DE2801680A1 - Verfahren zur herstellung einer halbleitereinrichtung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer halbleitereinrichtung

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DE2801680A1
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DE19782801680
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Terry George Athanas
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CTU of Delaware Inc
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Mostek Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/0223—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] having source and drain regions or source and drain extensions self-aligned to sides of the gate
    • H10D64/0135—
    • H10P14/61—
    • H10P14/6308—
    • H10P14/6309—
    • H10P14/6322—
    • H10P14/6502—
    • H10P32/302—
    • H10P76/40—

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