DE2851825C2 - Integrierte Halbleiterschaltung mit MIS-Feldeffekttransistoren - Google Patents

Integrierte Halbleiterschaltung mit MIS-Feldeffekttransistoren

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Siemens AG
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4012370A1 (de) * 1989-04-18 1990-10-25 Mitsubishi Electric Corp Busschaltkreis und betriebsverfahren hierfuer

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6041364B2 (ja) * 1980-08-29 1985-09-17 富士通株式会社 出力バッファ回路
JPS5833739A (ja) * 1981-08-21 1983-02-28 Toshiba Corp バスライン駆動回路
DE3217264A1 (de) * 1982-05-07 1983-11-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierter impulsformer
JPS594223A (ja) * 1982-06-30 1984-01-11 Fujitsu Ltd クロツク発生回路

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4071783A (en) * 1976-11-29 1978-01-31 International Business Machines Corporation Enhancement/depletion mode field effect transistor driver

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4012370A1 (de) * 1989-04-18 1990-10-25 Mitsubishi Electric Corp Busschaltkreis und betriebsverfahren hierfuer

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