DE2707693B2 - Verfahren zum Herstellen von dotierten Zonen einer bestimmten Leitungsart in einem Halbleitersubstrat mittels Ionenimplantation - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von dotierten Zonen einer bestimmten Leitungsart in einem Halbleitersubstrat mittels IonenimplantationInfo
- Publication number
- DE2707693B2 DE2707693B2 DE2707693A DE2707693A DE2707693B2 DE 2707693 B2 DE2707693 B2 DE 2707693B2 DE 2707693 A DE2707693 A DE 2707693A DE 2707693 A DE2707693 A DE 2707693A DE 2707693 B2 DE2707693 B2 DE 2707693B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- ion implantation
- dopant
- openings
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 26
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 26
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 22
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 13
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 silicon ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/131—Reactive ion etching rie
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/143—Shadow masking
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/965—Shaped junction formation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Weting (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von dotierten Zonen einer bestimmten Leitungsart in
einem Halbleitersubstrat mittels Ionenimplantation, bei dem zunächst durch öffnungen einer als Passivierungsschicht
auf der Substratoberfläche verbleibenden Maske Dotierionen für diese Leitungsart in das Halbleitersubstrat
implantiert und nach der Ionenimplantation die Grenzen der durch die Ionenimplantation entstandenen
dotierten Zone derart seitlich verschoben werden, daß der die dotierte Zone begrenzende PN-Übergang
unterhalb der Passivierungsschicht zu liegen kommt.
Ein derartiges Verfahren ist aus der DE-OS 21 12 115
bekannt
Mit der fortschreitenden Entwicklung in der Hersteilung
von monolithischen, integrierten Halbleiterschaltungen wird in zunehmendem Maße das Verfahren der
Ionenimplantation verwendet, um Dotierstoffe, welche
die Leitungsart des Halbleitermaterials bestimmen, in ein Halbleitersubstrat einzubringen. In vielen Fällen hat
die Ionenimplantation das ältere, bereits konventionelle Diffusionsverfahren zum Einbringen von Dotierstoffen
ersetzt.
Einer der Hauptvorteile des Verfahrens der Ionenimplantation bei der Bildung aktiver und p'assiver Bereiche
in dem Halbleitersubstrat besteht darin, daß es eine erhöhte Genauigkeit der Steuerung der seitlichen
Abmessungen und der vertikalen Konzentrationsprofile der eingebrachten Dotierstoffe ermöglicht Das Konzentrationsprofil
wird bestimmt durch die Art der implantierten Ionen, die Dosierung und die Energie, mit
der die Ionen in der Implantierungsanlage beaufschlagt werden.
Die seitlichen Abmessungen eines lonen-implantierten
Bereichs in einem Substrat werden im allgemeinen durch die Abmessungen der öffnungen der lonenimplantationsmaske
bestimmt. Diese für die Ionen undurchlässigen Masken bestehen gewöhnlich aus Schichten aus Isoliermaterial, in denen öffnungen
vorhanden sind. Im Gegensatz zum Diffusionsverfahren, bei welchem sich die seitlichen Grenzen der durch
Diffusion entstandenen Dotierungszonen über den Rand der öffnungen in der Maske hinaus erstrecken,
entsprechen bei der Ionenimplantation die seitlichen Grenzen der eingebrachten Bereiche genau den
öffnungen der Maske und ragen seitlich nicht darüber hinaus.
Bei integrierten Schaltungen hoher Dichte ermöglicht diese Eigenschaft des Ionenimplantationsverfahrens
zwar eine genaue Steuerung der seitlichen Abmessungen der dotierten Bereiche, sie birgt jedoch ein Problem
in sich, das dadurch entsteht, daß die aus mehreren Schichten in üblicher Weise gebildeten Masken in ihrer
unteren Schicht eine größere öffnung aufweisen als in der oberen Schicht. So ist z. B. aus dem Artikel IBM
Technical Disclosure Bulletin, Vol. 18, November 1975, Nr. 6, Seiten 1827 und 1828, ein Verfahren zum
Herstellen von dotierten Zonen bekannt, bei dem eine als Passivierungsschicht auf der Substratoberfläche
verbleibende Maske aus einer unmittelbar auf der Substratfläche aufgebrachten, zur Diffusion undurchlässigen
Schicht aus Siliciumdioxid und einer darüber aufgebrachten, für Ionenimplantation undurchlässigen
Schicht aus Siliciumnitrid verwendet wird, und bei dem die öffnung der unteren Siliciumdioxidschicht größer ist
als die darüberliegende öffnung der Siliciumnitridschicht.
In diesen Fällen erstreckt sich somit die öffnung der
unteren Schicht der Maske seitlich über die durch die öffnung in der oberen Schicht bestimmte Grenze einer
durch Ionenimplantation in das Substrat eingebrachten, dotierten Zone, da, wie gesagt, bei der Ionenimplantation
die seitlichen Grenzen der implantierten Zone genau mit den Rändern der Maske zusammenfallen. Das
hat zur Folge, daß der durch die Implantation gebildete PN-Übergang an seiner Austrittsstelle an der Substratoberfläche
bloßliegt. Dies wird besonders dann kritisch,
wenn die für die Implantation verwendete Maske als Passivierungsschicht auf der Halbleiteroberfläche verbleibt.
Wenn nämlich die dotierte Zone mit einer durch dieselbe Maskenöffnung aufgebrachten, metallischen
Schicht kontaktiert werden soll, kann ein solcher exponierter PN-Übergang durch den Metallkontakt
kurzgeschlossen werden- Dadurch kann das ganze Bauelement unbrauchbar werden. Aber auch wenn kein
Kurzschluß auftritt, ist die bloßliegende Übergangsstelle ungeschützt und Veränderungen ausgesetzt, die eine
Verschlechterung der Verstärkereigenschaften (ß) des
Transistors bewirken.
Selbst wenn, wie vielfach üblich, die Struktur anschließend an die Ionenimplantation zum thermischen
Eintreiben des implantierten Dotierstoffs auf Temperaturen in der Größenordnung von 1000° C
erhitzt wird, kann nicht mit Sicherheit erreicht werden, daß der PN-Übergang soweit seitlich hinausgetrieben
wird, daß er unter der Siliciumdioxidschicit liegt Es
bleibt auch in diesem Falle ein wesentliches Risiko bestehen.
Das thermische Eintreiben des eine N-Leitung erzeugenden, implantierten Dotierstoffs in das Innere
des Halbleitersubstrats durch Erhitzen des Substrats auf 1000°C ist aus der DE-OS 23 12 061 bekannt - vgl. die
Ansprüche 4,7 und 12.
Für das angegebene Problem sind schon verschieder e Lösungsvorschläge bekanntgeworden.
Nach dem durch die DE-OS 2! 12 115 bekannten
Verfahren kann eine PN-Grenzfläche, die mittels Ionenimplantation durch ein Fenster in einer Isolierschicht
gebildet wurde, in der Weise unter die Isolierschicht ausgedehnt werden, daß nach der
Ionenimplantation eine Beschießung mit elektrisch inerten Ionen, z. B. Helium- oder Siliciumionen,
durchgeführt wird. Dieses Verfahren ist allerdings nur bei einer einfachen Isolierschicht aus Siliciumdioxid
anwendbar.
Nach dem aus dem genannten Artikel IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 18, Nr. 6, November 1975,
Seiten 1827 bis 1828 bekannten Verfahren werden anschließend an die in üblicher Weise erfolgte
Herstellung der Öffnungen in einer SiO2-Schicht und einer darüberliegenden Si3N4-Schicht durch einen
weiteren photolithographischen Schritt mit Hilfe einer weiteren Maske die Öffnungen in der SiiN^Schicht so
weit vergrößert, daß die öffnungen in der SiO2-Schicht
einschließlich ihrer Flankenbereiche freigelegt werden. Bei der nachfolgenden Ionenimplantation sind diese
Flankenbereiche noch für die implantierten Ionen durchlässig, so daß der durch Ionenimplantation
gebildete Emitterbereich mit seinem seitlichen, einen PN-Übergang bildenden Rand unterhalb de- S1O2-Schicht
zu liegen kommt.
Nach einem anderen, aus dem Artikel IBM Technical Disclosure Bulletin, VoI 17, Nr. 10, März 1975, Seiten
2942 bis 2943 bekannten Verfahren werden die SiO2-Schicht und die SisN^Schicht mittels einer
Zwischenschicht räumlich getrennt aufgebracht. Sodann wird eine öffnung in die Si3N4-Schicht und in die
Zwischenschicht geätzt. Nach Vergrößerung der öffnung in der SijN^Schicht durch einen photolithographischen
Schritt wird eine öffnung in die unter der Zwischenschicht liegende SKVSchicht geätzt. Auch in
diesem Fall wird dabei die öffnung in der SiO2-Schicht
größer als die Öffnung in der Zwischenschicht. Nun wird die öffnung in der Zwischenschicht vergrößert, und die
Flanken der öffnung in der SiO2-Schicht werden begradigt. Da jetzt die öffnungen in der
größer sind als diejenigen in der für die Ionenimplantation durchlässigen SiO2-Schicht, ist bei der darauffolgenden Ionenimplantation der gebildete Emitterbereich mit seinem Rand durch die SiO2-Schicht abgedeckt.
größer sind als diejenigen in der für die Ionenimplantation durchlässigen SiO2-Schicht, ist bei der darauffolgenden Ionenimplantation der gebildete Emitterbereich mit seinem Rand durch die SiO2-Schicht abgedeckt.
Diese bekannten Verfahren erfordern durchweg zur Erreichung der gewünschten Strukturen weitere Verfahrensschritte,
die einen relativ großen Aufwand bedeuten. Dies gilt besonders für die photolithographisehen
Prozesse, bei denen Masken hoher Präzision erforderlich sind. Aber auch jeder Verfahrensschritt, bei
dem eine Wärmebehandlung durchgeführt werden muß, vergrößert die Gefahr, daß sich gebildete Zonen in
ungewollter Weise verschieben und daß unerwünschte Verunreinigungen in die Struktur des Bauelementes
gelangen.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur Bildung einer dotierten Zone mittels Ionenimplantation
durch eine doppelschichtige, als Passivierungsschicht auf dem Substrat verbleibende Maske, in der die
öffnungen in der oberen Schicht einen kleineren Durchmesser haben als in der unteren Schicht,
anzugeben, bei welchem auf einfache und sichere Weise erreicht wird, daß die Austrittsstelle des PN-Überganges
an der Substratoberfiäche durch die Passivierungsschicht geschützt ist.
Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe bei einem Verfahren der eingangs genannten Art dadurch gelöst,
daß zum seitlichen Verschieben des PN-Überganges der dotierten Zone ein dieselbe Leitungsart wie die
implantierten Dotierionen erzeugender Dotierstoff durch die öffnungen der Masken eindiffundiert wird.
Der wesentliche Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß keine zusätzlichen
Maskierungs- und Ätzschritte erforderlich sind, daß keine weiteren Wärmebehandlungen notwendig werden
und daß eine erhebliche Zeitersparnis im Herstellungsprozeß der Halbleiterbauelemente eintritt.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung erfolgt das Eindiffundieren des Dotierstoffs gleichzeitig
mit einem thermischen Eintreiben des implantierten Dotierstoffs in das Innere des Halbleitersubstrats. Nach
einer Weiterbildung der Erfindung wird das Eindiffundieren des Dotierstoffs in einer inerten Atmosphäre
durchgeführt. Späterhin soll zur Kontaktierung eine metallische Schicht auf die dotierte Zone aufgebracht
und deshalb die Oxidbildung verhindert werden. Die besten Ergebnisse zeigten sich, wenn gemäß einer
weiteren Ausgestaltung der Erfindung das Eindiffundieren des Dotierstoffs mit dem gleichzeitigen thermischen
Eintreiben des implantierten Dotierstoffs bei einer Temperatur von mindestens 1000°C durchgeführt wird.
Im Hinblick auf die Verwendung des Verfahrens zur Herstellung von integrierten Transistoren besteht eine
Weiterbildung der Erfindung darin, daß die Maske aus einer unmittelbar auf die Substratoberfläche aufgebrachten,
für Diffusion undurchlässigen Schicht aus Siliciumdioxid und einer darüber aufgebrachten, für
Ionenimplantation undurchlässigen Schicht aus Siliciumnitrid verwendet wird, bei welcher gemäß einer
weiteren Ausgestaltung der Erfindung die öffnungen der unteren Siliciumdioxidschicht größer sind als die
darüberliegenden öffnungen der Siliciumnitridschicht. Nach einer Weiterbildung der Erfindung wird ein
η-Leitung erzeugender Dotierstoff eingebracht. Das Verfahren gemäß einer weiteren Ausgestaltung der
Erfindung zum Herstellen der Emitter von integrierten Transistoren verwendet, wohpi Hnrrh Λ\ρ rtffnnn<»<.n ^»r
Maske auf die Oberfläche der gebildeten Zone metallische Kontakte aufgebracht werden.
Die Erfindung wird anhand eines in den Zeichnungen erläuterten Ausführungsbeispieles beschrieben. Die
Figuren stellen im Querschnitt einen Ausschnitt aus einer integrierten Schaltung mit einer Transistorstruktur
in verschiedenen Verfahrensschritten dar. Es zeigt
Fig. 1 die Struktur mit der als Maske dienenden Passivierungsschicht und einer öffnung in der oberen
Schicht der Maske,
F i g. 1A, 1B zwei Beispiele der Struktur der F i g. 1 in
weiteren Verfahrenszuständen zur Erläuterung der Ionenimplantation,
F i g. 2 die Struktur der F i g. 1 nach der Ionenimplantation,
F i g. 3Λ, 4A die sich nach den Verfahren des Standes
der Technik ergebenden Strukturen beim Eintreiben der Dotierungszone und der Metallisierung und
Fig.3B, 4B die entsprechenden Strukturen, die sich
bei Anwendung des in den Ansprüchen gekennzeichneten Verfahrens ergeben.
Bei dem im folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiel wird ausgegangen von einer integrierten Halbleiterstruktur,
bei der das Halbleitersubstrat mit einer doppelschichtigen Maske aus Siliciumdioxyd und
Siliciumnitrid bedeckt ist, die sowohl als Passivierungsschicht auf der Oberfläche der integrierten Schaltung
dient als auch als Maske für die Ionenimplantation und für die Diffusion. Bei dieser Maske sind die öffnungen in
der unteren Schicht größer als die darüber ausgerichteten öffnungen in der oberen Schicht.
In der Darstellung der F i g. 1 ist mit 11 ein P-Ieitender
Basisbereich bezeichnet, dessen Oberflächenkonzentration ungefähr 1018 Atome pro cm3 eines üblichen
P-Leitung erzeugenden Dotierungsstoffes beträgt und der in einer N-Ieitenden Epitaxieschicht als Halbleitersubstrat
10 mit einer maximalen Dotierungsstoffkonzentration von ungefähr 1016 Atomen pro cm3 eingebettet
ist. Die Passivierungsschicht auf der Oberfläche der Struktur besteht aus einer Schicht 12 aus Siliciumdioxyd,
die in bekannter Weise durch thermische Oxydation oder durch Aufdampfen oder durch pyrolytische
Ablagerung hergestellt sein kann. Die Siliciumdioxydschicht 12 hat eine Dicke in der Größenordnung von
800 Ä. Auf der Siliciumdioxydschicht ist eine Siliciumnitridschicht 13 mit einer Dicke in der Größenordnung
von 1600 A aufgebracht Die Siliciumnitridschicht kann in bekannter Weise, beispielsweise durch eine Aufdampfreaktion
von Silanen und Ammoniak erfolgen. Diese Reaktion wird normalerweise bei einer Temperatur
von ungefähr 1000°C durchgeführt. Die Siliciumnitridschicht 13 kann andererseits auch durch Kathodenzerstäubung
aufgebracht werden. Zur Bildung eines N-Ieitenden Emitters innerhalb des Basisbereichs 11
werden mit Hilfe von üblichen photolithographischen Ätzverfahren öffnungen 14 in die Siliciumnitridschicht
13 eingebracht. Ein bekanntes Verfahren zum Ätzen der Öffnung 14 durch die Siliciumnitridschicht besteht darin,
daß durch übliche Photolackverfahren eine (nicht dargestellte) Maske aus Siliciumdioxyd auf der Siliciumnitridschicht
aufgebracht wird, daß durch öffnungen in
der Maske die öffnungen 14 definiert werden, die dann
mit einem geeigneten Ätzmittel für Siliciumnitrid, beispielsweise heiße Phosphorsäure oder heißes Phosphorsalz
herausgeätzt werden. Die (nicht dargestellte) Siliciumdioxyd-Maske wird dann entfernt, so daß die in
F i g. 1 dargestellte Struktur übrig bleibt
Daraufhin werden Dotierungsstoffe, die N-Leitung erzeugen, durch die Siliciumdioxydschicht 12 einge
bracht zur Bildung der ionenimplantierten, N-Ieitenden Emitterzone 15, die in Fig. IB dargestellt ist. Di<
Dotierungsstoffkonzentration in dieser Zone betrag etwa 1021 Atome pro cm3. Der unter der Öffnung 14
liegende Bereich der Siliciumdioxydschicht 12 kanr auch zur Bildung einer öffnung 16 weggeätzt werden
wie dies in Fig. IA dargestellt ist, und die Emitterzone
15 kann dann durch direkte Ionenimplantation in da; Substrat 11 erfolgen. Die resultierende Struktur ist ir
F i g. 2 dargestellt.
Wenn die öffnungen 16 vor der Ionenimplantation gebildet werden, wie dies in Fig. IA dargestellt ist
werden die üblichen Photolackverfahren zur Bildung dieser öffnungen verwendet. Ein geeignetes Ätzmitte
für Siliciumdioxyd ist eine übliche gepufferte Fluorwasserstoffsäure. Bei den bekannten Herstellungsverfahrer
wird dieses Ätzen solange fortgesetzt, daß die seitlicher Abmessungen der öffnung 16 ausgedehnt werden, se
daß sie die Siliciumnitridschicht 13 in den Bereichen 17 unterschneidet.
Wenn z. B. die öffnungen 14 in der Siliciumnitridschicht
13 Durchmesser von ungefähr zwei Mikron haben, beträgt die seitliche Ausdehnung der Unterschneidung im Bereich 17 ungefähr 2500 Ä bis 3000 Ä
vom Rand der öffnung 14. Die Unterschneidung ist ir Fig. IAdargestellt.
Danach wird die Emitterzone 15 gebildet durch direkte Ionenimplantation in die Oberfläche des
Basisbereichs 11. Diese Emitterzone wird gebildet durch
das Einbringen von Arsenionen 75As+. Der auf das
Substrat gerichtete Ionenstrahl hat genügend Energie, um in das Substrat bis zu einer Tiefe von ungefähr 0,08
Mikron einzudringen. Er hat jedoch nicht genügend Energie, um die Siliciumnitridschicht 13 der Maske zu
durchdringen. Um dieses zu erreichen, sollte die Dosierung in der Größenordnung von 7 χ 1015 Ionen pro
cm2 und die Beschleunigungsenergie der Anlage in der Größenordnung von 40 KeV liegen. Als Alternative
kann das Verfahren der Fig. IR angewendet werden
und der N-ieitende Bereich durch die Siliciumdioxydschicht 12 mittels Ionenimplantation eingebracht
werden. Wenn die Ionenimplantation durch die Schicht 12 hindurch erfolgt, sollte diese eine Dicke von ungefähr
100 A haben. In diesem Falle ist es günstig, diesen dünnen Teil der Schicht 12 in einem separaten
Verfahrensschritt herzustellen. Wenn die Schicht 12 eine Dicke von 800 Ä hat, kann sie auch durch übliche
Tauchätzverfahren bis auf 100 Ä Dicke dünner gemacht werden.
Auch in diesem Falle muß nach der Bildung der implantierten Emitterzone 15 eine öffnung in die
Siliciumdioxydschicht 12 geätzt werden, da schließlich die Emitterzone 15 durch eine Metallisierung kontaktiert
werden muß. Die entstandene Struktur ist in F i g. 2 dargestellt Bei dem Verfahren entsprechend der
Fig. IB kann die öffnung 16 mit jedem bekannten
Verfahren hergestellt werden.
In jedem Falle liegt daher der PN-Übergang 18 exponiert in der öffnung 16, da einerseits die
Begrenzungen der öffnung 14 durch die Siliciumnitridschicht 13 die seitliche Lage des PN-Oberganges 18
bestimmen und andererseits die Unterschneidung im Bereich 17 vorhanden ist Unter diesen Umständen
bleibt, wie in Fig.3A dargestellt ist, selbst wenn die
Struktur anschließend bei dem bekannten Eintreiben der Emitterzone erhitzt wird, ein wesentliches Risiko,
daß der PN-Übergang 18 nicht so weit seitlich hinaus
getrieben wird, daß er unter der Siliciumdioxydschicht 12 liegt, sonderen, wie aus Fig.3A zu ersehen,
exponiert in der öffnung 16 verbleibt. Selbst das bekannte Eintreiben des Emitters bei Temperaturen in
der Größenordnung von 10000C während einer Zeitdauer von 100 Minuten stellt nicht sicher, daß der
PN-Übergang 18 nicht in einer exponierten Lage verbleibt.
Wenn nun ein üblicher metallischer schichtförmiger Kontakt 19, z. B. aus Aluminium oder Platin, in der bei
der Herstellung von integrierten Schaltungen üblichen Technik aufgebracht wird, so besteht, wie in Fig.4A
dargestellt, die Wahrscheinlichkeit, daß sich die Kontakte seitlich ausdehnen und den PN-Übergang 18
kurzschließen. Auch wenn dies nicht der Fall ist, bleibt der PN-Übergang in unerwünschter Weise unpassiviert.
Die Gefahr eines kurzgeschlossenen oder nicht passivierten PN-Überganges wird, wie in Fig.3B
dargestellt, dadurch vermieden, daß während des Eintreibens der Emitterzone der umgebenden Atmosphäre
ein N-Leitung erzeugender Dotierungsstoff zugefügt wird. Wenn beispielsweise das Eintreiben bei
einer Temperatur in der Größenordnung von 1000° C
und einer Zeitdauer von 100 Minuten durchgeführt wird, wird ein üblicher N-Ieitender Dotierungsstoff, beispielsweise
entweder AsH3 oder PH3 der umgebenden
Atmosphäre zugefügt mit den beim Dotieren aus der ί Gasphase üblichen Konzentrationen. Da in der öffnung
ein Metallkontakt gebildet wird, muß dieser Schritt in einer inerten Atmosphäre ausgeführt werden, beispielsweise
in einer Argon- oder Stickstoffatmosphäre, um zu erreichen, daß sich in der öffnung kein thermisches
in Oxid bildet.
Wenn, wie in Fig.3B dargestellt, während des Eintreibens N-leitende Dotierungsstoffe zugefügt werden,
findet eine Diffusion statt, die vom Rand der öffnungen 16 ausgeht und den PN-Übergang 18 in
seitlicher Richtung nach außen treibt über den Rand der öffnung 16 hinaus, so daß der Übergang 18 durch die
Siliciumdioxydschicht 12 bedeckt ist. Wenn nun der metallische Kontakt 19 auf diese Struktur aufgebracht
wird, so bedeckt, wie in Fig.4B dargestellt ist, der Kontakt nur die Emitterzone 15 und schließt den
PN-Übergang nicht kurz. Ebenfalls ist die Passivierung des PN-Überganges sichergestellt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (8)
1. Verfahren zum Herstellen von dotierten Zonen einer bestimmten Leitungsart in einem Halbleitersubstrat
mittels Ionenimplantation, bei dem zunächst durch öffnungen einer als Passivierungsschicht auf
der Substratoberfläche verbleibenden Maske Dotierionen für diese Leitungsart in das Halbleitersubstrat
implantiert und nach der Ionenimplantation die Grenzen der durch die Ionenimplantation
entstandenen dotierten Zone derart seitlich verschoben werden, daß der die dotierte Zone begrenzende
PN-Übergang unterhalb der Passivierungsschicht zu liegen kommt, dadurch gekennzeichnet,
daß zum seitlichen Verschieben des PN-Überganges (18) der dotierten Zone (15) ein dieselbe Leitursgsart
wie die implantierten Dotierionen erzeugender Dotierstoff durch die öffnungen (14,16) der Maske
(12,13) eindiffundiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Eindiffundieren des Dotierstoffs
gleichzeitig mit einem thermischen Eintreiben des implantierten Dotierstoffs in das Innere des
Halbleitersubstrats (10) erfolgt
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Eindiffundieren
des Dotierstoffs in einer inerten Atmosphäre durchgeführt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Eindiffundieren
des Dotierstoffs mit dem gleichzeitigen thermischen Eintreiben des implantierten Dotierstoffs bei einer
Temperatur von mindestens 10000C durchgeführt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske aus einer
unmittelbar auf der Substratoberfläche aufgebrachten, für Diffusion undurchlässigen Schicht (12) aus
Siliciumdioxid und einer darüber aufgebrachten, für Ionenimplantation undurchlässigen Schicht (13) aus
Siliciumnitrid verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Maske verwendet wird, bei
welcher die öffnungen der unteren Siliciumdioxidschicht (12) größer sind als die darüberliegenden
öffnungen der Siliciumnitridschicht (13).
7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein N-Leitung erzeugender
Dotierstoff eingebracht wird. >o
8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch seine
Verwendung zum Herstellen der Emitter von integrierten Transistoren, wobei durch die öffnungen
der Maske auf die Oberfläche der gebildeten >■> Zone metallische Kontakte (19) aufgebracht werden.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/673,314 US4060427A (en) | 1976-04-05 | 1976-04-05 | Method of forming an integrated circuit region through the combination of ion implantation and diffusion steps |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2707693A1 DE2707693A1 (de) | 1977-10-06 |
DE2707693B2 true DE2707693B2 (de) | 1978-12-07 |
DE2707693C3 DE2707693C3 (de) | 1979-08-16 |
Family
ID=24702144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2707693A Expired DE2707693C3 (de) | 1976-04-05 | 1977-02-23 | Verfahren zum Herstellen von dotierten Zonen einer bestimmten Leitungsart in einem Halbleitersubstrat mittels Ionenimplantation |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4060427A (de) |
JP (1) | JPS6025894B2 (de) |
AU (1) | AU504131B2 (de) |
BE (1) | BE851929A (de) |
CA (1) | CA1082373A (de) |
DE (1) | DE2707693C3 (de) |
FR (1) | FR2347778A1 (de) |
GB (1) | GB1516292A (de) |
IT (1) | IT1118012B (de) |
NL (1) | NL7703632A (de) |
SE (1) | SE7702443L (de) |
ZA (1) | ZA771835B (de) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4131497A (en) * | 1977-07-12 | 1978-12-26 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing self-aligned semiconductor devices |
US4119446A (en) * | 1977-08-11 | 1978-10-10 | Motorola Inc. | Method for forming a guarded Schottky barrier diode by ion-implantation |
US4149904A (en) * | 1977-10-21 | 1979-04-17 | Ncr Corporation | Method for forming ion-implanted self-aligned gate structure by controlled ion scattering |
FR2417909A1 (fr) * | 1978-02-17 | 1979-09-14 | Thaille Jean Louis | Regulateur de pression (ou charge) acoustique |
US4263603A (en) * | 1978-03-02 | 1981-04-21 | Sperry Corporation | Subminiature bore and conductor formation |
US4176029A (en) * | 1978-03-02 | 1979-11-27 | Sperry Rand Corporation | Subminiature bore and conductor formation |
US4157269A (en) * | 1978-06-06 | 1979-06-05 | International Business Machines Corporation | Utilizing polysilicon diffusion sources and special masking techniques |
US4262399A (en) * | 1978-11-08 | 1981-04-21 | General Electric Co. | Ultrasonic transducer fabricated as an integral park of a monolithic integrated circuit |
US4199380A (en) * | 1978-11-13 | 1980-04-22 | Motorola, Inc. | Integrated circuit method |
US4198250A (en) * | 1979-02-05 | 1980-04-15 | Intel Corporation | Shadow masking process for forming source and drain regions for field-effect transistors and like regions |
DE2917455A1 (de) * | 1979-04-30 | 1980-11-13 | Ibm Deutschland | Verfahren zur vollstaendigen ausheilung von gitterdefekten in durch ionenimplantation von phosphor erzeugten n-leitenden zonen einer siliciumhalbleitervorrichtung und zugehoerige siliciumhalbleitervorrichtung |
US4371423A (en) * | 1979-09-04 | 1983-02-01 | Vlsi Technology Research Association | Method of manufacturing semiconductor device utilizing a lift-off technique |
US4309812A (en) * | 1980-03-03 | 1982-01-12 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating improved bipolar transistor utilizing selective etching |
US4318751A (en) * | 1980-03-13 | 1982-03-09 | International Business Machines Corporation | Self-aligned process for providing an improved high performance bipolar transistor |
US4334348A (en) * | 1980-07-21 | 1982-06-15 | Data General Corporation | Retro-etch process for forming gate electrodes of MOS integrated circuits |
JPS5870570A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0654778B2 (ja) * | 1985-04-23 | 1994-07-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPS6393153A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-23 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5098851A (en) * | 1989-02-10 | 1992-03-24 | Hitachi, Ltd. | Fabricating a semiconductor photodetector by annealing to smooth the PN junction |
US5244821A (en) * | 1991-06-07 | 1993-09-14 | At&T Bell Laboratories | Bipolar fabrication method |
US5766695A (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-16 | Hughes Electronics Corporation | Method for reducing surface layer defects in semiconductor materials having a volatile species |
US6331468B1 (en) * | 1998-05-11 | 2001-12-18 | Lsi Logic Corporation | Formation of integrated circuit structure using one or more silicon layers for implantation and out-diffusion in formation of defect-free source/drain regions and also for subsequent formation of silicon nitride spacers |
JP2000040691A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置製造方法 |
US8791546B2 (en) * | 2010-10-21 | 2014-07-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Bipolar transistors having emitter-base junctions of varying depths and/or doping concentrations |
CN112053952B (zh) * | 2019-06-05 | 2022-02-11 | 上海先进半导体制造有限公司 | 高耐压大电流增益的衬底pnp晶体管及其制造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE756040A (fr) * | 1969-09-15 | 1971-02-15 | Western Electric Co | Procede pour former, par implantation d'ions, une zone localisee dans un corps de semi-conducteur |
DE1952632A1 (de) * | 1969-10-18 | 1971-04-22 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Diffusionszone |
US3717790A (en) * | 1971-06-24 | 1973-02-20 | Bell Telephone Labor Inc | Ion implanted silicon diode array targets for electron beam camera tubes |
US3764423A (en) * | 1972-03-15 | 1973-10-09 | Bell Telephone Labor Inc | Removal of dielectric ledges on semiconductors |
JPS5242842B2 (de) * | 1972-09-05 | 1977-10-27 | ||
US3947866A (en) * | 1973-06-25 | 1976-03-30 | Signetics Corporation | Ion implanted resistor having controlled temperature coefficient and method |
DE2341154C2 (de) * | 1973-08-14 | 1975-06-26 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung einer Zweiphasen-Ladungsverschiebeanordnung |
JPS50120257A (de) * | 1974-03-05 | 1975-09-20 |
-
1976
- 1976-04-05 US US05/673,314 patent/US4060427A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-02-18 FR FR7705178A patent/FR2347778A1/fr active Granted
- 1977-02-23 DE DE2707693A patent/DE2707693C3/de not_active Expired
- 1977-02-25 IT IT20665/77A patent/IT1118012B/it active
- 1977-02-28 BE BE175352A patent/BE851929A/xx not_active IP Right Cessation
- 1977-03-04 SE SE7702443A patent/SE7702443L/xx not_active Application Discontinuation
- 1977-03-08 CA CA273,411A patent/CA1082373A/en not_active Expired
- 1977-03-09 JP JP52024960A patent/JPS6025894B2/ja not_active Expired
- 1977-03-25 GB GB12734/77A patent/GB1516292A/en not_active Expired
- 1977-03-25 AU AU23652/77A patent/AU504131B2/en not_active Expired
- 1977-03-28 ZA ZA00771835A patent/ZA771835B/xx unknown
- 1977-04-04 NL NL7703632A patent/NL7703632A/xx not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1118012B (it) | 1986-02-24 |
NL7703632A (nl) | 1977-10-07 |
DE2707693C3 (de) | 1979-08-16 |
DE2707693A1 (de) | 1977-10-06 |
BE851929A (fr) | 1977-06-16 |
AU2365277A (en) | 1978-09-28 |
GB1516292A (en) | 1978-07-05 |
CA1082373A (en) | 1980-07-22 |
JPS6025894B2 (ja) | 1985-06-20 |
FR2347778B1 (de) | 1978-10-20 |
SE7702443L (sv) | 1977-10-06 |
JPS52122470A (en) | 1977-10-14 |
US4060427A (en) | 1977-11-29 |
AU504131B2 (en) | 1979-10-04 |
ZA771835B (en) | 1978-11-29 |
FR2347778A1 (fr) | 1977-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2707693C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von dotierten Zonen einer bestimmten Leitungsart in einem Halbleitersubstrat mittels Ionenimplantation | |
DE2652253C2 (de) | Verfahren zur Steuerung der seitlichen Breite eines Dotierungsprofils in einem Halbleiterkörper eines Halbleiterbauelementes | |
DE1764056C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
DE3780369T2 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiterstruktur. | |
DE2414033C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit selektiv auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats angeordneten Schichten aus einem Oxid des Substratmaterials | |
DE2745857C2 (de) | ||
EP0025854B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von bipolaren Transistoren | |
DE3689158T2 (de) | Verfahren zum Herstellen bezüglich einer Karte justierten, implantierten Gebieten und Elektroden dafür. | |
DE3034078C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE2253702C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
DE2410786C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung | |
DE2628407A1 (de) | Verfahren zum herstellen von vergrabenen dielektrischen isolierungen | |
DE19605633A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dioden mit verbesserter Durchbruchspannungscharakteristik | |
EP0032550A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer bipolaren, vertikalen PNP-Transistorstruktur | |
DE2915024C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines MOS-Transistors | |
DE2160427A1 (de) | Halbleiteranordnung mit einem Halb leiterwiderstand und Verfahren zur Her stellung einer derartigen Anordnung | |
DE2639465C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterstruktur | |
DE2633714C2 (de) | Integrierte Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einem bipolaren Transistor und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2718449A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und durch dieses verfahren hergestellte anordnung | |
DE2103468A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE2617293C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE2448478A1 (de) | Verfahren zum herstellen von pn-halbleiteruebergaengen | |
EP0000326B1 (de) | Verfahren zum Herstellen sehr kleiner, mit Störstellen versehener Zonen in einem Halbleitersubstrat | |
DE2758283C2 (de) | Verfahren zur Herstellung voneinander isolierter Halbleiterschaltungen | |
DE3786934T2 (de) | Halbleiterlaser von eingebettetem Struktur-Typ und dessen Herstellungsverfahren. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |