DE2648646A1 - Integrierte halbleiterschaltung - Google Patents

Integrierte halbleiterschaltung

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Description

PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MC1LLEP · D. GLOSSE · F. POLLMEIER 72
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Integrierte Halbleiterschaltung
Diese Erfindung befaßt sich mit integrierten Halbleiterschaltungen, sie befaßt sich insbesondere aber mit integrierten Metalloxid-Halbleiterschaltungen, die im weiteren Verlaufe dieser Patentanmeldung als MOS-HaIbleiterschaltungen bezeichnet werdeno
Es dürfte bereits bekannt sein, daß integrierte MOS-Halbleiterschaltungen, d.h. Halbleiterschaltungen mit Metalloxid-Halbleiteraufbau, in Digitalschaltungen bereits vielfach eingesetzt und verwendet werden. ¥ichtige oder wesentliche Eigenschaften von MOS-Halbleiterschaltungen sind die (Grenzfrequenz) Pep MAX sowie andere Hochfrequenzeigenschaften und das Durchbruchspannungsverhalten. Dem Durchbruchspannungsverhalten zugerechnet werden können: a) die Feldinversionsspannung, bei der dann eine Inversionsschicht in der Halbleiterträgerschicht entsteht, wenn sich über die Feld-Oxidschicht zwischen den Elektroden und der Halbleiterträgerschicht ein Nebenschluß bildet, und ein Reststrom oder Streustrom durch diese Inversionsschicht zu fließen beginntj b) eine als Übergangsschicht- oder Sperrschicht -Durchbruchspannung bekannte Spannung, bei der wegen eines Nebenschlusses zwischen dem Emitterbereich oder dem Kollektorbereich und der Halbleiterträgerschicht ein Zusammenbrechen des Emitterbereiches oder des Kollektorbereiches zu verzeichnen ist; c) eine als Durchgreifspannung bekannte Spannung, bei der jeweils die Sperrschicht des Emitterüberganges oder aber die Sperrschicht des Kollektorüberganges zum Kollektorbereich oder aber zum Emitterbereich hin ausgedehnt
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wird und den Kollektorbereich oder den Emitterbereich berührt. Die Meinung geht dahin, daß zur Erhöhung der Inversionsspannung die Feld-Oxidschicht als eine dicke Schicht ausgeführt sein muß, doch wegen der Präzision des Fotoätzverfahrens kann für gewöhnlich die Schichtstärke der Oxidschicht nur mit Schwierigkeit dicker als rund l/u ausgeführt werdeno Dies erklärt auch, warum andere Verbesserungen vorgeschlagen worden sind. Eine derartige Verbesserung ist als Ringschicht bekannt. Diese Ringschicht wird in einen Teil der Halbleiterträgerschicht an einer der Emitterzone und der Kollektorzone fernen Stelle eingearbeitet, und zwar in einer Verunreinxgungskonzentration, die hoch ist und die Polarität in der Leitfähigkeit aufweist, die auch die Halbleiterträgerschicht hat„ So wird beispielsweise
20 3 eine Verunrexnigungskonzentration von rund 10 /cm in einer Halbleiterträgerschicht mit elm --unreinigungskonzentration von 2,5 x 10 /cm derart verwendet, daß die Inversionsschicht abgetrennt wird0 In alternativer "Weise kann das Aufkommen der Feldinvers ions schicht auch noch dadurch verhindert werden, daß eine Verunreinigung in die Hauptoberfläche der Halbleiterträgerschicht exndxffundiert wird, wobei nur der Bereich unter der Gatt-Oxidschicht nicht mit in die einzudiffundierende Verunreinigung hereingenommen wird,, Diese Verunreinigung kann durch Ionen-Implantation oder auf irgendeine andere Weise durchgeführt werden, so daß eine Inversion dadurch verhindert wird,,
Soll eine Ringschxcht hergestellt werden, dann ist dafür außerhalb der Emitterzone und außerhalb der Kollek-
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torzone in der Halbleiterträgerschicht eine der Fläche der Ringschicht entsprechende Fläche erforderlich, so daß aus diesem Grunde in der Halbleiterträgerschicht das Ausmaß der Komponentendichte vergrößert wird. Was das andere Verfahren betrifft, durch das mit Ausnahme der Fläche, in der die Gattzone hergestellt· wird, nahe der Oberfläche der Halbleitertragerschicht eine Diffusionsschicht eingearbeitet wird, so hat dies eine Verringerung der Fläche zur Folge. Soll eine geringe Verunreinigungskonzentration eindiffundiert werden, dann wird die Steuerung und Regelung dieses Vorganges schwierig, so daß zur Durchführung dieses Vorganges teuere und kostspielige Vorrichtungen erforderlich sind, beispielsweise eine Ionen-Implantations-Vorrichtung und eine chemische Aufdampfungsvorrichtung (C.V.D = Chemical Vapor Deposition). Darüber hinaus kommt es zu einem sehr engen Kontakt zwischen der eindiffundierten Schicht und den Übergangszonen, was wiederum zur Folge hat, daß sich die parasitäre Kapazität oder die Fremdkapazität erhöht, während sich die Hochfrequenzeigenschaften oder das Hochfrequenzverhalten verschlechterno Diese und andere schwerwiegende Nachteile und Fehler waren in allen Fällen vorhanden»
Ziel dieser Erfindung ist somit die Schaffung einer integrierten Metalloxid-Halbleiterschaltung oder MOS-Halbleiterschaltung, bei der es unwahrscheinlich ist, daß eine Feldinversion aufkommto
Eine mit dieser Erfindung geschaffene integrierte Halbleiterschaltung besteht aus einer Halbleiterträgerschicht einer bestimmten Leitungsart, Polarität. In die Halbleiterträgerschicht werden die zueinander
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einen Abstand aufweisenden Diffusionszonen mit entgegengesetzt gerichteter Polarität und Leitungsfähigkeit derart eingearbeitet, daß sie sich zur Oberfläche der Halbleiterträgerschicht hin erstrecken und dabei jeweils die Emitterzone und die Kollektorzone bilden, •wobei zwischen diesen Zonen und der Halbleiterträgerschicht sich gleichrichtende Übergänge oder Übergangszonen befinden. Eine auf der bereits angeführten Oberfläche angeordnete Gatt-Isolierschicht bedeckt den Abstand zwischen den vorerwähnten Emitter- und Kollektorzonen und bildet dadurch einen Gatt-Bereich oder eine Steuerelektrodenzone. Auf der bereits angesprochenen Oberfläche angeordnet ist eine Feld-Isolierschicht und auf dieser Feld-Isolierschicht mindestens eine Metallleiterschicht. Die bereits angeführte Halbleiterträgerschicht und die vorerwähnte Metall-Leiterschicht oder leitende Metallschicht lassen eine potentielle parasitäre Vorrichtung entstehen, wobei die Verunreinigungskonzentration der Halbleiterträgerschicht derart ausgelegt ist, daß die Feldinversionsspannung der vorerwähnten potentiellen parasitären Vorrichtung im wesentlichen gleich der'Durchbruchspannung der zuvor angeführten gleichrichtenden Übergänge isto
Diese Erfindung wird nachstehend nun anhand des in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles (der in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele) näher erläutert ο Die Zeichnung zeigt in:
Fig. 1 Ein Kennliniendiagramm, das die wechselseitige Zuordnung der Halbleiterträgerschicht-Verunreinigungskonzentration und der Feldin-
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versionsspannung sowie der Durchbruchspannung an den Emitter- und Kollektorübergängen wiedergibt ο
Figo 2 Einen Schnitt durch den Metalloxid-Transistor oder MOS-Transistor dieser Erfindung.
Dieser Erfindung entsprechend wird eine Halbleiterträgerschicht 20 verwendet, deren Verunreinigungskonzentration derart ausgelegt und ausgeführt ist, daß sie die Feldinversionsspanung und die Zonenübergangs-Durchbruchspannung ungefähr gleich werden läßt, (in Fig. ist dies mit dem Punkt C gekennzeichnet, in dem sich die Kennlinie A und din Kennlinie B schneiden). Die mit Fig. 1 gegebenen Kennlinien A und E lassen erkennen, welche wechselseitigen Beziehungen zwischen der Verunreinigungskonzentration der Halbleiterträgerschicht und der Feldinversionsspannung bei einer Feldoxid-Schichtstärke 21 von l/U und 0,5 /u jeweils gegeben sindo Aus den vorerwähnten Kennlinien kann abgelesen werden, daß sich die Feldinversionsspannung proportional mit der Verunreinigungskonzentration in der Halbleiterträgerschicht 20 erhöhte Die Kennlinie B zeigt die jeweilige Zuordnung zwischen der Verunreinigungskonzentration der Halbleiterträgerschicht 20 und der Emitterzonen-Durchbruchspannung oder der Kollektorzonendurchbruchspannung für den Fall, daß die Eindiffundierungstiefe χj der Emitterzone und der Kollektorzone gleich 1/U ist, wobei sich die Durchbruchspannung in Übereinstimmung mit der Verunreinigungskonzentration der Halbleiterträgerschicht 20 verringert,, Nun ist jedoch festgestellt worden, daß eine Halbleiterträgerschicht, die, wie im Falle dieser Erfindung, eine
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so hohe Verunreinigungskonzentration aufweist, die parasitäre Kapazität dreimal so groß werden läßt. Dieser Mangel wird jedoch dadurch behoben, daß die Abmessungen (Breite) χ (Länge) der Emitterzone 22 und der Kollektorzone 23 von den früher verwendeten 6 /u χ 6θ /u auf nunmehr 3/U χ 30/U geändert worden sindo Gleichzeitig entwickelt worden ist das Herstellungsverfahren für die Herbeiführung so kleiner Breiten von 3 /u.» Dieses Herstellungsverfahren wird nachstehend noch beschrieben werden.
Praktisches Ausführungsbeispiel 1
Auf die Oberfläche eines Halbleiterplättchens mit einer N-leitenden Verunrexnigungskonzentration wird eine Oxidfilm-Schicht 21 mit einer Schichtstärke von ungefähr 1 /u aufgetragene Unter Verwendung dieser Oxidfilm-Schicht als Maske werden durch Eindiffundieren von Bromtrxbromid BBr „ die jeweils aus rund l/u dicken P -leitenden Schichten bestehenden Emitter- und Kollektorzonen oder Emitter-und Kollektorbereiche hergestellt. Sodann wird in dem Teil, welcher dem Gatt-oder Steuerelektrodenbereich entspricht unter Anwendung des Photoätzverfahrens eine Öffnung hergestellt, woraufhin dann die Herstellung eines Gatt-Oxidfilmes oder eines Steuerelektroden-Oxidfilmes mit einer Dicke von rund 5OO A bei einer Temperatur von 800°C erfolgt« Dieser Gatt-Oxidfilm oder Steuerelektroden-Oxidfilm ist mit der allgemeinen Hinweiszahl 24 gekennzeichnet,, Das Resultat ist ein Metalloxid-Transistor oder MOS-Transistor, dessen Durchbruchspannung und dessen Feldinversionsspannung rund 25 V betragen, was ungefähr
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der Durchbruchspannung und der Feldinvers Ions spannung eines Metalloxid-Transistors oder MOS-Transistors entspricht, der unter Anwendung der bisher bekannten Technologie hergestellt wird und eine Halbleiterträgerschicht mit einer Verunreinigungskonzentration von 2,5 x 10 /cm sowie eine N -leitende Schicht mit einer Verunreinigungskonzentration von 2,5 x 10 /cm hat. Der Transistor hat eine Schwellenspannung von rund 2,1 V. Diese Schwellenspannung ist ungefähr gleich der Schwellenspannung eines Metalloxid-Transisistors oder MOS-Transistors mit der vorerwähnten und bisher bekannten Halbleiterträgerschicht und mit einem Gatt-Film oder Steuerelektroden-Filmy dessen Schichtstärke rund 15OO A beträgto
Bei Verwendung der vorerwähnten Verbesserungen wird das Herstellungsverfahren für den Transistor vereinfacht, darüber hinaus verringert sich die erforderliche Oberflächenzone der Trägerschicht durch das Wegfallen der N -leitenden Schicht um 30 °/of ohne daß dadurch die Hochfrequenzeigenschaften oder das Hochfrequenzverhalten beeinträchtigt werden.
Praktisches Ausführungsbeispiel 2
Im Zusammenhang mit dem Ausführungsbeispiel 1 sind die Emitter- und Kollektor-Durchbruchspannungen und die FeIdinversionsspannung derart ausgelegt worden, daß sie die gleichen ¥erte aufweisen» Auch die Durchgreifspannung zwischen Emitter und Kollektor is derart ausgelegt worden, daß sie mit den zuvor erwähnten Spannungen den gleichen Wert hat. Wird nun eine bisher bekannte Halbleiterträgerschicht mit einer Verun-
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-ic; Q reinigungskonzentration von 2,5 x 10 /cm verwendet, wird unter Verwendung einer N -leitenden Schicht eine Feldinversionsspannung von 25 V erzielt, dann muß wegen der wechselseitigen Beziehung zwischen der Schwellenspannung und der Verunreinigungskonzentration der Halbleiterträgerschicht die Mindestbreite des Gatt-Bereiches oder des Steuerelektroden-Bereiches notwendigerweise ungefähr 6 /U betragen. Bei der vorerwähnten Breite der Steuerelektrode oder des Gatts hat die Durchgreifspannung einen Wert von 50 V, wobei die Sperrschicht eine Breite von 4 /U hat. Werden jedoch die Feldinversionsspannung, die Übergangsζonen-Durchbruchspannung und die Durchgreifspannung miteinander verglichen, dann, ist nur die Durchgreifspannung stärker; das aber ist keine nützliche Eigenschaft. Somit ist es erforderlich, daß die Durchgreifspannung auf den gleichen Wert gebracht werden muß, den die anderen Spannungen haben, und zwar dadurch daß die. Breite zwischen dem Emitterbereich und dem Kollektorbereich verringert wird, was auch eine Verringerung der Halbleiterplättchen-Abmessung zur Folge hato Dies konnte nur mit dieser Erfindung und unter Verwendung einer Halbleiterträgerschicht mit einer hohen Verunreinigungskonzentration erreicht werden. In Übereinstimmung mit dieser Erfindung wird eine Halbleiterträgers chicht mit einer Verunreinigungskonzentration von
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2,5 x 10 /era verwendet, wobei es möglich ist eine Gatt-Breite oder Steuerelektroden-Breite von 3 /u zu erreichen, wobei die Sperrschicht eine Ausdehnung von 1/u hat und wobei die Durchgreifspannung im Wert den
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anderen Spannungen angeglichen wird. Entsprechend der vorgegebenen Erläuterung werden der Emitterbereich und der Kollektorbereich vom Gatt-Bereich oder Steuerelektroden-Bereich, der eine Ausdehnung von 1/u hat, überlappt. Die Herstellung dieses kleineren Gatt-Bereiches oder Steuerelektroden-Bereiches wird durch eine Technologie oder ein Herstellungsverfahren ermöglicht, die/das im weiteren Verlaufe dieser Beschreibung noch näher erläutert werden wirda Bei dieser Ausführung ist eine Verringerung der Halbleiterträgerschicht-Oberfläche auf zO °/o der Halbleiterträgerschicht-Oberfläche des mit Beispiel 1 beschriebenen Ausführungsbeispieles möglich.
Darüber hinaus ist auch noch ein ausgezeichnetes und hervorragendes Herstellungsverfahren zur Herstellung der vorerwähnten MOS-Halbleiterschaltung oder Metalloxidhalbleiterschaltung entwickelt und geschaffen worden
Damit bei den so winzigen Abmessungen von 3/U eine Photoätzung durchgeführt werden kann, wird mit Belichtung durch Röntgenstrahlen, Elektronenstrahlen gearbeitet, aber auch noch mit anderen Verfahren, mit denen Submikron-Abmessungen erzielt werden könneno Bei dieser Erfindung ist jedoch ein "Posiresist",beispiels AZ-I35O,(Markenbezeichnung der Shipley Company), und monochromatisches Quecksilberlampenlicht von 2536 A verwendet worden,(Früher und bisher wurde mit einem "Negaresist" und mit Quecksilberlampen-Lichtstrahlen von 3000 bis 4000 S. gearbeitet^ .
Zur Erzielung einer zufriedenstellend guten Haftung zwischen dem "Resist"-Material und der Oxidschicht
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wird darüber hinaus ein haftungsförderndes Mittel verwendet, beispielsweise das haftungsfordernde Mittel O.A.P., (hierbei handelt es sich um eine Handelsmarke der Tokyo Applied Chemical Limited). Das Konischätzen wurde abgestellt und dadurch bei den Aluminiumleitern (25) ein "Stufenschnitt" verhindert. Als Ersatz dafür wurde bei der Herstellung der Aluminiumleiter (25) mit einer Gleichstrom-Sprühvorrichtung gearbeitet.
Um eine Feinlunkerbildung während der Gatt-Oxydation oder der Steuerelektroden-Oxydation zu verhindern, wird die Halbleiterträgerschicht mit Wasser gewaschen, das durch einen 0,2 /U-Filter gefiltert worden iste Bei Durchführung des Oxyddationsvorganges, (Erwärmung in einer aus 3 °/o HCl + 0„ bestehenden Atmosphäre) , konnte die für gewöhnlich für einen derartigen Oxydationsvorgang gefahrene Temperatur von 1000 C auf 800 C gesenkt werdeno
¥ird das zuvor beschriebene Photoätzverfahren eingesetzt, dann kann die Breite der Aluminiumleiter (25) geändert werden, dann kann bei nebeneinander angeordneten Leitern der Abstand von 6 /U auf 3/u verringert werden, was sich wiederum in einer weiteren Verringerung des Oberflächenbereiches bis auf 70 °/o niederschlägt. Wegen der kleineren Halbleiterplättchen-Oberfläche und wegen der Verringerung der Leiterbreite wurde auch das Produkt der Gleichung (Leiterstreukapazität) χ (Widerstand des Al-Leiters) um 50 °/o kleiner, so daß diese Schaltung mit einer hohen Operationsgeschwindigkeit arbeiten kann.
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Angesichts der Tatsache, daß die Streukapazität oder die parasitäre Kapazität des Leiters bei bem vorerwähnten Ausführungsbeispiel gegenüber den herkömmlichen Ausführungen eine Verbesserung darstellt, ist eine Aluminiumleiterdicke von l/U versucht worden, um bei der Photoätzung eine höhere Genauigkeit zu erzielen. Das ist im Vergleich mit dem vorerwähnten Ausführungsbeispiel die Hälfte; versucht worden ist auch eine Verringerung des l/u dicken Feldoxidfilmes um die Hälfte. Bei 5000 A für eine Halbleiterträgerschicht mit einer Verunreinigungskonzentration von
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2,5 x 10 /cm beträgt die Feldinversionsspannung 13 V, das aber ist zu niedrig, so daß dann eine Halbleiterträgerschicht mit einer Verunreinigungskonzentration von 5 x 10 /cm verwendet worden ist. Durch diese Maßnahme wurde die Durchbruchspannung von 25 V auf 18 V verringert, wohingegen die Feldinversionsspannung auf 18 V erhöht wurde, so daß ein Betrieb mit einer 15 V-Batterie sehr gut möglich wäre.
Zur Vermeidung von Schwnakungen und Abweichungen in der Feldinversionsspannung wurde von der früheren "gezogenen" Einkristallen zu den "Schwebezonen11-Einkristallen übergegangen, was eine Verringerung der Abweichungen oder der Schwankungen von +20 °/o auf +aO °/o zur Folge hatte o
Dadurch, daß in der bereits zuvor erläuterten Weise eine Halbleiterträgerschicht verwendet wird, die ohne Herstellung einer Ringschicht oder einer sich mit sich mit Ausnahme des Gatts oder der Steuerelektrode über die ganze Fläche erstreckenden N - oder P -lei-
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tenden Schicht die Feldinversionsspannung und die Übergangszonen-Durchbruchspannung annähernd gleich macht, wird mit dieser Erfindung ein Metalloxid-Transistor oder MOS-Transistor geschaffen, der in der Konstruktion winzig und kompakt ist, dessen elektrische Eigenschaften aber hervorragend sind. Zahlreiche Experimente und Versuche haben bewiesen, daß die vorerwähnten beiden Spannung nicht genau gleich sein müssen, sondern nur innerhalb eines Toleranzbereiches von +30 0Jo gleich zu sein brauchen,, Ebenfalls festgestellt worden ist, daß die Durchgreifspannung zwischen dem Gatt und dem Emitter nicht genau gleich der Feldinversionsspannung sein müssen, sondern, wie bereits angeführt, eine Toleranzbreite von +ßO °/o haben können „
Zudem macht das Herstellungsverfahren für die Herstellung und Fertigung solcher integrierter Halbleiterschaltungen eine hohe Integrationsdichte der Schaltung möglich.
Diese Erfindung beschränkt sich nicht nur auf die angeführten praktischen Ausführungsbeispiele, sie kann vielmehr aui" sehr vielseitige Weise eingesetzt und angewendet werden, so zum Beispiel in p-leitenden Metalloxid-Halbleiterschaltungen oder MOS-Schaltungen, in η-leitenden Metalloxid-Halbleiterschaltungen oder MOS-Schaltungen, oder aber in Halbleiterschaltungen der CKOS-Ausführung„ Bei der CMOS-Ausführung kann ganz besonders der Gatt-Spannungsrückwirkungseffekt vermieden werden, so daß diese noch nützlicher ist. Auch was die Elemente betrifft, so ist diese Erfindung nicht auf die Al-Steuerelektrode beschränkt,
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sie kann vielmehr auch Anwendung finden bei Gatts und Steuerelektroden aus Silizium, bei Gatts oder Steuerelektroden der Ausführungen FAMOS, SOS ( Silizium auf Saphir) und bei anderen metalloxid-Halbleiterschaltungen oder MOS-Halbleiterschaltungen. Auch der zur Feldisolierung bestimmte Film sowie der Gatt-Xsolierfilm oder Steuerelektroden-Isolierfilm können aus anderen Stoffen als SiOp hergestellt -werden.
Wenn diese Erfindung auch anhand von bestimmten Ausführungsbeispielen beschrieben und dargestellt worden ist, so können deren Prinzipien auch für viele andere Anwendungsfalle, dia den Fahleuten bekannt sein dürften,Anwendung finden o Diese Erfindung soll deshalb nur in dem mit den beiliegenden Patentansprüchen beschriebenen Umfang einer Beschränkung unterliegen,,
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Claims (1)

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    Patentansprüche
    Γ 1.J Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Halbleiterträgerschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps mit zueinander im Abstand eindiffundierten ersten und zweiten Bereichen des anderen Leitfähigkeitstyps, die derart eingearbeitet sind, daß sich ein jeder dieser Bereiche zur Oberfläche der Halbleiterträgerschicht hin erstreckt, so daß dadurch jeweils die Emitterzone oder die Kollektorzone entstehen, mit gleichrichtenden Übergangszonen zwischen diesen Bereichen und der Halbleiterträgerschicht, mit einer Steuergatt-Isolierschicht auf der bereits erwähnten Oberfläche, die den Abstand zwischen den vorerwähnten beiden Bereichen bedeckt und dadurch einen Steuergatt-Bereich bildet, ferner mit einer auf der bereits angeführten Oberfläche angeordneten Feld-Isolierschicht sowie mit mindestens einer elektrisch leitenden Metallschicht auf cfer vorerwähnten Feld-Isolierschicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterträgerschicht und die elektrisch leitende Metallschicht eine potentielle parasitäre Vorrichtung bilden und daß weiterhin die Verunreinigungskonzentration der Halbleiterträgerschicht derart ausgelegt ist, daß die Feldinversionsspannung der vorerwähnten parasitären Vorrichtung ungefähr gleich der Durchbruchsspannung der vorerwähnten gleichrichtenden Übergangszonen ist.
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    PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERu MÜLLER · D. GnOSSE · F. POLLMEIER 72
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    Integrierte Halbleiterschaltung nach. Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb eines Toleranzbereiches von +ßO °/o die Peldinversionsspannung gleich der Durchbruchspannung der gleichrichtenden Übergangszonen ist»
    Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2,
    dadurch gekennzeichnet, daß die Verunreinigungskonzentration der vorerwähnten Halbleiterträgerschicht größer ist als
    h. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, Anspruch 2 oder Anspruch 3,
    dadurch gekennzeichnet, daß die Durchgreifspannung zwischen der Emitterzone und der Kollektorzone im wesentlichen gleich der Feldinversionsspannung isto
    Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb eines Toleranzbereiches von +30 °/o die Feldinversionsspanung gleich der Durchbruchspannung der bereits angeführten gleichrichtenden Übergangszonen isto
    Verfahren zur Herstellung einer den vorausgegangenen Ansprüchen entsprechenden integrierten Halbleiterschaltung,
    dadurch gekennzeichnet, daß der Emitterbereich und der Kollektorbereich
    709818/1008
    PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÜLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72
    - bh -. * 22.10.1976
    vermittels des Photoätzverfahrens unter Verwendung von monochromatischen Quecksilberlicht von 2536 A hergestellt werden.
    7. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltung nach Anspruch 7,
    dadurch gekennzeichnet, daß die bereits angesprochene Halbleiterträgerschicht aus einem Schwebezonen-Einkristall (floating zone single crystal) hergestellt wird.
    - Ende -
    7 09818/1006
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2052671A1 (de) * 1969-10-27 1971-05-27 Nippon Electric Co Integrierte Haltleiterschaltung
DE2352762A1 (de) * 1972-11-01 1974-05-16 Ibm Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit komplementaeren feldeffekt-transistoren

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