DE2244992C - Verfahren zum Herstellen homogen dotierter Zonen in Halbleiterbauelementen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen homogen dotierter Zonen in HalbleiterbauelementenInfo
- Publication number
- DE2244992C DE2244992C DE2244992C DE 2244992 C DE2244992 C DE 2244992C DE 2244992 C DE2244992 C DE 2244992C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- doped
- doping
- semiconductor
- dopant
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 20
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 16
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 claims description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001681 protective Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atoms Chemical group 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000947853 Vibrionales Species 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001809 detectable Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable Effects 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000004301 light adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001131 transforming Effects 0.000 description 1
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen homogen dotierter Zonen in Halbleiterbauelementen,
insbesondere solcher Zonen, die sich im Innern von großflächigen Halbleiterbauelementen befinden.
Bekanntlich läßt sich der Leitungstyp von Halbleitern, wie z. B. von Silizium, Germanium oder Verbindungen
der III. und V. Gruppe des Periodensystems der Elemente, durch Dotierung mit Störstellen bildenden
Elementen einstellen, wobei diese in das Atomgitter der Halbleiter eingebaut werden. Je nachdem ob das
Störstellen bildende Element gegenüber dem Halbleiterelement einen Überschuß oder einen Unterschuß an
Elektronen in der Außenschale, den Valenzelektronen, aufweist, werden Halbleiter vom n- oder p-Leitungstyp
gebildet.
Diese sogenannten Störstellenhalbleiter enthalten im allgemeinen sowohl die p-Leitung hervorrufenden
Akzeptoren als auch die n-Leitung hervorrufenden Donatoren, deren Wirkung sich teilweise gegenseitig
aufhebt, so daß nach außen im wesentlichen die Differenz der Konzentrationen der Akzeptoren und
Donatoren, die Netto-Störstellenkonzentration, wirksam ist.
Bei einigen Typen von Halbleiterbauelementen, z. B. solchen mit einer psnn-, npsnp- oder psnp-Struktur,
befinden sich im Innern η-leitende Zonen, die im allgemeinen als Basiszone bezeichnet werden und die
bei Bauelementen, die für hohe Sperrspannungen ausgelegt sind, wie etwa Dioden, Thyristoren und
besonders steuerbare Avalanche-Dioden. eine bestimmte Konzentration an η-Leitung hervorrufenden Störstel-Ieη
aufweisen sollen. Dabei werden an die Gleichmäßigkeit der Verteilung der Störstellenelemente in der
Basiszone hohe Anforderungen gestellt. Es bereitet vielfach erhebliche technische Schwierigkeiten, diese
Forderung nach örtlicher Homogenität der Dotierung während der Fertigung zu erfüllet), zumal wenn es sich
um großflächige Halbleiterbauelemente handelt.
Nach bekannten Verfahren der eingangs genannten Art, die z. B. bei H. Frank und V. Snejdar,
Halbleiterbauelemente, Akademie-Verlag, Berlin, 1964,
S. 242 bis 245; N. B. Hannay, Reinhold Publishing
Corporation, New York, 1959, S. 123 bis 125; Fritz G. V i e w e g, Tecnologie Avanzate di Material) Semiconduttori.
Cooperative Universitaria Editrice Milanese,
1970, S. 79 bis 90, beschrieben sind, wird zu diesem
Zweck das Ausgangsmaterial, z. B. das Silizium, vor der Herstellung der Einkristalle mit einem Element, das
η-Leitung hervorruft, etwa mit Phosphor, dotiert. Die genaue Einstellung der Konzentration der Donatoren
und ihre möglichst homogene Verteilung erfolgen während der Herstellung des Silizium-Einkristalls, was
beispielsweise nach dem bekannten Zonenziehverfahren durchgeführt werden kann. Die Netto-Störstcllenkonzentration
No-Na, die Differenz der Konzentration der Donatoren Nd und der Konzentration der
Akzeptoren Na, beträgt dabei etwa 1013 bis 1014 Atome · cm-3. Man ist bestrebt, während dieser
Herstellungsschritte eine möglichst homogene Verteilung der Störstellen zu erreichen oder wenigstens Teile
der Kristalle, die diesem Ziel möglichst nahekommen, für die weitere Verarbeitung auszuwählen.
Nachteilig bleibt dennoch bei diesen Verfahren, daß einmal vorhandene Inhomogenitäten der Jtörstellen in
dem η-dotierten Ausgangsmaterial während der weiteren Arbeitsschritte erhalten bleiben und schließlich auch
in der inneren η-leitenden Basiszone vorhanden sind, nachdem die äußeren Randgebiete durch Umdotierung
in p-leitende Zonen und gegebenenfalls auch diese zum Teil in η-leitende Bereiche umgewandelt worden sind.
Es liegt auf der Hand, daß diese Inhomogenität der Dotierung der Basiszone die Qualität der fertigen
Bauelemente beeinträchtigt.
Um ein Element der IV. Gruppe des Periodensystems der Elemente, von denen für die Anwendung als ^0
Halbleiter aus praktischen Gründen fast nur Silizium oder Germanium in Frage kommen, in einen Halbleiterkörper
vom n-Leitungstyp umzuwandeln, werden üblicherweise in den meisten Kaiien als Donatoren
Elemente der V. Gruppe des Periodensystems, wie Phosphor, Arsen oder Antimon, verwendet.
Es ist jedoch auch schon beispielsweise durch die deutsche Patentschrift 1131808, die entsprechende
amerikanische Patentschrift 29 54 308 sowie durch Soviet Physics-Semiconductors, Bd. 5, Nr. 1 (Juli 1971),
S. 17 bis 22, und J. Phys. Chem. Solids. 8 (1959). S. 81 bis
83. bekannt geworden, hierfür Elemente aus der VI. Hauptgruppe, besonders Schwefel, Selen oder Tellur,
und zwar einzeln oder miteinander, anzuwenden. Doch bereitet im allgemeinen der Einbau der Elemente der Vl.
Gruppe als Dotierungsstoff Schwierigkeiten, weil infolge der Bildung flüchtiger Verbindungen zwischen
dem Dotierungs- und dem Halbleitermaterial Diffusionsverluste auf der Halbleiteroberfläche auftreten.
Es ist weiterhin bekannt, daß aus der Gruppe der Chalkogene z. B. der Schwefel eine nur geringe
Löslichkeit in Silizium aufweist, die bei 11000C etwa bei
1015 Atomen -cm"3 liegt, und es ist ebenso bekannt, daß
der Diffusionskoeffizient des Schwefels mit 10-8cm2/see bei 11000C einen verhältnismäßig hohen
Wert aufweist und somit besonders die Werte der Diffusionskoeffizienten der sonst üblicherweise als
Dotierungsstoffe verwendeten Elemente der III. und V. Gruppe des Periodensystems um mehrere Größenordnungen
übertrifft.
Aufgabe der Erfindung ist es, bei einem Verfahren zur Herstellung homogen dotierter Zonen in Halbleiterbauelementen
zu erreichen, daß insbesondere sich tief im Innern der Halbleiterscheiben befindende n- oder
p-leitende Zonen eine homogene Verteilung der &5
Störstellen aufweisen, und daß die Homogenität sich über so große Bereiche erstreckt, daß das Verfahren
auch für großflächige Halbleiterbauelemente geeignet
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zum Herstellen homogen dotierter Zonen in Halbleiterbauelementen,
insbesondere solcher Zon^n, die sich im Innern von großflächigen Halbleiterbauelementen befinden,
erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zunächst in und/oder auf einer nicht dotierten oder so gering
dotierten Halbleiterscheibe, daß gegebenenfalls vorhandene Inhomogenitäten dieser Dotierung sich nach einer
weiteren Dotierung nicht mehr bemerkbar machen, die für das Bauelement vorgesehenen funktionsbestimmenden
Strukturen derart erzeugt werden, daß im Innern der Halbleiterscheibe eine nicht oder niedrig dotierte
Kernzone verbleibt, und daß die gesamte Halbleiterscheibe darauf mit einem im Halbleitermaterial nur in
geringer Menge löslichen und mit hoher Geschwindigkeit diffundierenden Dotierungsstoff dotiert wird.
Überraschenderweise hat sich nämlich gezeigt, daß sich die nachträgliche Dotierung von Kernzonen im
Innern von Halbleiterscheiben mit schnell diffundierenden und schwach löslichen Dotierungsstoffen, wie etwa
Schwefel, Selen oder Zink, ohne Beeinträchtigung der vorausgegangenen Dotierungen durchführen läßt und
dadurch die vorgesehene Umwandlung der Basiszone in einen Halbleiter vom n- oder p-Leitungstyp und die
Einstellung der benötigten Störstellenkonzentration durch eine nachträgliche Diffusion ermöglicht wird.
Dies ist einmal darauf zurückzuführen, daß die schnell laufenden Dotierungsstoffe auf Grund ihrer hohen
Diffusionskonstante auch bei einer verhältnismäßig niedrigen Diffusionstemperatur sehr rasch die innere
Zone erreichen und dort den gewünschten Leitungstyp erzeugen. So läßt sich beispielsweise durch eine
Schwefeldiffusion die Umwandlung einer schwach dotierten, zunächst p-Leitungstyp aufweisenden Kernzone
in eine Zone vom n-Leitungstyp bewirken.
Andererseits liegen die Diffusionstemperaturen der schnell laufenden Dotierungsstoffe so niedrig, daß die
äußeren Zonen und Bereiche, die in zuvor erfolgten Verfahrensschritten in den p- und n-Leitungstyp
umgewandelt wurden, während der nachfolgenden Diffusion in ihrer Lage nicht mehr verschoben werden.
Und schließlich ist die Konzentration dieser schnell laufenden und schwach löslichen Dotierstoffe in den
äußeren Randzonen eben wegen ihrer geringen Löslichkeit so niedrig, daß die sehr kleinen Stoffmengen,
die während und nach der Diffusion in den umdotierten äußeren Randzonen als Rest verbleiben, diese höher
dotierten Zonen und Bereiche nicht mehr feststellbar verändern.
Da 7.. B. die Löslichkeit des Schwefels um mehrere
Größenordnungen geringer ist als die von Gallium oder Phosphor, macht sich eine Schwefeldotierung in
Gebieten, die hoch mit Gallium oder Phosphor dotiert sind, nicht mehr störend bemerkbar.
Man erreicht mit dem Verfahren nach der Erfindung eine höhere Homogenität der inneren Zone, als es nach
den bisher bekannten Verfahren möglich war, weil eine durch Diffusion dotierte Zone homogener als eine nach
i'nderen Verfahren dotierte Zone ist. Dies gilt besonders
dann, wenn eine innere η-leitende Zone hergestellt werden soll.
Bei den bisher bekannten Verfahren ließen sich während der Herstellung örtliche Schwankungen der
Dotieningskonzentrationen und des spezifischen Widerstandes nicht vermeiden. Dabei wirkt sich bei dem
Verfahren nach der Erfindung besonders vorteilhaft aus, daß Inhomogenitäten des Ausgangsmaterials nicht auch
im fertigen Bauelement erhalten bleiben und dann als
Folge davon auch dessen Funktion beeinträchtigen.
Werden aber örtliche Inhomogenitäten vermieden, wozu das Verfahren nach der Erfindung verhilft, lassen
sich auch deren nachteilige Folgen verhindern. Daher treten z. B. keine örtlichen Durchschläge mehr im
Sperrbetrieb des Bauelementes an solchen Stellen auf, an denen der spezifische Widerstand zu niedrig ist.
Ebenso wird das örtliche Auftreten des »punch through«-Effektes vermieden, der z. B. bei Thyristoren
auf Stellen mit zu geringer Dotierung zurückzuführen ist.
Die gleichmäßige Stromführung in homogen dotierten Zonen erlaubt eine höhere Belastung im sperrenden
Zustand, bevor es zu einer Zerstörung des Bauelementes kommt. In gleich günstiger Weise wirkt sich aus, daß
es während des Betriebs nicht zu einer örtlichen Überhitzung der Bauelemente kommt.
Schließlich kann durch eine entsprechende Wahl der Diffusionsparameter eine gewünschte Sperrspannung
gezielt eingestellt werden, und die bisher erforderliche Anpassung der Dotierung des Ausgangsmaterials an die
gewünschte Sperrspannung entfällt. Überdies wird die gesamte Kristallherstellung und Lagerhaltung vereinfacht,
wobei sich weiter günstig auswirkt, daß die Sperrspannungswerte einer Herstellungscharge dicht
zusammenliegen.
An einem Ausführungsbeispiel, das die Herstellung einer inneren η-leitenden Zone zum Ziel hat, und an
Hand der teilweise schematischen Zeichnungen sei das Verfahren nach der Erfindung noch einmal näher
beschrieben.
Handelt es sich etwa darum, einen Thyristor für hohe
Sperrspannungen herzustellen, geht man von Halbleiterscheiben, beispielsweise Siliziumscheiben, aus, die
sehr schwach p-dotiert sind. Geeignet ist unter anderem besonders eine Bordotierung, wobei die Störstellenkonzentration
etwa 3 · 1012 Boratome cm-3 beträgt. Die Störstellenverteilung bei einer Bordotierung ist von
Natur aus wegen des etwas günstigeren Verteilungskoeffizienten des Bors im Silizium homogener als die
Verteilung anderer Stoffe, z. B. etwa des Phosphors. Dabei ist der Borgehalt entweder auf einen bei der
Reinigung des Siliziumhalbleiters nicht entfernbaren Borrest zurückzuführen: er kann aber gegebenenfalls
auch durch eine zusätzliche Dotierung erreicht werden. Die Konzentration dieser Akzeptoren, wie in diesem
Beispiel des Bors, ist zweckmäßigerweise wenigstens etwa um einen Faktor 10 kleiner als die später
einzubringende Donatorkonzentration·, daher können sich örtliche Inhomogenitäten dieser Akzeptordotierung nicht merklich auf die spätere Donatordotierung
und damit auch nicht nachteilig auf die Eigenschaften des fertigen Bauelementes auswirken.
Zunächst wird nun, wie in den F i g. 1 bis 3 dargestellt
ist, in aufeinanderfolgenden Arbeitsschritten nach den bekannten Verfahren der Halbleitertechnologie weiteres Störsteiienmaieriai in eine schwach p-doirerU:
Halbleiterscheibe 1 eindiffundiert wodurch höher dotierte äußere Randzonen erzeugt werden. Dies kann
etwa in der Weise geschehen, daß durch eine Galliumdiffusion höher p-dotierte Randzonen 2 in
F i g. 2 gebildet werden, während eine innere Zone auch weiterhin die geringe p-Dotierung des Ausgangsmaterials aufweist.
Innerhalb der p-dotierten Randzonen werden dann gemäß Fig. 3 durch eine sich anschließende Diffusion
von Donatoren, z. B. durch eine Phosphordiffusion, Teilbereiche 4 und 5 in den n-Leitungstyp umgewandelt.
Falls es erforderlich sein sollte, kann zur Erhöhung der Minoritätsträgerlebensdauer auch noch ein Getterprozeß
angeschlossen werden.
In die so vorbereitete Halbleiterscheibe wird darauf
Schwefel eindiffundiert, wobei — wie Fig. 4 zeigt —
eine Umdotierung der zunächst p-leitenden Zone 3 in
eine η-leitende Zone 6 bewirkt und die Donatorenkonzentration in der Basiszone des Thyristors auf den
vorgesehenen Wert eingestellt wird. Überraschenderweise hat sich gezeigt, daß die Lebensdauer der
Minoritätstriiger durch eine Schwefeldiffusion nicht in •5 unerwünschter Weise erniedrigt wird.
Als zweckmäßig hat sich für die Durchführung der Schwefeldiffusion erwiesen, die Scheiben in eine
Quarzampulle einzuschmelzen, die mit Argon gefüllt ist. Der Druck des Argons soll bei der Füllung bei
Zimmertemperatur etwa 200 Torr betragen, so daß der Innendruck der Ampulle bei der Diffusionstemperatur
etwa der Höhe des Außendruckes gleichkommt.
AJs Dotierstoffquelle befindet sich in der Ampulle ein
Quarzschiffchen mit elementarem Schwefel, der einen Reinheitsgrad von etwa 99,999% aufweist. Die Menge
des Schwefels v/ird so bemessen, daß sich bei der Diffusionstemperatur ein Schwefel-Partialdruck von
etwa 10 Torr einstellt. Dieser Wert entspricht ungefähr 1,2 mg Schwefel iiuf 150 cm3 Ampulleninhalt.
Die Eindiffusion des Schwefels erfolgt dann bei der verhältnismäßig niedrigen Temperatur von etwa 1000°C in an sich bekannter Weise während einer Dauer von etwa 6 bis 30 Stunden. Die genauen Diffusionsbedingungen werden der Stärke der HaIbleiterscheiben und der angestrebten Donatorkonzentrat-ion angepaßt und dementsprechend ausgewählt. Bei einer Scheibendi~ke von etwa 540 μηι erreicht man nach einer Diffusions;:cit von 8 Stunden und einer Temperatur von 10000C <;ine Konzentration von etwa 1.3 ■ 10M Schwefelatome cm ^ an der Oberfläche und eine Konzentration \on etwa 3 · 10" Schwefelatome cm ; im Innern der Basiszone. Bei den verhältnismäßig niedrigen Diffusionstemperaturcn während der Schwc feldotierung wird die Lage der äußeren Randzonen 2 und der Randbereiche 4 und 5 nicht mehr verschoben Die sehr geringe Schwefelkonzentration in der Randzo ne 2 und den Bereichen 4 und 5, die nach der Diffusior noch darin verbleibt, hat keinen feststellbaren Einflut auf die hohe Gallium- und Phosphordotierung um ändert daher die Eigenschaften dieser Gebiete nicht.
Die Eindiffusion des Schwefels erfolgt dann bei der verhältnismäßig niedrigen Temperatur von etwa 1000°C in an sich bekannter Weise während einer Dauer von etwa 6 bis 30 Stunden. Die genauen Diffusionsbedingungen werden der Stärke der HaIbleiterscheiben und der angestrebten Donatorkonzentrat-ion angepaßt und dementsprechend ausgewählt. Bei einer Scheibendi~ke von etwa 540 μηι erreicht man nach einer Diffusions;:cit von 8 Stunden und einer Temperatur von 10000C <;ine Konzentration von etwa 1.3 ■ 10M Schwefelatome cm ^ an der Oberfläche und eine Konzentration \on etwa 3 · 10" Schwefelatome cm ; im Innern der Basiszone. Bei den verhältnismäßig niedrigen Diffusionstemperaturcn während der Schwc feldotierung wird die Lage der äußeren Randzonen 2 und der Randbereiche 4 und 5 nicht mehr verschoben Die sehr geringe Schwefelkonzentration in der Randzo ne 2 und den Bereichen 4 und 5, die nach der Diffusior noch darin verbleibt, hat keinen feststellbaren Einflut auf die hohe Gallium- und Phosphordotierung um ändert daher die Eigenschaften dieser Gebiete nicht.
In entsprechender Weise wird eine p-leitend( Kernzone hoher Homogenität im Innern einer Halb
leiterscheibe durch nachträgliche Eindiffusion voi schnell laufenden und schwach löslichen Akzeptorei
erzeugt. Nur kann in diesem Fall die Umdotierung de zunächst vorhandenen Leitungstyps entfallen.
vorhergehenden Beispiel νοη schwach dotierter
p-leitendem Halbleitermaterial ausgehen, das — etw bei einer Bordotierung — von vornherein bereits ein hohe Homogenität aufweist. Durc* nachträglich
ne p-Dotieruni; erhöht und auf einen solchen Wei eingestellt, wie er für die vorf esehene Verwendung de Bauelementes e rf orderlich ist
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (17)
1. Verfahren zum Herstellen homogen dotierter Zonen in Halbleiterbauelementen, insbesondere
solcher Zonen, die sich im Innern von großflächigen Halbleiterbauelementen befinden, dadurch gekennzeichnet,
daß zunächst in und/oder auf einer nicht dotierten oder so gering dotierten Halbleiterscheibe (1), daß gegebenenfalls vorhandene
Inhomogenitäten dieser Dotierung sich nach einer weiteren Dotierung nicht mehr bemerkbar
machen, die für das Bauelement vorgesehenen funktionsbestimmenden Strukturen (2, 4, 5) derart
erzeugt werden, daß im Innern der Halbleiterscheibe eine nicht oder niedrig dotierte Kernzone (3)
verbleibt, und daß die gesamte Halbleiterscheibe darauf mit einem im Halbleitermaterial nur in
geringer Menge löslichen und mit hoher Geschwindigkeit
diffundierenden Dotierungsstoff dotiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennieichnet,
daß zur Erzeugung einer Kernzone (6) vom n-Leitungstyp als mit hoher Geschwindigkeit diffundierender
Dotierungsstoff ein Element der Vl. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente mit
Ausnahme des Sauerstoffs verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß als Dotierungsstoff Schwefel verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung einer Kernzone vom
p-Leitungstyp als mit hoher Geschwindigkeit diffundierender Dotierungsstoff ein Element der II.
Nebengruppe des Periodensystems der Elemente verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Dotierungsstoff Zinl: verwendet
wird.
(). Verfahren nach einem der Ansprüche I bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die gering dotierte Halbleiterscheibe mit Bor dotiert wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Störstellenkonzentration der
Akzeptoren in der Kernzone (3) wenigstens um einen Faktor 10 kleiner als die später einzubringende
Donatorkonzentration gewählt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Störstellenkonzentration
der Akzeptoren in der Kernzone (3) auf etwa 3 · 10u cm-J eingestellt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3 oder 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, d.iß zur
Erzeugung der funktionsbestimmenden Strukturen (2) eine p-Dotierung durch Eindiffusion von Gallium
durchgeführt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3 oder 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß zur
Erzeugung der funklionsbestimmenden Striikturen in Teilbereichen (4, 5) der Halbleiterscheibe eine
η-Dotierung durchgeführt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die η-Dotierung durch Eindiffusion
von Phosphor erzeugt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, daß vor der nachträglichen Dotierung der Halbleiterscheibe mit einem schnell
diffundierenden und schwach löslichen Dotierungsstoff ein Getterprozeß zur Erhöhung der Minoritäts-
trägerlebensdauer durchgeführt wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12,
dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheiben in einer Quarzampulle dotiert werden.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheiben
unter einer Argorischutzgasfüllung dotiert werden.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 oder
14, dadurch gekennzeichnet, daß der Innendruck der Ampulle bei der Diffusionstemperatur etwa der
Höhe des Außendrucks gleichkommt.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 6 bis 15. dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheiben
bei einer Diffusionstemperatur von etwa 1000° C dotiert werden.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 6
bis 16. dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheiben während einer Dauer von etwa 6 bis 30
Stunden dotiert werden.
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60037526T2 (de) | P-typ zinkoxid-einkristall mit niedrigem widerstand und herstellungsverfahren dafür | |
EP0018520B1 (de) | Verfahren zur vollständigen Ausheilung von Gitterdefekten in durch Ionenimplantation von Phosphor erzeugten N-leitenden Zonen einer Siliciumhalbleitervorrichtung und zugehörige Siliciumhalbleitervorrichtung | |
DE2823967C2 (de) | ||
DE2512373A1 (de) | Sperrschicht-oberflaechen-feldeffekt- transistor | |
DE2429705A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE4009837A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleitereinrichtung | |
DE2005271C3 (de) | Epitaxialverfahren zum Aufwachsen von Halbleitermaterial auf einem dotierten Halbleitersubstrat | |
DE60036359T2 (de) | Verbesserter silizium werkstoff vom typ-n für epitaxie-substrat und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2244992B2 (de) | Verfahren zum herstellen homogen dotierter zonen in halbleiterbauelementen | |
DE2405935A1 (de) | Verfahren zur diffusion von fremdatomen in einen halbleiter | |
DE2244992C (de) | Verfahren zum Herstellen homogen dotierter Zonen in Halbleiterbauelementen | |
DE2310453C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines gegen Überspannungen geschützten Halbleiterbauelementes | |
DE2832153A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen | |
DE1564170C3 (de) | Halbleiterbauelement hoher Schaltgeschwindigkeit und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1131808B (de) | Verfahren zum Herstellen von n-leitenden Halbleiterkoerpern von Transistoren od. dgl. aus Elementen der IV. Gruppe des Periodischen Systems, insbesondere Germanium oder Silizium | |
DE2732582C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE2049696C3 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen | |
DE1282204B (de) | Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1228340B (de) | Schnellschaltende Halbleiterdiode mit verringerter Erholungszeit und epitaktisches Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102020119326A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Siliziumwafers, epitaktischer Siliziumwafer, Verfahren zur Herstellung eines Siliziumwafers, Siliziumwafer und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE1100173B (de) | Verfahren zur Herstellung des Halbleiterkoerpers aus Gallium-phosphid einer Halbleiteranordnung und eine nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung | |
DE112021001085T5 (de) | Herstellungsverfahren für Halbleiter-Siliziumwafer | |
DE2364015A1 (de) | Verfahren zum herstellen von n-dotierten siliciumeinkristallen mit einem einstellbaren dotierungsprofil | |
AT222702B (de) | Verfahren zur Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
DE2214996A1 (de) | Verfahren zum Herabsetzen der Wirkungen der Ausdiffusion bei der Herstellung einer epitaktischen Halbleiterschicht |