DE2828332A1 - Elektrochrome schichten mit erhoehter kristallisationsbestaendigkeit - Google Patents
Elektrochrome schichten mit erhoehter kristallisationsbestaendigkeitInfo
- Publication number
- DE2828332A1 DE2828332A1 DE19782828332 DE2828332A DE2828332A1 DE 2828332 A1 DE2828332 A1 DE 2828332A1 DE 19782828332 DE19782828332 DE 19782828332 DE 2828332 A DE2828332 A DE 2828332A DE 2828332 A1 DE2828332 A1 DE 2828332A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrochromic
- layer according
- electrochromic layer
- moo
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Soy Sauces And Products Related Thereto (AREA)
- Bedding Items (AREA)
Description
Dr. Joachim Rasper Potentanwalt Wiesbaden
BleMbfc-r H5f.e 22 Tel. Si 28 47
JENAer GLASWERK SCHOTT & GEN.
Hattenbergstraße 6500 Mainz
P
Eiektrochrome Schichten mit erhöhter Kristallisationsbestä'ndigkeit
909882/0387
Die Erfindung betrifft elektrochrome Schichten mit erhöhter Beständigkeit
gegenüber Kristallisation.
In elektrochromen (EC) Anordnungen besteht die aktive Schicht aus
Oxiden polyvalenter übergangsmetalle, z.B. amorphem WOo oder MoOo
oder Mischungen beider Oxide (DE-AS 15 89 429).. Sie können zur elektrischen Steuerung von Transmission oder Reflexion eingesetzt
werden, weil die elektrisch induzierte optische Absorption, deren Maximum im nahen IR (~1000 nm) liegt, auch im sichtbaren Spektral bereich
noch sehr hoch sein kann. Mit zunehmender Kristallinität der aktiven Schicht wandert das Absorptionsmaximum ins fernere IR,
und die im Sichtbaren wahrnehmbaren optischen Wirkungen werden immer schwächer.
Elektrochrome Schichten können auf unterschiedliche Weise, wie z.B. HochVakuumverdampfung, Kathodenzerstäubung, pyrolytische
oder hydrolytische Reaktionen erzeugt werden.
Amorphe WO,- oder MoO^-Schichten oder WOo-MoOo-Mischschichten
kristallisieren beim Tempern, da die freie Energie des kristallinen Zustands kleiner ist als die des amorphen. Die Kristallisationstemperatur
der Schicht ist also ein Maß für ihre Beständigkeit gegen Kristallisation. Auch der normale elektrooptische Betrieb eines
EC-Systems führt zu Kristallbildung und -wachstum in der aktiven Schicht, weil die Wanderung von Ionen in ihr dem amorphen Gerüst
dauernd Anstöße zum Aufsuchen energetisch günstigerer Positionen für die mehr oder weniger regellos angeordneten Schichtbausteine
liefert.
Ziel der vorliegenden Erfindung sind Schichten mit einer erhöhten
Beständigkeit gegen Kristallisation. Dieses Ziel wird erfindungsgemäß
dadurch erreicht, daß in die aktive Schicht Konponenten ein-
909882/0387
gebaut sind, die einerseits eine netzwerkbildende Wirkung ausüben,
andererseits aber ein andersartiges Koordinierungsbestreben haben als die eigentlichen Schichtbausteine und somit die "Glasigkeit"
der Schicht erhöhen, worunter die von Gläsern her bekannte Stabilität
ihres Zustandes auch bei thermischen Beanspruchungen verstanden werden soll.
Bekanntlich sind es in der Glaschemie die sogenannten Netzwerkbildner,
die ein Netzwerk aus Polyedern aufbauen, welches Grundlage der Glasbildung ist. Neu und völlig unerwartet ist jedoch, daß der
Einbau von Netzwerkbildnern in die aktive Schicht die elektrochromen
Eigenschaften nicht oder nur in geringem Maße nachteilig beeinflußt.
Schon ein relativ geringer Netzwerkbildner-Gehalt von z.B. 1 Gew.-%
PpOo trägt erheblich zur Stabilisierung der Schichtstruktur bei,
ohne daß damit schon die untere Grenze gegeben wäre, ab der diese Wirkung auftritt. Aktive Schichten mit relativ hohem Gehalt an Netzwerkbildnern
von z.B. 80 Gew.-% SiOp + PnOg zeigen ebenfalls noch
EC-Eigenschaften. Sie verändern allerdings ihre optischen Werte infolge
der verminderten Ionen- und Elektronenleitfähigkeit langsamer als reine WO-j-Schichten, können jedoch für bestimmte Anwendungsfälle
von Bedeutung sein, die hohe Temperaturbeständigkeit - und damit eine hohe Kristallisationsbeständigkeit - aber keine hohe Geschwindigkeit
im elektrochromen Verhalten erfordern.
Im folgenden werden drei Beispiele für erfindungsgemäße Schichten
und deren vorteilhafte Wirkung beschrieben:
909882/0387
282B332
Mittels Elektronenstrahlen wird eine gesinterte Mischung aus
1 Gew.-X P2O5 und 99 Gew.-% WO3 verdampft. Die Verdampfung erfolgt
bei einem Druck ζ I' 10" mbar und einer Aufdampfrate von 10 nm/s.
Nach Erreichung einer Schichtdicke von 500 nm auf den Substraten - Gläsern mit leitfähiger SnO2-In^O -Schicht _ w-jrcj die Bedampfung
beendet. Das elektrochrome Verhalten und die Kristallisationstemperatur
der erhaltenen Proben 1 werden in einer elektrochemischen Zelle mit nassen Elektrolyten bestimmt.
Mittels Elektronenstrahlen wird ein vorgeschmölzenes Glas aus
20 Gew.-% P0On und 80 Gew.-% W0Q verdampft. Die Verdampfung erfolgt
c ö -4
bei einem Druck ζ 1-10 mbar und einer Aufdampfrate von 10 nm/s. Nach Erreichung einer Schichtdicke von 500 nm auf den Substraten - Gläsern mit leitfähiger SnO^-In^-Schicht - wird die Bedampfung beendet. Das elektrochrome Verhalten und die Kristallisationstemperatur der erhaltenen Proben 2 werden wie oben bestimmt.
bei einem Druck ζ 1-10 mbar und einer Aufdampfrate von 10 nm/s. Nach Erreichung einer Schichtdicke von 500 nm auf den Substraten - Gläsern mit leitfähiger SnO^-In^-Schicht - wird die Bedampfung beendet. Das elektrochrome Verhalten und die Kristallisationstemperatur der erhaltenen Proben 2 werden wie oben bestimmt.
Mittels Elektronenstrahlen wird eine gesinterte Mischung von 30 Gew.-% B2O3 und 70 Gew.-% WO3 verdampft. Die Verdampfung erfolgt
bei einem Druck < i-10 mbar und einer Aufdampfrate von 10 nm/s.
Nach Erreichung einer Schichtdicke von 500 nm auf den Substraten - Gläsern mit leitfähiger SnO2-In2O3-SChIcIIt - wird die Bedampfung
beendet. Das elektrochrome Verhalten und die Kristallisationstemperatur der erhaltenen Proben 3 werden wie oben bestimmt.
909882/0387
- f-
Das elektrochrome Verhalten wird durch Injektion von Elektronen
aus der leitfähigen Schicht und simultane Injektion von H -Ionen aus einer verdünnten FLSO^-Säure in "die aktive Schicht getestet.
Verglichen wird mit einer unstabilisierten 500 nm dicken WO3-Schicht
auf ebenfalls leitfähig beschichtetem Glassubstrat (= Probe 4).
■Beurteilt wird die Färbungstiefe und Färbungsgeschwindigkeit bei
insgesamt gleich großer Ladung. Ob Kristallisation aufgetreten ist,
wird mittels Röntgenbeugung untersucht.
Ergebnisse des Vergleichstests:
Probe 1 | Probe 2 | Probe 3 | Probe 4 | |
EC-Verhalten vor Temperung |
sehr gut | sehr gut | sehr gut | sehr gut |
Kristallisation nach 1 h Temperung an Luft bei 3000C |
kei ne | keine | keine | schwach |
EC-Verhalten nach 1"/3000C |
sehr gut | sehr gut | sehr gut | mäßig |
Kristallisation nach ln Temperung an Luft bei 350°C |
keine | keine | keine | stark |
EC-Verhalten nach ln/350OC |
gut | gut | gut | schlecht |
Kristallisation nach ln Temperung an Luft bei 4000C |
kei ne | keine | keine | nicht mehr untersucht |
EC-Verhalten nach 1"/4000C |
gut | gut | gut | nicht mehr untersucht |
909882/0387
Claims (7)
- PatentansprücheElektrochrome Schicht mit erhöhter Kristallisationsbeständigkeit, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht außer den elektrochromen Oxiden WO, und/oder MoO, mindestens eine zusätzliche Komponente enthält, die stabilisierend gegen Kristallisation wirkt und das elektrochrome Verhalten der Schicht nicht oder nur unwesentlich beeinträchtigt.
- 2. Elektrochrome Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie als stabilisierende Komponente P2O55 B 2°3> Al2O3, Sl02' As2O35 Sb2O3 oder GeO2 oder Gemische dieser Komponenten enthält.
- 3. Elektrochrome Schicht nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ihr Gehalt an WO3 und/oder MoO3 mindestens
10 Gew.-^ beträgt. - 4. Elektrochrome Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie durch Hochvakuumverdampfung eines WO3
und/oder MoO3 enthaltenden Glases erzeugt worden ist. - 5. Elektrochrome Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie durch Kathodenzerstäubung aus einem WO3-, MoO3- oder
beides enthaltenden Glas- oder Sinter-Target erzeugt worden ist. - 6. Elektrochrome Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie durch pyrolytische Umsetzung geeigneter metallorganischer Verbindungen aus der Dampfphase erzeugt worden ist.909882/0387
- 7. Elektrochrome Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie durch hydrolytische Umsetzung geeigneter anorganischer oder metall organischer Verbindungen aus der flüssigen Phase erzeugt worden ist.9 09 882/0 3 87
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2828332A DE2828332C3 (de) | 1978-06-28 | 1978-06-28 | Elektrochrome Schichten mit erhöhter Kristallisationsbeständigkeit |
IT68153/79A IT1165209B (it) | 1978-06-28 | 1979-05-29 | Strati elettrocromici ad elevata resistenza alla cristallizzazione |
ES481372A ES481372A1 (es) | 1978-06-28 | 1979-06-07 | Procedimiento de obtencion de capas electrocromaticas con elevada resistencia a la cristalizacion. |
GB7921059A GB2028290B (en) | 1978-06-28 | 1979-06-18 | Electrochrimic layers of tungsten and/or mocybdenum oxide |
JP8125579A JPS556000A (en) | 1978-06-28 | 1979-06-27 | Electrochromic layer |
SE7905645A SE447311B (sv) | 1978-06-28 | 1979-06-27 | Elektrokromt skikt med forhojd kristallisationsbestendighet jemte forfaranden for framstellning av ett elektrokromt skikt med forhojd kristallisationsbetendighet |
FR7916732A FR2430028B1 (fr) | 1978-06-28 | 1979-06-28 | Couches electrochromes presentant une resistance a la cristallisation amelioree |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2828332A DE2828332C3 (de) | 1978-06-28 | 1978-06-28 | Elektrochrome Schichten mit erhöhter Kristallisationsbeständigkeit |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2828332A1 true DE2828332A1 (de) | 1980-01-10 |
DE2828332B2 DE2828332B2 (de) | 1980-11-20 |
DE2828332C3 DE2828332C3 (de) | 1981-07-09 |
Family
ID=6042995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2828332A Expired DE2828332C3 (de) | 1978-06-28 | 1978-06-28 | Elektrochrome Schichten mit erhöhter Kristallisationsbeständigkeit |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS556000A (de) |
DE (1) | DE2828332C3 (de) |
ES (1) | ES481372A1 (de) |
FR (1) | FR2430028B1 (de) |
GB (1) | GB2028290B (de) |
IT (1) | IT1165209B (de) |
SE (1) | SE447311B (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6053858B2 (ja) * | 1979-02-16 | 1985-11-27 | シャープ株式会社 | エレクトロクロミック表示装置の製造方法 |
US4855161A (en) * | 1987-02-19 | 1989-08-08 | Donnelly Corporation | Method for deposition of electrochromic layers |
US4996083A (en) * | 1987-02-19 | 1991-02-26 | Donnelly Corporation | Method for deposition of electrochromic layers |
US4960324A (en) * | 1988-10-05 | 1990-10-02 | Ford Motor Company | Electrochromic, oxygen deficient metal oxide films provided by pyrolytic deposition |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1589429A1 (de) * | 1966-02-25 | 1970-04-09 | American Cyanamid Co | Elektrooptische Vorrichtungen |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5130756A (de) * | 1974-09-09 | 1976-03-16 | Suwa Seikosha Kk | |
JPS592887B2 (ja) * | 1975-11-21 | 1984-01-21 | 株式会社リコー | エレクトロクロミツクヒヨウジホウホウ |
JPS52132854A (en) * | 1976-04-30 | 1977-11-07 | Citizen Watch Co Ltd | Electrochromic indicating cell and preparation thereof |
JPS54160256A (en) * | 1978-06-09 | 1979-12-18 | Asahi Glass Co Ltd | Electrochromatic element |
-
1978
- 1978-06-28 DE DE2828332A patent/DE2828332C3/de not_active Expired
-
1979
- 1979-05-29 IT IT68153/79A patent/IT1165209B/it active
- 1979-06-07 ES ES481372A patent/ES481372A1/es not_active Expired
- 1979-06-18 GB GB7921059A patent/GB2028290B/en not_active Expired
- 1979-06-27 JP JP8125579A patent/JPS556000A/ja active Pending
- 1979-06-27 SE SE7905645A patent/SE447311B/sv not_active IP Right Cessation
- 1979-06-28 FR FR7916732A patent/FR2430028B1/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1589429A1 (de) * | 1966-02-25 | 1970-04-09 | American Cyanamid Co | Elektrooptische Vorrichtungen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2828332B2 (de) | 1980-11-20 |
SE447311B (sv) | 1986-11-03 |
GB2028290A (en) | 1980-03-05 |
DE2828332C3 (de) | 1981-07-09 |
FR2430028A1 (fr) | 1980-01-25 |
FR2430028B1 (fr) | 1985-07-12 |
IT7968153A0 (it) | 1979-05-29 |
ES481372A1 (es) | 1979-12-16 |
GB2028290B (en) | 1982-09-29 |
IT1165209B (it) | 1987-04-22 |
JPS556000A (en) | 1980-01-17 |
SE7905645L (sv) | 1979-12-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69719386T2 (de) | Lithium-Ionen leitende Glaskeramiken und damit hergestellte elektrische Zellen und Glassensoren | |
DE112005000120B4 (de) | Lithium-lonen-leitendes kristallisiertes Glas auf Sulfid-Basis, Verfahren zu dessen Herstellung, fester Elektrolyt und Trocken-Batterie unter Verwendung desselben | |
DE69028213T2 (de) | Elektrochromes Element, Materialien zur Verwendung in einem solchen Element, Herstellungsverfahren eines derartigen Elementes sowie derartiger Materialien und die Verwendung eines solchem Elementes in einem elektrochromen Gerät | |
DE2845782C2 (de) | ||
DE10042590B4 (de) | Glas zum anodischen Verbinden | |
DE19651759A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von LPCVD-Ta¶2¶O¶5¶-Filmen mit geringem Leckstrom | |
EP2864267B1 (de) | Thermochromes glas mit beschichtung von farbneutralem vanadiumdioxid | |
DE69927511T2 (de) | Transparentes kristallisiertes LI2O-AI2O3-SiO2-Glas | |
DE2013576B2 (de) | Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsaure filmen auf Halbleiteroberflachen | |
DE2815437A1 (de) | Amorphes kationenleitermaterial auf lithiumbasis sowie verfahren zu seiner praeparation | |
DE2828332A1 (de) | Elektrochrome schichten mit erhoehter kristallisationsbestaendigkeit | |
DE2720639C2 (de) | Glas, verwendbar zur Passivierung von Halbleitervorrichtungen und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2523832A1 (de) | Elektrochrome anzeigevorrichtung mit elektrolyten und verfahren zur herstellung derselben | |
DE2852395A1 (de) | Elektrodenbelegungsschichten fuer fluessigkristallzellen | |
DE2917791A1 (de) | Elektrischer widerstand, der ein metallisches hexaborid enthaelt, sowie verfahren zur herstellung desselben | |
DE4329651A1 (de) | Verfahren zur Herstellung elektrisch leitfähiger, infrarotreflektierender Schichten auf Glas-, Glaskeramik- oder Emailoberflächen | |
DE1448101A1 (de) | Verwendung eines Glases fuer Glaselektroden | |
DE19934153A1 (de) | Isolierender Film für Dünnfilmstrukturen | |
DE2653581B2 (de) | Thoriumfreies optisches Glas des Grundsystems SiO2 -B2 O3 -La2 O3 | |
DE2148120B2 (de) | Verfahren zum Niederschlagen von Glasfilmen | |
EP0464073B1 (de) | Ferroelektrische Flüssigkristallsysteme mit hoher spontaner Polarisation und guten Orientierungseigenschaften | |
DE2501232C2 (de) | Werkstoff für Kathodenoxidüberzug | |
DE1614753A1 (de) | Fotoelektrische Leiter | |
DE2056947C3 (de) | Verfahren zur Stabilisierung von Halbleiteranordnungen | |
DE3011506A1 (de) | Elektrochromes display |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SCHOTT GLASWERKE, 6500 MAINZ, DE |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |