DE10007209A1 - Halbleiter-Leistungsbauelement mit Schmelzsicherung - Google Patents

Halbleiter-Leistungsbauelement mit Schmelzsicherung

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Klaus-Uwe Mittelstaedt
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Karl-Otto Heinz
Holger Haussmann
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Leistungsbauelement (Diode 18) mit einem Anschlußdraht (11) und mit einer im Hauptstrompfad liegenden, bei thermischer Überlastung ansprechenden Schmelzsicherung (12), insbesondere für den Einsatz im Bordnetz von Kraftfahrzeugen. Um bei Überlastungen von Halbleiter-Leistungsbauelementen zur Vermeidung von Folgeschäden eine vorab bestimmte, gezielte Abschaltung des gefährdeten Bauelementes zu erreichen, wird vorgeschlagen, daß ein Teilabschnitt (11b) des Anschlußdrahtes (11) und/oder dessen Kontaktstellen im Hauptstrompfad des Halbleiters als eine auf einen vorgegebenen, stromabhängigen Temperaturwert ansprechende Schmelzsicherung (12) ausgebildet ist.

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Leistungsbauelement mit einer in seinem Hauptstrompfad liegenden Schmelzsicherung nach der Gattung des Hauptanspruchs.
Stand der Technik
Die zur Zeit verwendeten elektrischen Halbleiter- Leistungsbauelemente wie Dioden, Zenerdioden oder Transistoren, können aufgrund von Fertigungsfehlern, elektrischer Überlastung oder thermischer Überlastung an ihrer Schaltstrecke durchlegieren und damit zu einem elektrischen Kurzschluß führen. Bei Gleichrichteranordnungen an Drehstromgeneratoren im Kraftfahrzeugbau können Kurzschlüsse außerdem durch verpolt angeschlossene Batterien oder durch eine verpolt angeschlossene Ladevorrichtung einer Kraftfahrzeug-Batterie auftreten, was zu einem unzulässig hohen Strom im Hauptstrompfad der Halbleiter- Leistungsbauelemente führt. Der Kurzschlußstrom führt dabei in den meisten Fällen bereits nach kurzer Zeit zur Zerstörung der Halbleiter-Leistungsbauelemente sowie umliegender Komponenten, zum Beispiel der Zuleitungen oder Abdeckungen. Im Extremfall können durch solche Ereignisse aber auch Überhitzungen mit Folgeschäden im Kraftfahrzeug entstehen, bevor der Überstrom durch die Zerstörung des Halbleiters unterbrochen wird.
Zum Schutz von Halbleitern werden gegebenenfalls Sicherungen verwendet. Handelsübliche Schmelzsicherungen, die grundsätzlich zu den Halbleiter-Leistungsbauelementen elektrisch in Reihe geschaltet werden können, bedürfen jedoch eines besonderen Bauraumes mit entsprechendem Konstruktionsaufwand. Sie ergeben zusätzlich einen elektrischen Reihenwiderstand, der stromabhängige Verlustwärme erzeugt.
Aus der DE 30 01 522 C2 ist bereits bekannt, in einer Gleichrichteranordnung zwischen den Verbindungen der Plus- und Minus-Leistungsdioden der Gleichrichterbrücken jeweils ein Sicherungselement anzuordnen. Die Sicherungen werden dabei durch schleifenförmig aus Ausnehmungen einer Schaltungsplatine der Gleichrichteranordnung herausgebogene Leiterabschnitte gebildet, die im Falle einer elektrischen Überbelastung durchschmelzen. Aufgrund der Fertigungstoleranzen ergeben sich hierbei jedoch unzulässig große Unterschiede in der Ansprechcharakteristik derartiger Schmelzsicherungen, so daß sie zumindest bei Generatoren mit hoher Leistungsdichte ungeeignet sind.
Mit der vorliegenden Erfindung wird angestrebt, bei Halbleiter-Leistungsbauelementen eine Sicherung gegen eine elektrische oder thermische Überbelastung zu integrieren, die möglichst einfach in der Herstellung und zuverlässig im Ansprechverhalten auf einen vorgegebenen Temperatur- Grenzwert ist.
Vorteile der Erfindung
Das erfindungsgemäße Halbleiter-Leistungsbauelement mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat den Vorteil, daß durch die Ausbildung des Halbleiter- Anschlußdrahtes oder dessen Kontaktstellen als Schmelzsicherung weder ein zusätzliches Bauteil noch ein zusätzlicher Platz sondern nur ein geringer zusätzlicher Materialaufwand erforderlich ist. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß mit der Schmelzsicherung kein zusätzlicher Widerstand mit zusätzlicher Verlustwärme im Hauptstrompfad des Halbleiter-Leistungsbauelementes eingefügt werden muß.
Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen ergeben sich aus den übrigen, in den Unteransprüchen genannten Merkmalen. Da die thermische Belastung von Transistoren in der Regel durch eine Steuerung der Stromstärke durch den Leistungstransistor selbst zu begrenzen ist, wird zweckmäßiger Weise die vorgeschlagene Lösung bei passiven Halbleitern, vorzugsweise bei Dioden oder Zenerdioden verwendet. Ihr Einsatz ist besonders geeignet bei den passiven Halbleitern in einem Brückengleichrichter eines Drehstromgenerators für Kraftfahrzeuge. Dort ist das Halbleiter-Leistungsbauelement, das mit seinem dem Anschlußdraht abgewandten weiteren Anschluß in an sich bekannter Weise aus einem Metallgehäuse besteht, in einem Kühlkörper strom- und wärmeleitend befestigt.
Eine besonders einfache und zuverlässige Lösung ergibt sich dadurch, daß der als Schmelzsicherung ausgebildete Teilabschnitt des Anschlußdrahtes beziehungsweise dessen Kontaktstellen in einem strom- und wärmeisolierenden, temperaturbeständigen, Material eingebettet ist. Im konkreten Fall kann das Gleichrichter-Leistungsbauelement bereits unmittelbar nach seiner Herstellung mit einer Schmelzsicherung aufgerüstet werden, indem der Kontaktbereich des Halbleiters mit dem Anschlußdraht, auch Kopfdraht genannt, von einer Vergußmasse aus Silikon abgedeckt wird. Alternativ dazu kann jedoch auch das obere Ende des Anschlußdrahtes, und zwar sein Kontaktbereich mit einem Verbindungsleiter im Hauptstrompfad, von einer Vergußmasse aus Silikon abgedeckt werden. Dies ist besonders vorteilhaft bei einer nachträglichen Absicherung, beispielsweise bei Brückengleichrichtern an Drehstromgeneratoren von Kraftfahrzeugen. Montagetechnisch ist es jedoch besonders vorteilhaft, wenn der zwischen den beiden Enden liegende mittlere Abschnitt des Anschlußdrahtes zur Bildung der Sicherung von einer Hülse, vorzugsweise aus Keramik umgeben wird. Um sie gegen Schüttelbeanspruchungen ausreichend zu sichern, ist es vorteilhaft, wenn die Hülse auf dem Anschlußdraht klemmend aufgeschoben wird.
Eine anspruchsvolle und auf einen vorab bestimmbaren Temperatur-Grenzwert ansprechende gezielte Abschaltung von Überströmen läßt sich durch eine Lösung realisieren, bei der der mittlere Abschnitt des Anschlußdrahtes als Schmelzsicherung mit einer zweistufigen Ansprechcharakteristik ausgebildet ist. In zweckmäßiger Weise wird dabei der mittlere Abschnitt des Anschlußdrahtes durch plastisches Verformen zu einem ersten Widerstandselement im Querschnitt verringert und zu einem zweiten Widerstandselement parallel geschaltet, dessen Schmelztemperatur geringer als die des Anschlußdrahtes ist. Eine besonders einfach herzustellende Lösung sieht vor, daß der mittlere Abschnitt des Anschlußdrahtes halbkreisförmig verformt ist und daß in der dadurch gebildeten halbkreisförmigen Ausformung das zweite Widerstandselement eingesetzt ist. In besonders zweckmäßiger Weise besteht dabei das zweite Widerstandselement aus Zinn, welches in einem Lötbad in den halbkreisförmigen Raum eingeschwemmt wird. Eine genaue Dosierung der Materialanhäufung und Materialverteilung läßt sich in vorteilhafter Weise dadurch erreichen, daß das zweite Widerstandselement eine aus Zinn bestehende Lötpille vorgegebener Größe ist, welche in die Ausformung des mittleren Abschnittes eingelötet wird. Alternativ dazu kann je nach dem geforderten Ansprechverhalten der Schmelzsicherung das zweite Widerstandselement auch eine Zinkscheibe sein, die mittels eines Lötbades in die Ausformung des mittleren Abschnittes eingelötet wird. Für den Anschlußdraht wird dabei zweckmäßiger Weise ein Runddraht aus Kupfer verwendet.
In jedem dieser Fälle wird durch die vorgegebenen Schmelztemperaturen der beiden Widerstandselemente sichergestellt, daß bei einer Überlastung des Halbleiter- Leistungsbauelementes zunächst das zweite Widerstandselement aus Zinn oder Zink abschmilzt, wodurch der Strom in dem verbleibenden ersten Widerstandselement derart stark ansteigt, daß auch dieses Widerstandselement danach unverzüglich durchschmilzt und den Hauptstrompfad unterbricht. Um an der Schmelzsicherung eine Erhöhung des elektrischen Widerstandes gegenüber dem ursprünglichen Anschlußdraht zu vermeiden, wird durch die Form und Materialauswahl der beiden Widerstandselemente der Schmelzsicherung erreicht, daß sie einen elektrischen Gesamtwiderstand hat, der nicht größer ist als der eines unverformten Anschlußdrahtes von entsprechender Länge.
Zeichnungen
Weitere Einzelheiten der Erfindung sind in den nachfolgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen anhand der zugehörigen Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 das Schaltbild eines Halbleiter-Leistungsbauelements mit erfindungsgemäß integrierter Schmelzsicherung, Fig. 2 das Schaltbild eines Drehstromgenerators mit Brückengleichrichter, Fig. 3 die konstruktive Ausbildung eines Brückengleichrichters aus Fig. 2 für Kraftfahrzeuge in der Draufsicht, Fig. 4 einen Querschnitt durch den Brückengleichrichter nach Linie A-A' aus Fig. 3, Fig. 5 als zweites Ausführungsbeispiel einen teilweisen Querschnitt durch einen Gleichrichter gemäß Fig. 3, Fig. 6 ein drittes Ausführungsbeispiel mit einem Teilschnitt durch einen Gleichrichter gemäß Fig. 3, Fig. 7 das Ersatzschaltbild für eine zweistufige Schmelzsicherung als viertes Ausführungsbeispiel, Fig. 8 die vergrößerte Darstellung der zweistufigen Schmelzsicherung und Fig. 9 einen weiteren Teilquerschnitt durch einen Gleichrichter gemäß Fig. 3 mit der zweistufigen Schmelzsicherung nach Fig. 8.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
In Fig. 1 ist das Schaltbild eines Halbleiter- Leistungsbauelementes 10 dargestellt, in dessen Anschlußdraht 11 eine Schmelzsicherung 12 integriert ist. Die Schmelzsicherung 12 soll bei einer thermischen Überlastung den Hauptstrompfad zuverlässig beim Erreichen eines vorgegebenen stromabhängigen Temperatur-Grenzwertes unterbrechen. Gefährdet sind hierbei insbesondere passive Halbleiter, wie Dioden und Zenerdioden, deren Stromstärke im Hauptstrompfad nicht über eine Steuerstrecke des Leistungsbauelementes begrenzt werden kann. Besonders kritisch ist dabei die Verwendung derartiger Halbleiter- Leistungsbauelemente in Kraftfahrzeugen, da dort neben der Zerstörung des Halbleiterelementes selbst auch noch umliegende Komponenten zerstört werden können, wobei im Extremfall weiterführende, thermische Schäden auftreten können.
Fig. 2 zeigt daher das Schaltbild eines Kraftfahrzeug- Drehstromgenerators 14 mit angebautem Brückengleichrichter 15, dessen Gleichrichterbrücken 16 jeweils eine Plusdiode 17 und eine dazu in Reihe liegende Minusdiode 18 aufweisen. Die im Stern geschalteten Generatorwicklungen 19 sind mit je einem Ende an einer der drei Gleichrichterbrücken 16 angeschlossen. Die Plusdioden 17 sind kathodenseitig mit einer Plusklemme 20 und die Minusdioden 18 sind anodenseitig mit einem Masseanschluß 21 verbunden. Beide Anschlüsse 20 und 21 werden über das Bordnetz eines Kraftfahrzeuges mit dessen Akkumulatorbatterie 22 verbunden. Die Plus- und Minusdioden 17, 18 bilden jeweils ein Halbleiter- Leistungsbauelement in Form einer Zenerdiode. Sie besteht in an sich bekannter Weise aus einem elektrisch leitenden Metallgehäuse mit einem innen liegenden, vergossenen Halbleiterchip. Der eine Anschluß wird in einem mit dem Chip kontaktierten Kopfdraht und der andere Anschluß durch das elektrisch leitende Metallgehäuse gebildet, welches in einem Kühlkörper eingepreßt wird. Der Kopfdraht stellt dabei den Anschlußdraht 11 aus Fig. 1 dar, der durch die Schmelzsicherung 12 ergänzt wird.
In den Fig. 3 bis 6 und 9 sind verschiedene Ausführungsformen des Brückengleichrichters 15 dargestellt. Fig. 3 zeigt die Draufsicht auf den Brückengleichrichter 15, wobei in Verbindung mit Fig. 4 erkennbar ist, daß die Plusdioden 17 in einem Pluskühlkörper 25 und die Minusdioden 18 in einem Minuskühlkörper 26 eingepreßt sind. In einer Schaltungsplatine 27 aus Kunststoff sind Verbindungsleiter 28 eingebettet, welche die Plusdioden 17 anodenseitig mit dem kathodenseitigen Anschluß der Minusdioden 18, sowie mit je einem Wicklungsende des Drehstromgenerators 14 zu jeweils einer Gleichrichterbrücke 16 miteinander verbinden. Die Verbindungsleiter 28 sind in ihren Anschlußbereichen jeweils zu einer Schleife 29 gebogen, welche seitlich aus Fenstern 30 der Schaltungsplatine 27 beziehungsweise an deren Außenseite radial vorstehen. In den Schleifen 29 werden die Anschlußdrähte 11 der Dioden 17, 18 beziehungsweise die Enden der Generatorwicklung 19 durch Quetschen, Schweißen oder Löten kontaktiert. Der Minuskühlkörper 26 wird durch ein Isolierteil 31 von dem darüber angeordneten Pluskühlkörper 25 isoliert.
Der in Fig. 4 dargestellte Querschnitt durch den Gleichrichter nach Fig. 3 zeigt eine Plusdiode 17 und eine Minusdiode 18, bei dem der Kontaktbereich 32 des im Metallgehäuse 33 vergossenen Halbleiters mit dem unteren Ende des Anschlußdrahtes 11 von einer Vergußmasse 34 aus Silikon abgedeckt ist. Diese Vergußmasse 34 ist eine temperaturbeständige, nicht brennbare, elektrische und thermische Isolation des Kontaktbereichs 32, der damit als Sicherungselement ausgebildet ist, das bei einem vorgegebenen Ansprechwert des Stromes wegschmilzt und damit den Hauptstrompfad der Diode 17, 18 unterbricht. Bei einer allmählich ansteigenden Erwärmung des Kontaktbereiches 32 wird die Wärme jedoch über die Vergußmasse 34 an den Kühlkörper 25, 26 abgeleitet. Dadurch ergibt sich im zulässigen Betrieb des Brückengleichrichters 15 eine annähernd gleichbleibende Diodentemperatur. Bei einem Kurzschluß oder einem entsprechenden Auslösefall kann jedoch die im Kontaktbereich 32 entstehende Wärme durch die Vergußmasse 34 nicht ausreichend abgeführt werden, so daß der Kontaktbereich 32 durchbrennt und den Strompfad auftrennt. Somit werden alle auf eine überhöhte Strombelastung zurückzuführenden Fälle von Überhitzungen gefährdeter, im Bereich der Dioden liegender Bauteile des Brückengleichrichters 15 sicher verhindert.
Fig. 5 zeigt in einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung einen Querschnitt durch den Teil mit der Plusdiode 17 des Brückengleichrichters 15 nach dem Schnitt A-A' aus Fig. 3, wobei gleiche Teile mit gleichen Bezugszahlen versehen sind. Dort bildet eine Quetsch- und Schweißverbindung 36 am oberen Ende des Anschlußleiters 11 mit einer Schleife 29 des Verbindungsleiters 28 in der Schaltungsplatine 27 einen Kontaktbereich 36a im Hauptstrompfad 13 einer Gleichrichterbrücke 16, der in einer Vergußmasse 34a aus Silikon eingebettet ist. Auch hier wird durch die thermische Isolation des Kontaktbereiches 36a dieser als Schmelzsicherung ausgebildet, der beim Überschreiten eines vorgegebenen, maximal zulässigen Stromes durchschmilzt und damit den Hauptstrompfad des Halbleiter- Leistungsbauelementes unterbricht. Im Normalbetrieb erhöht sich dagegen die Temperatur des Kontaktbereiches 36 auf Grund der Vergußmasse 34a und der dortigen Übergangswiderstände nur geringfügig, so daß dies im Normalfall auf Grund der Auswahl der geeigneten Vergußmasse und deren Dosierung unkritisch bleibt. Bei elektrischer Überlastung verursacht jedoch die Vergußmasse 34a eine Wärmeanhäufung, die das Wegschmelzen des Kontaktbereichs 36a zur Folge hat.
Fig. 6 zeigt in einem dritten Ausführungsbeispiel einen Querschnitt durch den Teil mit der Minusdiode 18 des Brückengleichrichters 15 gemäß A-A' aus Fig. 3, wobei auch hier gleiche Teile mit gleichen Bezugszahlen versehen sind. Bei dieser Lösung ist ein Teilabschnitt 11a des Anschlußdrahtes 11 als Schmelzsicherung ausgebildet, indem dieser zwischen den beiden Enden liegende mittlere Teilabschnitt von einer thermisch isolierenden Hülse 37 umgeben ist. Als temperaturbeständiges Material kann dabei eine Keramik oder ein Kunststoff aus duroplatischem Material verwendet werden. Die Hülse 37 kann dabei lose auf den Anschlußdraht 11 aufgeschoben sein, damit im Auslösefall beim Überschreiten der maximal zulässigen Stromstärke dieser Teilabschnitt 11a des Anschlußdrahtes wegschmelzen und damit den Hauptstrompfad der Plusdiode unterbrechen kann. Zur Vermeidung von Beschädigungen des Anschlußdrahtes durch Schüttelbeanspruchungen ist jedoch die Bohrung 38 der Hülse 37 im oberen Bereich enger ausgebildet, so daß sie dort auf den Anschlußdraht klemmend aufgeschoben ist.
In einem vierten Ausführungsbeispiel ist vorgesehen, den mittleren Abschnitt 11b eines als Plus- oder Minusdiode eingesetzten Halbleiter-Leistungsbauelementes 10 als Schmelzsicherung 12 mit einer zweistufigen Ansprech- Charakteristik auszubilden.
Fig. 7 zeigt hierfür das Ersatzschaltbild, wobei der mittlere Abschnitt 11b des Anschlußdrahtes 11 zu einem ersten Widerstandselement 40 ausgebildet ist, zu dem ein zweites Widerstandselement 41 mit geringerer Schmelztemperatur parallel geschaltet ist. Durch Form und Materialauswahl der beiden Widerstandselemente 40, 41 der Schmelzsicherung 12 wird ein elektrischer Gesamtwiderstand erzielt, der nicht größer ist als der eines geraden Anschlußdrahtes von entsprechender Länge. Dadurch ergibt sich am Halbleiter-Leistungsbauelement 10 durch die Integration der zweistufigen Schmelzsicherung 12 keine Erhöhung des Widerstandes und somit keine Erhöhung der Verlustleistung.
In Fig. 8 ist ein solcher Anschlußdraht 11 einer zweistufigen Schmelzsicherung 12 in stark vergrößerter Darstellung erkennbar. Der mittlere Abschnitt 11b des Anschlußdrahtes 11 ist hier durch plastisches Verformen zu dem ersten Widerstandselement 40 im Querschnitt verringert und halbkreisförmig gebogen. In der dadurch gebildeten halbkreisförmigen Ausformung 42 ist das zweite Widerstandselement 41 eingesetzt. Das zweite Widerstandselement 41 besteht hier aus einer Zinkscheibe, die in einem Lötbad in die Ausformung 42 des mittleren Abschnittes 11b am Anschlußdraht 11 eingelötet ist. Alternativ hierzu ist es auch möglich, die Ausformung des Anschlußdrahtes 11 so zu gestalten, daß sich in einem Lötbad darin anstelle der Zinkscheibe eine ausreichende Menge Zinn ansammelt, welche nach Abkühlung dann das zweite Widerstandselement 41 bildet. Schließlich ist es auch möglich, eine dosierte Menge Zinn in Form einer Lötpille vorgegebener Größe in die Ausformung 42 einzulöten. In allen Fällen wird für den Anschlußdraht 11 ein Draht aus Kupfer vorgesehen. Denkbar ist jedoch auch die Verwendung eines Anschlußdrahtes 11 mit einer Kupferoberfläche.
In Fig. 9 ist schließlich in einem Ausschnitt eines Brückengleichrichters gemäß A-A' aus Fig. 3 eine Minusdiode 18 mit einer Schmelzsicherung 12 gemäß Fig. 8 in ihrem Anschlußdraht 11 dargestellt.
Durch die Querschnittsverringerung des Anschlußdrahtes 11 in seinem mittleren kleinen Abschnitt 11b ist dessen elektrischer Widerstand je Längeneinheit einstellbar und zwar größer als der des unverformten Anschlußdrahtes 11. Seine Schmelztemperatur ist jedoch höher als die des zweiten Widerstandselementes 41. Bei einem unzulässig hohen Strom im Hauptstrompfad der Minusdiode 18 schmilzt somit das zweite Widerstandselement 41 auf, Grund der geringeren Schmelztemperatur. Da sodann der Gesamtstrom von dem ersten Widerstandselement 40 übernommen wird, schmilzt anschließend sogleich auch der Teilabschnitt 11b des Anschlußdrahtes 11 und schaltet den Strom der Minusdiode 18 ab. Im Beispielsfall hat die durch ein Lötbad eingelötete Zinkscheibe des ersten Widerstandselementes 41 eine Schmelztemperatur von etwa 420°C und einen spezifischen Widerstand von etwa 0,0625 Ωmm2/m. Bei der Verwendung von Zinn als zweites Widerstandselement beträgt die Schmelztemperatur etwa 232°C; der spezifische Widerstand beträgt etwa 0,1150 Ωmm2/m. Der Anschlußleiter 11 aus Kupferrunddraht hat eine Schmelztemperatur von etwa 1083°C und einen spezifischen Widerstand von 0,0179 Ωmm2/m.
Bei einem Einsatz der integrierten Schmelzsicherung in allen sechs Halbleiter-Leistungsbauelementen einer Gleichrichterbrücke von Drehstromgeneratoren für Kraftfahrzeuge ergibt sich als weiterer Vorteil, daß die Zenerdioden bei Überstrom selektiv abgeschaltet werden, so daß eine Weiterversorgung des Kraftfahrzeugbordnetzes - wenn auch mit eingeschränkter Leistung- und Spannungsqualität - möglich ist. Das Kraftfahrzeug ist somit nicht nur gegen Folgeschäden geschützt, sondern es ist auch noch vorübergehend fahrbereit, um eine Werkstatt aufsuchen zu können.

Claims (17)

1. Halbleiter-Leistungsbauelement (10) mit einem Anschlußdraht (11) in dessen Hauptstrompfad (13) und mit einer im Hauptstrompfad liegenden, bei thermischer Überlastung ansprechender Schmelzsicherung (12), vorzugsweise für den Einsatz im Bordnetz von Kraftfahrzeugen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teilabschnitt (11a; 11b) des Anschlußdrahtes (11) und/oder dessen Kontaktstellen (32; 36) im Hauptstrompfad (13) als eine auf einen vorgegebenen, stromabhängigen Temperaturwert ansprechende Schmelzsicherung (12) ausgebildet ist.
2. Halbleiter-Leistungsbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es ein passiver Halbleiter, vorzugsweise eine Diode oder Zenerdiode (17, 18) ist.
3. Halbleiter-Leistungsbauelement dadurch gekennzeichnet, daß die passiven Halbleiter (17, 18) in einem Brückengleichrichter (15) eines Drehstromgenerators (14) für Kraftfahrzeuge eingesetzt sind.
4. Halbleiter-Leistungsbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß es mit seinem dem Anschlußdraht (11) abgewandten weiteren Anschluß in an sich bekannter Weise aus einem Metallgehäuse (33) besteht, das in einem Kühlkörper (25, 26) strom- und wärmeleitend befestigt ist.
5. Halbleiter-Leistungsbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der als Schmelzsicherung (12) ausgebildete Teilabschnitt (11a; 11b) des Anschlußdrahtes (11) und/oder dessen Kontaktstellen (32, 36) in einem strom- und wärmeisolierenden, temperaturbeständigen Material (34) eingebettet ist.
6. Halbleiter-Leistungsbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktstelle (32) des Halbleiterelementes (35) mit dem Anschlußdraht (11) von einer Vergußmasse (34), vorzugsweise aus Silikon abgedeckt ist.
7. Halbleiter-Leistungsbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktstelle (36) des Anschlußleiters (11) mit einem Verbindungsleiter (28) im Hauptstrompfad (13) von einer Vergußmasse (34a), vorzugsweise aus Silikon abgedeckt ist.
8. Halbleiter-Leistungsbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der zwischen den beiden Enden liegende mittlere Abschnitt (11a) des Anschlußdrahtes (11) von einer Hülse (37), vorzugsweise aus Keramik umgeben ist.
9. Halbleiter-Leistungsbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Hülse (37) auf dem Anschlußdraht (11) klemmend aufgeschoben ist.
10. Halbleiter-Leistungsbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der mittlere Abschnitt (11b) des Anschlußdrahtes (11) als Schmelzsicherung (12) mit einer zweistufigen Ansprechcharakteristik ausgebildet ist.
11. Halbleiter-Leistungsbauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der mittlere Abschnitt (11b) durch plastisches Verformen zu einem ersten Widerstandselement (40) im Querschnitt verringert und zu einem zweiten Widerstandselement (41) parallel geschaltet ist, dessen Schmelztemperatur geringer als die des Anschlußdrahtes (11) ist.
12. Halbleiter-Leistungsbauelement nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Form und Materialauswahl der beiden Widerstandselemente (40, 41) die Schmelzsicherung (12) einen elektrischen Gesamtwiderstand hat, der nicht größer ist als der eines Anschlußdrahtes (11) von entsprechender Länge.
13. Halbleiter-Leistungsbauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der mittlere Abschnitt (11b) halbkreisförmig verformt ist und daß in der dadurch gebildeten Ausformung (42) das zweite Widerstandselement (41) angeordnet ist.
14. Halbleiter-Leistungsbauelement nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Widerstandselement (41) eine Zinkscheibe ist, die mittels eines Lötbades in die Ausformung (42) des mittleren Abschnittes (11b) eingelötet ist.
15. Halbleiter-Leistungsbauelement nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Widerstandselement (41) aus Zinn besteht.
16. Halbleiter-Leistungsbauelement nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Zinn des zweiten Widerstandselementes (41) als Lötpille vorgegebener Größe in die Ausformung (42) des mittleren Abschnittes (11b) eingelötet ist.
17. Halbleiter-Leistungsbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußdraht (11) ein Runddraht aus Kupfer ist.
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