DE2614839A1 - Gesinterte siliciumnitridkoerper und verfahren zu deren herstellung - Google Patents
Gesinterte siliciumnitridkoerper und verfahren zu deren herstellungInfo
- Publication number
- DE2614839A1 DE2614839A1 DE19762614839 DE2614839A DE2614839A1 DE 2614839 A1 DE2614839 A1 DE 2614839A1 DE 19762614839 DE19762614839 DE 19762614839 DE 2614839 A DE2614839 A DE 2614839A DE 2614839 A1 DE2614839 A1 DE 2614839A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- oxide
- silicon nitride
- weight
- amount
- metal oxides
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
NGK INSULATORS, LTD., NAGOYA / JAPAN
27 921 n/wa
Gesinterte Siliciumnitridkörper und Verfahren zu deren Herstellung
Die Erfindung betrifft Siliciumnitrid und insbesondere einen
gesinterten Siliciumnitridkörper hoher Dichte, der. verbesserte mechanische Festigkeit und thermische Stossbeständigkeit
aufweist, und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
In jüngerer Zeit ist Siliciumnitrid (Si-,Ν,) für bei hohen
Temperaturen beanspruchte Konstruktionsteile, wie Gasturbinenteile und dergleichen, wegen seiner ausgezeichneten mechanischen
609842/0771
Festigkeit, thermischen Widerstandsfähigkeit und thermischen Stossbeständigkeit herangezogen worden. Infolge schlechter"
Sinterfähigkeit ist es jedoch im allgemeinen schwierig, einen gesinterten Siliciumrritridkörper hoher Dichte und hoher mechanischer
Festigkeit zu erhalten. Daher ist zur Erzeugung gesinterter Siliciumnitridkörper ein Reaktionssinterverfahren,
in dem Silicium bei der Nitridierung gesintert wird, und ein Heisspressverfahren, in dem .Siliciumnitrid- :"".·' "' \
pulver nach Zugabe von Sinterhilfen, wie Magnesiumoxid (MgO) und dergleichen heissgepresst wird, beispielsweise durch
G. G. Deeley et al, "Dense Silicon Nitride", Powder Metallurgy,
1961, Nr. 8, Seiten 145-151 beschrieben worden. In dem Reaktionssinterverfahren
kann jedoch ein Sinterkörper hoher Dichte nicht erhalten werden, da bei der Sinterung kaum eine Schwindung
erfolgt. Bei dem Heisspressverfahren können zwar Sinterkörper hoher Dichte und mechanischer Festigkeit erhalten
werden, das Verfahren ist jedoch nicht anwendbar auf die Herstellung dichter Siliciumnitridkörper komplexer Form,
da dieser Methodik Beschränkungen anhaften und auch die Produktionskosten sehr hoch werden.
Darüberhinaus ist ein Verfahren zur Herstellung gesinterter
Siliciumnitridkörper, in dem Siliciumnitridpulver mit
Magnesiumoxid als Sinterhilfe versetzt und einer üblichen Sinterbehandlung ohne Presse unterworfen werden, beispielswiese
durch G. R. Terwilliger "Properties of Sintered Si3N.11,
Journal of The American Ceramic Society, 1974, Bd. 57, Nr. 1, Seiten 48-49, beschrieben worden. Bei diesem Verfahren ergibt
sich jedoch eine ungenügende Dichte und die mechanische Festigkeit ist, insbesondere bei hohen Temperaturen, gering,
weshalb auch die thermische"Stossbeständigkeit gering ist. Daher ist der durch dieses Verfahren erhaltene Sinterkörper
609842/0771
für Hochtemperaturkonstruktionsteile nicht geeignet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen gesinterten Siliciumnitridkörper hoher Dichte und mit verbesserter mechanischer
Festigkeit und thermischer Stossbeständigkeit, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen.
Eine weitere der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe liegt in der Schaffung eines Verfahrens zur Herstellung eines gesinterten
Siliciumnitridkörpers durch ein übliches Sinterverfahren.
Nach einem, ersten Aspekt der Erfindung wird ein gesinterter
Siliciumnitridkörper geschaffen, der im wesentlichen aus
nicht mehr als insgesamt 10 Gew.% von zumindest zwei Metalloxiden besteht, die unter Berylliumoxid (BeO), Magnesiumoxid (MgO) und Strontiumoxid (SrO) ausgewählt sind, unter der
Voraussetzung, dass jedes der Metalloxide in einer Menge von nicht mehr als 5 Gew.% vorliegt und der Rest Siliciumnitrid darstellt. Der gesinterte Siliciumnitridkörper kann weiter nicht mehr als 10 Gew.% von zumindest einem seltenen Erdmetalloxid enthalten.
nicht mehr als insgesamt 10 Gew.% von zumindest zwei Metalloxiden besteht, die unter Berylliumoxid (BeO), Magnesiumoxid (MgO) und Strontiumoxid (SrO) ausgewählt sind, unter der
Voraussetzung, dass jedes der Metalloxide in einer Menge von nicht mehr als 5 Gew.% vorliegt und der Rest Siliciumnitrid darstellt. Der gesinterte Siliciumnitridkörper kann weiter nicht mehr als 10 Gew.% von zumindest einem seltenen Erdmetalloxid enthalten.
Nach einem zweiten Aspekt der Erfindung, wird ein Verfahren zur Herstellung eines gesinterten Siliciumnitridkörpers geschaffen,
welches die Herstellung eines Gemisches von nicht mehr als insgesamt 10 Gew.% aus zumindest zwei Metalloxiden,
die unter Berylliumoxid,. Magnesiumoxid und Strontiumoxid ausgewählt sind, wobei jedes der Metalloxide in einer Menge
von nicht mehr als 5 Gew.% vorliegt, und als Rest Siliciumnitridpulver. Verformung des Gemisches zu einem Formkörper
und Sinterung des Formkörpers bei einer Temperatur von 1600
von nicht mehr als 5 Gew.% vorliegt, und als Rest Siliciumnitridpulver. Verformung des Gemisches zu einem Formkörper
und Sinterung des Formkörpers bei einer Temperatur von 1600
609842/0771
bis 1900 C in Stickstoff- oder Inertgasatmosphäre umfasst. In einer anderen Ausführungsform der Erfindung können nicht
mehr als 10 Gew.% von zumindest einem seltenen Erdmetalloxid weiter zu dem Gemisch hinzugefügt werden.
Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen weiter beschrieben.
Die Fig. 1 bis 3 stellen die Beziehung zwischen der Menge des zugefügten Additives und der Porosität des resultierenden
gesinterten Siliciumnitridkörpers dar.
Die Fig. 4A bis 4E stellen Röntgendiffiäctionsmuster von
Siliciumnitridpulver, einem gesinterten Siliciumnitridkörper,
der kein Additiv bzw. keinen Zusatz enthält, einem
gesinterten Siliciumnitridkörper, der Berylliumoxid als Additiv enthält, einem gesinterten Siliciumnitridkörper,
der Magnesiumoxid als Additiv enthält und einem gesinterten Siliciumnitridkörper, der Strontiumoxid als Additiv
enthält, dar.
Die Fig. 5 und 6 stellen Elektronenmikrografien der gesinterten
Siliciumnitridkörper gemäss der Erfindung'dar.
Fig. 7 stellt einen Elektronenmikrografie eines gemäss dem Stand der Technik erzeugten gesinterten Siliciumnitridkörpers
dar.
Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsformen beschrieben.
Es ist im allgemeinen bekannt, dass Siliciumnitridpulver
zwei Kristallstrukturen einer <**-Phase und ß-Phase aufweisen.
609842/077 1
Darüberhinaus ist bekannt, dass bei der Sinterung von Siliciumnitridpulver
die o-z-Phase in die ß-Phase bei einer Temperatur
oberhalb etwa 14OO°C umgewandelt wird und die Umwandlungsgeschwindigkeit
oberhalb 1600°C zunimmt. Anders ausgedrückt erfolgt bei Sinterung von Siliciumnitridpulver die
Umwandlung der ö^Phase in die ß-Phase.
Gemäss der Erfindung wird Siliciumnitridpulver mit einem
o^-Phasengehalt von nicht weniger als30 Gew.%, einer Reinheit
von nicht weniger als99 % und einer Korngrösse von nicht mehr
als 10 ,um angewandt. Wenn der Gehalt der «--Phase weniger
als 30 Gew.% beträgt, wird die Sinterung des Pulvers nicht in ausreichender Weise bewirkt, da die Sinterung in enger
Beziehung mit der Umwandlung der <*,- zu der ß-Phase, wie vorstehend
erwähnt worden ist, steht. Daher beträgt der ch-Phasengehalt
in dem Siliciumnitridpulver nicht weniger als 30 Gew.%, vorzugsweise nicht weniger als 80 Gew.%.
Der Grund, weshalb die Reinheit nicht weniger als 99 % beträgt ist wie folgt: Wenn in dem Siliciumnitridpulver Verunreinigungen
vorliegen, verdampfen diese Verunreinigungen unter Ausbildung von Poren in dem Sinterkörper und reagieren
auch mit dem Additiv unter Bildung einer niedrigschmelzenden flüssigen Phase, wodurch die Hochtemperatureigenschaften des
Sinterkörpers erheblich verschlechtert werden. Es ist daher erwünscht, dass die Reinheit des Siliciumnitridpulvers nicht
weniger als 99 % beträgt.
Darüberhinaus ist es infolge schlechter Sinterfähigkeit von Siliciumnitrid erforderlich, die Korngrösse des Pulvers
zu vermindern, um dessen Oberflächenspannung zu erhöhen. Unter diesem Gesichtspunkt werden als Siliciumnitridpulver fein
609842/077 1
26-U839
zerteilte Pulver einer Korngrösse von nicht mehr als 10 ,um
verwendet.
Gemäss der Erfindung werden zumindest zwei Metalloxide, die
unter Berylliumoxid/ Magnesiumoxid und Strontiumoxid ausgewählt sind, als erstes Additiv bzw. Zusatz in einer Gesamtmenge
von nicht mehr als 10 Gew.% verwendet, unter der Voraussetzung jedoch, dass jedes der Metalloxide in einer Menge
von nicht mehr als 5 Gew.% verwendet wird.
Das bedeutet, sofern Berylliumoxid, Magnesiumoxid und Strontiumoxid
getrennt als erster Zusatz zu dem Siliciumnitridpulver hinzugefügt werden, dass die Menge des zugefügten
Zusatzes mit der Porosität des resultierenden gesinterten Siliciumnitridkörpers, wie in Fig. 1 gezeigt ist, in Beziehung
steht. Diese Zusätze verdichten den Sinterkörper in gewissem Ausmass infolge der Ausbildung einer Korngrenzphase,
wenngleich die Dichte bei Zugabe von jedem dieser Zusätze, wie aus Fig. 1 ersichtlich ist, noch immer nicht
ausreichend ist. Beispielsweise wird, selbst wenn Magnesiumoxid als der wirksamste Zusatz, in einer Menge von 5 Gew.%
hinzugegeben wird, die minimale Porosität lediglich zu etwa 6 % (d.h. 94 % der theoretischen Dichte) erreicht.
Es ist erfindungsgemäss in überraschender Weise gefunden worden,
dass eine Kombination dieser Metalloxide eine bemerkenswerte Wirkung als Sinterhilfe bei der Sinterung des Siliciumnitrid
tuilvers ergibt. Wie aus den Fig. 2 und 3 ersichtlich
ist, · wird bei Verwendung von zumindest zwei Metalloxiden, die unter Berylliumoxid, Magnesiumoxid und Strontiumoxid
ausgewählt sind, als erstem Additiv die Porosität des gesinterten Siliciumnitridkörpers beträchtlich verringert
und somit erhöht .sich die Dichte.
609842/0771
In Fig. 2 ist die Beziehung zwischen der Menge des zugegebenen
Berylliumoxides und der Porosität des resultierenden gesinterten Siliciumnitridkörpers gezeigt, wenn Berylliumoxid
im Gemisch mit 5 Gew.% Magnesiumoxid oder 5 Gew.% Strontiumoxid oder 2,5 Gew.% Magnesiumoxid und 2,5 Gew.%
Strontiumoxid hinzugefügt wird.
In Fig. 3 ist die Beziehung zwischen der Menge des zugefügten Strontiumoxides oder Magnesiumoxides und der Porosität
des resultierenden gesinterten Siliciumnitridkörpers gezeigt, wenn Strontiumoxid . : zu 3 Gew.% Magnesiumoxid, oder
wenn Magnesiumoxid ' zu 3 Gew.% von Strontiumoxid hinzugegeben wird.
In den Fig. 2 und 3 wurde die Porosität im Hinblick auf den
gesinterten Siliciumnitridkörper gemessen, der durch Vermischung eines Gemisches von Siliciumnitridpulver und des Metalloxidadditives
der gegebenen Zusammensetzung in einer Kugelmühle während einer Stunde, Verformung des Gemisches zu
einer Scheibenprobe eines Durchmessers von 10 mm und einer Dicke von 3 mm und anschliessende Sinterung der Probe bei
175O°C in einer Argongasatmosphäre während einer Stunde erhalten
worden" war.
Gemäss der Erfindung ist es besonders bevorzugt, dass die
Kombination dieser Metalloxide als ersten Zusatz immer Berylliumoxid enthält, d.h. Kombinationen von BeO+MgO,
BeO+SrO und BeO+MgO+SrO sind besonders bevorzugt. Dies deshalb, weil Berylliumoxid besonders wirksam zur Umwandlung
der ch- zur ß-Phase in dem Siliciumnitridpulver ist,
wie aus den Fig. 4A bis 4E ersichtlich ist.
609842/0771
Fig. 4A zeigt ein Röntgendif fraktionsmuster eines Siliciumnitridpulvers
einer Reinheit von 99,9 % und eines <*--phasengehaltes
von 90 Gew. % und Fig .4 B zeigt ein Röntgendif fraktionsmuster des gesinterten Siliciumnitridkörpers, der durch
Sinterung des Pulv<
halten worden ist.
halten worden ist.
Sinterung des Pulvers bei 175O C während einer Stunde er-
Die Fig. 4C bis 4E zeigen Röntgencuf fraktionsmuster des gesinterten
Siliciumnitridkörpers, der durch Vermischung des Siliciumnitridpulvers der Fig. 4A mit 5 Gew.% jedes der Oxide
vcn Beryllium, Magnesium und Strontium und anschliessende Sinterung des resultierenden Gemisches unter den in Fig. 4B
angegebenen Bedingungen jeweils erhalten worden war.
In diesen Figuren bezeichnet das Symbol Λ, die Diffraktionspeaks
der CO-Phase und das Symbol ß die Diffraktionspeaks der ß-Phase.
Wie aus den Fig. 4B, 4D und 4E ersichtlich ist, verbleibt die
ß^-Phase in dem Sinterkörper dann noch immer, wenn kein Zusatz
oder wenn nur Magnesiumoxid oder Strontiumoxid verwendet werden. Im Gegensatz hierzu, wie aus Fig. 4C ersichtlich
ist, wird nahezu die gesamte c*--phase zur ß-Phase im Fall der
Verwendung von Berylliumoxid als Additiv umgewandelt. Somit ergibt Berylliumoxid einen bemerkenswerten Effekt auf die
Sinterung von Siliciumnitridpulver, da die Sinterung des Pulvers
mit der Umwandlung der <Ä,-Phase zur ß-Phase, wie vorstehend
erwähnt worden ist, einhergeht.
Je grosser die Menge des ersten Additives bzw. Zusatzes
ist, umso höher ist die Dichte des.gesinterten Körpers. Jedoch ein überschuss des Additivs ergibt eine grosse Menge
an glasartiger Phase zwischen den Siliciumnitridkörnern, so dass die Eigenschaften für Hochtemperaturkonstruktionsmaterialien
erheblich verschlechtert werden. Daher sollte die Gesamtmenge der zumindest zwei Metalloxide nicht mehr
als 10 Gew.%, vorzugsweise 0,2 bis 10 Gew.%, insbesondere
609842/0771 - 9 -
bevorzugt 1 bis 7 Gew.% und die Menge jedes der Metalloxide
nicht mehr als 5 Gew.%, vorzugsweise 0,1 bis 5 Gew.% und insbesondere bevorzugt 0,5 bis 3,5 Gew.% betragen.
Um einen Sinterkörper hoher Dichte zu erhalten, ist eine Sintertemperatur oberhalb 1600°C notwendig. Wenn die Temperatur
jedoch 1900 C übersteigt, erfolgt die Zersetzung des
Silicxumnitrids in heftiger Weise, so dass eine Temperatur oberhalb 1900 C nicht bevorzugt ist.
Um die Zersetzung und Oxidation von Siliciumnitrid zu vermei den, wird vorzugsweise Stickstoff oder Inertgas als Sinteratmosphäre
.verwendet.
Gemäss der Erfindung kann zumindest ein seltenes Erdmetalloxid
weiter in einer Menge von nicht mehr als 10 Gew.% als zweites Additiv, neben dem ersten Additiv, hinzugefügt
werden. Die seltenen Erdmetalloxide umfassen Ceroxid (CeO2)/
Yttriumoxid (Y3O )^ Lanthanoxid (La2O3), Praseodymoxid (Pr6O.
Neodymoxid (Nd2O ), Samariumoxid (Sm3O ), Gadoliniumoxid
(Gd2O3), Dysprosiumoxid (Dy3O3), Holmiumoxid (Ho2O3) und
Erbiumoxid (Er~0 ). Wenn die Menge des seltenen Erdmetalloxides 10 Gew.% übersteigt, nimmt die Bildung der glasartigen
Phase im Sinterkörper zu, so dass diese Menge nicht mehr als 10 Gew.%, vorzugsweise 1 bis 10 Gew.% und insbesondere
bevorzugt 1 bis 5 Gew.% betragen sollte.
Die Erfindung wird durch die nachfolgenden Ausführungsbeispiele weiter veranschaulicht.
- 10 -
609842/0771
Zu Siliciumnitridpulver, dessen Reinheit, oL-Phasengehalt
und Korngrösse in Tabelle 1 angegeben ist, wurden die Additive
(Metalloxide), die in Tabelle 1 angegeben sind einer bestimmten Qualität bzw. Korngrösse zugefügt und das resultierende
Gemisch wurde in einer Kugelmühle während einer Stunde gründlich durchgemischt. Hiernach wurde das Gemisch
zu einem Formkörper eines Durchmessers von 40 mm und einer
ο
Dicke von 3 mm unter einem Druck von 2000 kg/cm gepresst
Dicke von 3 mm unter einem Druck von 2000 kg/cm gepresst
und sodann bei der in Tabelle 1 gezeigten Temperatur in Stickstof f atmosphäre während einer Stunde gesintert. Es wurden
die Porosität, der Bruchmodul und die thermische Stoss- bzw. Schockbeständigkeit der hierdurch erhaltenen gesinterten Siliciumnitridkörper
gemessen, wobei die Ergebnisse in Tabelle 1 wiedergegeben sind.In Tabelle 1 sind die Sinterkörper der
Nummern 1 bis 19, die in den Rahmen der Erfindung fallen, und diejenigen der Proben 20 bis 27 als Standard angeführt.
Zum Vergleich sind die Eigenschaften der Sinterkörper, die nach dem Stand der Technik erhalten werden, ebenfalls in
Tabelle 1 als-Proben Nr. 28 bis 30 gezeigt.
Tabelle 1 als-Proben Nr. 28 bis 30 gezeigt.
Nachdem der Bruchmodul bei einem Versuchsstück von 3 χ 3 χ 35 mm
(Spanlänge 30 mm) durch einen Dreipunktbiegeversuch gemessen worden war, wurde die Porosität des VersuchsStücks gemessen.
Die thermische Stossbeständigkeit wurde gemäss folgender Gleichung
gemessen:
Thermische Stossbe- Bruchmodul
ständigkeit (thermischer Expansionskoeffizient) χ
(Young'scher Modul)
- 11 -
609842/0771
O | φ ; | Φ Λ |
O | - | 3 | O | O | O | O | 11 | O | O | O | O | O | 261 | ο | ο | 48 | |
I ι Φ tn |
ω ; | ti co ε: |
O ·
ti Ji |
00 | 1 ; | W Ό | O | οο | CO | ιη | VD | 00 | VD | in | CN | |||||
•Η Λ ·Η | ο Cn |
ιη | CO Ci | VO | ^ | VD | ιη | VD | VO | VD | VO | ■"· | VO | in | ||||||
ε cn -ο | S | O U "\ | ο : | ε »η | ||||||||||||||||
U Φ cn ö +J | O φ |
φ <*> | m ; | Φ U | ||||||||||||||||
φ ,ri O :nJ -H f? | cn · | O | ο | O | O | O | O | O | O | O | O | O | O | O | O | ο | ||||
X! O -P -P Φ ο | I J.i I Φ Φ Μ |
«J & | O | VD | οο | O | O | P^ | f^ | CN | χ— | VD | ||||||||
Eh co ω cn ^; ^ | ti ε +> 6\ | Λ Φ | O | ιη r- |
*"~ | ιη | ν— | r- | in | CO | VD | 00 | r- | CN | 00 | VO | ||||
CN | •η φ π3ο | PU O | ιη ; | ιη | VD | VD | <*. | in | in | in | in | VD | in | |||||||
ι ε | W-PM^ | *~ - | ||||||||||||||||||
"1O | O | ο | ||||||||||||||||||
U 3 \ | m . | O | CN | CO | VD | in | 00 | oo | oo | CN | CN | 00 | x— | VO | ||||||
5-1 O X | I | cn | ο: | Q | ro | O | O | O | O | O | O | O | CN | co | ||||||
PQ ε *■-' | C-P-. | Vl | "A | in | O | O | O | in | I | O | O | in | ||||||||
I -P | Ή -H cK> | ι; | I. | Ö | 00 | in | CN | CN | O | oo | ||||||||||
O :rcJ | φ φ W _ | Q | Q | Ö | o | in | 00 | O | ||||||||||||
O Ή dP | H | * | ιη | I | I | 1 | CN | CN | O | 1 | τ- | CN | ||||||||
O | Ö | O | O | in | CN | O | O | O | O | ro | O | Ι | O | |||||||
2W.%.) | I Ό | ^- | ro | ιη | O | O | οο | m | 00 | in | OO | O | O | |||||||
CJJ | ε 3 | • | *■"■ | O CO |
ro | |||||||||||||||
•Η +j |
— , | —. | -. | = | = | O | ||||||||||||||
•Η | I | 00 | ||||||||||||||||||
< | O ·Η | O | I | |||||||||||||||||
•Η M | CTl | |||||||||||||||||||
■-) -P | Z. | |||||||||||||||||||
•Η -H | CTl | — | — | = | - | te | ||||||||||||||
o | ,j, | |||||||||||||||||||
_ | ||||||||||||||||||||
Jg | = | — | - " | _ | ||||||||||||||||
— | = | |||||||||||||||||||
— | — | — | - | |||||||||||||||||
00 | ||||||||||||||||||||
CN | in | CO | O | CN | ||||||||||||||||
fc _ | ||||||||||||||||||||
*
■Je |
||||||||||||||||||||
VD | ||||||||||||||||||||
- 12 -
609842/077 1
Portsetzung von Tabelle 1
15 | Il | Il | Il | Il | It | - | 5,0 | 5,0 | 0,3 | 5.640 | 630 |
16 | Il | Il | 90 | Il | It | - | 4,0 | 0,5 | 0,8 | 4.860 . | 550 |
17 | Il | Il | It | Il | It | - | 3,0 | 3,0 | 0,4 | 5.560 | 630 |
18 | Il | It | 80 | Il | Il | -' | 0,5 | 4,0 | 1,0 | 4.700 | 540 |
19 | Il | Il | Il | Il | Il | ■ - | 3,0 | 3,0 | 0,5 | 5.320 | 600 |
20· | Standard | Il | 90 | Il | 1..7 5O | 5,0 | - | - | 22,5 | 1 .460 | 210 |
21 | Il | It | Il | Il | Il | - | 5,0 | - | 6,0 | 2.990 | 360 |
22 | Il | ti | Il | Il | Il | - | .- | 5,0 | 1,2,1 | 2.100 | 270 |
23 | Il | Il | It | Il | .1.500 | . 3,0 | - | . 3.,.0 | 28,7, , | 1.150, | 180 |
24 | •1 | It | It | Il | Il | - | - | 5„0 | 8,7 , | 1.780 . | 220 |
25 | Il | Il | Il | Il | Il | - | 5,0 | - | 5,4 | 2.210 | 270 |
26 | Il | Il | Il | Il | Il | - | 3,0 | 3,0 | 30,6 | 970 | 160 |
27 | Il | Il | Il | It | 1 .950 | - | 3,0 | 3,0 | 6,2 | 2.150 | 260 |
28**1* | Stand der Technik· · · ■ · |
94,2 | 40 | ^44 | 1.750 | 2%MgO+7%Al2O3+5% SiO? |
0,4 | 2.960 | 330 | ||
29 | ti | Il | Il | ^1O | 1.800 | 3%MgO+5%Al2O3f-5% SiO9 |
0,4 | 2.780 | 270 | ||
■ 30 | Il | Il | Il | Il | It | **** 3 %MgO +5%Kibushi-Ton |
0,5 | 2.260 | 230 |
in Fig. 5 gezeigt in Fig. 6 gezeigt in Fig. 7 gezeigt
Kaolinit -reiche
Tonerde
der Gifu Präfektur in Japan
26U839
Die Fig. 5 und 6 zeigen Elektronenmikrografien (Vergrössening
7500-fach) der Sinterkörper der Proben Nr. 3 und Nr. 14 in Tabelle 1 , während Fig. 7 eine Elektronenitiikrografie
(Vergrösserung 7500-fach) des Sinterkörpers der Probe Nr. 28, Tabelle 1, zeigt.
Wie aus Tabelle 1 und den Fig. 5 bis 7 ersichtlich ist, weisen die gesinterten Siliciumnitridkörper gemäss der Erfindung
(Proben Nr. 1 bis 19) überlegene Dichte-, Bruchmodul-
und thermische Stossbeständigkeitseigenschaften auf, im Vergleich zu denjenigen des Standards (Proben Nr. 20 bis 27)
und zu denjenigen des Standes der Technik (Proben Nr. 28 bis 30).
Im Gegensatz hierzu besitzt der herkömmliche Sinterkörper der Probe Nr. 28 , wie in Fig.7 gezeigt ist, keine ausreichende
Festigkeit, obwohl die Porosität abgenommen hat, da ein hoher Anteil an glasartiger Phasenmatrix in der Korngrenzfläche
der Siliciumnitridkristalle vorliegt.
Ein Gemisch von Siliciumnitridpulver und Additiven, wie es in Tabelle 2 angegeben ist, wurde gründlich in einer Kugelmühle
während einer Stunde vermischt und zu einem Formkörper eines Durchmessers von 10 mm und einer Dicke von 50 mm
2
unter einem Druck von 2000 kg/cm geformt und sodann bei einer Temperatur, die in Tabelle 2 angegeben ist, in Stickstoffatmosphäre während einer Stunde gesintert. Die Porosität, der Bruchmodul und die thermische Stossbeständigkeit der hierdurch erhaltenen Sinterkörper wurden gemessen, wobei die Ergebnisse in Tabelle 2 angegeben sind.
unter einem Druck von 2000 kg/cm geformt und sodann bei einer Temperatur, die in Tabelle 2 angegeben ist, in Stickstoffatmosphäre während einer Stunde gesintert. Die Porosität, der Bruchmodul und die thermische Stossbeständigkeit der hierdurch erhaltenen Sinterkörper wurden gemessen, wobei die Ergebnisse in Tabelle 2 angegeben sind.
- 14 -
609842/0771
Pro be Nr. |
gemäss d. Erfindung |
.S.i.3.N,4,-P.uder. . . . | ct-Phase (Gew. %) |
Korn- grösse (y.um). , . |
Il | Additive, .(.Gew..*.) | MgO | SrO | Seltenes Erdmetall oxid |
Sinter tempe ratur (0C) |
Poro sität |
Bruch modul (kg/cm2) |
Thermische Stossbe- ständig- keit(°C) |
|
1 | Il | Rein heit |
90 | I | Il | BeO | 0,5 | - | CeO2 5,0 | 1 .800 | 0,8 | 6.650 | 760 | |
2 | Il | 99,9 | Il | Il | 0,5 | 2,0 | - | CeO2 2,0 | Il | 0,2 | 6.890 | 780 | ||
3 | Il | Il | Il | Il | 1,5 | 3,0 | - | CeO2 3,0 | Il | . .0,1. . . | 7.140 | 800 | ||
co O co ι co |
4 | Il | Il | Il | Il | 3,0 | .5,0 | ,-. . . | CeO2 . 1.,5 | Il ' | , ο.,,ι,, | 7,050 | 780 | |
/0771 | 5 | Il | Il | Il | Il | 5,0 | 3,0 | .-. | Y2O3. 3,0 | Il | 0,2 , | 6.920 | 7 80 | |
6 | Il | M | Il | Il | 1,5 | 3,0 | -, | La3O3 3,0 | Il | 0,2 | 6.810 | 770 | ||
7 | ti | Il | It | Il | 1,5 | 2,5 | 1,5 | CeO2 3,0 | Il | 0,2 | 6.780 | 760 | ||
8 | Il | Ίι | Il | Il | - | 3,0 | 1,5 | Y2O3 3,0 | Il | 0,3 | 6.750 | 760 | ||
9 | Il | Il | Il | Il | - | - | 3,0 | CeO2 2,0 | Il | 0,3 | 6.690 | 750 | ||
10 | Il | Il | Il | ^ 5 | 2,0 | - | 3,0 | Y2O3 2,0 | Il | 0,4 | 6.710 | 750 | ||
.11 | •1 | Il | 40 | 2,5 | 1,0 | 1,0 | CeO2 2,0 | Il | 0,3 | 7.080 | 800 | |||
12 | Il | It | 1,0 | 2,5 | - | CeO2 2,5 | Il | 0,2 | 7.210 | 810 | ||||
If | 2,0 | |||||||||||||
Fortsetzung von Tabelle 2
13 | Il | ti | Il | £10 | 3,0 | 3,0 | - | Pr6O11. 2,0... | Il | . 0,2 | 6.790 | 770 |
14 | H | ti | Il | Il | 3,0 | 3,0 | - | Nd2O3 2.,0 | Il | 0,4 | 6.510 | 720 |
15 | Il | Il | ti | ti | 3,0 | 3,0 | - | Gd2O3 2,0 | Il | 0,6 | 6.670 | 760 |
16 | η | Il | It | Il | 3,0 | 3,0 | - | Dy2O3 2,0 | It | 0,3 | 6.810 | 770 |
17 | ti | Il | It | It | 3,0 | 3,0 | - , | Ho2O3, . .2.,O. , , | Il | , 0,6 | 6.510 | 720 |
18 | It | ti | Il | It | . 3.,Q | 3.,0. | - | Er2O3. , .2,0, , , | Il | , ,0,2. , | . 6.910 | 780 |
-P-OO
Wie vorstehend im Detail angeführt worden ist, besitzen die gesinterten Silicxumnitridkörper gemäss der Erfindung hohe
Dichte, mechanische Festigkeit und thermische Stoss- bzw.
Schockbeständigkeit und können durch ein einfaches Sinterverfahren ohne Anwendung einer speziellen Methodik, wie Heisspressverfahren
etc., hergestellt werden.
- 17 -
609842/0771
Claims (17)
- PATENTANSPRÜCHEwesentlichen mehr als 10 Gew.% insgesamt von zumindest zwei Metalloxiden, die unter Berylliumoxid, Magnesiumoxid und Strontiumoxid ausgewählt sind, wobei jedes dieser Metalloxide in einer Menge von nicht mehr als 5 Gew.% vorliegt und als Rest Siliciumnitrid.
- 2. Gesinterter Siliciumnitridkörper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass die Gesamtmenge der Metalloxide 0,2 bis 10 Gew.% und die Menge jedes der Metalloxide 0,1 bis 5 Gew.% beträgt.
- 3. Gesinterter Siliciumnitridkörper nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gesamtmenge der Metalloxide 1 bis Gew.% und die Menge jedes der Metalloxide 0,5 bis 3,5 Gew.% beträgt.
- 4. Gesinterter Siliciumnitridkörper nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kombination der Metalloxide eine Kombination aus Berylliumoxid mit Magnesiumoxid und/oder Strontiumoxid darstellt.
- 5. Gesinterter Siliciumnitridkörper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass der Körper weiter nicht mehr als 10 Gew.% von zumindest einem seltenen Erdmetalloxid enthält.- 18 -0 9 8 4 2/0771- 18 - 26U839
- 6. Gesinterter Siliciumnitridkörper nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , dass das seltene Erdmetalloxid unter ~Ceroxid, '', Yttriumoxid, Lanthanoxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid, Gadoliniumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid und Erbiumoxid ausgewählt ist.
- 7. Gesinterter Siliciumnitridkörper nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet , dass die Menge an seltenem Erdmetalloxid 1 bis 10 Gew.% beträgt .
- 8. Gesinterter Siliciumnitridkörper nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet , dass die Menge an seltenem Erdmetalloxid 1 bis 5 Gew.% beträgt.
- 9. Gesinterter Siliciumnitridkörper nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet , dass der Körper eine Kombination aus Magnesiumoxid und Strontiumoxid mit zumindest einem seltenen Erdmetalloxid enthält.
- 10. Gesinterter Siliciumnitridkörper nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , dass das seltene Erdmetalloxid unter ■■ Ceroxid/ ' . Yttriumoxid und Lanthanoxid ausgewählt ist.
- 11. Verfahren zur Herstellung eines gesinterten Siliciumnitridkörpers nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet", dass man ein Gemisch von nicht mehr als 10 Gew.% insgesamt von zwei Metalloxiden, die- 19 -609842/0771- ι9 - 26Η839unter Berylliumoxid, Magnesiumoxid und Strontiumoxid ausgewählt sind, wobei jedes der Metalloxide in einer Menge von nicht mehr als 5 Gew.% vorliegt, und als Rest Siliciumnitridpulver herstellt, das Gemisch zu einem Formkörper formt und den resultierenden Formkörper beieiner: Temperatur von 160O IInertgasatmosphäre sintert.einer: Temperatur von 160O bis 1900°C in Stickstoff- oder
- 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , dass man Siliciumnitridpulver verwendet, das einen cL-Phasengehalt von nicht weniger als 30 Gew.%, eine Reinheit von nicht weniger als 99 % und' eine Korngrösse von nicht mehr als 10 ,um aufweist.
- 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet , dass der o^-Phasengehalt nicht
weniger als 80 Gew.% beträgt. - 14. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Gesamtmenge des Metalloxides 0,2 bis 10 Gew.% und die Menge jedes der Metalloxide 0,1 bis 5 Gew.% beträgt.
- 15. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , dass das Gemisch weiterhin nicht mehr als 10 Gew.% von zumindest einem seltenen Erdmetalloxid enthält.
- 16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet , dass man das seltene Erdmetalloxid in einer Menge von "1 bis 10 Gew.% verwendet.- 2O -609842/0771-20- 26H839
- 17. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet , dass man das- seltene Erdmetalloxid unter Ceroxid/ . Yttriumoxid, Lanthanoxid, Praseodymoxid, Neodymoxid,- Samariumoxid, Gadoliniumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid und Erbiumoxid auswählt.609842/0771Leerseite
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50041164A JPS51116811A (en) | 1975-04-07 | 1975-04-07 | Manufacture of silicon nitride sintered bodies |
JP50046518A JPS51122111A (en) | 1975-04-18 | 1975-04-18 | Manufacture of silicon nitride sintered bodies |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2614839A1 true DE2614839A1 (de) | 1976-10-14 |
DE2614839B2 DE2614839B2 (de) | 1978-08-03 |
DE2614839C3 DE2614839C3 (de) | 1979-04-05 |
Family
ID=26380728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2614839A Expired DE2614839C3 (de) | 1975-04-07 | 1976-04-06 | Gesinterter SUiciumnltridkörper und Verfahren zu dessen Herstellung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4134947A (de) |
DE (1) | DE2614839C3 (de) |
GB (1) | GB1496305A (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2759159A1 (de) * | 1977-01-03 | 1978-07-13 | Gen Electric | Polykristalliner siliziumnitrid- sinterkoerper und verfahren zu dessen herstellung |
DE2759243A1 (de) * | 1977-01-03 | 1978-07-13 | Gen Electric | Polykristalliner siliziumnitrid- sinterkoerper und verfahren zu dessen herstellung |
FR2412510A1 (fr) * | 1977-12-23 | 1979-07-20 | Fiat Spa | Procede pour fritter des articles comprimes en nitrure de silicium |
US4746636A (en) * | 1984-12-22 | 1988-05-24 | Kyocera Corporation | Silicon nitride sintered body |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4365022A (en) * | 1980-12-06 | 1982-12-21 | Agency Of Industrial Science & Technology | Method for manufacture of high-strength sintered article of substances having β-silicon nitride type crystal structure |
US4376742A (en) * | 1981-02-23 | 1983-03-15 | Systems Research Laboratories, Inc. | Fugitive liquid phase densification of silicon nitride |
JPS6265976A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-25 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体およびその製造法 |
JPS6265978A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-25 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体およびその製造法 |
DE3744692C2 (de) * | 1986-03-28 | 1995-03-09 | Ngk Insulators Ltd | Siliciumnitridpulver und Verfahren zu seiner Herstellung |
GB8609067D0 (en) * | 1986-04-14 | 1986-05-21 | Atomic Energy Authority Uk | Silicon nitride materials |
GB2256651B (en) * | 1986-07-15 | 1993-06-30 | Norton Co | Improved rolling contact bearing,material for bearing surfaces,and processes therefor |
US4921657A (en) * | 1987-11-13 | 1990-05-01 | Dow Corning Corporation | Method for densification of amorphous ceramic material |
US4994219A (en) * | 1988-03-08 | 1991-02-19 | Allied-Signal Inc. | Method for forming a high strength silicon nitride |
US4870036A (en) * | 1988-03-08 | 1989-09-26 | Allied-Signal Inc. | High strength silicon nitride |
EP0428759B1 (de) * | 1989-06-15 | 1994-11-02 | Idemitsu Petrochemical Co. Ltd. | Mit diamant beschichtetes element |
US5334453A (en) * | 1989-12-28 | 1994-08-02 | Ngk Spark Plug Company Limited | Diamond-coated bodies and process for preparation thereof |
US5217931A (en) * | 1990-01-30 | 1993-06-08 | Mazda Motor Corporation | Ceramic sliding member and method of manufacturing the same |
DE4126510C2 (de) * | 1991-08-08 | 1997-02-13 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung von Siliziumnitridsinterkörpern hoher Festigkeit und Zähigkeit |
US8071495B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-12-06 | Ceramatec, Inc. | Silicon nitride body and method of manufacture |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3549402A (en) * | 1965-08-24 | 1970-12-22 | Carborundum Co | Silicon nitride composition and articles thereof |
GB1340696A (en) * | 1970-07-10 | 1973-12-12 | Lucas Industries Ltd | Method of manufacturing silicon nitride products |
GB1376891A (en) * | 1970-10-20 | 1974-12-11 | Atomic Energy Authority Uk | Silicon nitride ceramics |
JPS523647B2 (de) * | 1972-10-24 | 1977-01-29 | ||
US3992497A (en) * | 1973-05-18 | 1976-11-16 | Westinghouse Electric Corporation | Pressureless sintering silicon nitride powders |
US4073845A (en) * | 1976-01-29 | 1978-02-14 | Gte Sylvania Incorporated | High density high strength S13 N4 ceramics prepared by pressureless sintering of partly crystalline, partly amorphous S13 N4 powder |
-
1976
- 1976-04-02 US US05/672,928 patent/US4134947A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-04-06 DE DE2614839A patent/DE2614839C3/de not_active Expired
- 1976-04-07 GB GB14063/76A patent/GB1496305A/en not_active Expired
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2759159A1 (de) * | 1977-01-03 | 1978-07-13 | Gen Electric | Polykristalliner siliziumnitrid- sinterkoerper und verfahren zu dessen herstellung |
DE2759243A1 (de) * | 1977-01-03 | 1978-07-13 | Gen Electric | Polykristalliner siliziumnitrid- sinterkoerper und verfahren zu dessen herstellung |
FR2412510A1 (fr) * | 1977-12-23 | 1979-07-20 | Fiat Spa | Procede pour fritter des articles comprimes en nitrure de silicium |
US4746636A (en) * | 1984-12-22 | 1988-05-24 | Kyocera Corporation | Silicon nitride sintered body |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2614839B2 (de) | 1978-08-03 |
GB1496305A (en) | 1977-12-30 |
DE2614839C3 (de) | 1979-04-05 |
US4134947A (en) | 1979-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2614839A1 (de) | Gesinterte siliciumnitridkoerper und verfahren zu deren herstellung | |
DE2549652C3 (de) | Keramikformkörper hoher Bruchzähigkeit | |
DE2733354C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Keramikprodukts mit mindestens 80 Vol.-% eines einphasigen Siliciumaluminiumoxynitrids | |
DE69911309T2 (de) | Siliciumnitridsinterkörper hoher Wärmeleitfähigkeit und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE3344263C2 (de) | ||
DE3650264T2 (de) | Aluminiumnitridsinterkörper und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE3927083C2 (de) | ||
DE3800749C2 (de) | ||
DE4102426C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines gesinterten Siliciumcarbid- und Siliciumnitrid-Basiskörpers | |
EP0022522B1 (de) | Dichte Formkörper aus polykristallinem Beta-Siliciumcarbid und Verfahren zu ihrer Herstellung durch Heisspressen | |
DE69317254T2 (de) | Siliciumnitrid-Sinterkörper | |
DE4401589C5 (de) | Siliziumnitridkeramik und Verfahren zur Herstellung der Nitridkeramik | |
DE2820694C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines hauptsächlich aus Siliciumnitrid bestehenden Sinterkörpers | |
DE4126510C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Siliziumnitridsinterkörpern hoher Festigkeit und Zähigkeit | |
DE3709137C2 (de) | ||
DE2302438A1 (de) | Dichte siliciumnitrid-gegenstaende und verfahren zu deren herstellung | |
DE19839081B4 (de) | Siliciumnitridsinterkörper | |
DE4325345C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Aluminiumnitrid-Sinterprodukts | |
DE3216308A1 (de) | Gesinterter formkoerper auf basis von siliziumnitrid | |
DE1571295B1 (de) | Aluminiumosydgemische und geformte keramische gegenstände daraus | |
DE69111537T2 (de) | Verfahren zur Wärmebehandlung eines Sinterkörpers aus Siliziumnitrid. | |
DE4427060C1 (de) | Bauteil aus Indium-Zinn-Oxid und Verfahren für seine Herstellung | |
EP0045518B1 (de) | Dichter, Yttriumoxid enthaltender Formkörper aus Siliziumnitrid und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69907783T2 (de) | Sinterkörper hoher Wärmeleitfähigkeit auf Siliciumnitridbasis und Verfahren zur Herstellung desselben | |
EP0693465B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Sinterwerkstoffen auf Basis von Siliciumnitrid/Bornitrid |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |