PL91842B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL91842B1
PL91842B1 PL1974174329A PL17432974A PL91842B1 PL 91842 B1 PL91842 B1 PL 91842B1 PL 1974174329 A PL1974174329 A PL 1974174329A PL 17432974 A PL17432974 A PL 17432974A PL 91842 B1 PL91842 B1 PL 91842B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
silicon
doping
germanium
crystal
gallium
Prior art date
Application number
PL1974174329A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of PL91842B1 publication Critical patent/PL91842B1/pl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P34/00Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P34/20Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices for inducing a nuclear reaction transmuting chemical elements
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/20Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KHANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00Irradiation devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/40Crystalline structures
    • H10D62/405Orientations of crystalline planes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania jednorodnie domieszkowanych monokrysztalów krzemu o przewodnosci typu p, przy uzyciu galu jako materialu domieszkowego, przez napromieniowanie neutronami.Domieszkowanie krystalicznych pretów krzemu osiaga sie na ogól przy osadzaniu krzemu z fazy gazowej, za posrednictwem termicznego i/lub pirolitycznego rozkladu zwiazku krzemu o postaci gazowej, na ogrzanym nosniku w postaci preta z tego samego materialu. Przy tym do zwiazków krzemu o postaci gazowej zostaja domieszane materialy domieszkowe, które rozkladaja sie na nosniku. Tak wytworzone krystaliczne prety krze¬ mu sa polikrystaliczne i musza byc doprowadzane do stanu monokrystylicznego w dodatkowym procesie stapia¬ nia strefowego. Przy tym nastepuje zmiana koncentracji domieszek, czesto w sposób niemozliwy do skontrolowa¬ nia jfralezy ustawiac o wiele wyzsze koncentracje domieszek aby wreszcie otrzymac w produkcie koncowym zadana koncentracje, ewentualnie po kilku procesach stapiania strefowego.Te metody sa pzasochlonWi niedokladne. Uzywana przy nich aparatura pracuje z zadowalajacymi tylko do pewnego stopnia wynikami i przy duzych kosztach.Inne sposoby produkcji domieszkowanych pretów krystalicznych krzemu znane sa z opisów patentowych ogloszeniowych RFN nr 1554276 i 2020182. Przy tych sposobach material domieszkowy doprowadzany jest do stopionego krzemu w postaci gazowej, wewnatrz pojemnika z wytworzona próznia, przy czym material domiesz¬ kowy nadmuchiwany jest przy pomocy strumienia gazu nosnego, podczas beztyglowego stapiania strefowego, ( bezposrednio na strefe stapiania. Jako materialy domieszkowe stosuje sie przy tych sposobach, wygodne w stoso¬ waniu i latwe do sprezenia zwiazki boru i fosforu. Dozowanie ilosci materialu domieszkowego regulowanejest tu przez wentyle. Wielka wada tego sposobu polega na tym, ze uzywane do dozowania wentyle nie pracuja doklad¬ nie. Cierpi na tym mozliwosc reprodukcji domieszkowania tak wytwarzanych pretów krystalicznego krzemu.Ponadto sposoby terdaja w efekcie wieksza lub mniejsza niejednorodnosc rozkladu domieszek po stapianiu strefowym.Do wytwarzania krzemu domieszkowanego p -wykorzystuje sie takze czesto pierwiastek gal. Rozklad tego materialu domieszkowego w siatce krystalicznej krzemu równiez nie jest wystarczajaco jednorodny. Dotyczy to2 91842 zwlaszcza krzemu o duzej opornosci. Ze wzgledu na stosunkowo maly wspólczynnik rozkladu, bardzo trudne Jest docelowo jednorodne wbudowanie galu w krzem. Wyprodukowane z tego materialu elementy pólprzewodni¬ kowe nie moga utrzymac optymalnych parametrów, poniewaz wahania koncentracji materialu domieszkowego w trakcie wzrostu monokrysztalów przy stapianiu strefowym, powstale na skutek tworzenia skosów i nierówno¬ miernego rozkladu temperatur w obszarze stopionym, znajduja odbicie w niejednorodnym radialnie i osiowo ' rozkladzie opornosci, np. przy wystepowaniu „prazkowania", to jest w przyblizeniu periodycznie wystepujacych niejednorodnosci wahan koncentracji w krysztale, Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania krysztalów krzemu o przewodnosci p przy uzy¬ ciu galu jako domieszki, przy zapewnieniu jednorodnosci wbudowywania domieszki w siatke krystaliczna krze¬ mu. Poza tym w prosty i racjonalny sposób, niezaleznie od srednicy preta, lecz poprzez jego dlugosc i przekrój, powinna nastepowac regulacja jednorodnego i wolnego od „prazkowania" domieszkowania w krysztale krzemu.Wynalazek wykorzystuje przy tym fakt, ze krzem i german w kazdym stosunku, a wiec bez zakresu mieszanin, daja sie dobrze mieszac i ze mozliwe jest uzyskanie jednorodnego rozkladu domieszek przez napromienianie siatki krystalicznej neutronami.Wedlug wynalazku proponuje sie wiec najpierw wytworzenie stopu krzemu i germanu z dominujaca siatka krzemu, nastepnie doprowadzenie stopu do stanu 'monokrystalicznego, a wreszcie monokrysztalu krzemu zawie¬ rajacego german napromienianiu neutronami termicznymi, przy czym zgodnie ze znana reakcja jadrowa. .;J1 70Ge/n.T/7lG*-* 7iGa w stopie monokrystalicznym wytworzona zostanie dodatkowa ilosc galu. .Reakcje jadrowe przebiegajace z izotopami germanu (bez przejsc izomerowych) sa nastepujace: 7bGe/n?7/ 71Ge^7lGa -staMny O) 74Ge/n,y/ 75Ge^75As -stabilny' (2) 7 6Ge /n,7/ 77 Ge £~7 7As & 7 Se ^stabilny (3) Przy tym eoznacza wychwyt elektronu warstwy K przy emitowaniu chatakterystycziiego promieniowania Roent¬ gena, a n napromieniane neutrony.Reakcja (1) jest dominujaca. W krzemie, dzieki istnieniu naturalnego izotopu *?Si, przy przyjmowaniu neutronu termicznego i wydzielaniu promieniowania y wytwarza sie niestabilny izotop 3! Si który przy emitowa¬ niu promieni # przechodzi w stabilny 3 ! P (fosfor).n Przebiegajaca reakcje jadrowa 3aSi/n,7/ .3iSi£'3iP nalezy uwzgledniac przy radiogenicznym domieszkowaniu stopu krzemu i germanu.Mozliwe do osiagniecia domieszkowanie wynosi Cp = 1,7 10 *V; • t (koncentracja fosforu w atomach);,cm3 Dla reakcji (1), (2) i (3) obowiazuje: l.CGa = 3,0 10"2 0 • t (koncentracja galu w atomach/cm3) 2. CAs = 1,1 10"1 0 • t (koncentracja arsenu w atomach/cm3) 3. CSe = 1,0 10"3 • t (koncentracja selenu w atomach/cm3) Pod wyrazeniem ffl- t nalezy rozumiec iloczyn ze strumienia neutronów/cm2 i czasu napromieniowania w sek.Zakres wynalazku obejmuje stosowanie stopu krzemu i germanu,w którym udzial germanu wynosi najwy¬ zej 10%. Aby siatka krzemu pozostala dominujaca, zaleca sie dodawac do krzemu mniej niz 1% germanu, Celowymjest wytwarzanie stopu metoda stapiania strefowego.Aby dla napromieniania neutronami otrzymac krysztal wolny od przemieszczen, poddaje sie zawierajacy german monokrysztal krzemu dodatkowemu procesowi stapiania strefowego, przy którym stosuje sie znane sposoby uzyskiwania materialu wolnego od przemieszczen (np.cienkie krysztaly zarodkowe). Uzywajac dla doprowadzenia do stanu monokrystalicznego krysztalów zarodkowych o orientacji (111), (100) lub (115) ulat¬ wia sie znacznie, wytwarzanie krzemu wolnego od przemieszczen równiez dla wiekszych srednic preta.91842 3 W rozwinieciu pomyslu wynalazku przewidziano, ze zawierajacy german monokrysztal krzemu podczas napromieniania w polu neutronów bedzie sie obracal wokól swojej podluznej osi.Jako /rodla promieniowania uzywa sie w znany sposób reaktora jadrowego, typu reaktora z woda zwykla, z woda ciezka lub z moderatorem grafitowym.Figura pokazana na rysunku przedstawia schematycznie ulozenie. wytopionego strefowo i wolnego do przemieszczen preta krzemowego (1) o orientacji (111), stopionego z objetosciowo 2% germanu, przy napromie¬ nianiu w polu neutronów. To ostatnie przedstawiono przy pomocy punktów (2). Strzalka (3) wskazuje obrót preta (I) podczas napromieniania,wokól jego osi potiluznej (4).W oparciu o dwa przyklady wykonania blizej wyjasniono sposób wedlug wynalazku.Przyklad I. Jako material wyjsciowy stosuje sie polikrystaliczny pret krzemowy o dlugosci 900 mm i srednicy 35 mm, który przy wielkiej czestotliwosci posiada opornosc wlasciwa 900 il*cm typu p. Odpowiada to 1.5*101 3 akceptorom/cm3.Do tego preta dodaje sie objetosciowo 1,2% germanu i przy pomocy stapiania strefowego wytwarza sie stop krzemu zawierajacy german. Wreszcie w nastepnym procesie stapiania strefowego w ochronnej atmosferze argonu, dzieki zatopieniu krysztalu zarodkowego o orientacji (111), wytworzony zostaje wolny od przemiesz¬ czen pret monokrystaliczny.Cel domieszkowania typu p krzemowego preta monokrystalicznego wynosi 500O*cm, to jest 2,78*1013 akceptorów/cm3.Napromienianie w reaktorze strumieniem neutronów ($*t) o gestosci 2,5*10*7 atomów/cm2)(czas napro¬ mieniania 1 godzina) daje w efekcie zmiane domieszkowania krzemu (ze wzgledu na wytworzony fosfor) na 4,0*1013 donarów/cm3 oraz przemiane atomów germanu na atomy galu, odpowiednio 5,3*1013 akcepto¬ rów/cm3 .Z tego wynika koncentracja akceptorów (domieszka galu) równa 2,8*lQl3akceptorów/cm3 = 500G*cm.Przyklad II. Material wyjsciowy: polikrystaliczny pret krzemowy o opornosci wlasciwej równej 40CK2*cm, typu n. Odpowiada to 1,3* 1013 donorom/cm3; udzial germdnu objetosciowo 3%. Krysztal zarodko¬ wy o orientacji (111); cel - domieszkowanie p, 180O*cm, to jest 7,7* 101 3 akceptórów/cm3; strumien neutro¬ nów 2,5* 1017 atomów/cm2 (czas napromieniania 1 godzina); wytworzone atomy galu -- l ,3* 1014 atomów/cm3; wynikowa koncentracja akceptorów przy uwzglednieniu zmiany domieszki krzemowej (z powodu wytworzonego fosforu) 7,7* 101 3akceptorów/cm3 = 180n*cm.W rozwinieciu pomyslu wynalazku przewidziane jest wygrzewanie napromienionego monokrystalicznego preta krzemoSwego w mrze krzemowej, w temperaturze powyszej 1000PC i przez czas co najmniej 1 godz, w celu naprawienia mozliwych uszkodzen siatki krystalicznej. Proces ten mozna jednak pominac, jezeli material pólprzewodnikowy bedzie dalej przetwarzany na podzespól i przy dalszym przetwarzaniu beda musialy byc przeprowadzane procesy w wysokiej temperaturze (dyfuzje w wysokiej temperaturze).Sposób wedlug wynalazku daje dwie mozliwosci dokladnej regulacji domieszkowania typu p w krysztale krzemu za pomoca dwóch parametrów: poprzez udzial germanu w stopie krzemu oraz poprzez intensywnosc wzglednie czas trwania napromieniania.Dopiero dzieki metodzie bedacej przedmiotem wynalazku udalo sie jednorodne domieszkowanie galem, monokrystalieznych pretów krzemowych o stosunkowo duzych srednicach, w sposób wolny od przemieszczen i prazkowania. Takie prety wykorzystuje sie zwlaszcza do wytwarzania liczników czastek,jak detektory promie¬ niowania lub licznik warstw granicznych. PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL

Claims (1)

1.
PL1974174329A 1974-02-18 1974-09-25 PL91842B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2407697A DE2407697C3 (de) 1974-02-18 1974-02-18 Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL91842B1 true PL91842B1 (pl) 1977-03-31

Family

ID=5907718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1974174329A PL91842B1 (pl) 1974-02-18 1974-09-25

Country Status (12)

Country Link
JP (1) JPS5329572B2 (pl)
AT (1) AT339379B (pl)
BE (1) BE816719A (pl)
DE (1) DE2407697C3 (pl)
DK (1) DK658274A (pl)
FR (1) FR2261055B1 (pl)
GB (1) GB1442930A (pl)
IT (1) IT1031627B (pl)
NL (1) NL7410745A (pl)
PL (1) PL91842B1 (pl)
SU (1) SU717999A3 (pl)
ZA (1) ZA746269B (pl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9799736B1 (en) 2016-07-20 2017-10-24 International Business Machines Corporation High acceptor level doping in silicon germanium

Also Published As

Publication number Publication date
GB1442930A (en) 1976-07-14
AT339379B (de) 1977-10-10
DK658274A (pl) 1975-10-27
IT1031627B (it) 1979-05-10
ZA746269B (en) 1975-10-29
DE2407697C3 (de) 1978-11-30
FR2261055A1 (pl) 1975-09-12
JPS50120253A (pl) 1975-09-20
NL7410745A (nl) 1975-08-20
JPS5329572B2 (pl) 1978-08-22
SU717999A3 (ru) 1980-02-25
DE2407697A1 (de) 1975-09-18
FR2261055B1 (pl) 1979-01-05
DE2407697B2 (de) 1978-04-06
BE816719A (fr) 1974-10-16
ATA667874A (de) 1977-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Tanenbaum et al. Preparation of uniform resistivity n‐type silicon by nuclear transmutation
Shlimak Neutron transmutation doping in semiconductors: science and applications
US3967982A (en) Method of doping a semiconductor layer
Kaneko et al. A new method of growing GaP crystals for light-emitting diodes
US4135951A (en) Annealing method to increase minority carrier life-time for neutron transmutation doped semiconductor materials
Yu et al. Growth of crystalline silicon for solar cells: Czochralski Si
US3076732A (en) Uniform n-type silicon
CA1045523A (en) N-conductivity silicon mono-crystals produced by neutron irradiation
CA1068583A (en) Method of producing homogeneously doped semiconductor material of p-conductivity
US4027051A (en) Method of producing homogeneously doped n-type Si monocrystals and adjusting dopant concentration therein by thermal neutron radiation
PL91842B1 (pl)
US4126509A (en) Process for producing phosophorous-doped silicon monocrystals having a select peripheral dopant concentration along a radial cross-section of such monocrystal
Cockayne et al. The Czochralski growth of gallium antimonide single crystals under reducing conditions
US3798084A (en) Simultaneous diffusion processing
Svensson et al. Annealing of divacancy-related infrared absorption bands in boron-doped silicon
Misdaq et al. Use of channeling in association with charged particle activation to study the position of light elements at trace level in crystals: The case of carbon in GaAlAs prepared by MO-VPE
US2955966A (en) Manufacture of semiconductor material
Sato et al. Pulsed laser annealing of GaAs in a high-pressure argon gas ambience
US4048508A (en) Apparatus for doping a semiconductor crystalline rod
JP7809280B2 (ja) Liドープダイヤモンド半導体の製造方法
JP2717256B2 (ja) 半導体結晶
Findlay et al. Photonuclear transmutation doping of semiconductors
RU2145128C1 (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ n-ТИПА (ВАРИАНТЫ)
CA1072422A (en) Method of producing homogeneously doped semiconductor material of p-conductivity
Iliev et al. The Influence of γ-Irradiation on the Electrophysical Parameters of Nickel-Doped Silicon Grown by the Czochralski Method