DE2364015A1 - Verfahren zum herstellen von n-dotierten siliciumeinkristallen mit einem einstellbaren dotierungsprofil - Google Patents
Verfahren zum herstellen von n-dotierten siliciumeinkristallen mit einem einstellbaren dotierungsprofilInfo
- Publication number
- DE2364015A1 DE2364015A1 DE2364015A DE2364015A DE2364015A1 DE 2364015 A1 DE2364015 A1 DE 2364015A1 DE 2364015 A DE2364015 A DE 2364015A DE 2364015 A DE2364015 A DE 2364015A DE 2364015 A1 DE2364015 A1 DE 2364015A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- doped
- atoms
- acceptor
- profile
- neutron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007858 starting material Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000005496 tempering Methods 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N Heavy water Chemical compound [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- WLNBMPZUVDTASE-HXIISURNSA-N (2r,3r,4s,5r)-2-amino-3,4,5,6-tetrahydroxyhexanal;sulfuric acid Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O.O=C[C@H]([NH3+])[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO.O=C[C@H]([NH3+])[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO WLNBMPZUVDTASE-HXIISURNSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21H—OBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES; APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; UTILISING COSMIC RADIATION
- G21H5/00—Applications of radiation from radioactive sources or arrangements therefor, not otherwise provided for
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/20—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/261—Bombardment with radiation to produce a nuclear reaction transmuting chemical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
SIEMENS AKiIElTGESELLSGHAI1T 8 München 2 21.DEZ. Ϊ973
Berlin und München Witteisbacherplatz 2
73/1253
Verfahren zum Herstellen von η-dotierten Siliciumeinkristalle;
mit einem einstellbaren Dotierungsprofil.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von η-dotierten Siliciumeinkristallen mit einem einstellbaren
radialen und/oder axialen Dotierungsprofil, bei dem von einem p-dotierten Siliciumeinkristall ausgegangen wird.
Die Dotierung von Siliciumkristallstäben erfolgt im allgemeinen beim Abscheiden des Siliciummaterials aus der Gasphase
mittels thermischer und/oder pyrolytischer Zersetzung
einer gasförmigen Verbindung des Siliciums am erhitzten stabförmigen Trägerkörper des gleichen Materials» Dabei werden
Dotierstoffe den gasförmigen Verbindungen des Siliciums beigemischt und am !Drägerkörper mitzersetzt. Die so hergestellten
Siliciumkristallstäbe sind polykristallin und ,müssen in einem anschließenden Zonenschmelzprozeß in den einkristallinen
Zustand übergeführt werden. Dabei ändert sich die Dotierstoffkonzentration oft in unkontrollierbarer Weise. Es
können - vor allen Dingen bei η-dotierten Siliciumöinkristallstäben
- Dotierungsprofile in axialer und/oder auch radialer Richtung anfallen, die einem gewünschten Profil nur zum
Teil entsprechen. Die Breite und Tiefe von Widerstandseinbrüchen,
die diesen Dotierungsprofilen entsprechen, ist bislang nicht sicher kontrollierbare Außerdem können auch Neben-
VPA 9/110/4007
Edt/dd - 2 -
509827/0749
einbrüche des spezifischen Widerstandes und überlagerte Schwankungen des spezifischen Widerstandes, sogenannte
"striations", welche auf stark wachstumsbedingte Dot-ierstoffkonzentrationsschwankungen
im Mikrobereich des Kristalls zurückzuführen sind, nicht sicher vermieden werdenο
Durch die Lehre der Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, gezielte Widerstands ( @ )-Profile in axialer
und/oder radialer Richtung im Siliciumkristall herzustellen, wobei gleichseitig die genannten Nebeneinbrüche und überlagerte
P-Schwankungen vermieden werden. Dabei sollen
Siliciumkristalle in Stab- ader Kristallscheibenform von beliebiger Orientierung und beliebigem Durchmesser hergestellt
werden.
Aus einem Aufsatz von Tanenbaum und Mills in der Zeitschrift-"Jc
Electrochemo Soc.» K>8. (1961), Seiten 171 - 176, ist zu
entnehmen, daß Siliciumkristalle mit homogener n-Leitfähig— keit durch Bestrahlung mit thermischen Neutronen hergestellt
werden können. Dabei wird das im Silicium vorhandene natürli-
30
ehe Isotop Si unter Aufnahme eines thermischen Neutrons und Abgabe von ^Strahlung in das instabile Isotop Si übergeführt, welches unter Aussendung von Ä-Strahlung mit
ehe Isotop Si unter Aufnahme eines thermischen Neutrons und Abgabe von ^Strahlung in das instabile Isotop Si übergeführt, welches unter Aussendung von Ä-Strahlung mit
31
einer Halbwertszeit von 2,62 Stunden in das stabile P-Isotop
übergeht. Bei der sogenannten radiogenen.Dotierung des Siliciums nach der Reaktion
30Si (n,T) 31Si -^ -31p -
31 gilt unter der Voraussetzung, daß das J Si vollständig abge-
30
klungen und der Abbrand des ^ Si ■
klungen und der Abbrand des ^ Si ■
folgender einfacher Zusammenhang:
30
klungen und der Abbrand des Si vernachlässigbar klein ist,
klungen und der Abbrand des Si vernachlässigbar klein ist,
= 1 . 7 * 10 ~4
wobei Cp = Phosphorkonzentration in Atome/cm , (^ =thermi—
YPA 9/110/4007 509827/0749 „3_
scher Neutronenfluß in Neutronen/cm «sek. und t = Bestrahlungszeit
in Sekunden ist.
Die Erfindung macht sich diese Erkenntnis zunutze und löst die gestellte Aufgabe der Herstellung von Siliciumeinkristallen
mit einem gewünschten radialen und/oder axialen Dotierungsprofil dadurch, daß das Siliciumausgangsmaterial
einer Bestrahlung mit Neutronen nach der Reaktion
• 30Si (n, V) -31Si >51P
ausgesetzt wird, wobei die durch die Bestrahlung erzeugte Phosphorkonzentration durch die Regelung des Neutronenflusses
so bemessen wird, daß sie größer ist, als die Akzeptorkonzentration im Ausgangsmaterial und ein gegenüber
dem Akzeptorprofil inverses Donatorprofil erzeugt wird.
Das durch das Verfahren nach der Lehre der Erfindung hergestellte Dotierungsprofil ist nach der Neutronenbestrahlung
invers, doh., aus dem vor der Bestrahlung bestehenden Akzeptorenprofil
entsteht nach der Bestrahlung ein inverses Donatorenprofil, wobei zunächst das weniger dotierte ursprüngliche,
mit Akzeptoren versehene Silicium über Kompensation zur η-Dotierung übergeführt wird und später das stärker
dotierte Material in η-leitendes Silicium übergeht. Voraussetzung ist, daß der p-dotierte Einkristall, der eine axiale
und radiale O-Verteilung aufweist, exakt vermessen wird.
An Hand zweier Ausführungsbeispiele und der in den Figuren 1 und 2 dargestellten Kurven soll im Folgenden das erfindungsgemäße
Verfahren noch näher erläutert werden.
Ein p-dotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristallstab mit einer Länge von'22 cm und einem Durchmesser von 34 mm
VPA 9/110/4007
509827/0749
weist das aus der folgenden Tabelle I in der zweiten Spalte aufgezeigte Konzentrationsprofil auf e Es werden
Akzeptorenkonzentrationen von 1s3o10 Atome/cm Si bis
392 ο 10 Atome/cm Si gemessen. Dieser Siliciumeinkristallstab
wird nun einer !"eutronenbestrahlung mit
thermischen Neutronen ausgesetzt. wobei der Neutronenfluß
so geregelt wird, daß insgesamt 556 . 10 Atome
Phosphor gebildet werden„ Dabei ergeben sich die in der
vierten Spalte der !Tabelle angegebenen Donatorenkonzentrationenj welche den aus der fünften Spalte zu entnehmenden
O -Werten entsprechen. Die Q-Verteilung erstreckt
sich längs des Stabes von 120 Ohm β cm bis 208
Ohm . cm» Bei einem homogenen Pluß von 8.10 Neutronen/
cm . see. betrug die Bestrahlungszeit im Ausführungsbeispiel
+ _ 5 c 6 . 1013, _ i It5^
τ_ 1710-4 810!^ "oi:>
VPA 9/110/4007 " - 5 -
509827/0749
f abell el
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
| Abstand vom Keimkristall in cm |
p-leitend Atome Bor |
Erzeugte Phosphor menge |
Result.Dona- torenkonz. |
?» (0hm . cm |
| 2 | 1.3.1015 | 5.6.ΙΟ13 | 4.3.1013 | 120 |
| 4 | 1.7.1015 | Il | 3.9.1013 | 132 |
| * 6 | 2.2.1013 | Il | 3.4.1013 | 152 |
| 8 | 2o4.1015 | Il | 3.2.1013 | 161 |
| 10 | 2o6c1013 | It | 3.O0IO13 | 172 |
| * 12 | 2.7.1013 | H | 2.9.1013 | 178 |
| 14 | 2.7.1013 | Il | 2.9.1013 | 178 |
| 16 | 2.8.1013 | H | 2.8.1013 | 185 |
| 18 | 2o9o1015 | It | 2.7.1013 | 192 |
| 20 | 3.2.1013 | ti | 2.4.1013 | 208 |
Der dazugehörige Q -Verlauf ist aus der Pigur 1 ersichtlich.
Dort ist im logarithmischen Maßstab als Ordinate links der spezifische Widerstand in 0hm . cm und als Ordinate rechts
die mittlere Lebensdauer υ in /usec aufgetragen, während
die Abszisse auf die Stablänge Bezug nimmt« Die durchgezogene Kurve entspricht der gemessenen {?.,-Verteilung vor der Bestrahlung,
die gestrichelt gezeichnete Kurve der gemessenen ^1 -Verteilung nach der Bestrahlung. Wie aus der Tabelle I
und dem Kurvenverlauf zu ersehen ist, ist das axiale P -Profil nunmehr invers.
VPA 9/110/4007
509827/0749
In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, im Anschluß an die Neutronenbestrahlung die Siliciumeinkristalle
einem Temperprozeß bei Temperaturen über 1000° C mindestens eine Stunde im Siliciumrohr zu unterwerfen.
Dabei wurde festgestellt, daß nach einem Temperprozeß bei ungefähr 11000C und einer Zeitdauer von zwei
Stunden der bestrahlte Siliciumeinkristallstab einen relativ hohen Wert der mittleren Lebensdauermeßwerte ergab. Es wurden
/l?-Werte vor der Bestrahlung im Bereich von 800 /usec. und
nach der Bestrahlung im Bereich von 400 /usec. gefunden. In . der Figur entspricht die durchgezogene Kurve wieder den
Werten vor der Bestrahlung, die gestrichelte Kurve denen nach der Bestrahlung.
Das Verfahren nach der Lehre der Erfindung ist ebenso anwendbar für die Herstellung inverser P -Profile in radialer
Richtung. Dabei wird ebenfalls von einem p-dotierten Siliciumeinkristallstab von einer Länge von 700 mm und einen Durchmesser
von 35 mm ausgegangen. Dieser Stab wird in 360 /u dicke
Kristallscheiben zerteilt und diese Scheiben v/erden dann einer neutronenbestrahlung ausgesetzt» Das auf einer Scheibe
gemessene Konzentrationsprofil ist sowohl aus der Fig. 2
(durchgezogene Kurve) als auch aus der folgenden Tabelle II, Spalte 1 bis 3 ersichtlich. Es werden Akzeptorkonzentrationen
von Scheibenrand zu Scheibenrand von 6.6.10 Atome/cm bis 1.5.10 Atome/cm gemessene Der Neutronenfluß wird so geregelt,
daß insgesamt 2.9»10 Atome Phosphor gebildet werden.
Dabei ergeben sich die in der 5o Spalte der Tabelle angegebenen
Donatorenkonzentrationen, welche den aus der 6. Spalte zu entnehmenden (3 -Werten entsprechen. Die P -Verteilung
nach der Bestrahlung erstreckt sich längs der .. Siliciumeinkristallscheibe von 20 bis 36 0hm . cm. /
VPA9/110/4007 - 7 -
509827/0749
II
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| Abstand von der Mitte in mm |
?p (Ohm.cm) |
p-leitend Atome Bor |
erzeugte Phosphor menge t |
Resuit.Dona tor enkonz. |
(Ohm . cm) |
| 16 | 160 | 8o5o1015 | 2o9c1014 | 2.05.ΙΟ14 | 24 |
| H | 140 | 9c6o1013 | Il | I.95.IO14 | 25.β |
| 12 | 128 | .I0O8.IO14 | Il | 1.82.1014 | 27.5 |
| 10 | 119 | I0I8.IO14" | It | I.72.IO14 | 29.0 |
| 8 | 111 | 1.22.1014 | II | I.68.IO14 | 30 |
| 6 | 110 | 1.23o1014 | Il | I.67.IO14 | 30 |
| 4 | ' 105 | I.3.IO14 | Il | 1.6 .1O14 | 31 |
| 2 * | 96 | 1.4.1014 | Il | 1.5 .1O14 | 33.5 |
| 0 | 90 | 1.5.1014 | It | 1.4 .1O14 | 36 |
| 2 | 94 | I.45.IO14 | It | 1.45.10·4 | 34.5 |
| 4 | 101 | 1.35.1014 | ti | 1.55.1014 | 33 . |
| 6 | 110 | 1.23.1014 | It | 1.67.1O14 | 30 |
| 8 | 121 | 1.12.1014 | Il | 1.78.1014 | 28 |
| '10 | 136 | 1 .1O14 | Il | 1.9 .1O14 | 26 |
| '.12 | 160 | 8o5o1015 | II | 2.05.1014 | 24 |
| 114 | 190 | 7o2c1015 | Il | 2.I8.1014 | 23 |
| 16 | 205 | 6o6o1013 | M | 2.24.ΙΟ14 | 20 |
VTPA "9/110/4007
509827/0749
Der dazugehörige & -Verlauf ist aus der Fig. 2 ersichtliche
Dort ist im logarithmischen Maßstab als Ordinate der spez. Widerstand in Ohm 0 cm und als Abszisse der
Abstand von der Scheibenmitte in mm aufgetragen. Die strichpunktierte Linie entspricht der Scheibenmitte, die
durchgezogene Kurve der gemessenen P -Verteilung vor der Bestrahlung und die'gestrichelt gezeichnete Kurve
der gemessenen ^-Verteilung nach der Bestrahlung. Wie
aus der Tabelle II und dem Kurvenverlauf zu ersehen ist, ist das radiale P -Profil nunmehr invers.
Als Strahlungsquelle wird ein Kernreaktor vom Typ Leichtwasserreaktor
oder Schwerwasserreaktor oder graphitmoderierter Reaktor in bekannter Weise verwendet.
4 Patentansprüche
2 Figuren
2 Figuren
VPA 9/110/4007 . - 9 -
509827/0749
Claims (1)
- Patentansprüche1. Verfahren zum Herstellen von η-dotierten Siliciumeinkristallen mit einem einstellbaren radialen und/oder axialen Dotierungsprofil, bei dem von einem p-dotierten Siliciumeinkristall ausgegangen wird, dadurch gekenn"ze ichne t, daß das Siliciumausgangsmaterial einer Bestrahlung mit Neutronen nach der Reaktion30Si ( n, ir ) 31Sl ν 31P- ausgesetzt wird, wobei die durch die Bestrahlung erzeugte Phosphorkonzentration durch die Regelung des Neutronenflusses so bemessen wird, daß sie größer ist, als die Akzeptorkonzentration im Ausgangsmaterial und ein gegenüber dem Akzeptorprofil inverses Donatorprofil erzeugt wird ο2ο Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung eines n-dotierten Siliciumeinkristallstabes mit einem spezifischen Widerstand von cae 120 Ohm o cm (Keimkristall) bis ca. 208 Ohm.cm über die Stablänge ansteigend von einem p-leitenden Siliciumstab mit einer Akzeptorenkonzentration von 1,3.10 Atorne/cm bis 3j2o10 Atome/cm ausgegangen wird und der ETeutronenfluß so geregelt wird, daß insgesamt 5,6.10 Atome Phosphor gebildet werden.VPA 9/110/4007 .. - 1 0 -509827/0749Verfahren nach. Anspruch 1, 'dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung einer η-dotierten Siliciumeinkristallscheibe mit einem spezifischen Widerstand von 20 bis 36 Ohm . cm von einer p-leitenden Siliciumkristallscheibe mit einer Akzeptorenkonzentration von 6c6.10 bis-1.5.10 Atome/cm ausgegangen wird und der Meutronenfluß so geregelt wird, daß insgesamt 2.9.10 Atome Phosphor gebildet werden.4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch' gekennzeichnet, daß im Anschluß an die Neutronenbestrahlung die Siliciumkristalle einem Temperprozeß bei Temperaturen größer 1000 C mindestens eine Stunde im Siliciumrohr ausgesetzt werden,,5Ü9827/0749Le e rs e!te
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19732364015 DE2364015C3 (de) | 1973-12-21 | 1973-12-21 | Verfahren zum Herstellen von n-dotierten Siliciumeinkristallen mit einem einstellbaren Dotierungsprofil |
| JP14748374A JPS5096176A (de) | 1973-12-21 | 1974-12-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19732364015 DE2364015C3 (de) | 1973-12-21 | 1973-12-21 | Verfahren zum Herstellen von n-dotierten Siliciumeinkristallen mit einem einstellbaren Dotierungsprofil |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2364015A1 true DE2364015A1 (de) | 1975-07-03 |
| DE2364015B2 DE2364015B2 (de) | 1981-02-12 |
| DE2364015C3 DE2364015C3 (de) | 1982-04-08 |
Family
ID=5901661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19732364015 Expired DE2364015C3 (de) | 1973-12-21 | 1973-12-21 | Verfahren zum Herstellen von n-dotierten Siliciumeinkristallen mit einem einstellbaren Dotierungsprofil |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5096176A (de) |
| DE (1) | DE2364015C3 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2590076A1 (fr) * | 1985-11-12 | 1987-05-15 | Sony Corp | Dispositif capteur d'image du type etat solide avec repartition uniforme d'agent de dopage, et son procede de production |
| EP0506020A1 (de) * | 1991-03-26 | 1992-09-30 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Czochralski-Silizium-Einkristall für das Neutronenumwandlungsdotierungsverfahren |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2562579B2 (ja) * | 1986-03-27 | 1996-12-11 | コマツ電子金属株式会社 | 単結晶の製造方法 |
-
1973
- 1973-12-21 DE DE19732364015 patent/DE2364015C3/de not_active Expired
-
1974
- 1974-12-20 JP JP14748374A patent/JPS5096176A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2590076A1 (fr) * | 1985-11-12 | 1987-05-15 | Sony Corp | Dispositif capteur d'image du type etat solide avec repartition uniforme d'agent de dopage, et son procede de production |
| EP0506020A1 (de) * | 1991-03-26 | 1992-09-30 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Czochralski-Silizium-Einkristall für das Neutronenumwandlungsdotierungsverfahren |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2364015B2 (de) | 1981-02-12 |
| DE2364015C3 (de) | 1982-04-08 |
| JPS5096176A (de) | 1975-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3123234C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs in einem Halbleitermaterial der Gruppe II-VI | |
| DE2005271C3 (de) | Epitaxialverfahren zum Aufwachsen von Halbleitermaterial auf einem dotierten Halbleitersubstrat | |
| DE2341311C3 (de) | Verfahren zum Einstellen der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleiterkörpern | |
| DE1154878B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiteranordnungen aus n-leitendem Silizium durch Bestrahlen mit thermischen Neutronen | |
| DE2439430C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von homogen dotiertem Halbleitermaterial mit p-Leitfähigkeit | |
| DE2362264A1 (de) | Verfahren zum herstellen von homogen dotierten siliciumeinkristallen mit n-leitfaehigkeit und einstellbarer dotierstoffkonzentration durch neutronenbestrahlung | |
| DE2364015A1 (de) | Verfahren zum herstellen von n-dotierten siliciumeinkristallen mit einem einstellbaren dotierungsprofil | |
| DE2356376A1 (de) | Verfahren zum herstellen von homogen dotierten siliciumeinkristallen mit n-leitfaehigkeit durch neutronenbestrahlung | |
| DE1094710B (de) | Verfahren zur Zuechtung von Einkristallen durch tiegelfreies Zonenschmelzen | |
| DE1105066B (de) | Halbleiteranordnung mit einem wenigstens teilweise hochohmigen Kadmiumtelluridkoerper und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE2544286A1 (de) | Verfahren zum zuechten halbisolierender halbleiterkristalle aus verbindungen iii bis v | |
| DE2110961C3 (de) | Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen eines ternären III-V-Mischkristalls | |
| DE2244992B2 (de) | Verfahren zum herstellen homogen dotierter zonen in halbleiterbauelementen | |
| DE1519881A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von stabfoermigen Halbleiterkristallen mit konstantem Durchmesser | |
| DE3531949A1 (de) | Verfahren zur herstellung von ss-zinkdiphosphid-einkristallen | |
| DE2244992C (de) | Verfahren zum Herstellen homogen dotierter Zonen in Halbleiterbauelementen | |
| DE2362320A1 (de) | Verfahren zum herstellen von homogendotierten siliciumeinkristallen durch neutronenbestrahlung | |
| DE2407697C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines homogen Ga-dotierten Siliciumeinkristalls | |
| DE1228340B (de) | Schnellschaltende Halbleiterdiode mit verringerter Erholungszeit und epitaktisches Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE1142094B (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Dotierung von Halbleiterstoffen sowie daraus hergestelltes Erzeugnis | |
| DE1037015B (de) | Stoerstellenhalbleiter vom N-Typ fuer Transistoren od. dgl. | |
| DE2551301C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von phosphordotierten Siliciumeinkristallen mit in radialer Richtung gezielter randlicher Ahreicherung des Dotierstoffes | |
| EP1750297A2 (de) | Verfahren zur Behandlung von Halbleitersubstratoberflächen, die mittels intensiven Lichtimpulsen kurzzeitig aufgeschmolzen werden | |
| DE1419733A1 (de) | Behandlung von Galliumarsenid | |
| DE2128506A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterstäben, insbesondere aus Silicium, welche frei von Kristallversetzungen, insbesondere in Form von Swirls, sind |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OD | Request for examination | ||
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |