DE2512860A1 - Verfahren zum fotolithografischen strukturieren von widerstandsbahnen in hybridschaltungen - Google Patents

Verfahren zum fotolithografischen strukturieren von widerstandsbahnen in hybridschaltungen

Info

Publication number
DE2512860A1
DE2512860A1 DE19752512860 DE2512860A DE2512860A1 DE 2512860 A1 DE2512860 A1 DE 2512860A1 DE 19752512860 DE19752512860 DE 19752512860 DE 2512860 A DE2512860 A DE 2512860A DE 2512860 A1 DE2512860 A1 DE 2512860A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resistance
conductor tracks
tracks
etching
covered
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19752512860
Other languages
English (en)
Other versions
DE2512860C2 (de
Inventor
Gianni Dr Berner
Philippe Dipl Ing Noel
Leo Schweri
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rheinmetall Air Defence AG
Original Assignee
BBC Brown Boveri France SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BBC Brown Boveri France SA filed Critical BBC Brown Boveri France SA
Publication of DE2512860A1 publication Critical patent/DE2512860A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2512860C2 publication Critical patent/DE2512860C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/702—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof
    • H01L21/707—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof of thin-film circuits or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/167—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H05K3/064—Photoresists
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0302—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0317—Thin film conductor layer; Thin film passive component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0361—Stripping a part of an upper metal layer to expose a lower metal layer, e.g. by etching or using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer

Description

18/75 Me/Ca
BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden (Schweiz)
Verfahren zum fotolithografischen Strukturieren von Widerstandsbahnen in Hybridschaltungen.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum fotolitografischen Strukturieren von Widerstandsbahnen in einer in Dünnfilmtechnik hergestellten Hybridschaltung, bei welchem Verfahren als Zwischenprodukt ein Substrat erhalten wird, das vollständig mit einer Widerstandsschicht aus geeignetem Material bedeckt ist, wobei sich auf der Widerstandsschicht ferner Leiterbahnen befinden, die mittels physikalischer oder elektrochemischer Verfahren selektiv aufgetragen wurden und zwecks Strukturierung der Widerstandsbahnen das Substrat mit Streifen eines lichtempfindlichen Lacks bedeckt wird, welche die Leiterbahnen wenigstens teilweise überdecken und wobei das überflüssige Widerstandsmaterial mit einem
609839/0624
- 2 - ( 18/75
geeigneten chemischen Aetzmittel entfernt und der Photolack nach dem Aetzen wieder weggenommen wird.
Wird eine Hybridschaltung in Dünnfilmtechnik hergestellt, so wird als Zwischenprodukt stets ein Substrat erhalten, das vollständig mit einer Widerstandsschicht (Nickel-Chrom, Tantal usw.) bedeckt ist. In Fig. la, die ein solches Zwischenprodukt zeigt, ist das Substrat mit Su, die Widerstandsschicht mit Ws bezeichnet Auf der Widerstandsschicht Ws befinden sich Leiterbahnen Lb, die mittels physikalischer oder elektrochemischer Verfahren selektiv aufgetragen werden. Um die Widerstandsbahnen Wb zu strukturieren, wird das Substrat mit Streifen eines fotoempfindlichen Lacks (Photoresist) Phr bedeckt, welche die Leiterbahnen Lb teilweise überdecken. Das überflüssige Widerstandsmaterial wird mit einem geeigneten chemischen Aetzmittel entfernt, so dass die gewünschten Widerstandsbahnen sowie die Leiterbahnen Lb übrigbleiben sollen (Pig. Ib).
Wie unmittelbar einleuchtet, ist eine chemische Reaktionsfähigkeit zwischen Aetzmittel und Leiterbahnen-Material ein schwerwiegender Nachteil und kann zur Unbrauchbarkeit der Endprodukte führen. Deshalb wurde das zum Entfernen der Viiderstandsochicht verwendete Aetzmittel bisher so gewählt, dass es das Material der Leiterbahnen nicht angreift. Als Leiterbahnen-Material wird heute fast ausschliesslich Gold verwendet, das in den meisten
609839/06 2 4
- 3 - - 18/75
Aetzmitteln unlöslich ist. Abgesehen von der Kostspieligkeit ist Gold jedoch ein Element, dessen Verfügbarkeit bzw. Beschaffbarkeit in Zukunft starken politischen Beeinflussungen unterworfen sein wird und das zudem schon in wenigen Jahren in seinnen natürlichen Vorräten erschöpft sein dürfte (Meadows "Grenzen des Wachstums"). Es ist auch aus anderen technologischen wie wirtschaftlichen Gründen zweckm.issig, in gewissen F/Illen die Leiterbahnen aus einem anderen Material als Gold zu bilden. Doch verliefen in dieser Richtung unternommene Versuche unbefriedigend, weil das Aetzmittel für die Widerstandsschicht auch das Leiterbahnen-Material angreift.
Selbst bei Verwendung der üblichen Kombination Gold/Nickel-Chrom zeigt sich eine starke Unterätzung der Widerstandsbahnen in der Nähe der Uebergänge zwischen den beiden Materialien, weil auch in dpr selektiven .Aetzlösung elektrochemische Potentialdifferenzen zwischen den zwei Materialien auftreten und zu unregelmässigen Aetzungen führen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese Nachteile zu vermeiden und ein der fotolithografischen Strukturierung von Widerstandsbahnen in einer Hybridschaltung dienendes Verfahren zu schaffen, bei dem es möglich ist, Leiterbahnen aus beliebigen Materialien zu bilden. Die Lösung der Aufgabe besteht darin,
609839/0624
- 4 - , 18/75
dass die hybride Schaltung dermassen abgedeckt wird, dass nur das Widerstandsmaterial mit der Aetzlösung in Kontakt kommt.
Anhand der Fig. 2 sei die Erfindung näher erläutert. Fig. 2a zeigt ein Zwischenprodukt, bestehend aus Substrat Su, Widerstandsschicht Ws und Leiterbahnen Lb. Die Leiterbahnen selbst können aus irgendeinem Material oder einem Sandwich verschiedener Materialien bestehen. Die Schaltung wird dann vollständig mit einem lichtempfindlichen Lack ("Photoresist", s.o.) bedeckt. Die Belichtung des Photoresists erfolgt durch eine Fotomaske, die einerseits die Struktur der Widerstände und andererseits
,einen beliebigen C z^JB..
die~ürn.—Vden Betrag σ (& 50 ,u) erweiterte Struktur der Leiterbahnen aufweist. Somit werden die Leiterbahnen vollständig mit Schutzlack abgedeckt.
Nach dem Aetzen des Widerstandsmaterials (Fig. 2b) weisen die Schaltungen eine Struktur auf, die aus Widerstandsbahnen und aus Leiterbahnen besteht. Die Leiterbahnen erhalten eine z.B. etvra 50 .u breite Umrahmung aus Widerstandsmaterial.
Wie ersichtlich, ist die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe mit dem vorgeschlagenen Verfahren gelöst, denn
1. es ist damit möglich, Leiterbahnen aus beliebigen Materialien zu bilden.
609839/0624
- 5 - I 18/75
2. Für das Aetzen der Widerstandsschicht können auch nicht selektiv ätzende Mittel Verwendung finden, sofern sie den Photoresist nicht zerstören.
3. Die Unterätzung der Widerstandsbahnen wird auf ein Minimum reduziert.
609839/0624

Claims (3)

- 6 - 18/75 25Ί2860 Patentansprüche
1.1 Verfahren zum fotolithografischen Strukturieren von Widerstandfc'bahnen in einer in Dünnfilmtechnik hergestellten hybridschaltung, bei welchem Verfahren als Zwischenprodukt ein Substrat erhalten wird, das vollständig mit einer Widerstandsschicht aus geeignetem Material bedeckt ist, wobei sich auf der Widerstandsschicht ferner Leiterbahnen befinden, die mittels physikalischer oder elektrochemischer Verfahren selektiv aufgetragen wurden, und zwecks Strukturierung der Widerstandsbahnen das Subsbrat mit Streifen eines lichtempfindlichen Lacks bedeckt wird, welche die Leiterbahnen wenigstens teilweise überdecken und wobei das überflüssige Widerstandsmaterial mit einem geeigneten chemischen Aetzmittel entfernt und der Fotolack nach dem Aetzen wieder weggenommen wird, dadurch gekennzeichnet, dass beim Aetzen der Widerstandsschicht die Hybridschaltung mittels des lichtempfindlichen Lacks so abgedeckt wird, dass nur das Widerstandsmaterial mit der Aetzlösung in Kontakt kommt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei einem aus Substrat, Widerstandsschicht und Leiterbahnen bestehenden Zwischenprodukt die Schaltung zunächst vollständig mit einem lichtempfindlichen Lack bedeckt wird,
609839/0624
- 7 - 13/75
251286Q
dass die Belichtung der fotoempfindlichen Schicht durch eine Fotomaske erfolgt, die einerseits die Struktur der Widerstände und a»dererseits die um eine Grosse <' erweiterte Struktur der Leiterbahnen aufweist, so dass nach dem Aetzen des Widerstandsitiaterials die Schaltungen eine Struktur zeigen, die aus Widerstandsbahnen und Leiterbahnen besteht, wobei die Leiterbahnen eine aus Widerstandsmaterial
p
bestehende Umrahmung von der Dicke J erhalten.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Grosse relativ zu den non.shicjon Abniofifuirnjon cJnr Leiterbahnen klein ist.
BBC Aktiengesellschaft
Brown, üoveri & Cie.
60983 9/0624
Leerseite
DE19752512860 1975-03-05 1975-03-24 Verfahren zum fotolithografischen Strukturieren von Widerstandsbahnen in Hybridschaltungen Expired DE2512860C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH275775A CH613556A5 (en) 1975-03-05 1975-03-05 Process for photolithographic patterning of resistor tracks in hybrid circuits

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2512860A1 true DE2512860A1 (de) 1976-09-23
DE2512860C2 DE2512860C2 (de) 1986-06-19

Family

ID=4240925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752512860 Expired DE2512860C2 (de) 1975-03-05 1975-03-24 Verfahren zum fotolithografischen Strukturieren von Widerstandsbahnen in Hybridschaltungen

Country Status (6)

Country Link
CH (1) CH613556A5 (de)
DE (1) DE2512860C2 (de)
DK (1) DK91576A (de)
FR (1) FR2303444A1 (de)
GB (1) GB1535995A (de)
SE (1) SE417657B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LT3488B (en) 1989-06-09 1995-11-27 Erg Societe Anonyme Method and device for measuring "in'situ" of soil expansion characteristics

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2532472B1 (fr) * 1982-08-31 1985-12-20 Lignes Telegraph Telephon Procede de fabrication de connexions electriques pour circuit hybride et circuit hybride comportant de telles connexions
DE3708832A1 (de) * 1987-03-18 1988-09-29 Siemens Ag Nasschemische strukturierung von hafniumborid-schichten

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1615004A1 (de) * 1964-10-19 1970-05-14 Western Electric Co Elektrischer Widerstand und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2342407A1 (de) * 1972-08-25 1974-03-07 Ciba Geigy Ag Verfahren zur herstellung von gedruckten mehrlagen-schaltungen

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1615004A1 (de) * 1964-10-19 1970-05-14 Western Electric Co Elektrischer Widerstand und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2342407A1 (de) * 1972-08-25 1974-03-07 Ciba Geigy Ag Verfahren zur herstellung von gedruckten mehrlagen-schaltungen

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
In Betracht gezogene ältere Anmeldung: DE-OS 24 15 487 *
Technische Mitteilungen PTT, H. 2, 1973, S. 74-78 *
Thin Solid Films, Vol. 1 (1967/68), S. 311, Elsevier Publishing Comp., Amsterdam *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LT3488B (en) 1989-06-09 1995-11-27 Erg Societe Anonyme Method and device for measuring "in'situ" of soil expansion characteristics

Also Published As

Publication number Publication date
GB1535995A (en) 1978-12-13
SE417657B (sv) 1981-03-30
DE2512860C2 (de) 1986-06-19
SE7602098L (sv) 1976-09-06
DK91576A (da) 1976-09-06
FR2303444A1 (fr) 1976-10-01
CH613556A5 (en) 1979-09-28
FR2303444B1 (de) 1980-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0002040B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Lötstoppmasken auf gedruckten Schaltungen mit Druckkontaktierungsbohrungen
DE1765434A1 (de) Verfahren zur Herstellung von flexiblen elektrischen Flachkabeln
DE2512860A1 (de) Verfahren zum fotolithografischen strukturieren von widerstandsbahnen in hybridschaltungen
DE1771950B1 (de) Verfahren zum partiellen aetzen von chrom insbesondere zur herstellung photolithographischer masken
DE1954499A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschaltkreisen mit Leitbahnen
DE3516760A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aetzen von kupfer auf einer leiterplatte
DE1258941B (de) Verfahren zur Herstellung von mehrschichtigen Duennfilmschaltungsplatten
DE2554968A1 (de) Verfahren zur herstellung elektrischer leiterrahmen
DE2658532C2 (de) Zwischenträger zur Halterung und Kontaktierung eines Halbleiterkörpers und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2543455A1 (de) Elastisches, unter druck elektrisch leitendes material
EP0013728A1 (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Verbindungen zwischen Leiterschichten in Halbleiterstrukturen
DE1123723B (de) Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen
DE2351664A1 (de) Verfahren zum behandeln einer duennschicht
DE1546014A1 (de) Verfahren zum AEtzen von Metallschichten mit laengs der Schichtdicke unterschiedlicher Zusammensetzung
DE3424329A1 (de) Verfahren zum herstellen von masshaltigen titanstrukturen
DE3041952A1 (de) Verfahren zur erzeugung einer duennschicht-sensoranordnung
DE2400665A1 (de) Verfahren zur herstellung eines lotabweisenden schutzes auf leiterplatten mit durchgehenden loechern
DE2315845A1 (de) Verfahren zur herstellung von aus schichten bestehenden elektrischen schaltungen
EP0067984A1 (de) Verfahren zum Ätzen von Chrom und Ätzmittelmischungen zur Durchführung des Verfahrens
DE2613759B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Metallanschlußkontaktes für ein Halbleiterbauelement
DE2234408A1 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrischen leiteranordnung
DE3712335A1 (de) Verfahren zur herstellung einer struktur
DE4121304C2 (de)
DE6802214U (de) Elektrisches bauelement.
DE10238816A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Anschlussbereichen einer integrierten Schaltung und integrierte Schaltung mit Anschlussbereichen

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: LUECK, G., DIPL.-ING. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 7891 KUESSABERG

8366 Restricted maintained after opposition proceedings
8305 Restricted maintenance of patent after opposition
D4 Patent maintained restricted
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: BBC BROWN BOVERI AG, BADEN, AARGAU, CH

8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: DERZEIT KEIN VERTRETER BESTELLT

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: CONTRAVES AG, ZUERICH, CH

8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: RUPPRECHT, K., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 6242 KRONBERG

8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: MITSCHERLICH, H., DIPL.-ING. GUNSCHMANN, K., DIPL.-ING. KOERBER, W., DIPL.-ING. DR.RER.NAT. SCHMIDT-EVERS, J., DIPL.-ING. MELZER, W., DIPL.-ING., PAT.-ANWAELTE, 8000 MUENCHEN

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: OERLIKON-CONTRAVES AG, ZUERICH, CH

8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: MITSCHERLICH, H., DIPL.-ING. KOERBER, W., DIPL.-ING. DR.RER.NAT. SCHMIDT-EVERS, J., DIPL.-ING. MELZER, W., DIPL.-ING., PAT.-ANWAELTE, 8000 MUENCHEN