JPH1012806A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH1012806A JPH1012806A JP16304096A JP16304096A JPH1012806A JP H1012806 A JPH1012806 A JP H1012806A JP 16304096 A JP16304096 A JP 16304096A JP 16304096 A JP16304096 A JP 16304096A JP H1012806 A JPH1012806 A JP H1012806A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding wire
- insulating substrate
- semiconductor device
- semiconductor chip
- case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大電力をスイッチングする半導体モジュール
において、ヒューズは外付けされているが、システムの
コストが高くなり、システムが大型になり、配線インダ
クタンスが大きくなる。 【解決手段】 半導体モジュール内に過電流が流れたと
きに所定のボンディングワイヤ６が最初に溶断されるよ
うにし、そのボンディングワイヤ６の周囲に消弧剤９を
充填する。
において、ヒューズは外付けされているが、システムの
コストが高くなり、システムが大型になり、配線インダ
クタンスが大きくなる。 【解決手段】 半導体モジュール内に過電流が流れたと
きに所定のボンディングワイヤ６が最初に溶断されるよ
うにし、そのボンディングワイヤ６の周囲に消弧剤９を
充填する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特にパワー半導体モジュールに係わる。
し、特にパワー半導体モジュールに係わる。
【０００２】
【従来の技術】図４は、大電流をスイッチングする従来
のパワー半導体モジュールを示す。図４（ａ）及び図４
（ｂ）はそれぞれ従来のパワー半導体モジュールの断面
図と斜視図を示す。図４（ａ）に示すように、金属ベー
ス１上に絶縁性の基板２が設けられる。基板２には例え
ば銅によりパターンが形成されている。半導体チップ３
は、例えば半田により基板２のパターン上に設置され
る。樹脂ケース４は、基板２を囲み、金属ベース１に接
着されている。樹脂ケース４に設けられたボンディング
パッド５は、ボンディングワイヤ６により、半導体チッ
プ３上の図示せぬ端子と接続されている。また、樹脂ケ
ース４内にはシリコーンゲル７が充填され、さらに、樹
脂ケース４内のシリコーンゲル７上にエポキシ樹脂８が
設けられ、樹脂ケース４が封止されている。ボンディン
グパッド５は、図４（ｂ）に示すように、樹脂ケース７
外に設けられた電力端子１３や制御端子１４と電気的に
接続されている。
のパワー半導体モジュールを示す。図４（ａ）及び図４
（ｂ）はそれぞれ従来のパワー半導体モジュールの断面
図と斜視図を示す。図４（ａ）に示すように、金属ベー
ス１上に絶縁性の基板２が設けられる。基板２には例え
ば銅によりパターンが形成されている。半導体チップ３
は、例えば半田により基板２のパターン上に設置され
る。樹脂ケース４は、基板２を囲み、金属ベース１に接
着されている。樹脂ケース４に設けられたボンディング
パッド５は、ボンディングワイヤ６により、半導体チッ
プ３上の図示せぬ端子と接続されている。また、樹脂ケ
ース４内にはシリコーンゲル７が充填され、さらに、樹
脂ケース４内のシリコーンゲル７上にエポキシ樹脂８が
設けられ、樹脂ケース４が封止されている。ボンディン
グパッド５は、図４（ｂ）に示すように、樹脂ケース７
外に設けられた電力端子１３や制御端子１４と電気的に
接続されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のパワー半導体モ
ジュールでは、ヒューズ等を外付けしている。使用時に
何らかの原因で過電流が流れると、この外付けヒューズ
により過電流が遮断され、過電流によりボンディングワ
イヤが破壊され、その際に発生するアーク放電によりパ
ワー半導体モジュールが発火または爆発することを防い
でいる。しかし、外付けのヒューズを用いると、システ
ムのコストが上昇し、システムが大型になり、さらに配
線インダクタンスが大きくなり、システム全体の特性を
悪化させるという問題がある。
ジュールでは、ヒューズ等を外付けしている。使用時に
何らかの原因で過電流が流れると、この外付けヒューズ
により過電流が遮断され、過電流によりボンディングワ
イヤが破壊され、その際に発生するアーク放電によりパ
ワー半導体モジュールが発火または爆発することを防い
でいる。しかし、外付けのヒューズを用いると、システ
ムのコストが上昇し、システムが大型になり、さらに配
線インダクタンスが大きくなり、システム全体の特性を
悪化させるという問題がある。
【０００４】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
で、大電力をスイッチングする半導体装置において、外
部にヒューズを付加することなく、半導体モジュール内
部で過電流を遮断し、半導体装置が発火または爆発する
ことを防ぐことを目的とする。
で、大電力をスイッチングする半導体装置において、外
部にヒューズを付加することなく、半導体モジュール内
部で過電流を遮断し、半導体装置が発火または爆発する
ことを防ぐことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、導体パターンを有する絶縁性基板と、絶縁
性基板上に設置され、電極を有する半導体チップと、絶
縁性基板の周囲を囲むケースと、絶縁性基板の導体パタ
ーン及び半導体チップの電極のうち少なくとも一方と電
気的に接続されるボンディングワイヤと、ケース内を充
填し、少なくとも前記ボンディングワイヤを封止する消
弧剤とを具備する。
決するため、導体パターンを有する絶縁性基板と、絶縁
性基板上に設置され、電極を有する半導体チップと、絶
縁性基板の周囲を囲むケースと、絶縁性基板の導体パタ
ーン及び半導体チップの電極のうち少なくとも一方と電
気的に接続されるボンディングワイヤと、ケース内を充
填し、少なくとも前記ボンディングワイヤを封止する消
弧剤とを具備する。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施例を
示す。以下、同一の構成要素には同一の符号を付し、説
明を省略する。この実施例において、金属ベース１上に
絶縁性の基板２が設けられる。基板２には例えば銅によ
りパターンが形成されている。半導体チップ３は、例え
ば半田により基板２のパターン上に設置される。樹脂ケ
ース４は、基板２を囲み、金属ベース１に接着されてい
る。例えば半導体チップ３上の図示せぬ電極と樹脂ケー
ス４に設けられたボンディングパッド５とは、ボンディ
ングワイヤ６により接続されている。ボンディングパッ
ド５は、電力端子１３や制御端子１４と電気的に接続さ
れている。樹脂ケース４の内側は、例えばシリカである
消弧剤９が封止される。さらに、消弧剤９上にモールド
樹脂８が設けられ、ケース４が封止される。
示す。以下、同一の構成要素には同一の符号を付し、説
明を省略する。この実施例において、金属ベース１上に
絶縁性の基板２が設けられる。基板２には例えば銅によ
りパターンが形成されている。半導体チップ３は、例え
ば半田により基板２のパターン上に設置される。樹脂ケ
ース４は、基板２を囲み、金属ベース１に接着されてい
る。例えば半導体チップ３上の図示せぬ電極と樹脂ケー
ス４に設けられたボンディングパッド５とは、ボンディ
ングワイヤ６により接続されている。ボンディングパッ
ド５は、電力端子１３や制御端子１４と電気的に接続さ
れている。樹脂ケース４の内側は、例えばシリカである
消弧剤９が封止される。さらに、消弧剤９上にモールド
樹脂８が設けられ、ケース４が封止される。
【０００７】本実施例では、過電流が半導体装置に流れ
るとボンディングワイヤ６が溶融され破壊される。ボン
ディングワイヤ６が破壊するときに発生するアークは、
ボンディングワイヤ６の周囲に存在する消弧材によって
消され、半導体モジュールが発火または爆発することを
防ぐことができる。
るとボンディングワイヤ６が溶融され破壊される。ボン
ディングワイヤ６が破壊するときに発生するアークは、
ボンディングワイヤ６の周囲に存在する消弧材によって
消され、半導体モジュールが発火または爆発することを
防ぐことができる。
【０００８】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、本発明の第
２の実施例を示す。なお、図１と同一の部分には同一の
符号を付す。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示した実施例
において、絶縁性基板２上に図示せぬＣｕよりなるパタ
ーンが形成されている。半導体チップ３は、基板２上の
パターン上に例えば半田により固着されている。その結
果、基板２上のパターンは、半導体チップ３の裏面と電
気的に接続され、コレクタ端子として機能する。
２の実施例を示す。なお、図１と同一の部分には同一の
符号を付す。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示した実施例
において、絶縁性基板２上に図示せぬＣｕよりなるパタ
ーンが形成されている。半導体チップ３は、基板２上の
パターン上に例えば半田により固着されている。その結
果、基板２上のパターンは、半導体チップ３の裏面と電
気的に接続され、コレクタ端子として機能する。
【０００９】また、半導体チップ３上の図示せぬエミッ
タ電極は、例えばアルミよりなるボンディングワイヤ６
により樹脂ケース４に設けられたボンディングパッド５
ａと接続されている。ボンディングパッド５ａは、制御
端子１４と電気的に接続されている。
タ電極は、例えばアルミよりなるボンディングワイヤ６
により樹脂ケース４に設けられたボンディングパッド５
ａと接続されている。ボンディングパッド５ａは、制御
端子１４と電気的に接続されている。
【００１０】さらに、基板２上のパターンと樹脂ケース
４のボンディングパッド５ｂとは、ボンディングワイヤ
１０により電気的に接続される。ボンディングパッド５
ｂは、電力端子１３と電気的に接続されている。
４のボンディングパッド５ｂとは、ボンディングワイヤ
１０により電気的に接続される。ボンディングパッド５
ｂは、電力端子１３と電気的に接続されている。
【００１１】このボンディングワイヤ１０は、それ以外
のボンディングワイヤ６が溶断される電流よりも小さい
電流で溶断されるように設定される。すなわち、過電流
が流れたとき、ボンディングワイヤ１０が最初に溶断さ
れるようにする。そのために、例えば図２（ａ）に示す
ように、基板２とボンディングパッド５ｂ間を接続する
ワイヤの本数を他の接続点間のワイヤの本数よりも少な
くする。また、図２（ｂ）に示すように、ボンディング
ワイヤ１０の径を細くしてもよい。さらに、ボンディン
グワイヤ１０の材料をアルミに代えて金にしてもよい。
また、これらの方法の組み合わせでもよい。
のボンディングワイヤ６が溶断される電流よりも小さい
電流で溶断されるように設定される。すなわち、過電流
が流れたとき、ボンディングワイヤ１０が最初に溶断さ
れるようにする。そのために、例えば図２（ａ）に示す
ように、基板２とボンディングパッド５ｂ間を接続する
ワイヤの本数を他の接続点間のワイヤの本数よりも少な
くする。また、図２（ｂ）に示すように、ボンディング
ワイヤ１０の径を細くしてもよい。さらに、ボンディン
グワイヤ１０の材料をアルミに代えて金にしてもよい。
また、これらの方法の組み合わせでもよい。
【００１２】また、樹脂ケース４内にはボンディングワ
イヤ１０を囲むように仕切１２が設けられる。さらに、
仕切１２によって仕切られた樹脂ケースの内、ボンディ
ングワイヤ１０が配置された部分には消弧剤９が充填さ
れる。樹脂ケース４のうち、消弧剤９が充填されていな
い部分は、例えばシリコーンゲル７で充填される。消弧
剤９上とシリコーンゲル７上は例えばエポキシ樹脂８で
封止される。
イヤ１０を囲むように仕切１２が設けられる。さらに、
仕切１２によって仕切られた樹脂ケースの内、ボンディ
ングワイヤ１０が配置された部分には消弧剤９が充填さ
れる。樹脂ケース４のうち、消弧剤９が充填されていな
い部分は、例えばシリコーンゲル７で充填される。消弧
剤９上とシリコーンゲル７上は例えばエポキシ樹脂８で
封止される。
【００１３】本実施例において、過電流が流れると、ボ
ンディングワイヤ１０が最初に溶断し、過電流がすばや
く遮断される。さらに、ボンディングワイヤ１０の周囲
に消弧剤９が設けられているため、ボンディングワイヤ
が破壊されてアークが発生しても、パワー半導体モジュ
ールの発火、爆発を防ぐことが可能となる。さらに、仕
切１２内にのみ消弧剤９を充填しているので、消弧剤９
の充填量を少なくすることができ、半導体モジュールを
軽量にすることが可能になる。
ンディングワイヤ１０が最初に溶断し、過電流がすばや
く遮断される。さらに、ボンディングワイヤ１０の周囲
に消弧剤９が設けられているため、ボンディングワイヤ
が破壊されてアークが発生しても、パワー半導体モジュ
ールの発火、爆発を防ぐことが可能となる。さらに、仕
切１２内にのみ消弧剤９を充填しているので、消弧剤９
の充填量を少なくすることができ、半導体モジュールを
軽量にすることが可能になる。
【００１４】図３は、本発明の第３の実施例を示す。図
３に示す実施例において、電力端子１３の一部に電流密
度が高くなる部分１５が設けられている。その部分１５
は、電流経路中の他のボンディングワイヤ６等よりも溶
断しやすく設定される。この電力端子１３は、例えば基
板２上のパターンと例えば半田により電気的に接続され
る。少なくとも電流密度が高くなる部分１５は仕切１２
で囲まれている。仕切１２で囲まれた内側は消弧剤９で
充填され、少なくとも電流密度が高くなる部分１５は消
弧剤９で封止されている。
３に示す実施例において、電力端子１３の一部に電流密
度が高くなる部分１５が設けられている。その部分１５
は、電流経路中の他のボンディングワイヤ６等よりも溶
断しやすく設定される。この電力端子１３は、例えば基
板２上のパターンと例えば半田により電気的に接続され
る。少なくとも電流密度が高くなる部分１５は仕切１２
で囲まれている。仕切１２で囲まれた内側は消弧剤９で
充填され、少なくとも電流密度が高くなる部分１５は消
弧剤９で封止されている。
【００１５】本実施例において、過電流が流れた場合、
電力端子１３の電流密度が高くなる部分１５がまず溶断
し、その周囲の消弧剤９により溶断により発生するアー
クが消される。よって、この端子をヒューズとして用い
ることができる。また、消弧剤９はケース４内の一部の
みに充填されているので、半導体モジュールを軽量化す
ることが可能になる。
電力端子１３の電流密度が高くなる部分１５がまず溶断
し、その周囲の消弧剤９により溶断により発生するアー
クが消される。よって、この端子をヒューズとして用い
ることができる。また、消弧剤９はケース４内の一部の
みに充填されているので、半導体モジュールを軽量化す
ることが可能になる。
【００１６】また、図２及び図３に示した実施例におい
て、半導体チップのコレクタ端子に最初に溶断されるボ
ンディングワイヤ等が接続され、半導体装置に過電流が
流れた場合にコレクタ側が先に遮断されるので、制御電
極を通じ制御回路に過電流が流れるのを防止することが
可能となる。
て、半導体チップのコレクタ端子に最初に溶断されるボ
ンディングワイヤ等が接続され、半導体装置に過電流が
流れた場合にコレクタ側が先に遮断されるので、制御電
極を通じ制御回路に過電流が流れるのを防止することが
可能となる。
【００１７】なお、本実施例においては金属ベース上に
絶縁性の基板を設けているが、金属ベースを省いて絶縁
性の基板に金属ベースの役割を兼ねさせるようにしても
よい。
絶縁性の基板を設けているが、金属ベースを省いて絶縁
性の基板に金属ベースの役割を兼ねさせるようにしても
よい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において、
半導体モジュール内にヒューズ機能を有する要素を設
け、その周囲に消弧剤を充填させているので、半導体モ
ジュールが発火したり爆発したりすることなしに過電流
を遮断することができる。
半導体モジュール内にヒューズ機能を有する要素を設
け、その周囲に消弧剤を充填させているので、半導体モ
ジュールが発火したり爆発したりすることなしに過電流
を遮断することができる。
【００１９】また、外付けのヒューズが不要となるた
め、システムのコストを下げ、システムを小型にし、配
線インダクタンスを小さくし、システムの特性を向上さ
せることが可能になる。さらに、ヒューズ機能を有する
要素の周囲にのみ消弧剤を充填させているので、半導体
モジュールを軽量にすることができる。
め、システムのコストを下げ、システムを小型にし、配
線インダクタンスを小さくし、システムの特性を向上さ
せることが可能になる。さらに、ヒューズ機能を有する
要素の周囲にのみ消弧剤を充填させているので、半導体
モジュールを軽量にすることができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す図。
【図３】本発明の第３の実施例を示す図。
【図４】従来の半導体装置を示す図。
１…金属ベース、 ２…絶縁性基板、 ３…半導体チップ、 ４…樹脂ケース、 ５…樹脂ケースのボンディングパッド、 ６…ボンディングワイヤ、 ７…シリコーンゲル、 ８…エポキシ樹脂、 ９…消弧剤、 １０…溶断しやすいボンディングワイヤ、 １２…仕切、 １３…電力端子、 １４…制御端子、 １５…電力端子の電流密度が高くなる部分。
Claims (11)
- 【請求項１】 導体パターンを有する絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上に設置され、電極を有する半導体チッ
プと、 前記絶縁性基板の周囲を囲むケースと、 前記絶縁性基板の導体パターン及び前記半導体チップの
電極のうち少なくとも一方と電気的に接続されるボンデ
ィングワイヤと、 前記ケース内を充填し、少なくとも前記ボンディングワ
イヤを封止する消弧剤とを具備することを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 導体パターンを有する絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上に設置され、電極を有する半導体チッ
プと、 前記絶縁性基板の周囲を囲むケースと、 前記絶縁性基板の導体パターン及び前記半導体チップの
電極のうち少なくとも一方と電気的に接続される第１の
ボンディングワイヤと、 前記絶縁性基板の導体パターン及び前記半導体チップの
電極のうち少なくとも一方と電気的に接続され、前記第
１のボンディングワイヤよりも小さい電流で溶断される
第２のボンディングワイヤと、 前記ケース内に設けられ、前記第２のボンディングワイ
ヤを囲む仕切と、 前記仕切内を充填し、少なくとも前記第２のボンディン
グワイヤを封止する消弧剤とを具備することを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項３】 前記第２のボンディングワイヤは、前記
第１のボンディングワイヤを構成する物質よりも融点の
低い物質により構成されていることを特徴とする請求項
２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記第２のボンディングワイヤは金より
なり、前記第１のボンディングワイヤを構成する物質は
アルミよりなることを特徴とする請求項３記載の半導体
装置。 - 【請求項５】 前記第２のボンディングワイヤの径は、
前記第１のボンディングワイヤの径よりも小さいことを
特徴とする請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記第１のボンディングワイヤは並列に
接続された複数のワイヤよりなり、前記第２のボンディ
ングワイヤは前記第１のボンディングワイヤのワイヤ本
数よりも小さい本数の並列に接続されたワイヤよりなる
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項７】 前記第２のボンディングワイヤは、前記
半導体チップのコレクタ電極と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項８】 導体パターンを有する絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上に設置され、電極を有する半導体チッ
プと、 前記絶縁性基板の周囲を囲むケースと、 前記絶縁性基板の導体パターン及び前記半導体チップの
電極のうち少なくとも一方と電気的に接続されるボンデ
ィングワイヤと、 前記絶縁性基板の導体パターン及び前記半導体チップの
電極のうち少なくとも一方と電気的に接続され、前記ボ
ンディングワイヤよりも小さい電流で溶断される部分を
有する外部接続用端子と、 前記ケース内に設けられ、前記ボンディングワイヤより
も小さい電流で溶断される部分を囲む仕切と、 前記仕切内を充填し、少なくとも前記ボンディングワイ
ヤよりも小さい電流で溶断される部分を封止する消弧材
とを具備することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項９】 前記消弧剤は、シリカを主成分とするこ
とを特徴とする請求項１、２、８記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 前記ケース内側にはパッドが設けられ
ており、前記導体パターン及び前記パッド間、前記半導
体チップの電極及び前記パッド間の少なくとも一方が前
記ボンディングワイヤにより接続されていることを特徴
とする請求項１、２、８記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 前記パッドは外部接続端子に接続され
ていることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16304096A JPH1012806A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16304096A JPH1012806A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012806A true JPH1012806A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15766046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16304096A Pending JPH1012806A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012806A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002059969A1 (fr) * | 2001-01-23 | 2002-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semi-conducteur |
| JP2006140317A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2009218275A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその半導体装置を備えたインバータシステム |
| EP2632008A2 (en) | 2012-02-23 | 2013-08-28 | Renesas Electronics Corporation | Power device |
| CN103400832A (zh) * | 2010-06-01 | 2013-11-20 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体装置 |
| JP6486526B1 (ja) * | 2018-03-16 | 2019-03-20 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| JP2019047550A (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-22 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| CN110310930A (zh) * | 2018-03-27 | 2019-10-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体封装件 |
-
1996
- 1996-06-24 JP JP16304096A patent/JPH1012806A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002059969A1 (fr) * | 2001-01-23 | 2002-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semi-conducteur |
| US6787893B2 (en) | 2001-01-23 | 2004-09-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2006140317A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP4615289B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2011-01-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2009218275A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその半導体装置を備えたインバータシステム |
| CN103400832A (zh) * | 2010-06-01 | 2013-11-20 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体装置 |
| EP2632008A2 (en) | 2012-02-23 | 2013-08-28 | Renesas Electronics Corporation | Power device |
| US8698549B2 (en) | 2012-02-23 | 2014-04-15 | Renesas Electronics Corporation | Power device |
| US9421925B2 (en) | 2012-02-23 | 2016-08-23 | Renesas Electronics Corporation | Power device |
| JP2019047550A (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-22 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| JP6486526B1 (ja) * | 2018-03-16 | 2019-03-20 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| JP2019161967A (ja) * | 2018-03-16 | 2019-09-19 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| CN110310930A (zh) * | 2018-03-27 | 2019-10-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体封装件 |
| JP2019175923A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージ |
| CN110310930B (zh) * | 2018-03-27 | 2023-06-30 | 三菱电机株式会社 | 半导体封装件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0270954B1 (en) | Chip-type fuse | |
| KR930003554B1 (ko) | 과전류 방지형 다이오드 | |
| US6365433B1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| KR20010035579A (ko) | 반도체 전력 모듈 및 그 제조 방법 | |
| EP0282025A2 (en) | Semiconductor device with fuse function | |
| JPH1012806A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2848068B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4886104B2 (ja) | ボールグリッドアレイを具えるパワー半導体実装パッケージ | |
| US5057648A (en) | High voltage hybrid package | |
| JP2010011736A (ja) | 電池保護装置 | |
| JP3292614B2 (ja) | パワーモジュール素子 | |
| US7973324B2 (en) | Lamp type light emitting device for safety fuse | |
| JP6395164B1 (ja) | 電力変換装置 | |
| JPH10134695A (ja) | チップヒューズ及びその製造方法 | |
| US6420833B2 (en) | Switching device with improved over-current protection | |
| JPS5919361A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0785771A (ja) | ヒューズ及びその樹脂封止方法 | |
| EP0305993A2 (en) | Power semiconductor device having electrode structures | |
| JP3019679B2 (ja) | 半導体装置の内部配線構造 | |
| JP2677697B2 (ja) | モジュール素子 | |
| JPH1050897A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3991581B2 (ja) | Ｓｓｒ | |
| JPH0638351Y2 (ja) | 温度ヒュ−ズ | |
| CN114765163A (zh) | 半导体装置 | |
| JP2002279884A (ja) | 過電流遮断素子、電子部品および電子機器 |