SE447311B - Elektrokromt skikt med forhojd kristallisationsbestendighet jemte forfaranden for framstellning av ett elektrokromt skikt med forhojd kristallisationsbetendighet - Google Patents

Description

15 20 25 30 35 40 4 '7 0 Å Q 711 2 en nätverksbildande verkan, dels emellertid har en annorlun- da koordineringssträvan än själva skiktbyggstenarna och så- lunda höjer skiktets "glasighet", med vilket man avser den från glas kända stabiliteten i deras tillstånd även vid termiska påkänningar.

Som bekant är det inom glaskemin de s.k. nätverksbildarna, som uppbygger ett nätverk av polyedrar, vilket utgör basis för glasbildningen. Nytt och helt oväntat är det emellertid att inbyggnaden av nätverksbildare i det aktiva skiktet ej eller endast i ringa grad ofördelaktigt påverkar de elektro- kroma egenskaperna.

Redan en relativt ringa halt nätverksbildare av t.ex. 1 vikt- procent P2O3 bidrar avsevärt till stabiliseringen av skikt- strukturen, utan att därmed redan den undre gräns skulle vara given, från vilken denna verkan uppträder. Aktiva skikt med relativt hög halt nätverksbildare av t.ex. 80 viktpro- cent SiO2 + PZOS visar likaledes ännu EC-egenskaper. De änd- rar visserligen sina optiska värden till följd av den redu- cerade jon- och elektronledningsförmågan långsammare än rena WO3-skikt, men kan för bestämda användningsfall vara av betydelse, vilka kräver hög temperaturbeständighet - och där- med en hög kristallisationsbeständighet - men ej någon hög hastighet i det elektrokroma förhållandet.

Uppfinningen framgår av bifogade krav.

I det följande kommer tre exempel på skikt enligt uppfinning- en och deras fördelaktiga verkan att beskrivas.

Exempel 1 Medelst elektronstrålar förångas en sintrad blandning av 1 viktprocent PZOS och 99 viktprocent WO3. Förångningen sker vid ett tryck av <_1.10-4mbar och en påångningshastig- het av 10 nm/s. Sedan en skikttjocklek av 500 nm uppnåtts på substraten - glas med ledande SnO2-In2O3-skikt - avslutas ångningen Det elektroma förhållandet och krístallisations- temperaturen hos de erhållna proven 1 bestäms 1 en elektro- kemisk cell med våta elektrolyter. 10 15 zo_ 25 30 447 311 Exempel 2 Medelst elektronstrålar förångas ett försmält glas av 20 viktprocent P203 och 80 viktprocent W03. Förångningen sker vid ett tryck av < 1-10-4 mbar och en påângningshastighet av 10 nm/s. Sedan ett skikttjocklek av 500 nm uppnåtts på substraten - glas med ledande SnO2-In2O3-skikt - avslutas ångningen. Det elektrokroma förhållandet och kristallisa- tionstemperaturen hos de erhållna proven 1 bestäms som OVân~ Exempel 3 Medelst elektronstrålar förângas en sintrad blandning av 30 viktprocent BZO3 och 70 víktprocent WO3. Förångningen sker vid ett tryck av <(1-10-4 mbar och en påångningshas- tighet av 10 hm/s. Sedan en skíkttjocklek av S00 nm upp- 2-In2O3-skikt - avslutas ångníngen. Det elektrokroma förhållandet och kris- nåtts på substraten - glas med ledande SnO tallisationstemperaturen hos de erhållna proven 3 bestäms SOm OVER.

Det elektrokroma förhållandet provas genom injektion av elektroner av det ledande skiktet och simultan injektion av H+-joner av en utspädd HZSQ4-syra i det aktiva skiktet.

Man jämför med ett ostabíliserat 500 nm tjockt WO3-skikt på likaledes ledande beskiktat glassubstrat (= prov 4).

Färgningsdjup och färgningshastighet bedöms vid totalt lika stor laddning. Om kristallisation har uppträtt, undersöks medelst röntgenbrytning. 447 311 10 15 20 Resultat av jämförelseprov: Prov 1 Prov 2 Prov 3 Prov 4 EC-förhållande mycket mycket mycket mycket före temperering gott gott gott gott Krístallisation efter 1 h temperering i ingen ingen ingen svag luft vid 300% EC-förhållande mycket mycket mycket måttligt efter 1 h/300% gott gott gott Kristallisation efter 1 h temperering i _ ingen ingen ingen kraftig luft vid 350% EC-förhållande gott gott gott dåligt efter 1 h/350% Kristallisation efter 1 h temperering i ingen ingen ingen ej längre luft vid 400% undersökt EC-förhållande gott gott gott ej längre efter 1 h/400% undersökt.

Claims (4)

. ,_/...~f..r.-.u4...-__-....._- __ _ 447 311 Patentkrav

1. Elektrokromt skikt med förhöjd kristallisationsbeständighet innehållande de elektrokroma oxiderna H03 och/eller Mo03. k ä n n e t e c k n a t av att skiktet innehåller åtminstone 10 víktprocent WO och/eller Mo03 och som stabiliserande 3 komponent mot kristallisatíon dessutom P205, B203. A1203. S102. As203. Sb203 eller Ge02 eller blandningar därav.

2. Förfarande för framställning av ett elektrokromt skikt med förhöjd kristallisationsbeständignet enligt krav 1. k ä n n e- t e c k n a t av att man smälter ett glas, vilket innehåller de elektrokroma oxiderna WO och/eller H00 liksom 3 3 PZOS, B 0 . Ål O Sí0 , AS 0 Sb 0 2 3 2 3' 2 2 3' 2 3 eller Geoz eller blandningar därav som stabiliserande kompo- nent mot kristallisation och att detta glas i ångform får av- sätta sig på en bäraryta.

3. Förfarande för framställning av ett elektrokromt skikt med förhöjd kristallisationsbeständighet enligt krav 1 k ä n n e - t e c k n a t av att man framställer en sinterkropp vilken och/eller H00 innehåller de elektrokroma oxiderna H03 3 liksom PZOS, B203, AIZO3, S102, AS2O3, Sb203 eller Ge02 eller blandningar därav som stabilise- rande komponent mot kristallisation och att denna sinterkropp användes som mål vid katodförstoftning.

4. Förfarande för framställning av ett elektrokromt skikt med förhöjd kristallisationsbeständighet enligt krav 1. k ä n n e t e c k n a t av att man åstadkommer detta skikt genom pyrolytisk omsättning med lämpliga metallorganiska före- ningar ur ångfasen. s. förfarande för framställning av ett elektràkromt skikt med förhöjd kristallísationsbeständighet enligt krav 1, 447 311 k ä n n e t e c k n a t av att detta skikt âstadkommes genom hydrolytísk omsättning av lämpliga oorganíska eller metaller- ganiska föreningar ur den flytande fasen.