DE3028778C2 - Decodiereinrichtung - Google Patents
DecodiereinrichtungInfo
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- G11C—STATIC STORES
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Description
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Die Erfindung betrifft eine Decodiereinrichtung, bestehend aus Decodergattern und diesen nachgeschalteten Halteschaltungen, die die jeweiligen Decoderaus-
gänge auf definierte Ausgangspotentiale halten.
In hochintegrierten MOS-Speicherbausteinen müssen die einzelnen Speicherzellen mit möglichst kleinem
Flächenbedarf ausgelegt werden. Dies führt dazu, daß die notwendigen Aussteuerleitungen für die Zellen
(Wortleitungen, Bitleitungen) in sehr engem Raster anzuordnen sind.
Um während der Speicheroperation Störsignale auf diesen Leitungen auszuschließen, müssen die Ausgänge
des Wortdecoders (Wortleitungen) bzw. die Ausgänge des Bitdecoders (Bit-Schalter) auf ein festes Bezugspotential gelegt werden. Dieses Bezugspotential ist bei
ausgewählten Leitungen die Betriebsspannung, bei nicht ausgewählten das Massepotential. Da die hierzu nötigen
Schaltungen (Treiberschaltungen, Halteschaltungen) aus mehreren Bauelementen aufgebaut sind (Transistoren, Kondensatoren), lassen sie sich im allgemeinen
nicht im gewünschten, engen Leitungsraster der
Das Zellenfel'draster muß daher aufgeweitet werden,
um den notwendigen Platz für eine störsichere Halteschaltung zu schaffen. Eine solche Halteschaltung
ist die sogenannte »zurückgekoppelte Niederhalteschaltung« (DE-AS 23 24 300) mit flip-flop-artiger Struktur.
In F i g. 1 ist ein Decodergatter 1 dargestellt, dem eine
solche Halteschaltung 2, bestehend aus einem Schalttransistor und der rückgekoppelten Niederhalteschaltung nachgeschaltet ist Sein Platzaufwand ist nicht
unbeträchtlich, da es pro Leitung drei Bauelemente (Flip-Flop aus zwei Transistoren und ein weiterer
Transistor) mit der die Flip-Flop-Struktur ergebenden kreuzkoppelnden Leitungsführung benötigt
Diese kreuzkoppelnde Leitungsfuhrung läßt sich nur
-.n einem zusätzlichen Leitungsschacht unterbringen.
Außerdem muß das Flip-Flop über die ausgewählte Leitung umgeworfen werden, was bei langen, widerstandsbehafteten Leitungen zu Geschwindigkeitsverlusten bei der Speicheroperation führt
Eine vom Platzaufwand her günstigere Lösung ist in der DE-OS 23 31 442 gezeigt Bei der Halteschaltung
wird ein Quertransistor zwischen Decodergatter und Decoderausgangsleitung benützt Diese Lösung bietet
jedoch weniger Sicherheit, da die nicht ausgewählten € Leitungen relativ hochohmig (Serienschaltung dreier
' Transistoren) sin Masse geklemmt werden und die
ausgewählten Leitungen bei ungünstigen Flankensteilheiten des Auswahltaktes nicht den geforderten Pegel
erreichen können. Außerdem wird der Quertransistor
am Ende des Speicheraufrufs, wenn der Decoderauswahltakt WA abgeschaltet wird, unwirksam. Die
Leitungen können danach frei »schwimmen«.
Eine andere Lösung wie in der DE-OS 24 43 490 gezeigt, benützt ebenfalls nur einen Haltetransistor pro
Decoderausgang. Da er jedoch nicht vom Decodergatter her, sondern durch einen eigenen Takt S3 gesteuert
wird, läßt er sich; ohne großen Verdrahtungsaufwand auf
engerem Platz als die oben beschriebene Schaltung unterbringen. Der Ansteuertakt 53 ist für alle
Haltetransistoren und damit sowohl für ausgewählte als auch nichtausgewählte Decoderausgänge gemeinsam.
Nachteilig bei dieser Lösung wirkt sich aus, daß sowohl die nichtausgewählten als auch die ausgewählten
Leitungen hochohmig (Ansteuertakt 53 auf niedrigem Potential) während der Speicheroperation an Masse
geklemmt sind. Dies führt dazu, daß im Falle der Nichtauswahl schnelle Störungen nicht abgeblockt, im
Falte der Auswahl die Leitungen durch einen Gleichstrom belastet werden (Geschwindigkeit Verlustleistung).
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Decodiereinrichtung zu schaffen, die es erlaubt, auch
platzaufwendigi: Halteschaltungen auf engstem Raum unterzubringen.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird die Decodiereinrichtung derart ausgebildet, daß für η Spaten bzw. für π
Zeilen einer gpcichermatrix jeweils nur-Wortdecodergatter bzw.- Bitdecodergatter vorgesehen sind, daß
jedem dieser Decodergatter zwei Halteschaltungen zugeordnet sind, zu deren Decodierung die freigewordenen Adressen als Wortauswahltakte dienen, und daß
auf dem jeweiligen Chip nach jedem Decodergatter ein Schacht für Verdrahtungszwecke der Halteschaltungen
freigelassen ist.
Durch diese Maßnahmen ist nur noch pro zwei Wortleitungen ein Verdrahtungsschacht erforderlich,
wodurch die Zahl der Verdrahtungsschächte halbiert
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und damit das Platzangebot vergrößert wird. Dadurch
können selbst platzaufwendige Halteschaltungen untergebracht werden, ohne daß das Leitungsraster allzu
stark aufgeweitet werden muß.
Eine vorteilhafte Halteschaltung ist dabei derart ausgebildet, daß sie aus einem volldynamisch arbeitenden
Inverter für das decodierte Signal und je mindestens zwei Schalttransistoren, die von je einem Wortauswahltakt
angesteuert sind sowie je einem zwischen Schalttransistorausgang und Masse liegenden Haltetransistor
besteht, und daß die Torelektroden der Haltetransistoren über eine gemeinsame Leitung mit
dem Ausgang des Inverters verbunden sind. Der Inverter besteht dabei aus zwei in Reihe geschalteten
Transistoren, von denen die Torelektrode des einen von einem ersten Takt PR und die Torelektrode des anderen
über einen dritten Transistor 73 von einem aus der abfallenden Flanke des Decodersignals gewonnenen
zweiten Taktsignal angesteuert wird.
Dieses Signal ist bei heutigen Bausteinen in den Peripherieschaltungen immer vorhanden, da es zur
Ansteuerung der Wortauswahl-Flanke notwendig ist Der Inverter besteht aus insgesamt drei Transistoren
und läßt sich bei entsprechender Organisation der Decoder platzsparender als ein »Quiet-Word«-F!ip-Flop
auslegen. Da der Halteschalter bereits bei Beginn des Wortauswahltakts gesetzt ist, tritt nicht wie beim
»Quiet-Word«-Flip-FIop ein Geschwindigkeitsverlust auf der Wortleitung ein.
Eine weitere vorteilhafte Halteschaltung kann auch derart ausgebildet sein, daß der Inverter aus einer
UN D-Verknüpfung besteht, der das decodierte Signal und ein von der Decoderentladung getastetes Taktsignal
zugeführt ist
Dabei kann die UN D-Verknüpfung aus nur einem Transistor bestehen, dessen Torelektrode das decodierte
Signal und dessen Senkenelektrode ein Taktsignal zugeführt ist
Diese Halteschaltung weist noch weniger Transistoren auf, als die vorhergehende und ist daher noch
platzsparender. Auch bei dieser Schaltung wird die Anstiegsflanke des Wortleitungssignals nicht beeinflußt.
Anhand der Fig.2 sowie der Ausführungsbeispiele nach den F i g. 3 bis 8 wird die Erfindung näher erläutert
Es zeigt
F i g. 1 ein herkömmliches Decodergatter mit einer nachgeschalteten nach dem Prinzip der rückgekoppelten
Niederhalteschaltung in Flip-Flop-Struktur aufgebauten Halteschaltung,
F i g. 2 eine herkömmliche Decodiereinrichtung, bei der jedem Decodergatter eine eigene Halteschaltung
nachgeschaltet ist,
F i g. 3 eine Decodiereinrichtung nach der Erfindung, bei der jedem Decodergatter zwei Halteschaltungen
nachgeschaltet sind,
F i g. 4 eine modifizierte rückgekoppelte Niederhalteschaltung,
Fig.5 eine erste Halteschaltung nach der Erfindung,
Fig.6 das Taktdiagramm für die Anordnung nach
Fig. 5,
Fi gä 7 eine zweite Halteschaltung nach der Erfindung,
F i g. 8 das Taktdiagramm nach einer Anordnung nach F i g. 7.
F i g. 2 zeigt zwei von π Decodergattern herkömmlieher
Art mit jeweils riachgeschalteten Halteschaltungen 2. Jedem der Decodergatter sind η Adreß-Signale
entSDrechend der Anzahl der Decodiertransistoren
55
60 zugeführt. Die jeweiligen Wortleitungen WLq bis WLn
sind an die Sßnkenelektroden der SchalttransistGren S geführt
Eine erfindungsgemäße Decodiereinrichtung zeigt F i g. 3. Den einzelnen Decodergattern 1 sind dabei nur
noch (n—\) Adreß-Signale zugeführt und jedem der Decodergatter sind zwei Halteschaltungen nachgeschaltet
Den Decodergattern werden jetzt zwei Wortauswahltakte WAo und WA\ zugeführt, die zugleich
von der jeweils η-ten Adresse und deren Komplement dazu angesteuert werden. Bei gleicher
Anzahl der Wortleitungen halbiert sich damit die Anzahl der Decodergatter. Nach jedem Decodergatter
wird außerdem ein Verdrahtungskanal freigehalten, der jeweils für die kreuzkoppelnden Leitungen der beiden
Halteschaltungen gemeinsam ist Dadurch halbiert sich auch die Zahl der erforderlichen freizuhaltenden
Verdrahtungsschächte.
Durch diese platzsparende Ausführung ist es möglich, auch modifizierte rückgekoppelte Niederhalteschaltungen
zu verwenden, die für zwei Wortle-ungen anstelle
von sechs fünf Transistoren aufweisen, so uaT>
für jeweils zwei Wortleitungen ein Transistor eingespart wird. Die
Rückführung dieser modifizierten Flip-Flops erfolgt dabei in dem vorgesehenen freigehaltenen Leitungssehacht
E'«i solches Flip-Flop ist in F i g. 4 dargestellt Über einen Transistor 7*4 mit dem Steuertakt PR wird
die Spannung VDD an die Senkenelektrode zweier Transistoren TS und Ti geführt, die zugleich mit den
Torelektroden zweier weiterer Transistoren 7*5 und 7*7 verbunden sind. Alle vier Transistoren liegen quellenseitig
an Masse und die Wortleitungen sind jeweils mit den Senkenelektroden der Transistoren 7*5, Tl und den
Torelektroden der Transistoren 7*6 und TS verbunden.
Durch diese Ausgestaltung wird für jeweils zwei Wortleitungen nur eine Flip-Flop-Rückführung benötigt
Eine vereinfachte Halteschaltung ist in F i g. 5 gezeigt Dem Decoder 1, dem (n-1)-Adressen zugeführt sL-id,
ist ein Inverter, der aus zwei Transistoren Ti, 7*2 besteht, wobei der zweite Transistor T2 über einen
dritten Transistor 7*3 mit dem decodierten Signal angesteuert wird, nachgeschaltet Der Inverterausgang
führt an die Torelektroden zweier Haltetransistoren H, deren Quellenelektroden an Masse und deren Senkenelektroden
mit den Wortleitungen WLo und WLi
verbunden sind. Die Quellenelektroden zweier Schalttransistoren 5 sind ebenfalls mit den Wortleitungen
IVLo und VVLi verbunden, während an deren Senkenelektroden
die Wortauswahltakte WA0 und WA\ geführt werden, die wiederum von der noch verbleibenden
Adresse AN bzw. AN gesteuert werden. Das decodierte Signal wird außerdem über zwei weitere
Transistor e-i T9, TiO an die Torelektroden der
Schalttransistoren 5 geführt Die vorgeschlagene Halteschaltung 2 besteht somit aus einem volldynamisch
arbeitenden Inverter mit einem Taktsignal WDK, das aus der abfallenden Flanke der Decoderentladung
gewonnen wird.
Das zugehörige Tdktdiagramm ist aus F i g. 6 zu
entnehmen. Die strichlierte Linie zeigt den Verlauf bei
Adressierung.
Eine weitere Möglichkeit der Ausbildung der Halteschaltung 2 ist in F i g. 7 gezeigt. Sie unterscheidet
sich von der Anordnung nach F i g. 5 lediglich im Aufbau des Inverters, der im vorliegenden Fall aus einer
volldynamisch arbeitenden UND-Verknüpfung zwischen dem decodierten Signal DEC und einem
komplementären Takt WDK sowie einem Haltetransistor H pro Schalttransistor 5 besteht. Für die richtige
Funktion der Halteschaltung muß die abfallende Flanke des komplementären Taktes WDK von der Decoderentladung
gesteuert werden.
Da der Inverter nur aus einem Transistor besteht, läßt sich diese Halteschaltung noch platzsparender als die
vorhergehende Schaltung auslegen. Wie bei der vorhergehenden Schaltung wird die Anstiegsflanke des
Wortleitungssignals WL nicht beeinflußt.
Der zeitliche Verlauf der einzelnen Takte ist aus dem Taktdiagramm nach Fig. 8 zu entnehmen. Dabei stellt
die strichlierte Linie den Verlauf bei vorhandener Adressierung dar.
Die Decoderorganisation nach der Erfindung und die entsprechenden Halteschaltungen sind anhand von
Wortdecodern beschrieben, die lassen sich aber analog und sinngemäß auf Bitdecoder anwenden. Die Anordnung
nach der Erfindung läßt sich bei allen bekannten Technologien, z. B. AL-Gate, SI2-Gate. V-MOS und
dergleichen durchführen.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Decodiereinrichtung, bestehend aus Decodergattern und diesen nachgeschalteten Halteschaltun-
gen, die die jeweiligen Decoderausgänge auf definierte Ausgangspotentiale halten, dadurch
gekennzeichnet, daß für η Spalten bzw. für π
Zeilen einer Speichermatrix jeweils nur-Wortdecodergatter bzw.- Bitdecodergatter vorgesehen
sind, daß jedem Tlieser Decodergatter (1) zwei
Halteschaltungen (2) zugeordnet sind, zu deren Decodierung die freigewordenen Adressen (AN,
AN') als Wortauswahltakte dienen, und daß auf dem jeweiligen Chip nach jedem Decodergatter (1) ein
Schacht für Verdrahtungszwecke der Halteschaltungen (2) freigelassen ist.
2.
Decodiereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Halteschaltung aus einem volldynamisch arbeitenden Inverter für das decodierte Signa*und je mindestens zwei Schalttransistoren (S), die von je einem Worlauswahkakl (WA i,
WA 2) angesteuert sind sowie je einem zwischen Schalttransistorausgang und Masse liegenden Haltetransistor (H) besteht und daß die Torelektroden der
Haltetransistoren (H)öber eine gemeinsame Leitung mit dem Ausgang des Inverters verbunden sind.
3. Decodiereinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Inverter aus drei Transistoren besteht, und daß der Inverter von einem aus der
abfallenden Flanke des Signals bei Decoderentladung gewonnenen Taktsignal angesteuert wird.
4. Decodiereinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Inverter aus einer UND-Verknüpfung besteht, der das dfcodierte Signal und 3s
ein von der Decoderentladung getastetes Taktsignal zugeführt ist
5. Decodiereinrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die UN D-Verknüpfung aus nur
einem Transistor (T4) besteht, dessen Torelektrode das decodierte Signal (DEQund dessen Senkenelektrode das komplementäre Taktsignal (WDK) zugeführt ist
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803028778 DE3028778C2 (de) | 1980-07-29 | 1980-07-29 | Decodiereinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803028778 DE3028778C2 (de) | 1980-07-29 | 1980-07-29 | Decodiereinrichtung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3028778A1 DE3028778A1 (de) | 1982-02-18 |
DE3028778C2 true DE3028778C2 (de) | 1983-06-16 |
Family
ID=6108397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803028778 Expired DE3028778C2 (de) | 1980-07-29 | 1980-07-29 | Decodiereinrichtung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3028778C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3028788A1 (de) * | 1979-08-02 | 1981-02-05 | Nissan Motor | Hubkolbenmaschine mit innerer verbrennung |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5979488A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-08 | Nec Corp | Mosメモリ回路 |
US4514829A (en) * | 1982-12-30 | 1985-04-30 | International Business Machines Corporation | Word line decoder and driver circuits for high density semiconductor memory |
JPS60195797A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置の冗長回路 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2443490A1 (de) * | 1974-09-11 | 1976-03-25 | Siemens Ag | Schalter aus mos-transistoren |
-
1980
- 1980-07-29 DE DE19803028778 patent/DE3028778C2/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3028788A1 (de) * | 1979-08-02 | 1981-02-05 | Nissan Motor | Hubkolbenmaschine mit innerer verbrennung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3028778A1 (de) | 1982-02-18 |
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