JPS5919361A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5919361A JPS5919361A JP13002482A JP13002482A JPS5919361A JP S5919361 A JPS5919361 A JP S5919361A JP 13002482 A JP13002482 A JP 13002482A JP 13002482 A JP13002482 A JP 13002482A JP S5919361 A JPS5919361 A JP S5919361A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main electrode
- pellet
- plate
- wiring pattern
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/0241—Structural association of a fuse and another component or apparatus
- H01H2085/0283—Structural association with a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、絶縁形電力用の半導体装置に関し、特に過
電流が流れた際に外部回路を保護する手段を設けた半導
体装置に関するものである。
電流が流れた際に外部回路を保護する手段を設けた半導
体装置に関するものである。
従来例えばサイリスタ、トライアック、トランジスタ等
で、半導体ペレットの第１および第２の主電極層を絶縁
基板上に形成した配線パターンによシそれぞれ外部引出
用の第１および第２の主電極端子に接続した電力用半導
体装置においては、過電流が流れた場合、その故障モー
ドの殆んどはペレットの溶解による短絡モードとなって
後続電流をしゃ断することができないため、このような
半導体装置を使用した装置の完全な保護は困難であった
。
で、半導体ペレットの第１および第２の主電極層を絶縁
基板上に形成した配線パターンによシそれぞれ外部引出
用の第１および第２の主電極端子に接続した電力用半導
体装置においては、過電流が流れた場合、その故障モー
ドの殆んどはペレットの溶解による短絡モードとなって
後続電流をしゃ断することができないため、このような
半導体装置を使用した装置の完全な保護は困難であった
。
この発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり
、その目的は、過電流によシ破壊しても外部回路に与え
る被害を未然に防止することが可能な絶縁形電力用の半
導体装置を提供することにある。
、その目的は、過電流によシ破壊しても外部回路に与え
る被害を未然に防止することが可能な絶縁形電力用の半
導体装置を提供することにある。
このような目的を達成するために、この発明は、半導体
ペレットの主電極層と外部引出用の主電極端子間を接続
する配線パターンに、半導体ペレットが溶解する電流よ
）小さい過電流で溶断するような幅の狭い部分を設けた
ものである。以下、実施例を用いてこの発明の詳細な説
明する。
ペレットの主電極層と外部引出用の主電極端子間を接続
する配線パターンに、半導体ペレットが溶解する電流よ
）小さい過電流で溶断するような幅の狭い部分を設けた
ものである。以下、実施例を用いてこの発明の詳細な説
明する。
第１図は、との発明の一実施例を示す斜視図である。即
ち、第１図は内部絶縁形の樹脂封止形電力用牛導体装置
の外観を示すものであり、同図において（１）は鉄や銅
板などからなるベース板で、取付は穴（２ａ）、（２ｂ
）を有し、半導体装置の放熱および取付は用部材として
の役割を果たす。（３）は外部取出用の第１の主電極端
子、（４）は同じく第２の主電極端子、（５）は制御電
極端子であシ、この第１および第２の主電極並びに制御
電極は、それぞれ例えげサイリスタであれば陽極および
陰極ならびにゲートに相当し、トライアックの場合なら
Ｔ。
ち、第１図は内部絶縁形の樹脂封止形電力用牛導体装置
の外観を示すものであり、同図において（１）は鉄や銅
板などからなるベース板で、取付は穴（２ａ）、（２ｂ
）を有し、半導体装置の放熱および取付は用部材として
の役割を果たす。（３）は外部取出用の第１の主電極端
子、（４）は同じく第２の主電極端子、（５）は制御電
極端子であシ、この第１および第２の主電極並びに制御
電極は、それぞれ例えげサイリスタであれば陽極および
陰極ならびにゲートに相当し、トライアックの場合なら
Ｔ。
電極およびＴ０電極ならびにゲート、またトランジスタ
の場合にはコレクタおよびエミッタならびにペースに相
当する。なお、とれらの端子は一般にファストン形状の
ものやはんだ何形の形状を有し、銅または銅合金を材料
として形成される。また、（６）は樹脂ケース、（７）
は内部光てん用樹脂である。
の場合にはコレクタおよびエミッタならびにペースに相
当する。なお、とれらの端子は一般にファストン形状の
ものやはんだ何形の形状を有し、銅または銅合金を材料
として形成される。また、（６）は樹脂ケース、（７）
は内部光てん用樹脂である。
第２図は、第１図の樹脂部分を除いた構造を示す斜視図
である。同図において、（８）は配線パターンの基板と
しての絶縁板であシ、通常０．３〜０．５郷程度の厚さ
のセラミック板もしくはべりリア板が使用される。（９
）はこの絶縁板（８）の表面上に金属蒸着やはんだ等に
よって形成された第１の配線パターン、（１０）は同様
に第２の配線パターン、（１１）も同様に形成された制
御電極用の第３の配線パターンである。また、（１２）
は半導体装置の核としての半導体ペレットであり、裏面
には第１の主電極層を有し、補助電極板としての第１の
内部電極板（１３）および第１の配線ノ々ターン（９）
を介して第１の主電極端子（３）に電気的に接続されて
いる。他方半導体ベンツ）（１２）の表面には第２の主
電極層と制御電極層とを有し、第２の主電極層は第２の
内部電極板（１４）および第２の配線パターン（１０）
を介して第２の主電極端子（４）に電気的に接続される
と共に、制御電極層は第３の内部電極板（１５）および
第３の配線パターン（１１）を介して制御電極端子（５
）Ｋ電気的に接続されている。
である。同図において、（８）は配線パターンの基板と
しての絶縁板であシ、通常０．３〜０．５郷程度の厚さ
のセラミック板もしくはべりリア板が使用される。（９
）はこの絶縁板（８）の表面上に金属蒸着やはんだ等に
よって形成された第１の配線パターン、（１０）は同様
に第２の配線パターン、（１１）も同様に形成された制
御電極用の第３の配線パターンである。また、（１２）
は半導体装置の核としての半導体ペレットであり、裏面
には第１の主電極層を有し、補助電極板としての第１の
内部電極板（１３）および第１の配線ノ々ターン（９）
を介して第１の主電極端子（３）に電気的に接続されて
いる。他方半導体ベンツ）（１２）の表面には第２の主
電極層と制御電極層とを有し、第２の主電極層は第２の
内部電極板（１４）および第２の配線パターン（１０）
を介して第２の主電極端子（４）に電気的に接続される
と共に、制御電極層は第３の内部電極板（１５）および
第３の配線パターン（１１）を介して制御電極端子（５
）Ｋ電気的に接続されている。
更に、絶縁板（８）は、詳細には第３図に示すような構
成を有する。即ち、同図において、絶縁板（８）の上に
形成された第１の配線パターン（９）は、第１の主電極
端子θ）との接着部（１６）およびＭｌの内部電極板（
１３）との接着部（１７）を有すると共に、第２の配線
パターン（１０）は、第２の主電極端子（４）との接着
部（１８）および第２の内部電極板（１４）との接着部
（１９）を有している。
成を有する。即ち、同図において、絶縁板（８）の上に
形成された第１の配線パターン（９）は、第１の主電極
端子θ）との接着部（１６）およびＭｌの内部電極板（
１３）との接着部（１７）を有すると共に、第２の配線
パターン（１０）は、第２の主電極端子（４）との接着
部（１８）および第２の内部電極板（１４）との接着部
（１９）を有している。
ここで、上記接着部（１８）と（１９）との間において
、第２の配線パターン（１０）は一部内側から削ル取っ
たように幅が狭く形成しである。この狭部（１０ａ）の
幅は、その電流耐量がペレツ） （１２）の過電流耐量
よシも少しだけ小さくなるようにしである。この場合上
記狭部（ｉｏａ）の電流耐量は配線パターン（１０）の
厚みにも関係し、それが厚い場合には上記狭部（１０ａ
）の幅はより狭めにする必要があると共に、薄い場合に
はよシ広めで良いこととなるのは勿論である。
、第２の配線パターン（１０）は一部内側から削ル取っ
たように幅が狭く形成しである。この狭部（１０ａ）の
幅は、その電流耐量がペレツ） （１２）の過電流耐量
よシも少しだけ小さくなるようにしである。この場合上
記狭部（ｉｏａ）の電流耐量は配線パターン（１０）の
厚みにも関係し、それが厚い場合には上記狭部（１０ａ
）の幅はより狭めにする必要があると共に、薄い場合に
はよシ広めで良いこととなるのは勿論である。
このような狭部（１０ａ）を設けたことによシ、過電流
が流れた場合、ベレツ）（１２）が溶断する前にとの狭
部（１％）が溶断し、後続電流をしゃ断する。
が流れた場合、ベレツ）（１２）が溶断する前にとの狭
部（１％）が溶断し、後続電流をしゃ断する。
同様に、第４図は第１の配線パターンの接着部（１６）
と（ＩＴ）との間に、ペレット（１２）の過電流耐量よ
シも若干率さい電流耐量を有する狭部（９ａ）を形成し
た例であるが、との場合も過電流に対してはベレツ）（
１２）が溶断する前にとの狭部（９ａ）が溶断して後続
電流をしゃ断する。
と（ＩＴ）との間に、ペレット（１２）の過電流耐量よ
シも若干率さい電流耐量を有する狭部（９ａ）を形成し
た例であるが、との場合も過電流に対してはベレツ）（
１２）が溶断する前にとの狭部（９ａ）が溶断して後続
電流をしゃ断する。
以上説明したように、本発明によれば、半導体ペレット
の主電極層と外部引出用の主電極端子間を接続する配線
パターンに、電流耐量がペレットの過電流耐量よシわず
かに小さく々るような狭部を設けたことによシ、過電流
による半導体装置の破壊パターンは必ず開放モードとな
るため、本半導体装置を使用した装置では、過電流が流
れても後続電流が流れることはなく、例えばヒータの温
度上昇、ヒータの過熱、暴走というような災害の発生を
未然に防ぐことができる。壕だ、従来春とのような事故
に備えて特に保護回路を設ける必要があったが、この発
明によればこのような保護回路は不要となシ、かつ、狭
部の形成は配線パターン形成時に例えば蒸着パターンを
そのような狭部を有する形状にすることで容易に行なえ
るため、経済的にも有利である。
の主電極層と外部引出用の主電極端子間を接続する配線
パターンに、電流耐量がペレットの過電流耐量よシわず
かに小さく々るような狭部を設けたことによシ、過電流
による半導体装置の破壊パターンは必ず開放モードとな
るため、本半導体装置を使用した装置では、過電流が流
れても後続電流が流れることはなく、例えばヒータの温
度上昇、ヒータの過熱、暴走というような災害の発生を
未然に防ぐことができる。壕だ、従来春とのような事故
に備えて特に保護回路を設ける必要があったが、この発
明によればこのような保護回路は不要となシ、かつ、狭
部の形成は配線パターン形成時に例えば蒸着パターンを
そのような狭部を有する形状にすることで容易に行なえ
るため、経済的にも有利である。
第１図はこの発明の一実施例の外観を示す斜視図、第２
図はその内部構造を示す斜視図、第３図は絶縁板の構成
例を示す斜視図、第４図は絶縁板の他の構成例を示す斜
視図である。 （３）・・・・第１の主電極端子、（４）・・・・第２
の主電極端子、（８）・・・・絶縁板、（９）・・・・
第１の配線パターン、（９ａ） ・・・・第１の配線パ
ターン（９）の一部に設けた狭部、（１０）・拳・・第
２の配線パターン、（１０ａ）・・・・第２の配線パタ
ーン（１ｏ）の一部に設けた狭部、（１２）・・・・半
導体ペレツ）、（１３） ・・・・第１の主電極層に
接続した第１の内部電極板、（１４）−・・・第２の主
電極層に接続した第２の内部電極板、（１６）、（’４
７）、（１Ｂ）、（１９）・・・・接続部。 代 理 人 葛 野 信 −（７） 第１図 第２図
図はその内部構造を示す斜視図、第３図は絶縁板の構成
例を示す斜視図、第４図は絶縁板の他の構成例を示す斜
視図である。 （３）・・・・第１の主電極端子、（４）・・・・第２
の主電極端子、（８）・・・・絶縁板、（９）・・・・
第１の配線パターン、（９ａ） ・・・・第１の配線パ
ターン（９）の一部に設けた狭部、（１０）・拳・・第
２の配線パターン、（１０ａ）・・・・第２の配線パタ
ーン（１ｏ）の一部に設けた狭部、（１２）・・・・半
導体ペレツ）、（１３） ・・・・第１の主電極層に
接続した第１の内部電極板、（１４）−・・・第２の主
電極層に接続した第２の内部電極板、（１６）、（’４
７）、（１Ｂ）、（１９）・・・・接続部。 代 理 人 葛 野 信 −（７） 第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体ペレットの第１の主電極層および第２の主電極層
を、絶縁基板上に設けた配線パターンを介してそれぞれ
外部引出用の第１の主電極端子および同じく外部引出用
の第２の主電極端子に接続した絶縁形電力用半導体装置
において、第１もしくは第２の主電極の少なくとも一方
の側で主電流の流れる経路の途中の配線パターンに、半
導体ペレットが溶解する電流よシ若干小さい過電流によ
って溶断するような幅の狭い部分を設けたことを特徴と
す石半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13002482A JPS5919361A (ja) | 1982-07-24 | 1982-07-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13002482A JPS5919361A (ja) | 1982-07-24 | 1982-07-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919361A true JPS5919361A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=15024271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13002482A Pending JPS5919361A (ja) | 1982-07-24 | 1982-07-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919361A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0228914A2 (en) | 1985-12-28 | 1987-07-15 | Konica Corporation | Method of processing lightsensitive silver halide color photographic material |
| JPS63160258A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH0338649U (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-15 | ||
| JPH09260542A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Tokin Corp | ヒューズ内蔵型静電誘導型トランジスタ |
| JP2001246732A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-11 | Tohoku Ricoh Co Ltd | 印刷方法および印刷装置 |
| JP2009004685A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-07-24 JP JP13002482A patent/JPS5919361A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0228914A2 (en) | 1985-12-28 | 1987-07-15 | Konica Corporation | Method of processing lightsensitive silver halide color photographic material |
| JPS63160258A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH0338649U (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-15 | ||
| JPH09260542A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Tokin Corp | ヒューズ内蔵型静電誘導型トランジスタ |
| JP2001246732A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-11 | Tohoku Ricoh Co Ltd | 印刷方法および印刷装置 |
| JP2009004685A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
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