PL91842B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL91842B1 PL91842B1 PL1974174329A PL17432974A PL91842B1 PL 91842 B1 PL91842 B1 PL 91842B1 PL 1974174329 A PL1974174329 A PL 1974174329A PL 17432974 A PL17432974 A PL 17432974A PL 91842 B1 PL91842 B1 PL 91842B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- silicon
- germanium
- alloy
- monocrystalline
- produced
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 2
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N Heavy water Chemical compound [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical group 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 210000004602 germ cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000035784 germination Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/261—Bombardment with radiation to produce a nuclear reaction transmuting chemical elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/20—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K5/00—Irradiation devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
- H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania jednorodnie domieszkowanych monokrysztalów krzemu o przewodnosci typu p, przy uzyciu galu jako materialu domieszkowego, przez napromieniowanie neutronami.Domieszkowanie krystalicznych pretów krzemu osiaga sie na ogól przy osadzaniu krzemu z fazy gazowej, za posrednictwem termicznego i/lub pirolitycznego rozkladu zwiazku krzemu o postaci gazowej, na ogrzanym nosniku w postaci preta z tego samego materialu. Przy tym do zwiazków krzemu o postaci gazowej zostaja domieszane materialy domieszkowe, które rozkladaja sie na nosniku. Tak wytworzone krystaliczne prety krze¬ mu sa polikrystaliczne i musza byc doprowadzane do stanu monokrystylicznego w dodatkowym procesie stapia¬ nia strefowego. Przy tym nastepuje zmiana koncentracji domieszek, czesto w sposób niemozliwy do skontrolowa¬ nia jfralezy ustawiac o wiele wyzsze koncentracje domieszek aby wreszcie otrzymac w produkcie koncowym zadana koncentracje, ewentualnie po kilku procesach stapiania strefowego.Te metody sa pzasochlonWi niedokladne. Uzywana przy nich aparatura pracuje z zadowalajacymi tylko do pewnego stopnia wynikami i przy duzych kosztach.Inne sposoby produkcji domieszkowanych pretów krystalicznych krzemu znane sa z opisów patentowych ogloszeniowych RFN nr 1554276 i 2020182. Przy tych sposobach material domieszkowy doprowadzany jest do stopionego krzemu w postaci gazowej, wewnatrz pojemnika z wytworzona próznia, przy czym material domiesz¬ kowy nadmuchiwany jest przy pomocy strumienia gazu nosnego, podczas beztyglowego stapiania strefowego, ( bezposrednio na strefe stapiania. Jako materialy domieszkowe stosuje sie przy tych sposobach, wygodne w stoso¬ waniu i latwe do sprezenia zwiazki boru i fosforu. Dozowanie ilosci materialu domieszkowego regulowanejest tu przez wentyle. Wielka wada tego sposobu polega na tym, ze uzywane do dozowania wentyle nie pracuja doklad¬ nie. Cierpi na tym mozliwosc reprodukcji domieszkowania tak wytwarzanych pretów krystalicznego krzemu.Ponadto sposoby terdaja w efekcie wieksza lub mniejsza niejednorodnosc rozkladu domieszek po stapianiu strefowym.Do wytwarzania krzemu domieszkowanego p -wykorzystuje sie takze czesto pierwiastek gal. Rozklad tego materialu domieszkowego w siatce krystalicznej krzemu równiez nie jest wystarczajaco jednorodny. Dotyczy to2 91842 zwlaszcza krzemu o duzej opornosci. Ze wzgledu na stosunkowo maly wspólczynnik rozkladu, bardzo trudne Jest docelowo jednorodne wbudowanie galu w krzem. Wyprodukowane z tego materialu elementy pólprzewodni¬ kowe nie moga utrzymac optymalnych parametrów, poniewaz wahania koncentracji materialu domieszkowego w trakcie wzrostu monokrysztalów przy stapianiu strefowym, powstale na skutek tworzenia skosów i nierówno¬ miernego rozkladu temperatur w obszarze stopionym, znajduja odbicie w niejednorodnym radialnie i osiowo ' rozkladzie opornosci, np. przy wystepowaniu „prazkowania", to jest w przyblizeniu periodycznie wystepujacych niejednorodnosci wahan koncentracji w krysztale, Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania krysztalów krzemu o przewodnosci p przy uzy¬ ciu galu jako domieszki, przy zapewnieniu jednorodnosci wbudowywania domieszki w siatke krystaliczna krze¬ mu. Poza tym w prosty i racjonalny sposób, niezaleznie od srednicy preta, lecz poprzez jego dlugosc i przekrój, powinna nastepowac regulacja jednorodnego i wolnego od „prazkowania" domieszkowania w krysztale krzemu.Wynalazek wykorzystuje przy tym fakt, ze krzem i german w kazdym stosunku, a wiec bez zakresu mieszanin, daja sie dobrze mieszac i ze mozliwe jest uzyskanie jednorodnego rozkladu domieszek przez napromienianie siatki krystalicznej neutronami.Wedlug wynalazku proponuje sie wiec najpierw wytworzenie stopu krzemu i germanu z dominujaca siatka krzemu, nastepnie doprowadzenie stopu do stanu 'monokrystalicznego, a wreszcie monokrysztalu krzemu zawie¬ rajacego german napromienianiu neutronami termicznymi, przy czym zgodnie ze znana reakcja jadrowa. .;J1 70Ge/n.T/7lG*-* 7iGa w stopie monokrystalicznym wytworzona zostanie dodatkowa ilosc galu. .Reakcje jadrowe przebiegajace z izotopami germanu (bez przejsc izomerowych) sa nastepujace: 7bGe/n?7/ 71Ge^7lGa -staMny O) 74Ge/n,y/ 75Ge^75As -stabilny' (2) 7 6Ge /n,7/ 77 Ge £~7 7As & 7 Se ^stabilny (3) Przy tym eoznacza wychwyt elektronu warstwy K przy emitowaniu chatakterystycziiego promieniowania Roent¬ gena, a n napromieniane neutrony.Reakcja (1) jest dominujaca. W krzemie, dzieki istnieniu naturalnego izotopu *?Si, przy przyjmowaniu neutronu termicznego i wydzielaniu promieniowania y wytwarza sie niestabilny izotop 3! Si który przy emitowa¬ niu promieni # przechodzi w stabilny 3 ! P (fosfor).n Przebiegajaca reakcje jadrowa 3aSi/n,7/ .3iSi£'3iP nalezy uwzgledniac przy radiogenicznym domieszkowaniu stopu krzemu i germanu.Mozliwe do osiagniecia domieszkowanie wynosi Cp = 1,7 10 *V; • t (koncentracja fosforu w atomach);,cm3 Dla reakcji (1), (2) i (3) obowiazuje: l.CGa = 3,0 10"2 0 • t (koncentracja galu w atomach/cm3) 2. CAs = 1,1 10"1 0 • t (koncentracja arsenu w atomach/cm3) 3. CSe = 1,0 10"3 • t (koncentracja selenu w atomach/cm3) Pod wyrazeniem ffl- t nalezy rozumiec iloczyn ze strumienia neutronów/cm2 i czasu napromieniowania w sek.Zakres wynalazku obejmuje stosowanie stopu krzemu i germanu,w którym udzial germanu wynosi najwy¬ zej 10%. Aby siatka krzemu pozostala dominujaca, zaleca sie dodawac do krzemu mniej niz 1% germanu, Celowymjest wytwarzanie stopu metoda stapiania strefowego.Aby dla napromieniania neutronami otrzymac krysztal wolny od przemieszczen, poddaje sie zawierajacy german monokrysztal krzemu dodatkowemu procesowi stapiania strefowego, przy którym stosuje sie znane sposoby uzyskiwania materialu wolnego od przemieszczen (np.cienkie krysztaly zarodkowe). Uzywajac dla doprowadzenia do stanu monokrystalicznego krysztalów zarodkowych o orientacji (111), (100) lub (115) ulat¬ wia sie znacznie, wytwarzanie krzemu wolnego od przemieszczen równiez dla wiekszych srednic preta.91842 3 W rozwinieciu pomyslu wynalazku przewidziano, ze zawierajacy german monokrysztal krzemu podczas napromieniania w polu neutronów bedzie sie obracal wokól swojej podluznej osi.Jako /rodla promieniowania uzywa sie w znany sposób reaktora jadrowego, typu reaktora z woda zwykla, z woda ciezka lub z moderatorem grafitowym.Figura pokazana na rysunku przedstawia schematycznie ulozenie. wytopionego strefowo i wolnego do przemieszczen preta krzemowego (1) o orientacji (111), stopionego z objetosciowo 2% germanu, przy napromie¬ nianiu w polu neutronów. To ostatnie przedstawiono przy pomocy punktów (2). Strzalka (3) wskazuje obrót preta (I) podczas napromieniania,wokól jego osi potiluznej (4).W oparciu o dwa przyklady wykonania blizej wyjasniono sposób wedlug wynalazku.Przyklad I. Jako material wyjsciowy stosuje sie polikrystaliczny pret krzemowy o dlugosci 900 mm i srednicy 35 mm, który przy wielkiej czestotliwosci posiada opornosc wlasciwa 900 il*cm typu p. Odpowiada to 1.5*101 3 akceptorom/cm3.Do tego preta dodaje sie objetosciowo 1,2% germanu i przy pomocy stapiania strefowego wytwarza sie stop krzemu zawierajacy german. Wreszcie w nastepnym procesie stapiania strefowego w ochronnej atmosferze argonu, dzieki zatopieniu krysztalu zarodkowego o orientacji (111), wytworzony zostaje wolny od przemiesz¬ czen pret monokrystaliczny.Cel domieszkowania typu p krzemowego preta monokrystalicznego wynosi 500O*cm, to jest 2,78*1013 akceptorów/cm3.Napromienianie w reaktorze strumieniem neutronów ($*t) o gestosci 2,5*10*7 atomów/cm2)(czas napro¬ mieniania 1 godzina) daje w efekcie zmiane domieszkowania krzemu (ze wzgledu na wytworzony fosfor) na 4,0*1013 donarów/cm3 oraz przemiane atomów germanu na atomy galu, odpowiednio 5,3*1013 akcepto¬ rów/cm3 .Z tego wynika koncentracja akceptorów (domieszka galu) równa 2,8*lQl3akceptorów/cm3 = 500G*cm.Przyklad II. Material wyjsciowy: polikrystaliczny pret krzemowy o opornosci wlasciwej równej 40CK2*cm, typu n. Odpowiada to 1,3* 1013 donorom/cm3; udzial germdnu objetosciowo 3%. Krysztal zarodko¬ wy o orientacji (111); cel - domieszkowanie p, 180O*cm, to jest 7,7* 101 3 akceptórów/cm3; strumien neutro¬ nów 2,5* 1017 atomów/cm2 (czas napromieniania 1 godzina); wytworzone atomy galu -- l ,3* 1014 atomów/cm3; wynikowa koncentracja akceptorów przy uwzglednieniu zmiany domieszki krzemowej (z powodu wytworzonego fosforu) 7,7* 101 3akceptorów/cm3 = 180n*cm.W rozwinieciu pomyslu wynalazku przewidziane jest wygrzewanie napromienionego monokrystalicznego preta krzemoSwego w mrze krzemowej, w temperaturze powyszej 1000PC i przez czas co najmniej 1 godz, w celu naprawienia mozliwych uszkodzen siatki krystalicznej. Proces ten mozna jednak pominac, jezeli material pólprzewodnikowy bedzie dalej przetwarzany na podzespól i przy dalszym przetwarzaniu beda musialy byc przeprowadzane procesy w wysokiej temperaturze (dyfuzje w wysokiej temperaturze).Sposób wedlug wynalazku daje dwie mozliwosci dokladnej regulacji domieszkowania typu p w krysztale krzemu za pomoca dwóch parametrów: poprzez udzial germanu w stopie krzemu oraz poprzez intensywnosc wzglednie czas trwania napromieniania.Dopiero dzieki metodzie bedacej przedmiotem wynalazku udalo sie jednorodne domieszkowanie galem, monokrystalieznych pretów krzemowych o stosunkowo duzych srednicach, w sposób wolny od przemieszczen i prazkowania. Takie prety wykorzystuje sie zwlaszcza do wytwarzania liczników czastek,jak detektory promie¬ niowania lub licznik warstw granicznych. PL
Claims (9)
- Zastrzezenia patentowe V 1. .,,* 1.Sposób wytwarzania jednorodnie domieszkowanych monokrysztalów krzemu o przewodnosci typu p przy uzyciu galu jako materialu domieszkowego, przez napromienianie, znamienny tym, ze najpierw wytwarza sie stop krzemu i germanu z dominujaca siatka krzemu, stop krzemu i germanu doprowadza sie do stanu mono¬ krystalicznego i zawierajacy german monokrysztal krzemu poddaje sie napromienianiu neutronami termicznymi, przy czym zgodnie ze znana reakcjajadrowa "vfl 70Ge/nf7/71Ge^71Ga w stopie monokrystalicznym wytworzona zostanie dodatkowa ilosc galu.
- 2. Sposób wedlug zastrz.l,z namienny ty m,ze wytwarzany jest stop krzemu i germanu o udziale objetosciowym germanu od 10 ~* do najwyzej 10%.4 91842
- 3. Sposób wedlug zastrz.l .znamienny t y m, ze stop wytwarzany jest metoda stapiania strefowego.
- 4. Sposób wedlug zastrz.l,z namlenny t y m, ze do doprowadzania do stanu monokrystalicznego sto¬ sowany jest krysztal zarodkowy o orientacji (111),(100) ,iub (1l/5)i '
- 5. Sposób wedlug zastrz.l,z namlenny tym, ze zawierajacy geflftan monokrysztal krzemu poddawa¬ ny jest dodatkowemu procesowi stapiania strefowego w celu uzyskania materialu wolnego od przemieszczen.
- 6. Sposób wedlug zastrz.l, znamienny tym, ze zawierajacy german monokrysztal krzemu, w czasie napromieniania w polu neutronowym jest obracany wokól swojej podluznej osi.
- 7. Sposób wedlug zastrz.l, znamienny tym, ze zawierajacy german monokrysztal krzemu jest wygrzewany w rurze krzemowej w temperaturze wyzszej niz 1000°C 1 przez czas co najmniej lgodz.,wcelu naprawienia mozliwych uszkodzen siatki krystalicznej.
- 8. Sposób wedlug zastrz.l, znamienny tym, ze dla wytworzenia monokrystalicznego krzemu z do¬ mieszkowaniem typu p, o opornosci wlasciwej 50012*cm materialem wyjsciowym jest Btop krzemu o zawartosci objetosciowo 1,2% germanu i o opornosci wlasciwej 90012*cm (typu p) a gestosc strumienia neutronów (0*t) ustawia sie na wartosc 2,5 • 1017 atomów/cm2.
- 9. Sposób wedlug zastrz.l,z namienny tym, ze dla wytworzenia monokrystalicznego krzemu z do¬ mieszkowaniem typu p o opornosci wlasciwej 18012*cm, materialem wyjsciowymjest stop krzemu o zawartosci objetosciowo 3% germanu i o opornosci wlasciwej 40012*cm (typu n) a gestosc strumienia neutronów (0*t) ustawia sie na wartosc 2,5* 10 atomów/cm2. c^@z%\/). . • • • * Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 10 zl PL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2407697A DE2407697C3 (de) | 1974-02-18 | 1974-02-18 | Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL91842B1 true PL91842B1 (pl) | 1977-03-31 |
Family
ID=5907718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1974174329A PL91842B1 (pl) | 1974-02-18 | 1974-09-25 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5329572B2 (pl) |
| AT (1) | AT339379B (pl) |
| BE (1) | BE816719A (pl) |
| DE (1) | DE2407697C3 (pl) |
| DK (1) | DK658274A (pl) |
| FR (1) | FR2261055B1 (pl) |
| GB (1) | GB1442930A (pl) |
| IT (1) | IT1031627B (pl) |
| NL (1) | NL7410745A (pl) |
| PL (1) | PL91842B1 (pl) |
| SU (1) | SU717999A3 (pl) |
| ZA (1) | ZA746269B (pl) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9799736B1 (en) | 2016-07-20 | 2017-10-24 | International Business Machines Corporation | High acceptor level doping in silicon germanium |
-
1974
- 1974-02-18 DE DE2407697A patent/DE2407697C3/de not_active Expired
- 1974-06-21 BE BE145761A patent/BE816719A/xx unknown
- 1974-08-09 NL NL7410745A patent/NL7410745A/xx not_active Application Discontinuation
- 1974-08-14 AT AT667874A patent/AT339379B/de active
- 1974-09-11 GB GB3955974A patent/GB1442930A/en not_active Expired
- 1974-09-25 PL PL1974174329A patent/PL91842B1/pl unknown
- 1974-10-02 ZA ZA00746269A patent/ZA746269B/xx unknown
- 1974-12-17 DK DK658274A patent/DK658274A/da unknown
-
1975
- 1975-02-11 IT IT20138/75A patent/IT1031627B/it active
- 1975-02-12 JP JP1777675A patent/JPS5329572B2/ja not_active Expired
- 1975-02-17 SU SU752106377A patent/SU717999A3/ru active
- 1975-02-17 FR FR7504804A patent/FR2261055B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2261055B1 (pl) | 1979-01-05 |
| DE2407697C3 (de) | 1978-11-30 |
| AT339379B (de) | 1977-10-10 |
| ZA746269B (en) | 1975-10-29 |
| GB1442930A (en) | 1976-07-14 |
| SU717999A3 (ru) | 1980-02-25 |
| JPS5329572B2 (pl) | 1978-08-22 |
| JPS50120253A (pl) | 1975-09-20 |
| DE2407697A1 (de) | 1975-09-18 |
| BE816719A (fr) | 1974-10-16 |
| ATA667874A (de) | 1977-02-15 |
| DE2407697B2 (de) | 1978-04-06 |
| IT1031627B (it) | 1979-05-10 |
| FR2261055A1 (pl) | 1975-09-12 |
| NL7410745A (nl) | 1975-08-20 |
| DK658274A (pl) | 1975-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Parkes et al. | The fabrication of p and n type single crystals of CuInSe2 | |
| Collins et al. | Properties of silicon doped with iron or copper | |
| US3218205A (en) | Use of hydrogen halide and hydrogen in separate streams as carrier gases in vapor deposition of iii-v compounds | |
| Shlimak | Neutron transmutation doping in semiconductors: science and applications | |
| US5792256A (en) | Method for producing N-type semiconducting diamond | |
| Kaneko et al. | A new method of growing GaP crystals for light-emitting diodes | |
| US3967982A (en) | Method of doping a semiconductor layer | |
| Wang et al. | High purity germanium crystal growth at the University of South Dakota | |
| CA1068583A (en) | Method of producing homogeneously doped semiconductor material of p-conductivity | |
| US4135951A (en) | Annealing method to increase minority carrier life-time for neutron transmutation doped semiconductor materials | |
| PL91842B1 (pl) | ||
| CA1045523A (en) | N-conductivity silicon mono-crystals produced by neutron irradiation | |
| Yu et al. | Growth of crystalline silicon for solar cells: Czochralski Si | |
| Wiedemeier et al. | Chemical Vapor Transport and Crystal Growth of the Hg0. 8Cd0. 2Te System, Crystal Morphology and Homogeneity | |
| CN113622017A (zh) | 一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法 | |
| Champness | Melt-grown CuInSe 2 and photovoltaic cells | |
| Khoo et al. | Interstitial hydrogen in crystalline germanium | |
| US2955966A (en) | Manufacture of semiconductor material | |
| US4126509A (en) | Process for producing phosophorous-doped silicon monocrystals having a select peripheral dopant concentration along a radial cross-section of such monocrystal | |
| WO2023199954A1 (ja) | 不純物ドープ半導体の製造方法 | |
| Fiorito et al. | A Possible Method for the Growth of Homogeneous Mercury Cadmium Telluride Single Crystals | |
| JP2717256B2 (ja) | 半導体結晶 | |
| JPS584812B2 (ja) | カクハンノウオリヨウシテ ハンドウタイケツシヨウボウニド−プブツシツオフクマセルソウチ | |
| Pickering et al. | Variation of carrier concentration in Pb0. 8Sn0. 2Te with annealing and growth temperature | |
| US10290752B1 (en) | Methods of doping semiconductor materials and metastable doped semiconductor materials produced thereby |