DE2407697A1 - Verfahren zum herstellen von homogen dotierten siliciumeinkristallen mit p-leitfaehigkeit - Google Patents

Verfahren zum herstellen von homogen dotierten siliciumeinkristallen mit p-leitfaehigkeit

Info

Publication number
DE2407697A1
DE2407697A1 DE19742407697 DE2407697A DE2407697A1 DE 2407697 A1 DE2407697 A1 DE 2407697A1 DE 19742407697 DE19742407697 DE 19742407697 DE 2407697 A DE2407697 A DE 2407697A DE 2407697 A1 DE2407697 A1 DE 2407697A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
germanium
alloy
single crystal
ohm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19742407697
Other languages
English (en)
Other versions
DE2407697B2 (de
DE2407697C3 (de
Inventor
Joachim Martin
Konrad Dipl Chem Dr P Reuschel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE2407697A priority Critical patent/DE2407697C3/de
Priority to BE145761A priority patent/BE816719A/xx
Priority to NL7410745A priority patent/NL7410745A/xx
Priority to AT667874A priority patent/AT339379B/de
Priority to GB3955974A priority patent/GB1442930A/en
Priority to PL1974174329A priority patent/PL91842B1/pl
Priority to ZA00746269A priority patent/ZA746269B/xx
Priority to DK658274A priority patent/DK658274A/da
Priority to IT20138/75A priority patent/IT1031627B/it
Priority to JP1777675A priority patent/JPS5329572B2/ja
Priority to SU752106377A priority patent/SU717999A3/ru
Priority to FR7504804A priority patent/FR2261055B1/fr
Publication of DE2407697A1 publication Critical patent/DE2407697A1/de
Publication of DE2407697B2 publication Critical patent/DE2407697B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2407697C3 publication Critical patent/DE2407697C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/261—Bombardment with radiation to produce a nuclear reaction transmuting chemical elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/20—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
    • H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

Verfahren zum Herstellen von homogen dotierten Siliciumeinkristallen mit p-Leitfähigkeito -
Die Patentanmeldung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von homogen dotierten Siliciumeinkristallen mit p-Leitfähigkeit unter Verwendung von Gallium als Dotierstoff durch Neutronenbestrahlung»
Die Dotierung von Siliciumkristallstaben erfolgt im allgemeinen beim Abscheiden des Siliciummaterials aus der Gasphase mittels thermischer und/oder pyrolytischer Zersetzung einer gasförmigen Verbindung des Siliciums am erhitzten stabförmigen Trägerkörper des gleichen Materials. Dabei werden Dotierstoffe den gasförmigen Verbindungen des Siliciums beigemischt und am Trägerkörper zersetzt. Die so hergestellten Siliciumkristallstäbe sind polykristallin und müssen in einem anschließenden Zonenschmelzprozeß in den einkristallinen Zustand übergeführt werden. Dabei ändert sich die Dotierstoffkonzentration oft in unkontrollierbarer Weise und es müssen sehr viel höhere Dotierstoffkonzentrationen eingestellt werden, damit die gewünschte Dotierstoff konzentration im Endprodukt, evtl. nach mehreren Zonensehmelzdurchgängen, noch enthalten ist.
Diese Verfahren sind zeitraubend und ungenau. Die dazu verwendeten Vorrichtungen arbeiten bei nur einigermaßen befriedigenden Ergebnissen mit großem Aufwand.
VPA 9/110/4026 Edt/dd
50 9 838/0 767
Weitere Verfahren zum Herstellen von dotierten Siliciumkristallstäben sind aus den DT-OS 15.54.276 und 20.20.182 "bekannt. Bei diesen Verfahren wird der Dotierstoff dem geschmolzenen Silicium innerhalb eines evakuierten Rezipienten in gasförmigem Zustand zugeführt, wobei der Dotierstoff mittels eines Trägergasstroms während des tiegelfreien Zonenschmelzens direkt auf die Schmelzzone geblasen wird. Als Do tier stoffe werden bei diesen Verfahren die gut zu handhabenden, leicht verdampfbaren Verbindungen von Bor und Phosphor verwendet. Die Dosierung der Dotierstoffmengen wird hier über Ventile geregelt. Ein großer Nachteil dieser Verfahren besteht darin, daß die für die Dosierung verwendeten Ventile nicht genau arbeiten. Darunter leidet die Reproduzierbarkeit der Dotierung der so hergestellten Siliciumkristallstäbe. Außerdem liefern diese Verfahren eine mehr oder weniger inhomogene Verteilung der Dotierungsstoffe nach dem Zonenschmelzen.
Zur Herstellung von p-dotiertem Silicium wird häufig auch das Element Gallium benutzt. Die Verteilung dieses Dotierstoffes im Siliciumgitter ist auch nicht homogen genug. Insbesondere gilt dies für hochohmiges Silicium. Wegen des relativ kleinen Verteilungskoeffizienten ist der gezielte homogene Einbau von Gallium in Silicium sehr schwierig. Die aus diesem Material hergestellten Halbleiterbauelemente können nicht ihre optimalen Kenndaten erhalten, weil sich die Dotierstoffs chwankungen beim Wachsen des Einkristalls beim Zonenschmelzen durch Facettenbildung und ungleichmäßige Temperaturverteilung der Schmelze bemerkbar machen in radial und axial inhomogener Y/iderStandsverteilung, z.B. beim Auftreten von "Striations", das sind nahezu periodisch auftretende Inhomogenitäten von Konzentrationsschwankungen im Kristall.
VPA 9/110/4026 - 3 -
509838/0767
Die vorliegende Erfindung stellt sich deshalb die Aufgabe, Siliciumkristalle mit p-Leitfähigkeit unter Verwendung von Gallium als Dotierstoff herzustellen, bei denen ein homogener Einbau des Dotierstoffes im Siliziumgitter gewährleistet ist. Außerdem soll auf einfache und rationelle Weise unabhängig vom Stabdurchmesser über die Stablänge und den Stabquerschnitt eine homogene und striations-freie Dotierimg i'j Siliciumkristall eingestellt werden. Die Erfindung maciit sich dabei die Tatsache zunutze, daß Germanium und Silicium in jedem Verhältnis, also ohne Mischungslücke, gut mischbar sind und daß es möglich ist, eine homogene Dotierstoffverteilung durch Neutronenbestrahlung des Kristallgitters zu erhalten.
Erfindungsgemäß wird deshalb vorgeschlagen, zunächst eine Silicium-Germanium-Legierung mit einem dominanten Siliciumgitter herzustellen, dann die Legierung in den einkristallinen Zustand überzuführen und schließlich den germanium- . haltigen Siliciumeinkristall einer Bestrahlung mit thermischen Neutronen auszusetzen, wobei entsprechend der be-
kannten Kernreaktion
70Oe (η, Π 7W-S* "ta
in der einkristallinen Legierung eine zusätzliche Galliummenge erzeugt wird.
VPA 9/110/4026 - 4 -
509838/0767
Die mit Germaniumisotopen ablaufenden Kernreaktionen (ohne Isomerenübergänge) sind folgende:
1) 70Ge (η, Γ) 71Ge -£-» 71Ga stabil
2) 74Ge (n, ^) 75Ge^75As stabil
3) 76Ge (n, Jf) 77Ge ^77As -/U77Se stabil
Dabei bedeutet β einen Einfang eines Elektrons der K-Schale unter Aussendung einer charakteristischen Röntgenstrahlung und η die eingestrahlten neutronen.
Die Reaktion 1) ist dominant. Im Silicium wird durch das vorhandene natürliche Isotop J Si unter Aufnahme eines thermischen Neutrons und Abgabe von i> -Strahlung das instabile Isotop Si erzeugt, welches unter Aussendung von ß -Strahlung in das stabile P (Phosphor) übergeht. Die ablaufende Kernreaktion
50Si (η, Γ ) 51Si -f-* 51P
muß bei der radiogenen Dotierung der Silicium-Germanium-Legierung berücksichtigt werden„
Die erreichbare Dotierung ist
Cp = υ · 10"*4$'t (Phosphorkonz. in Atome/cm5)
VPA 9/110/4026* - 5 -
509838/0767
Pur die Reaktion 1), 2) und 3) gilt:
1) Ga = 3.0 · 10 J'i (Galliumkonz. in Atome/cm5)
2) 0AS = 1·1 '" 10 $'* (Arsenkonz. in Atome/cm5)
3) 0Se = 1.0 · 10"5J'^ (Selenkonz. in Atome/cm5)
Unter der Bezeichnung φ.fc wird das Produkt aus Neutronenfluß/cm2
standen.
fluß/cm .see. und der Bestrahlungszeit in Sekunden ver-
Es liegt im Rahmen der Erfindung, daß eine Silicium-Germanium-Legierung "verwendet wird, welche einen Anteil an Germanium von höchstens 10 fo enthält. Es empfiehlt sich, damit das Siliciumgitter do.minant bleibt, möglichst weniger als 1 <fo Germanium dem Silicium beizugeben. Zweckmäßigerweise wird die Legierung durch ein Zonenschmelzverfahren hergestellt.
Um einen versetzungsfreien Kristall für die Neutronenbestrahlung zu erhalten, wird der germaniumhaltige Siliciumeinkristall einem zusätzlichen Zonenschmelzdurchgang unterworfen, bei dem die bekannten Verfahren zur Erzielung von versetzungsfreiem Material angewendet werden (z.B. dünne Keimkristalle). Bei Verwendung von Keimkristallen mit (111)-, (100)- oder (i15)~0rientierung beim Überführen in den einkristallinen Zustand wird die Herstellung von versetzungsfreiem Silicium auch bei größeren Stabdurchmessern wesentlich erleichtert.
In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, den germaniumhaltigen Siliciumeinkristall während der Bestrahlung im Weutronenfeld in Umdrehungen um seine Längsachse zu versetzen»
VPA 9/110/4026 509838/07 67
Als Strahlungsquelle wird ein Kernreaktior vom Typ Leichtwasserreaktor oder Schwerwasserreaktor oder graphitmoderierter Reaktor in bekannter Weise verwendet.
Die in der Zeichnung befindliche Figur zeigt schematisch die Anordnung eines zonengeschmolzenen versetzungsfreien (I11)-orientierten, mit 2 VoI fo Germanium legierten SiIiciumstabes 1 bei der Bestrahlung im Feutronenfeld. Letzteres wird durch Punkte 2 dargestellt. Durch den Pf^i-I ;■ wird die Rotation des Siliciumstabes 1 während der Bestrahlung um seine Längsachse 4 angezeigt.
An Hand von zwei Ausführungsbeispielen soll im Folgenden das erfindungsgemäße Verfahren noch näher erläutert werden.
Ausführungsbeispiel 1:
Als Ausgangsmaterial wird ein polykristalliner Siliciumstab mit einer Stablänge von 900 mm und einen Durchmesser von 35 mm verwendet, welcher, mit Hochfrequenz gemessen, einen spezifischen Widerstand von 900 0hm.cm p-Typ aufweist. Dies entspricht 1,5.10 Akzeptoren/em. Dieser Siliciumstab wird mit 1,2 YoI ^ Germanium versetzt und es wird durch Zonenschmelzen eine germaniumhaltige Siliciumlegierung hergestellt.
Anschließend wird in einem weiteren Zonenschmelzdurchgang in Argonschutzgasatmosphäre durch Anschmelzen eines Keimkristalls mit einer (111)-Orientierung ein versetzungsfreier Einkristallstab hergestellt.
Das Ziel der p-Dotierung im Siliciumeinkristallstab beträgt
Λ ·Ζ ·Ζ
500 0hm.cm, das sind 2,78.10 ^ Akzeptoren/cm . Die Bestrahlung im Reaktor mit einer Neutronenfluenz ( ψ . jr )
1V 2
von 2,5.10 Atomen/cm (Bestrahlungszeit 1 Std.) ergibt
1. eine Änderung der Siliciumdotierung (v/egen des erzeugten
Λ -Τ -Ζ'
Phosphors) von 4,0.10 Donatoren/cm und
VPA 9/110/4026 - 7 -
509838/0767
2. eine Umwandlung von Germaniumatomen in Galliumatome entsprechend 5,3.10 Akzeptoren/cm .
Daraus resultiert eine Akzeptorenkonzentration (Galliumdotierung) von 2,8.10 · Akzeptoren/cm = 500 0hm.cm.
Ausführungsbeispiel 2:
Ausgangsmaterial: Polykristalliner Siliciumstab mit einem spezifischen Widerstand von 400 0hm.cm η-Typ. Dies entspricht 1,3.10 Donatoren/cm j
Germaniumanteil 3 Vo 1$;
Keimkristall (111)-orientiert;
Ziel der p-Dotierung 180 Ohm.cm, das sind 7,7.10 Akzep-
toren/cm 5
1 ν ρ '
Ueutronenfluenz 2,5.10 Atome/cm (Bestrahlungszeit 1 Std.); erzeugte Galliumatome 1,3 ο 10 Atome/cm ; resultierende Akzeptorkonzentration unter Berücksichtigung der Änderung der Siliciumdotierung (wegen des erzeugten Phosphors) 7,7dO Akzeptoren/cm = 180 0hm.cm.
In- einer Y/e it er "bildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, die bestrahlten Siliciumeinkristallstäbe zur Ausheilung möglicher Kristallgitterschäden bei !Temperaturen über 1000°0 mindestens eine Stunde lang im Siliciumrohr zu tempern. Dieser Prozeß kann jedoch entfallen, wenn das Halbleitermaterial zu Bauelementen weiterverarbeitet wird und bei der Weiterverarbeitung Hochtemperaturprozesse (Diffusionen bei hohen Temperaturen) durchgeführt werden müssen.
Durch das Verfahren nach der lehre der Erfindung ist die Möglichkeit gegeben, die p-Dotierung im Siliciumkristall exakt über zwei Parameter einzustellen, 1· über den Anteil an Germanium an der Siliciumlegierung und 2. über die Bestrahlungsintensität bzw. Bestrahlungsdauer.
VPA 9/110/4026 . - 8 -
50 9838/0767
Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es erstmals gelungen, Siliciumeinkristailstäte mit relativ großen Durchmessern versetzungsfrei und ohne striations mit einer homogenen Galliumdotierung zu versehen. Diese Siliciumeinkristalle werden insbesondere benötigt zur Herstellung von
Teilchenzählern wie Strahlungsdedektoren oder Grenzschichtzähler.
9 Patentansprüche,
1 Figur.
VPA 9/110/4026 - 9 -
509838/07 6 7

Claims (1)

  1. Patentansprüche
    Verfahren zum Herstellen von homogen dotierten Siliciumeinkristallen mit p-Leitfähigkeit unter Verwendung von (· Gallium als Dotierungsstoff durch Neutronenbestrahlung, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst eine Silicium-Germanium-Legierung mit einem dominanten Siliciumgitter hergestellt wird, daß die Silicium-Germanium-Legierung in den einkristallinen Zustand übergeführt wird und daß dann der germaniumhaltige Siliciumeinkristall einer Bestrahlung mit thermischen Neutronen ausgesetzt wird, wobei entsprechend der bekannten Kernreaktion
    70Se (a. Y-) 71Ge-^71Ga
    in der einkristallinen Legierung eine zusätzliche Gallium menge erzeugt wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Silicium-Germanium-Legierung mit einem Germani
    hergestellt wird.
    _ O
    mit einem Germaniumanteil von 1O~ bis höchstens 10
    3ο Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch g e kennz eichne t, daß die Legierung durch ein Zonenschmelzverfahren hergestellt wird.
    4ο Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch g e kennz e i chne t, daß beim Überführen in den einkristallinen Zustand ein Keimkristall mit (111)-, (100)- oder (I15)-Orientierung verwendet wird.
    VPA 9/110/4026 - 10 -
    509 838/0767
    5. Verfahren nach Anspruch 1-4, dadurch gekenn zeichnet, daß der germaniumhaltige Siliciumeinkristall einem zusätzlichen Zonenschmelζdurchgang zur Erzielung von versetzungsfreiem Material unterworfen wird.
    6. Verfahren nach Anspruch 1-5» dadurch gekenn zeichnet, daß der germaniumhaltige Siliciumeinkristall während der Bestrahlung im Neutronenfeld in Umdrehungen um seine Längsachse verserzt wird.
    7. Verfahren nach Anspruch 1-6, dadurch gekenn zeichnet, daß der bestrahlte germaniumhaltige Siliciumeinkristall zur Ausheilung möglicher Kristallgitterschäden bei Temperaturen über 1i
    im Siliciumrohr getempert wird.
    schaden bei Temperaturen über 100O0C mindestens eine Stunde
    8. Verfahren nach Anspruch 1-7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung von einkristallinem p-dotiertem Silicium mit einem spezifischen Widerstand von 500 0hm.cm von einer Siliciumlegierung mit 1,2 Vol$ Germanium und einem spezifischen Widerstand von 900 0hm.cm (p-Typ) ausgegangen wird und daß die Neutronenfluenz ( cF « /έ ) au^ 2,5.10 ' Atome/cm eingestellt wird.
    9. Verfahren nach Anspruch 1-7» dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung von einkristallinem p-dotiertem Silicium mit einem spezifischen Widerstand von 180 0hm.cm von einer Siliciumlegierung mit 3 Vol$ Germanium und einem spezifischen Widerstand von 400 0hm.cm (n-Typ) ausgegangen wird und daß die Neutronenfluenz ( ψ .
    17'?
    auf 2,5.10 Atome/cm eingestellt wird.
    VPA 9/110/4026
    509838/0167
DE2407697A 1974-02-18 1974-02-18 Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls Expired DE2407697C3 (de)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2407697A DE2407697C3 (de) 1974-02-18 1974-02-18 Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls
BE145761A BE816719A (fr) 1974-02-18 1974-06-21 Procede de fabrication de monocristaux de silicium de conductivite de type p a dopage homogene
NL7410745A NL7410745A (nl) 1974-02-18 1974-08-09 Werkwijze ter bereiding van homogeen gedoteerde siliciumeenkristallen met p-geleidbaarheid.
AT667874A AT339379B (de) 1974-02-18 1974-08-14 Verfahren zum herstellen von homogen dotierten siliziumeinkristallen mit p-leitfahigkeit
GB3955974A GB1442930A (en) 1974-02-18 1974-09-11 Manufacture of uniformly doped rod-shaped p-conductive silicon monocrystals
PL1974174329A PL91842B1 (de) 1974-02-18 1974-09-25
ZA00746269A ZA746269B (en) 1974-02-18 1974-10-02 Improvements in or relating to the manufacutre of uniformly doped p-conductive silicon monocrystals
DK658274A DK658274A (de) 1974-02-18 1974-12-17
IT20138/75A IT1031627B (it) 1974-02-18 1975-02-11 Procedimento per produrre monocristalli di silicio con conducibilita p orogati in modo uniforme
JP1777675A JPS5329572B2 (de) 1974-02-18 1975-02-12
SU752106377A SU717999A3 (ru) 1974-02-18 1975-02-17 Способ легировани монокристаллов кремни
FR7504804A FR2261055B1 (de) 1974-02-18 1975-02-17

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2407697A DE2407697C3 (de) 1974-02-18 1974-02-18 Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2407697A1 true DE2407697A1 (de) 1975-09-18
DE2407697B2 DE2407697B2 (de) 1978-04-06
DE2407697C3 DE2407697C3 (de) 1978-11-30

Family

ID=5907718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2407697A Expired DE2407697C3 (de) 1974-02-18 1974-02-18 Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls

Country Status (12)

Country Link
JP (1) JPS5329572B2 (de)
AT (1) AT339379B (de)
BE (1) BE816719A (de)
DE (1) DE2407697C3 (de)
DK (1) DK658274A (de)
FR (1) FR2261055B1 (de)
GB (1) GB1442930A (de)
IT (1) IT1031627B (de)
NL (1) NL7410745A (de)
PL (1) PL91842B1 (de)
SU (1) SU717999A3 (de)
ZA (1) ZA746269B (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9799736B1 (en) 2016-07-20 2017-10-24 International Business Machines Corporation High acceptor level doping in silicon germanium

Also Published As

Publication number Publication date
SU717999A3 (ru) 1980-02-25
GB1442930A (en) 1976-07-14
ZA746269B (en) 1975-10-29
JPS50120253A (de) 1975-09-20
JPS5329572B2 (de) 1978-08-22
IT1031627B (it) 1979-05-10
BE816719A (fr) 1974-10-16
FR2261055A1 (de) 1975-09-12
DK658274A (de) 1975-10-27
NL7410745A (nl) 1975-08-20
AT339379B (de) 1977-10-10
FR2261055B1 (de) 1979-01-05
PL91842B1 (de) 1977-03-31
DE2407697B2 (de) 1978-04-06
DE2407697C3 (de) 1978-11-30
ATA667874A (de) 1977-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3415799C2 (de)
DE1032404B (de) Verfahren zur Herstellung von Flaechenhalbleiterelementen mit p-n-Schichten
DE2039381B2 (de) Verfahren zur herstellung einer epitaktisch auf einem n-leitenden substrat aus galliumphosphid gewachsenen p-leitenden galliumphosphidschicht
DE2439430C2 (de) Verfahren zum Herstellen von homogen dotiertem Halbleitermaterial mit p-Leitfähigkeit
DE3714357A1 (de) Siliciumwafer und verfahren zu dessen herstellung
DE2433991A1 (de) Verfahren zum dotieren einer halbleiterschicht
DE2005271B2 (de) Epitaxialverfahren zum Aufwachsen von Halbleitermaterial auf einem dotierten Halbleitersubstrat
DE1154878B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiteranordnungen aus n-leitendem Silizium durch Bestrahlen mit thermischen Neutronen
DE2362264A1 (de) Verfahren zum herstellen von homogen dotierten siliciumeinkristallen mit n-leitfaehigkeit und einstellbarer dotierstoffkonzentration durch neutronenbestrahlung
DE2356376A1 (de) Verfahren zum herstellen von homogen dotierten siliciumeinkristallen mit n-leitfaehigkeit durch neutronenbestrahlung
DE2407697A1 (de) Verfahren zum herstellen von homogen dotierten siliciumeinkristallen mit p-leitfaehigkeit
DE2624958C3 (de) Verfahren zum Züchten von einkristallinem Galliumnitrid
DE1105066B (de) Halbleiteranordnung mit einem wenigstens teilweise hochohmigen Kadmiumtelluridkoerper und Verfahren zu deren Herstellung
WO2010003573A1 (de) Verfahren zur herstellung von dotierten galliumarsenidsubstratwafern mit niedrigem optischen absorptionskoeffizierten
DE2438710A1 (de) Vorrichtung zum gezielten einbringen von dotierungsmaterial in einen halbleiterkristallstab auf radiogenem wege
DE2244992B2 (de) Verfahren zum herstellen homogen dotierter zonen in halbleiterbauelementen
DE2519527C3 (de) Verfahren zum Herstellen von homogen-phosphordotiertem einkristallinem Silicium durch Neutronenbestrahlung
DE2551281A1 (de) Verfahren zum herstellen von phosphordotierten siliciumeinkristallen mit in radialer richtung gezielter randlicher anreicherung des dotierstoffes
DE2116746A1 (de) Verfahren zum Betrieb einer elektrischen Niederschlagsanlage zum Herstellen von insbesondere aus Silicium bestehenden Halbleiterstäben
DE2364015A1 (de) Verfahren zum herstellen von n-dotierten siliciumeinkristallen mit einem einstellbaren dotierungsprofil
DE2551301C3 (de) Verfahren zum Herstellen von phosphordotierten Siliciumeinkristallen mit in radialer Richtung gezielter randlicher Ahreicherung des Dotierstoffes
DE102005031692B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines hochohmigen Siliciumcarbid-Einkristalls
CA1072423A (en) Method of producing homogeneously doped semiconductor material of p-conductivity
DE2436490A1 (de) Verfahren zum homogenen dotieren eines halbleiterkoerpers aus silizium mit phosphor
DE2362320A1 (de) Verfahren zum herstellen von homogendotierten siliciumeinkristallen durch neutronenbestrahlung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee