DE3037895A1 - Verfahren zum programmieren eines elektrisch veraenderbaren nicht-fluechtigen halbleiterspeichers, der fuer zellengruppen loeschbar ist - Google Patents
Verfahren zum programmieren eines elektrisch veraenderbaren nicht-fluechtigen halbleiterspeichers, der fuer zellengruppen loeschbar istInfo
- Publication number
- DE3037895A1 DE3037895A1 DE19803037895 DE3037895A DE3037895A1 DE 3037895 A1 DE3037895 A1 DE 3037895A1 DE 19803037895 DE19803037895 DE 19803037895 DE 3037895 A DE3037895 A DE 3037895A DE 3037895 A1 DE3037895 A1 DE 3037895A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cells
- row
- cell
- programming
- semiconductor memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 238000012217 deletion Methods 0.000 claims description 7
- 230000037430 deletion Effects 0.000 claims description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 19
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
- G11C16/0433—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and one or more separate select transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT7926306A IT1209430B (it) | 1979-10-08 | 1979-10-08 | Metodo di programmazione per una memoria a semiconduttore nonvolatile elettricamente alterabile del tipo cancellabile per gruppi di celle. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3037895A1 true DE3037895A1 (de) | 1981-04-16 |
Family
ID=11219192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19803037895 Withdrawn DE3037895A1 (de) | 1979-10-08 | 1980-10-07 | Verfahren zum programmieren eines elektrisch veraenderbaren nicht-fluechtigen halbleiterspeichers, der fuer zellengruppen loeschbar ist |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3037895A1 (https=) |
| FR (1) | FR2467463A1 (https=) |
| GB (1) | GB2061651B (https=) |
| IT (1) | IT1209430B (https=) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0108681A3 (en) * | 1982-11-04 | 1986-10-15 | FAIRCHILD CAMERA & INSTRUMENT CORPORATION | Bit erasable electrically erasable programmable read only memory |
| US5268319A (en) | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
| US7447069B1 (en) | 1989-04-13 | 2008-11-04 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
| DE69024086T2 (de) | 1989-04-13 | 1996-06-20 | Sundisk Corp | EEprom-System mit Blocklöschung |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3824564A (en) * | 1973-07-19 | 1974-07-16 | Sperry Rand Corp | Integrated threshold mnos memory with decoder and operating sequence |
-
1979
- 1979-10-08 IT IT7926306A patent/IT1209430B/it active
-
1980
- 1980-08-06 GB GB8025617A patent/GB2061651B/en not_active Expired
- 1980-09-19 FR FR8020186A patent/FR2467463A1/fr active Granted
- 1980-10-07 DE DE19803037895 patent/DE3037895A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2061651A (en) | 1981-05-13 |
| GB2061651B (en) | 1984-02-08 |
| IT1209430B (it) | 1989-07-16 |
| IT7926306A0 (it) | 1979-10-08 |
| FR2467463A1 (fr) | 1981-04-17 |
| FR2467463B1 (https=) | 1984-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3036375A1 (de) | Verfahren zum programmieren eines elektrisch veraenderbaren nicht-fluechtigen halbleiterspeichers | |
| DE3851479T2 (de) | Speicherzelle einer nichtflüchtigen Halbleiter-Speicheranordnung. | |
| DE4028575C2 (de) | Speicheranordnung mit einer Vielzahl elektrisch programmier- und löschbarer Speicherzellen | |
| DE2828855C2 (de) | Wortweise elektrisch umprogrammierbarer, nichtflüchtiger Speicher sowie Verfahren zum Löschen bzw. Einschreiben eines bzw. in einen solchen Speicher(s) | |
| EP0916138B1 (de) | Verfahren zum betrieb einer speicherzellenanordnung | |
| DE69429264T2 (de) | Byte-löschbares EEPROM, das mit einem mit einer einzigen Stromversorgung versehenen Flash-EPROM-System kompatibel ist | |
| DE69624780T2 (de) | Nichtflüchtiger elektrisch veränderbarer halbleiterspeicher für analoge und digitale speicherung | |
| DE4035660C2 (de) | Elektrisch programmierbare Speichereinrichtung und Verfahren zum Zugreifen/Programmieren von Speicherzellen | |
| DE3839114C2 (de) | Nichtflüchtige programmierbare Halbleiterspeicheranordnung | |
| DE3876865T2 (de) | Elektrisch loeschbarer und programmierbarer nur-lese-speicher. | |
| DE3121753C2 (https=) | ||
| DE69424927T2 (de) | Datenleseverfahren in Halbleiterspeicheranordnung geeignet zum Speichern von drei- oder mehrwertigen Daten in einer Speicherzelle | |
| DE69618302T2 (de) | Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Steuerung | |
| DE2632036C2 (de) | Integrierte Speicherschaltung mit Feldeffekttransistoren | |
| DE69125692T2 (de) | Nichtflüchtiger Halbleiter-Speicher | |
| DE3874455T2 (de) | Nichtfluechtiger halbleiterspeicher. | |
| DE2601622A1 (de) | Programmierbarer und loeschbarer festwertspeicher | |
| DE2742526A1 (de) | Elektrisch programmierbarer mos- festwertspeicher | |
| DE3850482T2 (de) | Elektrisch löschbarer und programmierbarer Festwertspeicher mit Stapelgatterzellen. | |
| DE2743422A1 (de) | Wortweise loeschbarer, nicht fluechtiger speicher in floating-gate-technik | |
| DE3113595A1 (de) | "elektrisch loesch- und programmierbarer transistor" | |
| DE4018118A1 (de) | Programmierbarer nand-zellentyp-festwertspeicher mit gemeinsamer steuergate-treiberschaltung | |
| DE3831538A1 (de) | Nichtfluechtiger halbleiter-speicher mit nand-zellenstruktur | |
| DE69305986T2 (de) | Schaltungsstruktur für Speichermatrix und entsprechende Herstellungsverfahren | |
| DE2650574A1 (de) | Speicher |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: SCHMITT-NILSON, G., DIPL.-ING. DR.-ING. HIRSCH, P. |
|
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |