiterkörpers 10 nicht als Elektrode ausgebildet ist. In diesem Falle kann der Halbleiterkörper entweder auf eine Leiterbahn, welche keinen Strom führt, aufgeklebt oder über eine Metallisierung auf diene aufgelötet sein Er kann aber auch auf eine Strom führende Leiterbahn mit Hilfe eines elektrisch nichtleitenden Klebers aufgeklebt sein.
  • Der Halbleiterkörper 10 besitzt an seiner Oberseite drei weitere Elektroden, die im Gegensatz zur Unterse'.te des Halbleiterkörpers mit metallischen Anschlußkentakten 11, 12 und 17 versehen sind diese Anschlußkontakte sind über Bonddr;te 11a, 12a, 13a mit den Leitorbahnen 3, 4, 5 verbunden. Die Bonddrähte 11a, 12a, 13a und die zughörigen Bondstellen an den Anschlußkontakten 16, 12, 13 des Halbleiterkörpers einerseits und au den Faden der Leiterbahnen 3, 4, 5 andererseits werden im folgenden auch als die "elektrischen Anschlüsse" des Halbleiterkörpers bezeichnet. Anstelle der Forddrähte können auch Beam-Lead-Ansehlüsse veruendet werden. De die Leiterbahn 2 die im Halbleiterkörper 10 entstehende Verlustäure abführen muß, muß sie besonders großflächig ausgebildet sein.
  • Andererseits darf der Abstand des Halbleiterkörpers 0 zu den Leiterbahnen )7, 4 und 5 nicht zu groß sein, damit dic Bonddrähte 11a, 12a und 3a leicht angebracht werden können. Deshalb ist in Fig. 1 die Anordnung so gewählt, daß der Halbleiterkörper 10 an Rande der Leiterbahn 2 angebracht ist und die Leiterbahnen 3, 4 und 5 von einer Seite her an den Halbleiterkörper 10 herangeführt sind.
  • In Fig. 2 ist eine elektrische Schaltungsanordnung dargestellt, bei der wie in Fig. S als Träger eine Leiterplatte 1 verwendet ist, die aus einem isolierenden Substrat besteht. Die Leiterplatte 1 ist nicht flexibel und besteht in bekannter Weise aus Kunstharz.
  • Auf die Leiterplatte 1 sind elektrische Leiterbahnen 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 und 9 aufgebracht. Diese Leiterbahnen führen zu in Fig. 2 nicht dargestellten diskreten Bauelemen-ten, die in bekannter Weise an die Leiterbahnen angeschlossen sind. Auf die Leiterbahn ist ein Halbleiterkörper 10, welcher eine monolithisch integriert Schaltung enthält, elektrisch leitend oder elektrisch nichtleitend aufgeklebt, je nach dem, ob die Unterseite des Halbleiterkörpers als Elektrode ausgebildet ist oder nicht. Der Halbleiterkörper 10 hat an seiner Oberseite metallische Anschlußkontakte 11, 2, 13, 14 15 16 und 17 welche über Bonddräbte 11a 12a 13a 14a.
  • 15a, -6a und 17a mit den Leiterbahnen 3, 4, 5, 6, 7, 8 und 9 verbunden sind. Die Bonddrähte können hierbei auch durch Bearn-Leac-Anschlüsse ersetzt sein. Um das Anbringen der Bonddrähte zu' erleichtern, ist der Halbleiterkörper 40 auf einen seitlich vorspringenden Teil 2a der Leiterbahn 2 aufgebracht, und die Leiter-.
  • bahnen 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 sind von drei Seiten her nahe an diesen vorspringenden Teil 2a herangeführt.
  • Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf ein drittes Ausführungsbeispiel einer elektrischen Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung. Die großflächig ausgebildete Leiterbahn 2 ist bei diesem Ausführungsbeispiel an der Stelle, wo sie den Halbleiterkörper 10 trägt, als schmaler Verbindungsateg 2b zweier großflächiger Teilbereiche 2c, 2d ausgebildet. Die Leiterbahnen 3, 4, 5, 6, 7, die über Bonddrähte 11a, 12a, 13a, 14a, 15a mit den metallischen Anschluß kontakten 11, 12, 13, 14, 15 des halbleiterkörpers 10 verbunden sind, sind von zwei Seiten her an den Verbindungssteg 2b herangeführt.
  • Fig. 4 zeigt eine elektrische Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung im Schnitt. Die Leiterplatte ist auch hier wieder mit 1 bezeichnet. Die elektrischen Leiterbahnen 2, 3 und 18 sind hier auf die Unterseite der Leiterplatte 1 aufgebracht. Auf die Leiterbahn 2 ist der Halbleiterkörper 10 elektrisch leitend oder elektrisch nichtleitend aufgeklebt, wobei die Klebeschicht mit 19 bezeichnet ist. Der Halbleiterkörper 1O hat an seiner der Leiterbahn 2 abgekehrten Oberflächenseite einen metallischen Anschlußkontakt 41, der über einen Bonddraht 11a mit der Leiterbahn 3 elektrisch leitend verbunden ist. Darüber hinaus kann nocn eine Vielzahl weiterer derartiger Anschlüsse vorgesehen sein.
  • Zum Schutz des Halbleiterkörpers 10 und seiner elektrischen Anschlüsse ist eine Abdeckung 20 vorgesehen, welche nach dem Anbringen des Bonddrahtes Iia durch Lackieren, Auftropfen oder im Schwallverfahren aufgebracht wird. Die Abdeckung 20 kann aus Kunstharz, Silikongummi oder aus anderen Nassen bestehen.
  • Auf die Leiterplatte 1 ist eine Vielzahl weiterer elektrischer Bauelemente von der Oberseite her aufgebracht. Als Beispiel ist in Fig. 4 ein in diskreter Technik ausgeführter Widerstand 21 dargestellt, welcher elektrische Anschlußleiter 22 und 23 hat.
  • Der Anschlußleiter 22 ist mit der Leiterbahn 08, der Anschluß leiter 23 mit der Leiterbahn n elektrisch leitend verbunden.
  • Hierzu ist die Leiterplatte 1 im Bereich der Leiterbahnen 18 und 3 jeweils mit einer Bohrung 22' bzw. 23' versehen, die auch die Leiterbahnen'18 und 3 durchdringt. Die Anschlußleiter 22 und 23 des Widerstandes 21 sind durch diese Bohrungen hindurchgesteckt und mit den Leiterbahnen 18 bzw. 3 mit Hilfe des Lotachwaliverfahrens verlötet. Das von unten her im Schwallverfahren aufgebrachte flüssige Lot benetzt dabei nur diejenigen Teile der Leiterbahnen, welche nicht mit der Abdeckung 20 versehen sind.
  • In Fig. 4 sind außerdem zwei Kühlkörper 28 und 29 schematisch dargestellt, die mittels einer Schraube 30 und einer Mutter 31 mit der Leiterbahn 2, auf die der Halbleiterkörper 10 aufgebracht ist, gut wärmeleitend verbunden sind. Diese Kühlkörper dienen zur Ableitung der im Halbleiterkörper 10 entstehenden Verlustwärme.
  • Die Kühlkörper 28 und 29 können auch Gehäuse von diskreten elektrischen Bauelementen sein.
  • Beim Aufbringen des flüssigen Lotes auf die Unterseite der gesamten Anordnung werden alle dort befindlichen metallischen Teile mit Lot benetzt, so daß sich Lotschichten 33 bilden.
  • Fig. 5 zeigt eine weitere, gegenüber Fig. 4 etwas abgewandelte Ausführung. Der Halbleiterltörper 10 it hier nicht wie in Fig. 4 an der Uterseite der Leiterplatte 1, sondern wie der Widerstand 21 an deren Oberseite angeordnet. Um des zu ermöglichen, sind die Leiterbahnen 2 und 3 ebenfalls an der Oberseite der Leiterplatte 1 angebracht. Die Leiterbahn 18 ist dagegen an der Unterseite der Leiterplatte 1 angebracht. Ferner findet die Leiterbahn 3 eine Fortsetzung 3' an der Unterseite der Leiterplatte, wobei die Leiterbahnen 3 und 3 mittels einer sogenannten Durchkontakt:iefln 24 miteinander verbunden sind. Der Halbleiterkörper 10 und seine Anschlüsse sind auch hier mit einer Abdeckung 20 versehen. Diese Abdeckung 20 wird aber hier im Gegensatz zum Ausführungsbeispiei nach Fig. 4- beim Anlöten der Anschlußdrähte 22, 23 des Widerstands 21 zum Schutze des Haibleiterkörpers nicht benötigt, da der Halbleiterkörper hier an der Oberseite der Leiterplatte angebracht ist. Die Abdeckung 20 dient aber zum Schutz des Halbleiterkörpers 10 und seiner Anschlüsse beim späteren Betrieb der gesamten Schaltungsamordnung. Abweichend Nron Fig. 4 ist ferner der Halbleiterkörper 10 auf die Leiterbahn 2 nicht aufgeklebt, sondern aufgelötet, und besitzt deshalb an seiner Unterseite eine Metallisierung 25. Die Lotschicht 26, die die Lötfuge bildet, bedeckt dabei die gesamte Oberseite der Leiterbahn 2 und dient glichzeitig zur besseren Ableitung der im Haibleiterkörper 10 entstehenden Verlustwärme.
  • Fig. 5a zeigt eine gegenüber Fig. 5 abgewandelte Anordnung. Die in Fig. 5 links gezeichneten Teile 18, 21, 22 und 23 sind dabei beibehalten und deshalb nicht noch einmal gezeichnet. Abweichend von Fig. 5 ist dagegen der Halbleiterkörper 10 mittels einer Klebeschicht 19' direkt auf die Leiterbahn 1 aufgeklebt, so daß eine elektrisch leitende Verbindung der Unterseite des Halbleiterkörpers 10 mit irgendeiner Leiterbahn hier -ausgeschlossen wird. Ferner ist der Bonddraht 11a aus Fig. 5 hier durch einen Beam-Lead-Anschluß 27 ersetzt. Der Halbleiterkörper 10 und dieser Beam-Lead-Anschluß 27 sind auch hier wieder durch eine Abdeckung 20 gegen äußere Einflüsse geschützt.
  • In den Figuren 6 und 7 ist ein Ausführungsbeispiel dargestellt, bei dem auf eine aus einem isolierenden Substrat bestehende Leiterplatte 1 elektrische Leiterbahnen 2, 3, 4-, 5, 6 und 7 aufgebracht sind. Auf die großflächig ausgesildete Leiterbahn 2 ist ein Halbleiterkörper 10 mittels einer Klebeschicht 19 aufgeklebt. Die Leiterbahn 2 ist an der Stelle, wo sie den Halbleiterkörper 10 trägt, als schmaler Verbindungssteg 2b :eier Teilbereiche 2c, 2d ausgebildet, wobei jeder dieser beiden Teilbereiche insgesamt; eine große Fläche einnimmt. Der Halbleiterkörper 10 hat an seiner Oberseite metallische Anschlußkontakte 1'1, 11, 12, 13, 14, 15, die über Bonddrähte 111a, 1'a, 12a, 13a, 14a, 15a mit den Leiterbahnen 2, 3, 4, 5, 6, 7 verburden sind. Die Bonndrähte 111a, 11a, 12a, 13a 14a, 15a und die zugehörigen Bondstellen an den Anschlußkontakten 111, 11, 12, 13, 14, 15 des Halbleiterkörpers einerseits und an den Enden der Leiterbahnen 2, 4, 4, 5, 6, 7 andererseits werdec im folgeaden auch als die "elektrischen Anschlüeré" des Halbleiterkörpere bezeichnet. Die Leiter latte 4 ist im Boreich der Leiterbaden 2 und 6 jeweils mit eine Echrung 22 bzw. 23' verrchen, die auch die Leiterbahn 2 bzw 6 durchdringt. Die Bohrungen 229 und 23' dienen wie bei den Ausführungsbeispielen nach den Fig. 4 und 5 zum Durchstecken und Anlöten von Anschlußleitern diskreter elektriacher Bauelemente, beispielsweise der Anschlußleiter 2,- und 23 des in den Figuren 4 und 5 dargestellten Widerstandes 21, der in den Figuren 6 und 7 nicht nocheinmal gezeichnet ist, wobei auch hier wieder das Anlöten mit Hilfe des Lotachwailverfahrens erfolgt.
  • Wie bei den Äusführungsbeispielen nach den Figuren 4, 5 und 5a sind auch hier der Halbleiterkörper 10 und seine elektrischen Anschlüsse mit einer Abdeckung 20 versehen. Die Abdeckung 20 kann aus Kunstharz, aus Silikongummi oder aus anderen Nassen bestehen. Um das Verlaufen der vor dem Aushärten dünnflüssigen Abdeckmasse 20 zu verhindern, ist ein als Zylindermantel ausgebildeter Ring 40 vorgesehen, der vor dem Aufbringen der Abdeckung 20 um den Halbleiterkörper 10 und seine elektrischen Anschlüsse gelegt wird.
  • Damit das im Schwallverfahren aufgebrachte flüssige Lot nur d,ejenigen Stellen der Leiterbahnen benetzt, die zum Anlöten der Anschlußleiter der diskreten elektrischen Bauelemente, beispielsweise. der Anschlußleiter 22 und 23, dienen, ist die mit den Leiterbahnen 2, 3, 4, 5, 6, 7 versehene Leiterplatte 1 mit einer Schutzschicht 42 aus Lötstoplack bedeckt, die im Bereich der Bohrungen 22' und 23' als Lötaugen dienende kreisförmige Flächen 50, 51 freiläßt und vor dem Aufbringen des Halbleiterkörpers 10 aufgebracht wird.
  • Von der Schutzschicht 42 freigelassen wird außerdem eine größere, beispielsweise kreisförmig ausgebildete Fläche um die Stelle, an der nachher der Halbleiterkörper 10 und seine elektrischen Anschlüsse an gebracht werden. Der Durchmesser dieser kreisförmigen Fläche ist kleiner als der Innendurchmesser des Ringes 4-0 gewählt, so daß dieser Ring rings herum noch auf der Schutzschicht 42 aufliegt. Der Ring 40 kann aus einem isolierenden Material oder aus einem iletall bestehen. Er kann aber auch aus einer Kombination von Metall und Isoliermaterial, beispielsweise aus eloxiertem Aluminium, bestehen. Der Ring 40 kann außerdem gemäß Fig. 8 durch eine Kappe 41 ersetzt sein, die an ihrer dem Halbleiterkörper 10 abgekehrten Oberseite mit einer Öffnung /11 a versehen ist, die für das Eingießen der Äbdeckmasse 20 genügend groß bemessen sein muß.
  • Die ringförmigen Anordnungen 40, LC1 können mit mindestens einem weiteren Kühlkörper in Wärmekontakt gebracht sein, beispielswelse über die großflächig ausgebildete Leiterbahn 2 mit den Kühlkörpern 28, 29 nach Fig. 4.
  • Durch die ringförmigen Anordnungen 40 und 41 werden bei der Abdeckung 20 insbesondere bei dünnflüssigen Abdeckmassen höhere Schichtdicken erzielt. Darüber hinaus stellen die ringförmigem Anordnungen 40 und 41 bei günstiger Auslegung einen mechanieschen Schutz des Halbleiterkörpers 10 vor Berührung dar. Dies ist insbesondere bei weichen Abdeckmassen von Vorteil. Dieser Berührungsschutz wird durch die Ausbildung eines Meniskus, der bei benetzenden Abdeckmassen bei nur teilweiser Füllung der ringförmigem Anordnung 40 bzw. 41 entsteht, unterstützt.
  • Beim Anlöten der diskreten elektrischen Bauelemente mit Hilfe des Lotschwallverfahrens erweist sich die ringförmige Anordnung 40 bzw.
  • 41, insbesondere in Verbindung mit der Ausbildung eines Meniskus an der Oberfläche der Abdeckung 20,als wirksames Mittel zur Erhöhung der thermischen veitkonstanten vom Lotschwallbad zum Halbleiterkörper 10.
  • Die thermische Zeitkonstante vom Lotschwallbed zum Halbleiterkörper 10 wird durch die Schutzschicht 42 noch erhöht. Die Schutz schicht 42 dient außerdem zur Verhinderung von Oxidation bzw.
  • Korrosion während der Verarbeitung und zur Verbesserung der Lagerfähigkeit. Für die Schutzschicht 42 können anstelle von Löts:toplack auch andere Schutzlacke verwendet werden. Die Schutzschicht 42 kann durch eine aus Nickel, Silber, Gold oder anderen Metallen bestehende Metallisierung ersetzt werden, die nur auf die Leiterbahnen 2, 3, 4, 5, 6, 7 aufgebracht wird.

Claims (36)

  1. Ansprüche
  2. Elektrische Schaltungsanordnung mit wenigstens einem Halbleiterkörper, welcher mindestens ein Halbleiterelement enthält, und mit einer aus einem isolierenden Substrat bestehen den Leiterplatte, auf die mindestens eine elektrische Leiterbahn und mindestens ein weiteres, diskretes elektrisches Bauelement aufgebracht ist nach Patent ................... (Patentanmeldung I' 22 14 163.5-34), dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (10) unmittelbar auf die die Leiterbahn tragende Leiterplatte (1) aufgebracht ist 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (10) auf die Leiterplatte (1) aufgeklebt ist (Fig. 5a).
  3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß der Halbleiterkörper (10) auf die Leiterbahn (2) aufgeklebt ist (Fig.
  4. 4, Fig. 7), 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (10) auf die Leiterbahn (2) aufgelötet ist (Fig. 5).
  5. 5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (10) an seiner Oberseite mit meta schon Anschlußkontalten (111, 11, 12, 13, 14 15 16, 17) versehen ist und daß diese AnschlußkontaJte mit ihnen zugeordneten Leiterbahnen (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9) elektrisch leitend verbunden sind.
  6. 6. Sehaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die an der Oberseite des Halbleiterkörpers (10) angebrachten Anschlußkontakte (111, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17) durch Bonddrähte Cl1la, 11a, 12a, 13a, 14a, 15a, 16a, 17a) mit den ihnen -zugeordneten Leiterbahnen (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9) verbunden sind.
  7. 7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die an der Oberseite des Halbleiterkörpers (10) angebrachten Anschlußkontakte durch Beam-Lead-Anschlüsse (27) mit den ihnen zugeordneten Leiterbahnen (3) verbunden sind.
  8. 8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplatte (1) aus einem Kunststoff besteht, daß die Leiterbahnen (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9; 18, 3') aus Kupfer bestehen und daß die Dicke der Leiterbahnen größer als 20 jim ist.
  9. 9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung im Bereich des Halbleiterkörpers (10) und seiner elektrischen Anschlüsse mit einer Abdeckung (20) versehen ist (Fig. 4, Fig. 5, Fig. 5a und Fig. 7).
  10. 10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckung (20) aus einer polerimerisierbaren Nasse besteht.
  11. 11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die tbdeckur,g (20) mit einer Berandung versehen ist.
  12. 12. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Berandung als Zylindermantel (40) ausgebildet ist (Fig. 6 und Fig. 7).
  13. 13. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Berandung als Kappe (41) ausgebildet ist, die an ihrer dem Halbleiterkörper (10) abgekehrten Oberseite mit einer Öffnung (4ia) versehen ist (Fig. 8).
  14. 14. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Berandung (40, 41) aus einem isolierenden Material besteht.
  15. 15. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Berandung (40,'41) aus einem Metall besteht.
  16. 16. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Berandung (40, 41) aus einer Kombination von Metall und Isoliermaterial, beispielsweise aus eloxiertem Aluminium, besteht.
  17. 17. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Berandung (40, 41) mit mindestens einem weiteren Kühlkörper in Wärmekontakt gebracht ist.
  18. 18. Schaltunganordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzaichnet, daß die Leiterbahnen (2, 3, 4, 5, .69 7, 8, 9) mindestens . teilweise mit einer von flüssigem Lot nicht benetzbaren Schutzschicht (42) bedeckt sind, und daß von dieser Schutzschicht (42) mindestens zum Anlöten der Anschlußleiter (22, 23) der diskreten elektrischen Bauelemente (21) und zum Anbringen des Halbleiterkörpers (1C) und seiner elektrischen Anschlüsse dieflende Flächen freigelassen werden (Fig. 7).
  19. 19. Schaltunganordnung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (42) aus einem Lack besteht.
  20. 20. Schaltungsanordnung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (42) aus Lötstoplack besteht.
  21. 21. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterbahnen (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 5) mindestens teilweise mit einer korrosionsbeständigen metallischen Schutzschicht bedeckt sind.
  22. 22. Schaltungsanordnung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht aus Wickel oder Silber oder Gold besteht.
  23. 23. Schaltungsanerdnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die den Halbleiterkörper (10) tragende Leiterbahn (2) im Vergleich zu den anderen Leiterbahnen (3, 4, 5, 6, 7, 8, 9) grcßflächig ausgebildet ist (Fig. 1, Fig. 2 und Fig. 3).
  24. 24. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die den Haibleiterkörper (10) tragende Leiterbahn (2) mit einer Lotschicht (26) belegt ist (Fig. 5).
  25. 25. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das die Leiterpiatte (1) bildende, aus Kunststoff bestehende Substrat in seinem Innern mit einem gut wärmeleitenden Füllstoff versehen Ist.
  26. 26. Schaltungsanordnung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff ein aus einem Metalldraht bestehendes Gewebe ist.
  27. 27. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die den Haibleiterkörper (10) tragende Leiterbahn (2) mit mindestens einem weiteren Kühlkörper (28, 29) in Wärmekontakt gebracht ist (Fig. 4).
  28. 28. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3 oder 4 und nach den Ansprüchen 5 und 23, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (10) am Rande der großflächig ausgebildeten Leiterbahn (2) angebracht ist und daß die mit seinen metallischen Anschlußkontakten (11, 12, 13) elektrisch leitend verbundenen Leiterbahnen (3, 4, 5) von einer Seite her an die den Halbleiterkörper (10) tragende Leiterbahn (2y herangeführt sind (Fig. 4) 29. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3 oder 4 und nach den Ansprüchen 5 und 23, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (10) auf einen seitlich vorspringenden Teil (2a) der groPflächig aufgebildeten Leiterbahn (2) aufgebracht ist und daß die mit den metallischen Anschlußkontakten (11, 12, 13, 14, 15, 16, 47) des Halbleiterkörpers (10) elektrisch leitend.
  29. verbundenen Leiterbahnen (3, 4, 55 6. 7, 8, 9) von drei Seite her an den den Halbleiterkörper (10) tragenden Vorsprung (2a) herangeführt sind (Fig. 2).
  30. 30. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3 oder 4 und nach den Ansprüchen 5 und 23, dadurch gekennzeichnet, daß die großflächig ausgebildete Leiterbahn v2' an der Stelle, wo sie den Halbleiterkörper (10) trägt, als schmaler Verbindungssteg (2b) zweier großflächiger Teilbereiche (2c, 2d) ausgebildet ist und daß die mit den metallischen Anschlußkontalußkontakten (11, 12, 13, 14, 15) des Halbleiterkörpers (10) elektrisch leitend verbundenen Leiterbahnen (3, 4, 5, 6, 7) von zwei Seiten her an diesen Verbindungssteg (2b) herangeführt sind (Fig. 3).
  31. 31. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß alle außer dem Halbleiterkörper (o) vorgesehenen diskreten elektrischen Bauelemente (21) an einer'der beiden Oberflächenseiten der Leiterpiatte (1) angebracht sind, daß die zugehörigen Leiterbahnen (18, 3 bzw. 18, 3' ) an der gegenüberliegenden Oberflächenseite der Leiterplatte (1) angebracht sind, daß die Anschlußleiter (22, 23) der diskreten elektrischen Bauelemente (2'\) durch Bohrungen (22', 23') hindurchgeführt sind, die sowohl die Leiterplatte (1) als auch die diesen Anschlußleitern (22, 25) zugeordneten Leiterbahnen (18, 3 bzw. 48, 3') durchdringen, und daß diese Anschlußleiter (22, 23) mit den ihnen zugeordneten Leiterbahnen (18, 3 bzw.
    18, 3') verlötet sind (Fig. 4 und Fig. 5).
  32. 32. Schaltungsanordnung nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet.
    daß der Halbleiterkörper (o) an der den diskreten elektrischen Bauelementen (21) gegenüberliegender Oberflächenseite der Leiterplatte (1), die sämtliche Leiterbahnen (2, 3, 8) trägt, angebracht ist (Fig. 4).
  33. 33. Schaltungsanordnung nach Anspruch 31,dadurch gekennzeichnet, daß beide Oberflächenseiten der Leiterplatte (<) mit Leiterbahnen versehen sind, daß der Halbleiterkörper (10) an derwenigen Oberflächenseite der Leiterplatte (4) angebracht ist, an der die diskreten elektrischen Bauelemente (21) unterangebracht sind, und daß die mit den Anschlußkontakten (11) des Halbleiterkörpers (10) elektrisch leitend verbundenen Leiterbahnen (3) der einen Oberflächenseite mit den zugehörigen Leiterbahnen (3') der anderen Oberflächenseite über Durchkontaktierungen (24) verbunden sind (Fig. 5 und Fig. 5a), 34. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1, 5, 9 und 31, dadurch gekennzeichnet, daß auf die mit den Leiterbahnen und mit den Bohrungen (22', 23') versehene Leiterplatte (1) zuerst der an einer Oberflächenseite bereits mit Anschlußkontakten (11, 12, 13, 14, 15, 16, 17) versehene Halbleiterkörper (10) aufgebracht wird, daß diese Anschlußkotakte dann mit den ihnen zugeordneten Leiterbahnen (3, 4, 5, 65 7, 8, 9) elektrisch leitend verbunden werden, ca'2> anschließend auf den Halbleiterkörper (40) und seine elektrischen Anschlüsse die Abdeckung (20) aufgebracht wird, daß hierauf sämtliche diskreten elektrischen Bauelemente (24) mit ihren Anschlußleitern (22, 23) von derjenigen Oberflächenseite der Leiterplatte (1) her, die den ihnen zugeordneten Leiterbahnen (18, 3 bzw. 18, 3') gegenüberliegt, in die Bohrungen (22', 23') gesteckt werden und daß dann diese Anschlußleiter (22, 23) mit den ihnen zugeordneten Leiterbahnen (18, 3 bzw.
  34. 48, 3') dadurch verlötet werden, daß die gesamte Änordnung über ein Lötbad geführt wird (Fig. 4 , Fig. 5 und Fig. 5a).
  35. 35. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltungsanord nung nach den Ansprüchen 1, 5 und 33, dadurch gekennzeichnet, daß auf die mit den teiterbahnen, den Durchkontaktierungen (24) und den Bohrungen (22', 23') versehene Leiterplatte (1) zuerst der-an einer Oberflächenseite bereits mit Anschlußkontakten (11, 12, 13, 44, 15, 16, 17) versehene Halbleiterkörper (io) aufge bracht wird, daß diese Anschlußkontakte dann mit den ihnen zugeordneten Leiterbahnen elektrisch leitend verbunden werden, daß anschließend sämtliche diskreten elektrischen Bauelemente (21) mit ihren Anscblußleitern (22, 23) von derjenigen Oberflächenseite der Leiterplatte (1) her, die den Halbleiterkörper (10) trägt, in die Bohrungen (221, 23') gesteckt werden und daß dann diese Anschlußleiter (22,23) mit den ihnen zugeordneten Leiterbahnen (18, 5') dadurch verlötet erden, daß die gesamte Anordnung über ein Lötbad geführt wird (Fig. 5 und Fig. 5a).
  36. 36. Verfahren nach Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (10) und seine elektrischen Anschlüsse nach den Anlöten der diskreten Bauelemente (21) mit der Abdeckung (20) versehen wird.
    L e e r s e i t e
DE2226395A 1972-03-23 1972-05-31 Elektrische schaltungsanordnung Pending DE2226395A1 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2226395A DE2226395A1 (de) 1972-05-31 1972-05-31 Elektrische schaltungsanordnung
US337742A US3919602A (en) 1972-03-23 1973-03-02 Electric circuit arrangement and method of making the same
SE7304071A SE395200B (sv) 1972-03-23 1973-03-22 Elektrisk kopplingsanordning och sett for dess framstellning
IT22000/73A IT987041B (it) 1972-03-23 1973-03-22 Dispositivo elettrico circuitale a semiconduttori e procedimento per la sua fabbricazione
NL7304025.A NL166362C (nl) 1972-03-23 1973-03-22 Elektrische schakeling, omvattende een geleiderplaat bestaande uit een isolerend substraat met een daarop aangebracht geleiderpatroon van geleidende banen, en ten minste een op de geleiderplaat aangebracht halfge- leiderelement, waarvan ten minste een metalen aansluit- contact door middel van een verbindingsorgaan is ver- bonden met een van de geleidende banen, waarbij ten minste het halfgeleiderelement en de verbindingsorga- nen zijnelektrische schakeling, omvattende een geleiderplaat bestaande uit
GB1375673A GB1428701A (en) 1972-03-23 1973-03-22 Electrical circuit arrangements
FR7310642A FR2177106B1 (de) 1972-03-23 1973-03-23
JP48033390A JPS4913666A (de) 1972-03-23 1973-03-23
US428910A US3885304A (en) 1972-03-23 1973-12-27 Electric circuit arrangement and method of making the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2226395A DE2226395A1 (de) 1972-05-31 1972-05-31 Elektrische schaltungsanordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2226395A1 true DE2226395A1 (de) 1973-12-13

Family

ID=5846373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2226395A Pending DE2226395A1 (de) 1972-03-23 1972-05-31 Elektrische schaltungsanordnung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2226395A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3305167A1 (de) * 1983-02-15 1984-08-16 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Elektrische schaltungsanordnung mit einer leiterplatte
US6222732B1 (en) 1991-09-21 2001-04-24 Robert Bosch Gmbh Electrical device, in particular a switching and control unit for motor vehicles
US6377462B1 (en) 2001-01-09 2002-04-23 Deere & Company Circuit board assembly with heat sinking
WO2015039795A1 (de) * 2013-09-18 2015-03-26 Zf Friedrichshafen Ag Vorrichtung und verfahren zum herstellen einer vorrichtung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3305167A1 (de) * 1983-02-15 1984-08-16 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Elektrische schaltungsanordnung mit einer leiterplatte
US6222732B1 (en) 1991-09-21 2001-04-24 Robert Bosch Gmbh Electrical device, in particular a switching and control unit for motor vehicles
EP0558712B2 (de) † 1991-09-21 2010-04-07 Robert Bosch Gmbh Elektrisches gerät, insbesondere schalt- und steuergerät für kraftfahrzeuge
US6377462B1 (en) 2001-01-09 2002-04-23 Deere & Company Circuit board assembly with heat sinking
WO2015039795A1 (de) * 2013-09-18 2015-03-26 Zf Friedrichshafen Ag Vorrichtung und verfahren zum herstellen einer vorrichtung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102017220175A1 (de) Platinentechnologie für leistungselektronische Schaltungen
DE2247902A1 (de) Gedruckte schaltungsplatte und verfahren zu deren herstellung
EP1716595A2 (de) Halbleiterbauteil mit einem stapel aus halbleiterchips und verfahren zur herstellung desselben
DE102006003137A1 (de) Elektronikpackung und Packungsverfahren
WO2012034752A1 (de) Trägersubstrat für ein optoelektronisches bauelement, verfahren zu dessen herstellung und optoelektronisches bauelement
EP0338447A2 (de) Vorrichtung zur Wärmeabfuhr von Bauelementen auf einer Leiterplatte
DE102004021054A1 (de) Halbleiterbauelement
WO2015104072A9 (de) Leiterplatte, schaltung und verfahren zur herstellung einer schaltung
EP1276357A2 (de) Leiterplatte für elektrische Schaltungen
DE1912045A1 (de) Halterungsanordnung fuer ein Halbleiterbauelement
DE102008058003B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls und Halbleitermodul
DE69734426T2 (de) Filmkapazität und Halbleiterpackung oder Anordnung damit
DE60130412T2 (de) System und Verfahren zur Erzeugung von Hochspannungswiderstandsfähigkeit zwischen den nachgiebigen Stiften eines Steckverbinders mit hoher Kontaktdichte
DE4415375A1 (de) Filmträger und Verfahren zu dessen Herstellung
DE60211628T2 (de) Zusammengesetzte elektronische bauteile
DE2226395A1 (de) Elektrische schaltungsanordnung
DE3930858C2 (de) Modulaufbau
DE1564066A1 (de) Verfahren zum Herstellen elektrischer Kontakte auf der Oberflaeche elektronischer Bauelemente
EP0030335A2 (de) Elektrische Leiterplatte
DE112017006956B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitervorrichtung und Leistungshalbleitervorrichtung
DE2214163A1 (de) Elektrische schaltungsanordnung
EP2260511B1 (de) Bauelementanordnung und verfahren zur herstellung einer bauelementanordnung
DE2650348A1 (de) Elektrische schaltungsanordnung
DE102016101652A1 (de) Optoelektronisches Bauelement mit Seitenkontakten
EP0278485B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Digitalisiertabletts

Legal Events

Date Code Title Description
OHW Rejection