DE2420186A1 - Lumineszenzschicht mit mosaikstruktur - Google Patents

Lumineszenzschicht mit mosaikstruktur

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DE2420186A1
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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Description

PIIN 6801
Ai....,.--. ü Ak ie: PH ._i;:.l..-i:V"ii'Li.r 1974
vomi 25. N- 6801
Anmalduna April
Luminesζenzschicht mit Mosaikstruktur.
Die Erfindung betrifft eine aufgedampfte Schicht mit einer Mosaikstruktur von Schichtelementen, die durch verhältnismässig
schmale, senkrecht zur Schichtoberfläche gerichtete Unterbrechungen voneinander getrennt sind.
Eine derartige Schicht ist aus der niederländischen Patentanmeldung 7109 571 bekannt. Vorliegende Anmeldung bildet dazu eine
Ergänzung und bezweckt, eine aufgedampfte Schicht mit grösserer
Auswahl für die Geometrie der Mosaikstruktur zu schaffen. Dazu ist
eine aufgedampfte Schicht der eingangs erwähnten Art dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht auf einem Träger aufgedampft ist, dessen zu bedampfende Oberfläche durch Atzen mit einer Struktur versehen
ist.
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Neben der grösseren Wahlmöglichkeit in der Geometrie der Mosaikstruktur weist eine aufgedampfte Schicht nach der Erfindung die Vorteile einer unbegrenzten Auswahl in der Art des Trägermaterials, wenn nur ätzbar, und einer Vereinfachung beim Anbringen einer Struktur in der Oberfläche des Trägers als Ansatz für die zu bildenden Mosaikstruktur auf. Auf. diese ¥eise kann z.B. das Eingangsfenster für einen Röntgenbildverstärker, das häufig aus Aluminium oder Titan hergestellt wird, direkt als Träger für die Schicht verwendet werden. Ebenso kann ein Glaseingangsfenster für eine lichtoptische Röhre als Träger benutzt werden.
Die Form und die Abmessung der Teilelemente der Mosaikstruktur, in der Schichtebene gesehen, geben jetzt eine grössere Wahlmöglichkeit. Diesen Teilelementen kann z.B. die Form von Kreisen, Rechtecken, Sechsecken, Dreiecken usw. gegeben werden. Auch können die Begrenzungen der Teilelemente in der Struktur des Trägers frei gewählt werden. Diese Begrenzungen können z.B. durch das Einführen eines Höhenunterschiedes zwischen den Teilelementen mittels Ätzung, oder durch Einführen einer in der Höhe abweichenden Begrenzung, also einer Erhöhung oder eines Kanals, zwischen den Teilelementen gebildet werden. Das Ätzen weist dabei noch den Vorteil auf, dass die zu bedampfende Oberfläche des Trägers, wenigsten: teilweise, aber ohne viel zusätzliche Arbeit auch vollständig, von Unregelmässigkeiten und Verunreinigungen befreit werden. Als störende Unregelmässigkeit kann z.B. eine durch Walzen in den Träger gedruckte Struktur auftreten. Das Ätzen des Trägers bewirkt insbesondere wenn Cäsiumjodid aufgedampft wird, wie in der deutschen Patentanmeldung 2031123 beschrieben, eine gute Haftung zwischen dem Träger
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und der aufgedampften Schicht. Yie bereits in der Hauptanmeldung erwähnt wurde, kann die aufgedampfte Schicht in der Dickenrichtung der Schicht gesehen in Teilschichten angebracht verden. Die Struk-, tür jeder Teilschicht setzt sich dabei in weiteren Teilschichten fort. Dies gilt sowohl für Teilschichten, die alle aus demselben Stoff bestehen, als auch für Teilschichten, die gegenseitig aus verschiedenen Stoffen bestehen, wie Extinktionsschichten, Interferenzschichten, oder Doppelschichten von z.B. gegenseitig verschiedenen Lumineszenzmaterialien.
In den-letzten Fällen gilt selbstverständlich die Einschränkung, dass die Teilschichten, gegebenenfalls unter Zwischenfügung einer Verbindungsschicht, aufeinander aufdampfbar sein müssen. Besonders gute Ergebnisse sind beim Aufdampfen, nach Bedarf in Teilschichten, von Cäsiumjodid auf einen durch Ätzen mit einer Ansatzstruktur versehenen Träger aus Aluminium, der als Eingangsschirm für einen Röntgenbildverstärker verwendet wird, erzielt •worden. Die Wölbung eines derartigen Schirmes ist dabei kein Nachteil. Auch, mit aufgedampften Schichten aus Galliumselenid, Cadmiumsulfid und Bleioxid auf einem durch Ätzen strukturierten Träger sind gute Ergebnisse erzielt worden. Es besteht deshalb kein Grund dazu, der ¥ahl der aufzudampfenden Materialien eine Einschränkung aufzuerlegen.
Bei einer Bleioxidschicht kann der Träger durch das Eingangsfenster einer Fernsehaufnahmeröhre gebildet werden. Bei der Verwendung einer faseroptischen Platte als Eingangsfenster können die Mäntel der verschiedenen Fasern als Begrenzungen für die Teilgebiete fungieren, die hier also durch die Kerne der getrennten
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Fasern gebildet werden. Gewöhnlich sind die Mantel und die Kerne derartiger Faserplatten durch den Unterschied in der Glasart auf einfache Weise gegenseitig verschieden ätzbar.
Um zu vermeiden, dass die Mosaikstruktur durch eine zu grosse Regelmässigkeit im Strukturmuster, störend in einer BiIdformung auftreten würde, ist in einer bevorzugten Ausführungsform mit Hilfe des Ätzverfahrens im Mosaikmuster ein gewünschtes Ausmass von Unordnung angebracht worden. Im Gegensatz dazu kann gerade für Anwendungen, bei denen ein spezielles Muster für die Mosaikstruktur erwünscht wird, statt der hier beschriebenen Ätztechnik, z.B. die Technik des Aufdampfens durch oder auf einer Gazestruktur angewandt werden.
Atzverfahren zum Anbringen von Strukturen sind allgemein bekannt und es ist deshalb nicht nötig, diese hier zu erörtern. Insbesondere sei auf Photomaskentechniken hingewiesen, wie sie in der Metallurgie und z.B. bei der Herstellung von Miniaturschaltungen angewandt werden. .
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Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE:
    1J Aufgedampfte Schicht mit einer Mosaikstruktur von Schichtelementen, die durch verhältnismässig schmale, senkrecht zur
    Schichtoberfläche gerichtete Unterbrechungen voneinander getrennt
    sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht auf einem Träger
    aufgedampft ist, dessen zu bedampfende Oberfläche durch Ätzen mit
    einer Struktur versehen ist.
    2. Aufgedampfte Schicht nach ΑηβρΓμοΙι 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ansatζstruktur im-Träger aus einem Muster von Teilgebieten besteht, die abwechselnd einen Höhenunterschied aufweisen. 3· Aufgedampfte Schicht nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Teilgebiete viereckig sind.
    h. Aufgedampfte Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur aus durch verhältnismässig schmale Übergänge voneinander getrennten Teilgebieten besteht, welche Übergänge einen Höhenunterschied mit den Teilgebieten aufweisen.
    5. Aufgedampfte Schicht nach einem der Ansprüche 1, 2, 3 oder k, dadurch gekennzeichnet, dass die Begrenzungen der Teilgebiete
    ein unordentliches Muster bilden.
    6. Aufgedampfte Schicht nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie, in der Schichtdicke gesehen, aus mehreren Teilschichten gegenseitig verschiedener Stoffen aufgebaut ist.
    7. Aufgedampfte Schicht nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie hauptsächlich aus Cäsiumjodid besteht und mit dem Träger zusammen ein Eingangsfenster eines Röntgenbildverstärkers bildet.
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    8, Aufgedampfte Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass sie hauptsächlich aus einem photoempfindlichen Stoff besteht und mit dem Träger zusammen ein Eingangsfenster einer Fernsehaufnahmeröhre bildet.
    9· Aufgedampfte Schicht, nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger durch eine Faseroptikplatte gebildet wird.
    10- Aufgedampfte Schicht nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Teilschicht aus lumineszemzmaterial und eine zwischen dieser Lumineszenz-schicht und dem Träger angeordnete Schicht mit lumineszenzstrahlungsabsorbierendem Material, zum Beispiel Cadmiumsulfid, enthält.
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DE19742420186 1973-05-09 1974-04-26 Lumineszenzschicht mit mosaikstruktur Granted DE2420186A1 (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7306446A NL7306446A (de) 1973-05-09 1973-05-09

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DE2420186A1 true DE2420186A1 (de) 1974-11-28
DE2420186C2 DE2420186C2 (de) 1987-10-15

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