DE2407697C3 - Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls

Info

Publication number
DE2407697C3
DE2407697C3 DE2407697A DE2407697A DE2407697C3 DE 2407697 C3 DE2407697 C3 DE 2407697C3 DE 2407697 A DE2407697 A DE 2407697A DE 2407697 A DE2407697 A DE 2407697A DE 2407697 C3 DE2407697 C3 DE 2407697C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
single crystal
germanium
producing
silicon single
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2407697A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2407697A1 (de
DE2407697B2 (de
Inventor
Joachim 8520 Erlangen Martin
Konrad Dipl.-Chem. Dr.Phil.Nat. 8011 Vaterstetten Reuschel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE2407697A priority Critical patent/DE2407697C3/de
Priority to BE145761A priority patent/BE816719A/xx
Priority to NL7410745A priority patent/NL7410745A/xx
Priority to AT667874A priority patent/AT339379B/de
Priority to GB3955974A priority patent/GB1442930A/en
Priority to PL1974174329A priority patent/PL91842B1/pl
Priority to ZA00746269A priority patent/ZA746269B/xx
Priority to DK658274A priority patent/DK658274A/da
Priority to IT20138/75A priority patent/IT1031627B/it
Priority to JP1777675A priority patent/JPS5329572B2/ja
Priority to SU752106377A priority patent/SU717999A3/ru
Priority to FR7504804A priority patent/FR2261055B1/fr
Publication of DE2407697A1 publication Critical patent/DE2407697A1/de
Publication of DE2407697B2 publication Critical patent/DE2407697B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2407697C3 publication Critical patent/DE2407697C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P34/20—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/20—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/40—Crystalline structures
    • H10D62/405—Orientations of crystalline planes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
DE2407697A 1974-02-18 1974-02-18 Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls Expired DE2407697C3 (de)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2407697A DE2407697C3 (de) 1974-02-18 1974-02-18 Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls
BE145761A BE816719A (fr) 1974-02-18 1974-06-21 Procede de fabrication de monocristaux de silicium de conductivite de type p a dopage homogene
NL7410745A NL7410745A (nl) 1974-02-18 1974-08-09 Werkwijze ter bereiding van homogeen gedoteerde siliciumeenkristallen met p-geleidbaarheid.
AT667874A AT339379B (de) 1974-02-18 1974-08-14 Verfahren zum herstellen von homogen dotierten siliziumeinkristallen mit p-leitfahigkeit
GB3955974A GB1442930A (en) 1974-02-18 1974-09-11 Manufacture of uniformly doped rod-shaped p-conductive silicon monocrystals
PL1974174329A PL91842B1 (enExample) 1974-02-18 1974-09-25
ZA00746269A ZA746269B (en) 1974-02-18 1974-10-02 Improvements in or relating to the manufacutre of uniformly doped p-conductive silicon monocrystals
DK658274A DK658274A (enExample) 1974-02-18 1974-12-17
IT20138/75A IT1031627B (it) 1974-02-18 1975-02-11 Procedimento per produrre monocristalli di silicio con conducibilita p orogati in modo uniforme
JP1777675A JPS5329572B2 (enExample) 1974-02-18 1975-02-12
SU752106377A SU717999A3 (ru) 1974-02-18 1975-02-17 Способ легировани монокристаллов кремни
FR7504804A FR2261055B1 (enExample) 1974-02-18 1975-02-17

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2407697A DE2407697C3 (de) 1974-02-18 1974-02-18 Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2407697A1 DE2407697A1 (de) 1975-09-18
DE2407697B2 DE2407697B2 (de) 1978-04-06
DE2407697C3 true DE2407697C3 (de) 1978-11-30

Family

ID=5907718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2407697A Expired DE2407697C3 (de) 1974-02-18 1974-02-18 Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls

Country Status (12)

Country Link
JP (1) JPS5329572B2 (enExample)
AT (1) AT339379B (enExample)
BE (1) BE816719A (enExample)
DE (1) DE2407697C3 (enExample)
DK (1) DK658274A (enExample)
FR (1) FR2261055B1 (enExample)
GB (1) GB1442930A (enExample)
IT (1) IT1031627B (enExample)
NL (1) NL7410745A (enExample)
PL (1) PL91842B1 (enExample)
SU (1) SU717999A3 (enExample)
ZA (1) ZA746269B (enExample)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9799736B1 (en) 2016-07-20 2017-10-24 International Business Machines Corporation High acceptor level doping in silicon germanium

Also Published As

Publication number Publication date
BE816719A (fr) 1974-10-16
IT1031627B (it) 1979-05-10
JPS5329572B2 (enExample) 1978-08-22
AT339379B (de) 1977-10-10
DK658274A (enExample) 1975-10-27
JPS50120253A (enExample) 1975-09-20
SU717999A3 (ru) 1980-02-25
ATA667874A (de) 1977-02-15
FR2261055A1 (enExample) 1975-09-12
ZA746269B (en) 1975-10-29
DE2407697A1 (de) 1975-09-18
DE2407697B2 (de) 1978-04-06
NL7410745A (nl) 1975-08-20
PL91842B1 (enExample) 1977-03-31
GB1442930A (en) 1976-07-14
FR2261055B1 (enExample) 1979-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2013576B2 (de) Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsaure filmen auf Halbleiteroberflachen
DE3714357A1 (de) Siliciumwafer und verfahren zu dessen herstellung
DE1034772B (de) Verfahren zum Ziehen von spannungsfreien Einkristallen fast konstanter Aktivatorkonzentration aus einer Halbleiterschmelze
DE2005271C3 (de) Epitaxialverfahren zum Aufwachsen von Halbleitermaterial auf einem dotierten Halbleitersubstrat
DE2433991A1 (de) Verfahren zum dotieren einer halbleiterschicht
DE2356376A1 (de) Verfahren zum herstellen von homogen dotierten siliciumeinkristallen mit n-leitfaehigkeit durch neutronenbestrahlung
DE2439430A1 (de) Verfahren zum herstellen von homogen dotiertem halbleitermaterial mit p-leitfaehigkeit
DE1154878B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiteranordnungen aus n-leitendem Silizium durch Bestrahlen mit thermischen Neutronen
DE2362264A1 (de) Verfahren zum herstellen von homogen dotierten siliciumeinkristallen mit n-leitfaehigkeit und einstellbarer dotierstoffkonzentration durch neutronenbestrahlung
DE2407697C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls
DE2012459A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Dotierungs st of f que He
DE1544292C3 (de) Verfahren zum Herstellen stabförmiger Siliciumeinkristalle mit über die gesamte Stablänge homogener Antimondotierung
DE2438710A1 (de) Vorrichtung zum gezielten einbringen von dotierungsmaterial in einen halbleiterkristallstab auf radiogenem wege
DE2519527C3 (de) Verfahren zum Herstellen von homogen-phosphordotiertem einkristallinem Silicium durch Neutronenbestrahlung
DE2551281A1 (de) Verfahren zum herstellen von phosphordotierten siliciumeinkristallen mit in radialer richtung gezielter randlicher anreicherung des dotierstoffes
DE112021005336T5 (de) Vorrichtung zur herstellung eines einkristalls
DE2364015C3 (de) Verfahren zum Herstellen von n-dotierten Siliciumeinkristallen mit einem einstellbaren Dotierungsprofil
DE2551301C3 (de) Verfahren zum Herstellen von phosphordotierten Siliciumeinkristallen mit in radialer Richtung gezielter randlicher Ahreicherung des Dotierstoffes
DE2415717A1 (de) Verfahren zum gezielten einbringen von dotierungsmaterial in einen halbleiterkristallstab
DE2617320A1 (de) Verfahren zum herstellen von homogen phosphordotierten siliciumkristallen durch neutronenbestrahlung
DE2116746A1 (de) Verfahren zum Betrieb einer elektrischen Niederschlagsanlage zum Herstellen von insbesondere aus Silicium bestehenden Halbleiterstäben
DE2362320A1 (de) Verfahren zum herstellen von homogendotierten siliciumeinkristallen durch neutronenbestrahlung
DE2519663A1 (de) Verfahren zum herstellen von direkt-beheizbaren siliciumrohren
DE2436490A1 (de) Verfahren zum homogenen dotieren eines halbleiterkoerpers aus silizium mit phosphor
DE1267198C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer halbleitenden Verbindung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee