DE2828332B2 - Eleklrochrome Schicht mit erhöhter Kristallisationsbeständigkeit - Google Patents
Eleklrochrome Schicht mit erhöhter KristallisationsbeständigkeitInfo
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- G02F1/1524—Transition metal compounds
Description
Die Erfindung betrifft eine elektrochrome Schicht mit erhöhter Kristallisationsbeständigkeit welche die elektrochromen Oxide WOi und/oder MOO3 enthält.
In elektrochromen (EC) Anordnungen besteht die aktive Schicht aus Oxiden polyvalenter Übergangsmetalle, z. B. amorphem WOi oder MoOj oder Mischungen
beider Oxide (DE-AS 15 89 429). Sie können zur elektrischen Steuerung von Transmission oder Reflexion eingesetzt werden, weil die elektrisch induzierte
optische Absorption, deren Maximum im nahen IR (~IOOOnm) liegt, auch im sichtbaren Spektralbereich
noch sehr hoch sein kann. Mit zunehmender Kristallinitat der aktiven Schicht wandert das Absorptionsmaximum ins fernere IR, und die im Sichtbaren wahrnehmbaren optischen Wirkungen werden immer schwächer.
Elektrochrome Schichten können auf unterschiedliche Weise, wie z. B. Hochvakuumverdampfung, Kathodenzerstäubung, pyrolytische oder hydrolytische Reaktionen erzeugt werden.
Amorphe WOj- oder MoOj-Schichten oder WO3-MoOj-Mischscnichten kristallisieren beim Tempern, da
die freie Energie des kristallinen Zustande kleider ist als
die des amorphen. Die Kristallisationstemperatur der Schicht ist also ein Maß für ihre Beständigkeit gegen
Kristallisation. Auch der normale elektrooptische Betrieb eines EC-Systems führt zu Kristallbildung und
-wachstum in der aktiven Schicht, weil die Wanderung von Ionen in ihr dem amorphen Gerüst dauernd
Anstöße zum Aufsuchen energetisch günstigerer Positionen für die mehr oder weniger regellos angeordneten
Schichtbausteine liefert
im Anspruch 1 gekennzeichnete Erfindung gelöst
ir> eingebaut die einerseits eine netzwerkbildende Wirkung ausüben, andererseits aber ein andersartiges
Koordinierungsbestreben haben als dit eigentlichen Schichtbausteine und somit die »Glasigkeit« der Schicht
erhöhen, worunter die von Gläsern her bekannte
2(i Stabilität ihres Zustandes auch bei thermischen
Beanspruchungen verstanden werden soll.
Bekanntlich sind es in der Glaschemie die sogenannten Netzwerkbildner, die ein Netzwerk aus Polyedern
aufbauen, welches Grundlage der Glasbildung ist. Neu
und völlig unerwartet ist jedoch, daß der Einbau von
Netzwerkbildnern in die aktive Schicht die elektrochromen Eigenschaften nicht oder nur in geringem Maße
nachteilig beeinflußt.
Schon ein relativ geringer Netzwerkbildner-Gehalt
ίο von z. B. 1 Gew.-% P2O3 trägt erheblich zur Stabilisierung der Schichtstruktur bei, ohne daß damit schon die
untere Grenze gegeben wäre, ab der diese Wirkung auftritt. Aktive Schichten mit relativ hohem Gehalt an
Netzwerkbildnern von z.B. 80 Gew.-% SiO2-I-P2O5
κ zeigen ebenfalls noch EC-Eigenschaften. Sie verändern
allerdings ihre optischen Werte infolge der verminderten Ionen- und Elektronenleitfähigkeit langsamer als
reine WO3-Schichten, können jedoch für bestimmte
Anwendungsfälle von Bedeutung sein, die hohe
■ti) Temperaturbeständigkeit — und damit eine hohe
Kristallisationsbeständigkeit — aber keine hohe Geschwindigkeit im elektrochromen Verhalten erfordern.
Im folgenden werden drei Beispiele für erfindungsgemäße Schichten und deren vorteilhafte Wirkung
beschrieben:
Mittels Elektronenstrahlen wird eine gesinterte Mischung aus I Gew.-°/o P2O5 unr1 99 Gew.-% WOi
verdampft Die Verdampfung erfolgt bei einem Druck <1 · 10-4mbar und einer Aufdampfrate von lOnm/s.
Nach Erreichrng einer Schichtdicke von 500 nm auf den
Substraten — Gläsern mit leitfähiger SnO2-In2Oi-Schicht — wird die Bedampfung beendet. Das
elektrochrome Verhalten und die Kristallisationstemperatur der erhaltenen Proben 1 werden in einer
elektrochemischen Zelle mit nassen Elektrolyten bestimmt.
Mittels Elektronenstrahlen wird ein vorgeschmolzcnes Glas aus 20 Gew.-% P2Oi und 80 Gew.-% WOi
verdampft. Die Verdampfung erfolgt bei einem Druck <1 ■ ΙΟ-4 mbi.r und einer Aufdampfrate von !Onm/s.
Nach Erreichung einer Schichtdicke von 500 nm auf den Substraten - Gläsern mit leitfähiger SnO2-In2Oi-Schicht — wird die Bedampfung beendet. Das
elektrochrome Verhalten und die KristallisalionsteinDe-
ratur der erhaltenen Proben 2 werden wie oben
bestimmt.
Mittels Elektronenstrahlen wird eine gesinterte Mischung von 30 Gew.-% B2O3 und 70 Gew.-% WOj
verdampft Die Verdampfung erfolgt bei einem Druck <1 · 10-4mbar und einer Aufdampfrate von 10nm/s.
Nach Erreichung einer Schichtdicke von 500 nm auf den Substraten — Gläsern mit leitfähiger SnO2-In2Or
Schicht — wird die Bedampfung beendet. Das elektrochrome Verhalten und die Kristallisationstempe-
Ergebnisse des Vergleichstests:
ratur der erhaltenen Proben 3 werden wie oben bestimmt
Das elektrochrome Verhalten wird durch Injektion von Elektronen aus der leitfähigen Schicht und
simultane Injektion von H+-Ionen aus einer verdünnten H2SO«-Säure in die aktive Schicht getestet Verglichen
wird mit einer unstabilisierten 500 nm dicken WOj-Schicht auf ebenfalls leitfähig beschichtetem G'assubstrat(
= Probe4).
Beurteilt wird die Färbungstiefe und Färbungsgeschwindigkeh
bei insgesamt gleich großer Ladung. Ob Kristallisation aufgetreten ist wird mittels Röntgenbeugung
untersucht.
Probe 1 | Probe 2 | Probe 3 | Probe 4 | |
EC-Verhalten *i.)r Temperung | sehr gut | sehr gut | sehr gut | sehr gut |
Kristallisation nach i h Temperung | keine | keine | keine | schwach |
an Luft bei 300 C | ||||
EC-Verhalten nach I h/300 C | sehr gut | sehr gut | sehr gut | mäßig |
Kristallisation nach I h Temperung | keine | keine | keine | stark |
an Luft bei 350 C | ||||
EC-Verhalten nach I h/350 C | gut | gut | gut | schlecht |
Kristallisation nach 1 h TemDerune | keine | keine | keine | nicht mehr untersucht |
EC-Verhalten nach 1 h/400 C
gut
gut
nicht mehr untersucht
Claims (5)
1. Elektrochrome Schicht mit erhöhter Kristallisationsbeständigkeit, welche die elektrochromen Oxide WO3 und/oder MoO3 enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht mindestens 10
Gew.-% WOj und/oder MOO3 und als stabilisierende
Komponenten gegen Kristallisation zusätzlich P2O5,
B2O3, AI2O3, SiO2, As2Oi Sb2O3 oder GeO2 oder
Gemische davon enthält
2. Verfahren zur Herstellung einer elektrochromen Schicht mit erhöhter Kristallisationsbeständigkeit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
man ein Glas schmilzt, welches die elektrochromen Oxide WO3 und/oder MoO3. sowie P2O5. B2O3, Al2O3,
SiO2, As2O3, Sb2O3 oder GeO2 oder Gemische davon
als stabilisierende Komponenten gegen Kristallisation enthält, und daß man dieses Glas auf ein
Substrat aufdampft
3. Verfahren zur Herstellung einer elektrochromen Schicht mit erhöhter Kristallisationsbeständigkeit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß
man einen Sinterkörper herstellt welcher die elektrochromen Oxide WO3 und/oder MoO3, sowie
P2O5, B2O3, Al2O3, SiO2, As2O3, Sb2O3 oder GeO2
oder Gemische davon als stabilisierende Komponenten gegen Kristallisation enthält, und daß man
diesen Sinterkörper als Target in einer Kathodenzerstäubungsentladung verwendet.
4. Verfahren zur Herstellung einer elektrochromen Schicht mit erhöhter Kristallisationsbeständigkeit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
man diese Schicht durch pyrolytische Umsetzung geeigneter metallorganischer Verbindungen aus der
Dampfphase erzeugt
5. Verfahren zur Herstellung einer elektrochromen Schicht mit erhöhter Kristallisationsbeständigkeit nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß
man diese Schicht durch hydrolytische Umsetzung geeigneter anorganischer oder metallorganischer
Verbindungen aus der flüssigen Phase erzeugt.
Priority Applications (7)
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