DE2758890C3 - Halbleiterbauelement mit thermischer Sicherung - Google Patents

Halbleiterbauelement mit thermischer Sicherung

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Yoshiaki Kawasaki Saitoh
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs !.Ein derartiges Halbleilcrbauelementistz. B.ausderUS-PS35 31 856bekannt.
Bei Haibleilervorrichtungen mi: einem Abschnitt mit hohem Stromverbrauch, etwa bei diskreten Leistungsiransisioren und integrierten Schaltkreisen oder integrierten Großschaltungen für Leistungsverstärker sind aktive und passive Elemente eines Halbleiterplättchens über innere Zuleitungen innerhalb der Kapselung getrennt mit äußeren Anschlüssen bzw. Klemmen verbunden. Bei dieser Art von Halbleitervorrichtungen ist der Halbleiterchip auf einem Meiall-Tragelement montiert, von dem ein Teil als innere Zuleitung benutzt werden kann.
Aus der DE-OS 22 14 163 ist eine elektrische Schaltungsanordnung mit wenigstens einem Halbleiterkörper bekannt, welcher mindestens ein Halbleiterelement enthäjt, mil einer aus einem isolierenden Substrat bestehenden Leiterplatte, auf die mindestens eine elektrische Leiterbahn und mindestens ein weiteres, diskretes elektrisches Bauelement aufgebracht sind. Bei dieser bekannten Schallungsanordnung besteht das Wesentliche darin,daß der Halbleiterkörper unmittelbar auf die die Leiterbahn tragende Leiterplatte aufgebracht ist, wobei der Halbleiterkörper an seiner Oberseite mit metallischen Anschlußkontakten versehen wird und diese A nschlußkontaktc mit ihren zugeordneten Leiterbahnen elektrisch leitend verbunden werden. Diese Anordnung kann im Bereich des Halbleiterkörper und im Bereich seiner elektrischen Anschlüsse mit einer Abdeckung versehen sein, die zum Schutz des Halbleiterkörpers dient, um diesen gegen äußere Einflüsse zu schützen. Die Abdeckung kann aus Kunstharz, Silikongummi oder aus anderen Massen be-
ϊ stehen.
Die CH-PS 2 23 414 beschreibt einen Sperrschicht-Gleichrichter aus mehreren nebeneinander auf einem Trägerangeordneten GleichrichierZellenAOndenen jede übercinen als Schmelzsicherung ausgebildeten Draht mit
in einem gemeinsamen Anschluß verbunden ist. Durch diese Ausbildung nach dem Stand der Technik soll erreicht werden.daß bei Ausfall einer einzelnenGIeichrichterzelle derzugehörigeSicherungsdrahtdurchschmilzt.ohnedaß derGleichrichtcrinsgesamt funktionsuntüchtig wird. Da-
|-, bei wird weder auf die besonderen Probleme bei in Vergußmassen verkapselten Halbleiterelementen einge-' gangen, noch wird die Verwendung eines als Schmelzsicherung ausgebildeten Drahtes für vergossene Halbleiterbauelementeangeregl.
Aus der US-PS 35 31 856 zum Beispiel ist ein mittels einer thermoplastischen Vergußmasse gekapseltes Halbleiterbauelement bekannt, dessen Halbleiterplättchen auf einem metallischen Träger angeordnet und bei dem die übrigen Elektroden durch dünne Zuleitungsdrähte mit aus der Vergußmasse herausgeführten Anschlüssen verbundensind.
Die bekannte Konstruktion ist jedoch noch mit einem Mangel behaftet, v.-enn nämlich bei einem Halbleiterbauelement ein großer Strom von der Leistungs(ver-
jo stärker)schaltung in das Halbleiterplättchen fließt. Dieser große Strom führt zu einer übermäßigen Erwärmung des Halbleiterplättchens und der Zuleitungen. Durch die dabei entwickelte Wärme kann das als Vergußmasse dienende Kunstharz verkohlt werden und schließlich zu einem Brand führen.
Eine Untersuchung der erwähnten Brandursachen führte zu den folgenden Ergebnissen. Bei Verwendung von Leistungsverstärkern mit eingekapseltem Leistungstransistor mit einem Leistungsbedarf in
■to der Größenordnung von 3 Wat!, und vergossenen integrierten Schaltkreisen für Aiidio-Leistungsverstärker mit einer Nenn-Ausgangsleisuing von 3,5 Watt als Prüflinge wurde mit einem Kurzschluß zwischen dem Ausgangskreis und dem Massekreis eine Untersuchung an 300 Proben entsprechend der jeweiligen Speisespannungen im Bereich von 12,5 bis 173 Volt Gleichspannung durchgeführt. Bei diesen Proben trat ungefähr zwei Sekunden nach dem Kurzschluß eine Flainmenbildung mit 40 bis 50 mm hoher Flamme auf, die nach dem Trennen der Proben von der Stromversorgung noch einige Sekunden andauerte. Als Ergebnis von an den Proben durchgeführten Untersuchungen zeigte es sich, daß das Vergußmaisenkunstharz an den mit der jeweiligen inneren Zuleitung in Berührung stehenden Bereichen verkohlt worden war. Hieraus ließ sich der Schluß ziehen, daß dann, wenn die innere Zuleitung durch einen Überstrom unterbrochen wird, ein Strom durch den verkohlten Bereich fließen kann und diesen dabei als Heizelement wirken läßt, wodurch die Flammenbildung begünstigt wird.
Wenn andererseits die mechanische Belastung oder
Beanspruchung nach dem Vergießen in der Kunstharz-
" masse erhalten bleibt, wird durch einen Überslromfluß keine Flammenbildung hervorgerufen, obgleich sich
b5 dabei eine durch die Wärmeerzeugung zu diesem Zeitpunkt hervorgerufene Expansionsspannung mit der Restspannung kombinieren und zu einem Aufbrechen und Zerplatzen der Kunstharz-Vergußmasse führen
kann. Obgleich die durch einen soichen Bruch hervorgerufenen Störungen im Vergleich zu einer Brandentstehung unbedeutend sind, sind sie dennoch nachteilig, weil die weggeschleuderten Bruchslücke des Kunstharzes möglicherweise zu einer Beschädigung umgebender elektronischer Komponenten führen können.
Aufgabe der Erfindung ist damit die Schaffung eines Halbleiterbauelements rni« einer thermischen Sicherung bzw. Schmelzsicherung, mit welcher bei geringen Kosten für die Kapselung der Vorrichtung eine Flammenbildung oder ein Zerplatzen infolge irgendwelcher Störungen, wie Überhitzung infolge eines Oberslroms, in der Halbleitervorrichtung verhindert werden können.
Diese Aufgabe wirddurch die im kennzeichnendenTeil des Patentanspruchs 1 genannten Merkmalegelöst.
An einem Teil der Zuleitung zwischen dem Halblciierplättchen und dem äußeren Anschluß haftet ein elektrisch isolierendes, weiches Material an. während als Vergußmasse für das Halbleitcrplätichen. die Zuleitung und dieses weiche Isoliermaterial eine elektrisch isolierende Vergußmasse verwendet wird, die einen höheren thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzt als das weiche Material. Bei dieser Konstruktion wird eine thermische Sicherung bzw. Schmelzsicherung durch die Kombination aus dem Vergußmassen-Kunstharz, dem in diesem Kunstharz enthaltenen weichen Material und der in letzteres eingebetteten dünnen Zuleitung gebildet. Auf diese Weise kann die Kapselung der Vorrichtung mit geringen Kosten und mit einfacher Konstruktion sicher vor einer Flammenbildung oder einem Zerplatzen aufgrund einer Überhitzung durch einen Überstrom geschützt werden.
Im folgenden ist eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine vergossene Halbleitervorrichtung, Fig.2 einen in weiter vergrößertem Maßstab gehaltenen Schnitt durch das weiche Isoliermaterial mit eingebetteter Zuleitung, die durch Überhitzung und Spannungsbeanspruchung unterbrochen worden ist.
Gemäß F i g. 1 ist ein Halbleiterplättchen 12 mit einer darauf ausgebildeten Transistorkonstruktion oder elektrischen Schaltkreisanordnung mit Hilfe eines Lötmittels oder eines Klebmittels in Form eines leitfähigen Epoxyklebers auf einem Tragelement 10 montiert. Vorbestimmte Elektrodenabschnitte 22 auf dem Halbleiterplättchen 12 sind jeweils mittels dünner innerer Zuleitungen 24 mit äyßeren Klemmen oder Abschlüssen 16 verbunden. Jeder Elektrodenabschnitt besieht aus einer aufgedampften Aluminiumschicht, die mit einem vorbestimmten Abschnitt des Halbleiterplättchens 12 in ohmschem Kontakt steht. Für die Zuleitungen 24 können dünne Gold- oder Aluminiumdrähte oder aber dünne Metalldrähte verwendet werden, die mit Gold oder Aluminium überzogen sind und üblicherweise einen Durchmesser von 25 bis 100 μηι besitzen/Jede Zuleitung 24 ist elektrisch mit der Aluminiumschicht des betreffenden Elektrodenabschnitts 22 und einem vorbestimmten Teil jedes äußeren Anschlusses 16 verbunden. Die Zuleitungen 24 werden jeweils üblicherweise in einem gebogenen bzw. gekrümmten Zustand gemäß F i g. 1 angeschlossen, obgleich sie, je nach der Art des Anschlußwerkzeuges, auch in praktisch geradlinigem Zustand angeschlossen werden können. Anschließend •wird ein Stück weichen elektrischen Isoliermaterials 26 praktisch an einem Mittelteil jeder Zuleitung 24 angebracht. Dieses Isoliermaterial 26 muß dabei den folgenden Anforderungen genügen: Dieses Isoliermaterial muß einmal einen verhältnismäßig kleinen Wärr.ief ausdehnungskoeffizienten und elektrische Isoliereigenschaften besitzen und es darf zum anderen weder die Ausdehnung noch die Kontraktion der im Inneren des Isoliermaterialstücks 26 angeordneten Zuleitung 24, d. h. die Zusammenballung oder Klumpenbildung des durchgeschmolzenen Teils der Zuleitung infolge ihrer Oberflächenspannung beim Durchschmelzen dieser Zuleitung 24, verhindern, und es darf auch keine Stoffe abgeben, weiche das Halbleiterplättchen 12 im Normalbetrieb ungünstig beeinflussen können. Werkstoffe, die diesen Anforderungen genügen, umfassen neben Silikongummi bzw. -kautschuk Zweikomponenten-Mischgummis und -lacke, obgleich der Silikongumnii bevorzugt wird, weil er leichter zu verarbeiten ist. Da dieser Silikongummi vor seiner Verfestigung in flüssigem Zustand vorliegt, kann das Anbringen dieses Materials 26 an der dünnen Zuleitung 24 in der Weise bewerkstelligt werden, daß ein "Kopien des flüssigen Silikongummis an der Spitze eine» Injektionsnadel gebildet und dieser Tropfen beispielsweise mittels einer Injektionsspritze praktisch auf einen mittlc-en Abschnitt der Zuleitung 24 aufgetropft wird.
Ar.schließend können der Tragteil 10, das Plättchen 12, die Zuleitungen 24, die Anschlüsse bzw. Klemmen 16 und die Materialstücke 26 in das Vergußmassen-Kunstharz 20 eingegossen werden. Dier.es Kunstharz 20 muß den folgenden Bedingungen bzw. Anforderungen genügen: es muß aus einem Material bestehen, das einen verhältnismäßig großen Wärmeausdehnungskoeffizienten und elektrische Isoliereigenschaften besitzt, das im Normalbetrieb keinerlei Substanzen abgibt, weiche das Halbleiterplättchen 12 ungünstig beeinflussen können und das sich für das Gießen eignet. Geeignete Materialien sind beispielsweise Epoxyharz und Silikonharz.
Bei der vorstehend beschriebenen Koustruktion bildet die Kombination aus dem Vergußmassen-Kunstharz 20, den in diesem enthaltenen weichen Material-Stücken 26 und den in letztere eingebetteten dünnen Zuleitungen 24 die thermischen bzw. Schmelzsicherungen für die Halbleitervorrichtung.
Fig. 2 veranschaulicht den Zustand einer dünnen Gold-Zuleitung 24. die aufgrund einer Überhitzung durch einen Überstrom innerhalb des weichen Isoliermaterials 26 eine Unterbrechung erfahren hat. Bei den eingangs genannten Versuchen und Untersuchungen wurde festgestellt, daß sich die Enden der Zuleitungen 24 bei der Unterbrechung' gemäß F i g. 2 zu einer Kugel mit einem etwas größeren Durchmesser als demjenigen der betreffenden Zuleitung 24 verformen. Dies bedeutet. 5'· daß die Funktion als thermische bzw. Schmelzsicherung innerhalb des weichen Materials 26 auftritt.
Um die Zuleitung der einer Überhitzung zuzuschreibenden Wärmedehnungsspannung voll auszusetzen, sollte der Tropfen des weichen Isoliermaterials vorzugsweise im Mitielbereich der Länge der Zuleitung angebracht werden. Nach der Anbringung dieses weichen Materials werden das Halbleiierplättchen, ein Teil der äußeren Anschlüsse, die dünnen Zuleitungen und dieses weiche Material in das Vergußmascen-Kunstharz mit vergleichsweise großem Wärmeausdehnungskoeffizienten eingegossen. Durch diese Konstruktion kann eine Flammenbildung und ein Zerplatzen der Kapsel sicher verhindert werden, wenn die Halbleiter-
vorrichtung einem Überstrom ausgesetzt ist und das Halbleitcrplattchen sowie die dünne Zuleitung überhitzt werden.
Der Grund hierfür ist folgender: Der Wärmeausdehnungskoeffizient des weichen Materials ist niedriger als derjenige der Vergußmasse, so daß das weiche Material bei einer Erwärmung der Halbleitervorrichtung durch die dieses weiche Material umschließende Vergußmasse /iisiimmengedrücki wird und dabei eine Dehnungsbelaslung auf den im Inneren der weichen Malerialmasse befindlichen Abschnitt der Zuleitung ausgeübt wird. Daraufhin wird die dünne Zuleitung, die aufgrund der Erwärmung durch den Überstrom erweicht oder angeschmolzen worden ist. durch die im Inneren des weichen Materials entstehende Dchnunysspannung nahezu zwangsweise unterbrochen, bevor das als Vergußmasse dienende Kunstharz verkohlt und dann entflammt oder bevor dieses Kunstharz bricht und zerplatzt. Beim Durchschmelzen erfährt die innerhalb des weichen Materials unterbrochene Zuleitung aufgrund ihrer Oberflächenspannung eine Zusammcnballung. Das an den vom weichen Isoliermaterial entfernten Stellen mit der dünnen Zuleitung in Berührung stehende Vergußmassen-Kunstharz wird gleichzeitig unter dem Einfluß der Überhitzung der Zuleitung verkohlt, so daß sich um die dünne Zuleitung herum eine verkohlte Schicht bildet. Diese verkohlte Schicht wird durch die sich unter
WärmecinfluQ ausdehnende Vergußmasse zusammengedrückt und /u seiner rohrförmigen, elektrisch leitenden Schicht verformt. Da das weiche Material jedoch elektrisch isolierend ist, ist die Halbleitervorrichtung zum Zeitpunkt der Unterbrechung der dünnen Zuleitung aufgrund der Überhitzung vollständig von der Stromversorgung getrennt, so daß eine weitere Überhitzung verhindert wird.
Zur Untersuchung der Brandgefahr wurden folgende Versuche durchgeführt: Mit 300 für die jeweiligen Versuchs-Speisespannungen von 12,5VoIt bis 17,5 Volt Gleichspannung vorbereiteten Proben wurden Halbleitervorrichtungen mit dem Aufbau gemäß dem Stand der Technik unier gleichbleibenden Bedingungen untersucht. Dabei zeigte es sich, daß die Häufigkeit einer Flammenbildung bzw. eines Brandes bei diesen Vorrichtungen bei 1% bzw. 70% liegt. Obgleich eine Flammenbildungshäufigkeit von 1% ziemlich niedrig erscheinen mag, ist dabei dennoch die Möglichkeit für Brandunfälle gegeben, die zu ausgedehnten Bränden und anderen schweren Unfällen führen können, so daß allein diese Möglichkeit einen schwerwiegenden Mangel darstellt. Bei denselben, mit der erfindungsgemäßen Konstruktion gemäß Fig. 1 unter denselben Bedingungen durchgeführten Versuchen wurde eine Flammcnbildungsbzw. Brandhäufigkeit von 0% ermittelt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement mit einem auf einem Träger (10) angebrachten Halbleiterplänchen (12). welches mittels einer Vergußmasse eingekapselt ist. mit wenigstens einem, einen Elektrodenabschnitt (22)des Halblciierplättchens (12) mit einem aus der Vergußmasse (29) herausgeführten Anschluß(16) verbindenden, dünnenZuieitungsdraht. dadurch gekennzeichnet, daß der dünne Zuleilungsdraht (24) bei einem Strom über einer bestimmten Stromstärke durchschmilzt.daß an einem Teil desZuleitungsdrahts (24) innerhalb der Vergußmasse (20 ein weiches, elektrischeslsoliermaterial(26)angebrachtist.unddaßdas weiche elektrische Isoliermaterial einen kleineren Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzt als die Vergußmasse.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß das weiche elektrische Isoliermaterial einSilikoGgummibzw.-kautschukisi.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß das weiche elektrische Isoliermaterial aus einem Gummi bzw. Kautschuk aus zwei flüssigen Gummi-bzw.Kautschuksorten besteht.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß das weiche elektrische Isoliermaterial ein Lack oder Firnisist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichneudaßdie Vergußmasse ein Epoxyharz oder ein Silikonharzist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterplänchen einen LeisiungstraEsistor und/oder ehicn integrierten Schaltkreisträgt.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19833224A1 (de) * 1998-07-23 2000-01-27 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Schutz einer elektrischen Last

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8002634A (nl) * 1980-05-08 1981-12-01 Philips Nv Programmeerbare halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
SE428081B (sv) * 1981-10-07 1983-05-30 Ericsson Telefon Ab L M Tilledningsram for en elektretmikrofon
CA1177538A (en) * 1981-12-04 1984-11-06 Canadian General Electric Company Limited Capacitive signal coupler
DE3327960A1 (de) * 1983-08-03 1985-02-14 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Halbleiteranordnung in einem isolierstoffgehaeuse
JPH0627959Y2 (ja) * 1988-10-20 1994-07-27 ローム株式会社 ダイオード
DE3406542A1 (de) * 1984-02-23 1985-08-29 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes
JPS60238817A (ja) * 1984-05-12 1985-11-27 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置
JPS6389685A (ja) * 1986-10-03 1988-04-20 Toagosei Chem Ind Co Ltd アルミニウムの腐食防止方法
JP2593471B2 (ja) * 1987-03-11 1997-03-26 株式会社東芝 半導体装置
US4893171A (en) * 1988-03-30 1990-01-09 Director General, Agenty Of Industrial Science And Technology Semiconductor device with resin bonding to support structure
JPH0289854U (de) * 1988-12-27 1990-07-17
JP2738168B2 (ja) * 1991-06-19 1998-04-08 日本電気株式会社 ヒューズ付きチップ状固体電解コンデンサ
JP3459291B2 (ja) * 1993-09-21 2003-10-20 ローム株式会社 半導体チップを備えた電子部品
US5644281A (en) * 1992-04-07 1997-07-01 Rohm Co., Ltd. Electronic component incorporating solder fuse wire
US5446436A (en) * 1992-11-04 1995-08-29 Space Systems/Loral, Inc. High voltage high power arc suppressing fuse
JPH0864750A (ja) * 1994-08-23 1996-03-08 Toshiba Corp 半導体装置
JP3877340B2 (ja) * 1994-08-29 2007-02-07 ローム株式会社 安全ヒューズ付パッケージ型固体電解コンデンサ
DE4435255A1 (de) * 1994-10-01 1996-04-04 Abb Management Ag Verfahren zur Fehlerbehebung in einer Stromrichterschaltungsanordnung
DE19752196C1 (de) * 1997-11-25 1999-02-11 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit definiertem Verhalten bei einem Ausfall und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE10007209A1 (de) 2000-02-17 2001-09-06 Bosch Gmbh Robert Halbleiter-Leistungsbauelement mit Schmelzsicherung
US6606228B1 (en) * 2000-11-27 2003-08-12 Ametek, Inc. Fault detection circuit for use with a power control device
DE102006009236A1 (de) * 2006-02-28 2007-09-06 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zur temperaturunterbrechenden Absicherung eines elektrischen Bauelements
WO2007110850A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Littelfuse Ireland Limited Transient voltage surge suppression
US8525633B2 (en) * 2008-04-21 2013-09-03 Littelfuse, Inc. Fusible substrate
JP5571466B2 (ja) * 2010-06-10 2014-08-13 イビデン株式会社 プリント配線板、電子デバイス、及びプリント配線板の製造方法
JP6508527B2 (ja) * 2015-10-12 2019-05-08 株式会社オートネットワーク技術研究所 端子付き電線
JP6660278B2 (ja) * 2016-10-26 2020-03-11 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL59854C (de) * 1940-07-03
US2979644A (en) * 1960-05-13 1961-04-11 Chase Shawmut Co Protection for semiconductor power diodes
US3444440A (en) * 1964-11-27 1969-05-13 Motorola Inc Multiple lead semiconductor device with plastic encapsulation supporting such leads and associated elements
US3451609A (en) * 1967-08-24 1969-06-24 Us Air Force Heat shrinkable plastic soldering sleeve
JPS5016503B1 (de) * 1969-11-06 1975-06-13
DE2214163A1 (de) * 1972-03-23 1973-10-11 Bosch Gmbh Robert Elektrische schaltungsanordnung
US3777297A (en) * 1972-10-27 1973-12-04 Chase Shawmut Co Electric fuse for elevated circuit voltages
JPS4985961A (de) * 1972-12-22 1974-08-17
US3832606A (en) * 1973-02-15 1974-08-27 Gen Motors Corp Semiconductor diode package with protection fuse
JPS568457B2 (de) * 1973-05-30 1981-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd
DE2408540C2 (de) * 1974-02-22 1982-04-08 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Halbleiterbauelement aus einer Vielzahl mindestens annähernd gleicher Schaltungselemente und Verfahren zum Erkennen und Abtrennen defekter Schaltungselemente

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19833224A1 (de) * 1998-07-23 2000-01-27 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Schutz einer elektrischen Last
DE19833224B4 (de) * 1998-07-23 2009-02-26 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zum Schutz einer elektrischen Last

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DE2758890A1 (de) 1978-08-03

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