MXPA01010499A - Elemento semiconductor de potencia con seguro contra la fusion. - Google Patents

Elemento semiconductor de potencia con seguro contra la fusion.

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Abstract

La invencion se refiere a un elemento semiconductor de potencia (diodo 18) con un alambre de conexion (II) y con un seguro de fusion que responde a una sobrecarga termica dispuesto en la trayectoria de corriente principal, especialmente para la aplicacion en la red a bordo de los vehiculos de motor. Para evitar las sobrecargas en los elementos semiconductores de potencia y los danos sucesivos y alcanzar una desconexion buscada y determinada del elemento puesto en peligro, se propone, que una seccion parcial (11b) del alambre de conexion (11) y/o sus lugares de contacto en la trayectoria de corriente principal del semiconductor, se construya o se construyan como un seguro de fusion (12) correspondiente a un valor de temperatura preestablecido y dependiente de la corriente.

Description

ELEMENTO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON SEGURO CONTRA LA FUSIÓN. CAMPO DE LA INVENCIÓN. La invención se refiere a un elemento semiconductor de potencia con un seguro contra la fusión contenido en la trayectoria de corriente principal, de acuerdo a la idea de la reivindicación principal. ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN. Los elementos semiconductores eléctricos de potencia utilizados actualmente, tales como diodos, diodos Zener y transistores, pueden en razón de fallas de fabricación, soportar una carga eléctrica o una carga térmica, en su circuito y con esto conducir a un corto circuito eléctrico. En arreglos de corriente continua en generadores de corriente trifásica en la estructura de vehículos de motor, pueden presentarse cortos circuitos además, por baterías conectadas con los polos erróneamente o por medio de un dispositivo de carga conectado erróneamente en los polos de una batería de vehículo de motor, lo que conduce a una corriente intolerablemente elevada en la trayectoria de corriente principal del elemento semiconductor de potencia. La corriente de corto circuito, conduce en la mayoría de los casos después de un tiempo corto a la destrucción del elemento semiconductor de potencia, así como de los componentes cercanos, por ejemplo de los conductos o cubiertas. En caso extremo, pueden presentarse como consecuencia también sobrecalentamientos con los daños consecuentes en el vehículo de motor, antes de que la sobrecorriente se interrumpa por la destrucción del semiconductor. Para la protección de los semiconductores se utilizan, dado el caso, seguros, seguros contra fusión usuales en el comercio que estén eléctricamente conectados básicamente en serie a los elementos semiconductores de potencia, exigen sin embargo, un espacio constructivo importante con un gasto en construcción correspondiente; presentan además una resistencia en serie eléctrica que genera un calor de pérdida dependiente de la corriente. Por la DE 30 01 52 2 C2 ya se conoce en un arreglo de corriente continua entre las entradas positiva y negativa de los diodos de potencia de los puentes de corriente continua, el colocar un elemento de seguridad. Los seguros están formados por escotaduras en forma de afilamiento de una platina de conmutación del arreglo de corriente continua en secciones conductoras arqueadas, las cuales se funden en caso de una sobrecarga eléctrica. En razón de las tolerancias de fabricación, se producen aquí sin embargo, grandes diferencias intolerables en las características asociadas a los seguros de fusión de ese tipo, de modo que son inadecuados cuando menos en casos de generadores de alta densidad de potencia. SUMARIO DE LA INVENCIÓN Con la presente invención se procura con los elementos de semiconductores de potencia integrar un seguro contra una sobrecarga eléctrica o térmica, que sea lo más sencillo posible en su fabricación y que presente un rendimiento suficiente, como valor limite para una temperatura preestablecida. El elemento semiconductor de potencia de acuerdo con la invención con las propiedades características de la reivindicación principal, tiene la ventaja que por la conformación del alambre de conexión semiconductor o por sus posiciones de contacto como seguro de fusión, no necesita ninguna parte constructiva adicional ni un lugar adicional, sino únicamente un gasto de material adicional muy escaso. Otra ventaja consiste en que con el seguro de fusión no debe agregarse ninguna resistencia adicional, con pérdida de calor adicional en la trayectoria del elemento principal del elemento semiconductor de potencia. Otras estructuras y conformaciones ventajosas se presentan por las propiedades usuales mencionadas en las reivindicaciones dependientes. Puesto que la carga térmica de los transistores por regla general en sí misma está limitada por un control de la intensidad de corriente a través del transistor de potencia, la forma especialmente favorable de la solución propuesta, se utiliza en semiconductores pasivos preferentemente en diodos o diodos Zener. Su utilización es especialmente adecuada en los semiconductores pasivos en un rectificador de puente de un generador de corriente trifásica, para vehículos de motor. Ahí, el elemento semiconductor de potencia cuya conexión opuesta al alambre de conexión consiste de manera conocida de una caja metálica, está fijado en un cuerpo de enfriamiento que conduce la corriente y el calor. Una solución especialmente sencilla y satisfactoria, se produce si la sección parcial del alambre de conexión construido como seguro de fusión, o sus posiciones de contacto se embuten en un material aislante de la corriente y el calor, resistente a la temperatura. En un caso concreto, puede el elemento rectificador de potencia directamente después de su fabricación equiparse con un seguro de fusión, cuando la zona de contacto del semiconductor con el alambre de conexión, también llamado alambre principal, se cubre por una masa hecha de silicona. Sin embargo, alternativamente para ello también puede cubrirse el extremo del alambre de conexión, y precisamente su zona de contacto con un conductor de unión en la trayectoria de corriente principal, por medio de una masa hecha de silicona. Esto es especialmente ventajoso para una seguridad posterior, por ejemplo en rectificadores de puente, en generadores de corriente trifásica de vehículos de motor. Sin embargo, es especialmente ventajoso desde el punto de vista de la técnica de montaje, si la sección del alambre de conexión que queda centralmente entre ambos extremos, para formar el seguro, se rodea de un manguito preferentemente fabricado de material cerámico. Para protegerlo suficientemente contra esfuerzos de agitación, es ventajoso si el manguito se empuja sobre el alambre de conexión de manera adherente. Una desconexión de sobrecorrientes determinadas previamente de acuerdo con un valor limite de temperatura y que responda de manera completa, se puede realizar por medio de una solución en la cual la sección media del alambre de conexión se construye como seguro de fusión con una característica de respuesta de dos etapas. De manera preferible para el fin perseguido, se disminuye en el corte transversal, la sección central del alambre de conexión por medio de una deformación plástica obteniéndose un primer elemento de resistencia que se conecta en paralelo a un segundo elemento de resistencia, cuya temperatura de fusión sea menor que la del alambre de conexión. Una solución realizable de manera especialmente sencilla, procura que la sección media o central del alambre de conexión se modele de forma semicircular y que la conformación semicircular así construida, se utilice en el segundo elemento de resistencia. De una manera especialmente favorable consiste aquí el segundo elemento de resistencia de estaño, el cual se hace flotar en un baño de soldadura en el espacio semicircular. Una dosificación exacta de la acumulación de material y de la distribución de material se puede alcanzar de manera ventajosa porque, el segundo elemento de resistencia tiene un tamaño preestablecido desde un punto de soldadura que consiste de estaño, el cual se suelda en el hueco de la sección central. Alternativamente a esto, se puede según sea el comportamiento exigido del seguro de fusión, hacer que el segundo elemento de resistencia también sea un disco de zinc, el cual por medio de un baño de soldadura, se suelde en el hueco de la sección central. Para el alambre de conexión se utiliza de manera favorable un alambre redondeado hecho de cobre. En cada uno de estos casos se establece de manera segura la temperatura de fusión preestablecida de ambos elementos de resistencia, en donde una sobrecarga del elemento semiconductor de potencia, primeramente funde al segundo elemento de resistencia hecho de estañó o zinc, con lo cual la corriente en el primer elemento de resistencia que todavía permanece en uso aumenta fuertemente, de tal manera que también este elemento de resistencia se funde posteriormente de manera inevitable y se interrumpe la trayectoria de corriente principal. Para evitar en el seguro de fusión un aumento de la resistencia eléctrica con respecto al alambre de conexión original, se consigue por la forma y selección del material de los dos elementos de resistencia del seguro de fusión, que tengan una resistencia conjunta eléctrica que no sea mayor que la de un alambre de conexión sin conformación de una longitud correspondiente . DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS Otras particularidades de la invención se explicaran mas detalladamente en los siguientes ejemplos de realización descritos en referencia a los dibujos anexos. En los cuales: La figura 1, muestra un diagrama de conexiones de un elemento semiconductor de potencia con un seguro de fusión integrado de acuerdo con la invención, La figura 2, muestra el diagrama de conexiones de un generador de corriente trifásica con rectificador de puente, La figura 3, muestra en una vista de planta la estructura constructiva de un rectificador de puente según la figura 2 para vehículos; La figura 4, muestra una sección transversal a través del rectificador de puente según la línea A-A' de la figura 3; La figura 5, muestra un segundo ejemplo de realización de un corte transversal parcial parcial a través de un rectificador de acuerdo a la figura 3. La figura 6, muestra un tercer ejemplo de realización con un corte parcial a través de un rectificador según la figura 3, La figura 7, muestra el diagrama de conexión substituto para un seguro de fusión de dos etapas como cuarto ejemplo de realización, La figura 8, muestra la representación agrandada del seguro de fundido de dos etapas y La figura 9 muestra otro corte transversal parcial a través de un rectificador según la figura 3 con el seguro de fusión de dos etapas de acuerdo con la figura 8. DESCRIPCIÓN DE LA INVENCIÓN. En la figura 1, se representa la imagen de conmutación de un elemento semiconductor de potencia 10, en cuyo alambre de conexión 11 está integrado un seguro de fusión 12. El seguro de fusión 12, debe interrumpir con una sobrecarga térmica la trayectoria de corriente principal de manera satisfactoria al alcanzarse un valor límite de temperatura preestablecido que dependa de la corriente. Aquí están en peligro especialmente semiconductores pasivos, tales como diodos y diodos de Zener, cuya intensidad de corriente en la trayectoria de corriente principal no se puede limitar por un tramo de control del elemento de potencia. Especialmente crítica es la utilización de tales elementos de semiconductores de potencia en los vehículos de motor, puesto que allí junto a la destrucción del elemento semiconductor, aún se pueden destruir los componentes vecinos, donde en un caso extremo se pueden presentar daños térmicos de mayor alcance. La figura 2, muestra por lo tanto la imagen de conexión de un generador de corriente trifásica 14 de un vehículo, con un rectificador de puente 15 instalado, cuyos puentes rectificadores 16 cada vez presentan un diodo positivo 17 y un diodo negativos 18 que queda en serie. La bobina del generador 19 conectado en estrella, está conectado con un extremo a uno de los tres puentes rectificadores 16. Los diodos positivos 17 están unidos por el lado del cátodo con una terminal de contacto positiva , y los diodos negativos 18 están unidos por el lado del ánodo por una conexión a tierra 21. .Ambas conexiones 20 y 21, están unidas por la red que se encuentra a bordo de un vehículo de motor, con su batería de acumulador 22. Los diodos negativo y positivo 17, 18 forman cada vez un elemento semiconductor de potencia en forma de un diodo Zener. Este consiste de manera en sí conocida, de una caja o alojamiento metálico conductor eléctricamente con un chip de semiconductor que yace en su interior. Una de las conexiones se forma en un alambre principal que hace contacto con el chip y la otra conexión se forma por la caja metálica conductora eléctricamente, la cual se mete a presión en un cuerpo de enfriamiento. El alambre principal, representa allí el alambre de conexión 11 en la figura 1 que se amplifica por el seguro de fusión 12. En las figuras 3 a 6 y 9, se representan diferentes formas de realización del rectificador de puente 15. La figura 3 muestra la vista de planta sobre el rectificador de puente 15, donde en relación a la figura 4 se puede reconocer que, los diodos positivos 17 están metidos a presión en un cuerpo de enfriamiento positivos 25 y los diodos negativos 18 lo están en un cuerpo de enfriamiento negativo 26. En una platina de conmutación 27 hecha de material sintético, están embutidos conductores de unión 28, los cuales unen los diodos positivos 17 por el lado del ánodo con la conexión por el lado de cátodo de los diodos negativos 18, así como con cada extremo de la bobina del generador de corriente trifásica 14 a cada uno de los puentes rectificadores 16 uniéndolos entre sí. Los conductores de unión 28 están en sus zonas de conexión cada vez arqueados en un lazo 29, los cuales sobresalen lateralmente desde ventanas 30 de la platina de conexión 27 o radialmente en sus lados externos. En los lazos 29 hacen contacto los alambres de conexión 11 de los diodos 17, 18 o los extremos de la bobina del generador 19 por medio de compresión, soldaduras duras o soldaduras blandas. El cuerpo de enfriamiento negativo 26 se asila por una parte de aislamiento 31 del cuerpo de enfriamiento positivo 25 dispuesto arriba de aquél. La sección transversal representada en la figura 4 a través del rectificador según la figura 3, muestra un diodo positivo 17 y un diodo negativo 18 en el cual, la zona de contacto 32 del semiconductor colado en el alojamiento metálico 33 está cubierta con el extremo inferior del alambre de conexión 11 por una masa 34 hecha de silicona. Esta masa 34 es un aislamiento eléctrico y térmico resistente a la temperatura, no combustible, de la zona de contacto 32 que está formada como elemento de seguro que, respondiendo a un valor preestablecido de la corriente, se funde desapareciendo y con esto, la trayectoria de corriente principal del diodo 17, 18, se interrumpe. En un calentamiento que asciende lentamente de la zona de contacto 32, sin embargo, se desvía el calor por medio de la masa 34 al cuerpo de enfriamiento 25, 26. De esta manera se produce, en un funcionamiento permitido del rectificador de puente 15, una temperatura de diodo que aproximadamente permanece igual. En un corto circuito o en un caso de un disparo correspondiente, se puede sin embargo, no desviar el calor que se produce en la zona de contacto 32 de manera suficiente, de modo que la zona de contacto 32 se quema y se separa la trayectoria de corriente. De esta manera se impiden todos los casos de sobrecalentamiento peligrosos en las partes constructivas del rectificador de puente 15 que queda en la zona de los diodos, que puedan atribuirse a una carga de corriente excesivamente alta. La figura 5, muestra en un segundo ejemplo de realización de la invención, una sección transversal a través de la parte con el diodo positivo 17 del rectificador de puente 15 a lo largo del corte A-A' de la figura 3, donde las partes iguales están provistas por cifras de referencia iguales. Allí, una unión de soldadura o compresión 36 en el extremo superior del conductor de conexión 11 con un lazo 29 del conductor de unión 28 en la platina de conmutación 27, forma una zona de contacto 36a en la trayectoria de corriente principal 13 de un puente rectificador 16 el cual está embutido en una masa 34a hecha de silicona. También aquí, por el aislamiento térmico de la zona de contacto 36a, se forma este como seguro de fusión, el cual al sobrepasarse una corriente permitida máxima predeterminada se funde y con esto interrumpe la trayectoria de corriente principal del elemento semiconductor de potencia. En el funcionamiento normal, por el contrario se eleva solo ligeramente la temperatura de la zona de contacto 36 a base de la masa 34a y la resistencia de sobrepaso allí existente, de modo que en el caso normal a base de la selección de la masa adecuada y de su dosificación, permanece sin factor crítico. En la sobrecarga eléctrica se ocasiona, sin embargo, que la masa 34 tenga una acumulación de calor que tiene como consecuencia el fundido y desaparición de la zona de contacto 36a. La figura 6 muestra en un tercer ejemplo de realización, una sección transversal a través de la parte con el diodo negativo 18 del rectificador de puente 15, según la línea A-A' de la figura 3, donde también aquí partes iguales están provistas con iguales cifras de referencia. En esta solución, está formada una sección parcial lia del alambre de conexión 11 como seguro de fusión, en donde esta sección parcial que queda entre los dos extremos, está rodeada de un manguito 37 aislante térmicamente. Como material resistente a la temperatura, puede utilizarse un material de cerámica o sintético hecho de material duroplástico . El manguito 37 puede aquí empujarse suelto sobre el alambre de conexión 11, con lo cual en caso de accidente al sobrepasarse la intensidad de corriente máxima permitida, esta sección parcial lia del alambre de conexión se funde desapareciendo y con esto, se interrumpe la trayectoria de corriente principal del diodo positivo . Para evitar los daños en el alambre de conexión por esfuerzos de agitación, estará sin embargo, la perforación 38 del manguito 37 construida en la masa angosta de modo que, encaje adheriéndose sobre el alambre de conexión. En un cuarto ejemplo de realización, se provee que la sección central llb de un elemento semiconductor de potencia 10 utilizado como diodo positivo o negativo, se construya como seguro de fusión 12 con una característica de respuesta de dos etapas. La figura 7 muestra aquí el diagrama de conexión substituto, donde la sección central llb del alambre de conexión 11, está formada como un primer elemento de su resistencia 40 al cual está conectado en paralelo un segundo elemento de resistencia 41 que presenta una temperatura de fusión mas baja. Por la forma y la selección de material de ambos elementos de resistencia 40, 41 del seguro de fusión 12, se consigue una resistencia conjunta eléctrica que no es mayor que la de un alambre de conexión recto de longitud correspondiente. De esta manera en el elemento semiconductor de potencia 10 por la integración del seguro de fusión 12 de dos etapas, no se produce ningún aumento de la resistencia y con esto, ningún aumento de la pérdida de potencia. En la figura 8, es reconocible un alambre de conexión del tipo 11, de un seguro de fusión de dos etapas 14 en una representación muy agrandada. La sección central llb, del alambre de conexión 11, está aquí disminuida por la deformación plástica en la sección transversal a un primer elemento de resistencia 40 y arqueada en forma de semicírculo. En la conformación 42 de forma de semicírculo formada de esa manera, está puesto el segundo elemento de resistencia 41. El segundo elemento de resistencia 41 consiste aquí de un disco de zinc que está soldado en un baño de soldadura blanda en la deformación o hueco 42 de la sección central llb en el alambre de conexión 11. Alternativamente a esto, también es posible realizar el hueco de formación del alambre de conexión 11, de tal modo que en un baño de soldadura en vez del disco de zinc se ponga una cantidad suficiente de estaño, la cual después del enfriamiento formará entonces el segundo elemento de resistencia 41. Finalmente, también es posible el soldar el interior de la deformación 42 una cantidad dosificada de estaño en forma de un punto de soldadura de tamaño preestablecido. En todos los casos, se provee para el alambre de conexión 11 un alambre de cobre. Sin embargo, también se puede pensar en utilizar un alambre de conexión 11 con una superficie de cobre. Finalmente se representa en la figura 9 en un corte un rectificador de puente de acuerdo con la línea A-A' de la figura 3, un diodo positivo 18 con un seguro de fusión 12 según la figura 8, en su alambre de conexión 11. Por medio de la disminución o encogimiento de la sección transversal del alambre de conexión 11 a una sección central pequeña llb, se puede ajustar según la unidad de longitud su resistencia eléctrica que será precisamente mayor que la del alambre de conexión 11 no deformado. Sin embargo, su temperatura de fusión es mas elevada que la del segundo elemento de resistencia 41. En una corriente elevada intolerable en la trayectoria de corriente principal del diodo negativos 18, se fundió con esto el segundo elemento de resistencia 41 en razón de la temperatura de fusión mas baja. Puesto que entonces la corriente total del primer elemento de resistencia 40 se sobrepasará, se fundirá a continuación igualmente la sección parcial llb del alambre de conexión 11 y se desconectará la corriente del diodo negativo 18. En el caso ejemplar, el disco de zinc fundido por un baño de soldadura blanda y que pertenece al primer elemento de resistencia 41, se presenta una temperatura de fusión de aproximadamente 420°C y una resistencia específica de aproximadamente 0.0625Omm2/m. En la utilización de estaño como segundo elemento de resistencia, será la temperatura de fusión de aproximadamente 232°C, la resistencia específica tendrá un valor aproximado de 0.1150Omm2/m. El conductor de conducción 11 hecho de alambre redondo de cobre, tiene una temperatura de fusión de aproximadamente 1083°C y una resistencia especifica de 0.0179Omm2/m. En una aplicación del seguro de fusión integrado en todos los seis elementos semiconductores de potencia de un puente rectificador para generadores de corriente alterna o trifásica, para vehículos de motor, se produce como ventaja adicional que los diodos Zener se desconecten selectivamente con una sobrecorriente, de modo que es posible también más cuidado de la red a borde del vehículo de motor - si también tiene potencia y calidad de tensión limitadas. El vehículo de motor está con esto protegido no únicamente contra daños sucesivos, sino también listo para seguir transitando en busca de un taller.

Claims (17)

  1. NOVEDAD DE LA INVENCIÓN. Habiéndose descrito la invención como antecede, se reclama como propiedad lo contenido en las siguientes: REIVINDICACIONES. 1. Elemento semiconductor de potencia con un alambre de conexión en su trayectoria de corriente principal y con un seguro de fusión que queda en la trayectoria de corriente principal y responde a una sobrecarga térmica, preferentemente para utilizarse en la red que se encuentra a bordo de vehículos de motor, caracterizado porque una sección transversal del alambre de conexión y/o sus posiciones de contacto están construidas en la trayectoria de corriente principal, como un seguro de fusión que responde a un valor de temperatura preestablecido dependiente de la corriente.
  2. 2. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque este es un semiconductor pasivo, preferentemente un diodo o un diodo Zener.
  3. 3. Elemento semiconductor de potencia caracterizado porque se utiliza en un rectificador de puente de un generador de corriente trifásica para vehículos de motor.
  4. 4. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con una de las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque consiste de una caja metálica con su otra conexión opuesta al alambre de conexión, de manera en sí conocida, caja que está fija en un cuerpo de enfriamiento conduciendo la corriente y el calor.
  5. 5. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con una de las anteriores reivindicaciones, caracterizado porque la sección parcial del alambre de conexión construida como seguro de fusión y/o sus posiciones de contacto, están embutidas en un material resistente a la temperatura y aislante de la corriente y el calor.
  6. 6. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con la reivindicación 5, caracterizado porque las posiciones de contacto del elemento semiconductor con el alambre de conexión están cubiertas por una masa, preferentemente hecha de silicona.
  7. 7. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con la reivindicación 5, caracterizado porque la posición de contacto del conductor de conexión con un conductor de unión, está cubierta de una masa preferentemente hecha de silicona, en la trayectoria de corriente principal.
  8. 8. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con la reivindicación 5, caracterizado porque la sección central que queda entre los dos extremos del alambre de conexión está rodeada de un manguito hecho preferentemente de material cerámico.
  9. 9. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con la reivindicación 8, caracterizado porque el manguito está empujado de manera adherente sobre el alambre de conexión.
  10. 10. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con una de las anteriores reivindicaciones 1 a 4, caracterizado porque la sección central del alambre de conexión está construida como seguro de fusión con una característica de respuesta en dos etapas.
  11. 11. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con la reivindicación 10, caracterizado porque la sección central está disminuida en la sección transversal por la deformación plástica a un primer elemento de resistencia y esta conectado a un segundo elemento de resistencia, cuya temperatura de fusión es menor que aquella del alambre de conexión.
  12. 12. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con la reivindicación 10 u 11, caracterizado porque por la selección de la forma y del material de los dos elementos de resistencia el seguro contra fusión, tendrá una resistencia total eléctrica que no será mayor que la de un alambre de conexión de longitud correspondiente.
  13. 13. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con la reivindicación 12, caracterizado porque la sección central está deformada como semicírculo y en la estructura producida se dispone el segundo elemento de resistencia.
  14. 14. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con la reivindicación 13, caracterizado porque el segundo elemento de resistencia es un disco de zinc, el cual está fundido por medio de un baño de soldadura blanda en la deformación de la sección central.
  15. 15. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con la reivindicación 13, caracterizado porque el segundo elemento de resistencia consiste de estaño.
  16. 16. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con la reivindicación 15, caracterizado porque el estaño del segundo elemento de resistencia está soldado como punto de soldadura de tamaño preestablecido en la deformación de la sección central.
  17. 17. Elemento semiconductor de potencia de acuerdo con una de las anteriores reivindicaciones, caracterizado porque el alambre de conexión es un alambre redondo hecho de cobre.
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