DE2351956A1 - Eingekapseltes heizelement mit positivem temperaturkoeffizient - Google Patents

Eingekapseltes heizelement mit positivem temperaturkoeffizient

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DE2351956A1 DE19732351956 DE2351956A DE2351956A1 DE 2351956 A1 DE2351956 A1 DE 2351956A1 DE 19732351956 DE19732351956 DE 19732351956 DE 2351956 A DE2351956 A DE 2351956A DE 2351956 A1 DE2351956 A1 DE 2351956A1
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    • H01C7/022Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances

Description

_.. . , _ -, b - βοοο Münchea 60, 12. Oktober 1973 Dipl.-Ing. Egon Prinz Er»,b.„„.i,oB.i«
Dr. Gertrud Hauser Dipl.-Ing. Gottfried Leiser 2.351956
Patentanwälte - . .
Telegiammei Labyrinth München
Tetelon: 831510
Telex ι 5 212226 prhl d Paslschedtkonto: München 1170 78-800 Bank: Deutsche Bank, München 66/05000
TEXAS ΙΗΒϊΕΠΜΕΝΪβ INCORPORATED
13500 Horth Central Expressway
DALLAS, Texas /V.St.A.
unser Zeichen: T 1444
Eingekapseltes Heizelement mit positivem Temperaturkoeffizient
Die Erfindung betrifft eine Verkapselung für ein Material mit positivem Temperaturkoeffizient (PTC-Material, Kaltleiter) und insbesondere ein Vergußraaterial zur Verwendung mit dotierten PTC-Materialien, das keine Nukleophile enthält, welche das PTC-Material verschlechtern.
Bisher wurden in der Regel Epoxydharze zum Vergießen oder Einkapseln von PTC-Vorrichtungen verwendet. Diese Vergußmaterialien neigen jedoch dazu, das PTC-Material, das in der Regel aus dotiertem Bariumtitanat besteht, zu verschlechtern. Der Grund dafür ist, daß die Epoxydharze für gewöhnlich aus sekundären Aminen oder Säure- ^ anhydriden hergestellt werden, die Nukleophile sind und mit auf den Grenzflächen der PTC-Vorrichtung chemisch
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absorbierten Sauerstoffatomen reagieren. Diese chemisch, absorbierten Sauerstoffatome wirken als Elektronenfallen. Wenn diese Elektronenfallen entweder neutralisiert oder von den Korngrenzen desorbiert werden, wird der PTC-Effekt dadurch zerstört, daß keine Elektronenfallen mehr zur Verfügung stehen, die den Stromfluß stoppen· Um diese schädliche Wirkung zu beseitigen, müssen Gruppen von Yergußuiaterialien aufgefunden werden, die keine Nukleophile enthalten.
Die Verschlechterung erfolgt in Form einer allmählichen Abflachung der PTC-Widerstands-Temperaturkurve. Die Verschlechterung der Widerstands-Temperaturkurve, wenn das organische Polymere, z.B. das Epoxydharz, als Reduktionsmittel wirkt, wird durch eine Erschöpfung der Sauerstoffquelle in den Korngrenzen verursacht. Gemäß der Erfindung werden nun bestimmte Vergußmaterialien, die die vorstehend· beschriebene Verschlechterung der PTC-Materialien nicht ergeben und insbesondere keine Verschlechterung der Viderstands-Temperaturkurve hervorrufen, eingesetzt. Kurz ausgedrückt werden bei einer Ausführungsform der Erfindung die bisher verwendeten Epoxyd-Vergußmaterialien durch solche ersetzt, welche die PTC-Heiztnassen nicht verschlechtern. Es sind dies z.B. Silikonharze, Polyamide, Polyimide und keramische Stoffe, die keine.Aminbeschleuniger enthalten. Gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung wird das PTG-Element mit einer Sperrschicht aus einem keine Verschlechterung ergebenden Material, z.B. einem der vorstehend genannten Vergußmaterialien, überzogen, worauf die Verkapselung dann mit einem bekannten Epoxydmaterial zu Ende geführt wird.
Aufgabe der Erfindung ist daher die Schaffung einer eingekapselten PTG-Heizvorrichtung mit einem Verguß-
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material, welches die Oberfläche des PIC-Heizelements nicht ungünstig verändert.
Weitere Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer eingekapselten PTC-Heizvorrichtung unter Verwendung eines Tergußmaterials der aus Silikonharzen, Polyamiden, Polyimiden und Keramiken ohne Amininitiator bestehenden Gruppe.
Die Erfindung betrifft ferner eine PTC-Heizvorrichtimg, in welcher der Kaltleiter von einer nicht-schädlichen Sperrschicht umgeben ist, die sich zwischen dem Heizelement und einem Vergußmaterial aus einem Epoxydharz oder einem anderen schädlichen Material befindet.
Die Erfindung wird anhand der folgenden Ausführungsformen in-Verbindung mit der Zeichnung näher erläutert.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine Sehnittansieht durch eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemäß eingekapselten PTO-heizvorrichtung und
Fig. 2 eine Sehnittansieht einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
In Fig. 1 ist ein Gehäuse 1 aus Metall oder einem Material wie z.B. Phenolharz, dargestellt. Innerhalb des Gehäuses 1 befindet sich ein PTC-Heizelement 3 bekannter Bauart, an dem ein Paar Zuführungsdrähte 5 und 7 befestigt sind. Natürlich wurde das PTO-Material vorher in bekannter Weise metallisiert, so daß die Zuführungen 5 und 7 daran angelötet oder in ähnlicher Weise befestigt werden können. Der Draht 5 ist mit einer aus· dem Gehäuse
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herausverlaufenden Isolierung 9 und der Draht 7 mit einer ebenfalls aus dem Gehäuse verlaufenden Isolierung 11 versehen.
Wenn das Gehäuse 1 aus Metall besteht, muß das PTC-Heizelement 3 von dem Gehäuse elektrisch isoliert gehalten werden und das Gehäuse und das Vergußmaterial müssen wärmeleitend sein. Das PTC-Heizelement 3 ist deshalb im Innern des Gehäuses 1 mittels eines Terguß- oder Abdiohtungsmaterials 13 eingekapselt, das auch rund um das PTC-Heizelement eine dichte Versiegelung ergibt und somit als Wärmeübertragungsmedium dient. Das Vergußmaterial 13 dient somit auch als wasserdichte Versiegelung für den Kaltleiter 3. Gemäß der Erfindung ist das Vergußmaterial 13 frei von Nukleophilen und ist deshalb eine Verbindung der aus Silikonharzen, Polyamiden, Polyimiden und keine Amininitiatoren enthaltenden Keramiken bestehenden Gruppe, wobei diese Verbindungen Vergußmaterialien der vorstehend beschriebenen Art bilden. Einige solche bekannten Materialien sind Silikonkautschuks, wie sie unter der Bezeichnung Fovalac-Epoxydharz von der Dow Chemical Company angeboten werden. Diese Materialien können als Basisvergußmaterial verwendet werden und reagieren nicht ,mit dem PTC-Heizelement, selbst bei erhöhten Temperaturen von bis zu 180 C. Zur Erzielung einer besseren wasserdichten Versiegelung kann auf das Vergußmaterial 13 noch ein versiegelndes Vergußraaterial 15 aufgegeben werden.
Wie man sieht, erhält man auf diese Weise eine Verkapselung für -P-TC-Hei ζ elemente,- mit den Eigenschaften der bekannten Epoxydverkapselungen, wobei jedoch kein Material mit dem PTC-Heizelement in Kontakt kommt, das in irgendeiner Weise diesem schädlich sein könnte.
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Pig. 2 zeigt eine zweite Ausführungsform der Erfindung, wobei gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen sind. Auch hier ist mit 1 das Gehäuse und das wie zuvor metallisierte PTG-Heiζelement mit 3 bezeichnet, das Zuführungen 5 und 7 mit Isolierungen 9 bzw. 11 um die Zuführungen 5 bzw. 7 besitzt. Gemäß dieser Ausführungsform der Erfindung ist das PTC-Heizelement jedoch vollständig von einer Schicht aus einem Material 17 umgeben, welches das Kaltleitermaterial 3 nicht angreift. Das ganze Heizelemente mit seinem Überzug 17 ist dann in dem Gehäuse 1 angeordnet und die ganze Vorrichtung mit ihrem Überzug Ϊ7 wird dann mit einem Vergußmaterial 19 vergossen. Da das PTC-Heizelement nun eine undurchlässige Sperrschicht rundherum besitzt, kann das Vergußmaterial 19 aus Epoxydharzen und dergleichen bestehen, die bei der ersten Ausführungsform ausdrücklich ausgeschlossen sind. Der undurchlässige oder passivierende Überzug 17 kann aus Silikonharzen, RTV-Silikonen, Polyimiden, Polyimid-Amidmaterialien usw. bestehen. Diese schützen bei der zweiten Ausführungsform der Erfindung das PTC-Heizelement vor Beschädigungen.
Es wurde gefunden, daß die Beeinträchtigung des Kaltleitermaterials durch das Vergußmittel temperaturabhängig ist. Deshalb sind viele der bei niedriger Temperatur verwendbaren Vergußmaterialien bei höheren Temperaturen- ungeeignet. Die vorliegende Erfindung umfaßt auch diesen Aspekt.
Die Erfindung kann weitgehende Abänderungen erfahren, ohne daß dadurch ihr Rahmen verlassen wird.
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Claims (4)

P a t en t ans priio fa. e
1. Eingekapseltes Heizelement mit positivem Temperatur- -" koeffizient, enthaltend
a) ein PTC-Heiζelement,
b) ein dieses umgebendes Gehäuse und
o) ein das PIC-Heizeleaent in dem Gehäuse einkapselndes Vergußtnaterial,
dadurch gekennzeichnet, daß das Tergußmaterial frei von Nukleophilen ist.
2. Eingekapseltes Heizelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das PTC-Heizelement aus dotiertem Bariumtitanat besteht.
3. Eingekapseltes Heizelement nach. Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Tergußmaterial aus einem Silikonharz, einem Polyamid, einem Polyimid oder einem keramischen Material ohne Amininitiator besteht,
4. Eingekapseltes Heizelement nach einem der Ansprüche
1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das das PTC-Heizelement einkapselnde Tergußmaterial um das PTC-Heizelement eine Schicht bildet und daß das PIC-Heizeletaent mitsamt dieser Schicht von einem weiteren Epoxyd-Tergußmaterial eingekapselt ist.
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DE2351956A 1972-10-24 1973-10-16 Eingekapseltes Heizelement mit positivem Temperaturkoeffizient Expired DE2351956C2 (de)

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DE2351956A1 true DE2351956A1 (de) 1974-04-25
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NL (1) NL7313514A (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2805427A1 (de) * 1977-02-21 1978-08-24 Philips Nv Heizelement mit einem ptc-widerstandskoerper
DE2948349A1 (de) * 1978-12-01 1980-06-12 Raychem Corp Ptc-vorrichtung mit sauerstoffsperren
EP0461864A1 (de) * 1990-06-15 1991-12-18 Daito Communication Apparatus Co. Ltd. Überstrom-Schutzelement mit selbsttätiger Rückstellung
DE4410468A1 (de) * 1993-03-30 1994-10-06 Murata Manufacturing Co Thermistor-Bauelement
US7145430B2 (en) 2000-08-30 2006-12-05 Epcos Ag Electrical component and method for making the component
EP3115759A1 (de) * 2014-03-07 2017-01-11 Shibaura Electronics Co., Ltd. Temperatursensor und verfahren zur herstellung eines temperatursensors
CN114364949A (zh) * 2020-06-17 2022-04-15 Tdk电子股份有限公司 具有壳体和硅树脂填充物的传感器

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4001655A (en) * 1974-01-10 1977-01-04 P. R. Mallory & Co., Inc. Compressible intermediate layer for encapsulated electrical devices
US3940591A (en) * 1974-07-01 1976-02-24 Texas Instruments Incorporated Self-regulating electric heater
JPS5435666B2 (de) * 1975-02-11 1979-11-05
NL7511173A (nl) * 1975-09-23 1977-03-25 Philips Nv Zelfregelend verwarmingselement.
US4039904A (en) * 1976-01-02 1977-08-02 P. R. Mallory & Co., Inc. Intermediate precoat layer of resin material for stabilizing encapsulated electric devices
US4086467A (en) * 1976-07-19 1978-04-25 Texas Instruments Incorporated Electronic heater for high voltage applications
US4091267A (en) * 1976-07-19 1978-05-23 Texas Instruments Incorporated Self-regulating electric heater
US4117312A (en) * 1976-07-22 1978-09-26 Thermon Manufacturing Company Self-limiting temperature electrical heating cable
US4206436A (en) * 1976-08-26 1980-06-03 Westinghouse Electric Corp. Electrical apparatus encapsulated with resin coated filler
US4121088A (en) * 1976-10-18 1978-10-17 Rosemount Inc. Electrically heated air data sensing device
US4178855A (en) * 1978-03-20 1979-12-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Explosive actuated arming switch device
DE2840242C2 (de) * 1978-09-15 1984-08-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Heizeinrichtung zur Vorwärmung von Heizöl
US4230754A (en) * 1978-11-07 1980-10-28 Sprague Electric Company Bonding electronic component to molded package
US4315237A (en) * 1978-12-01 1982-02-09 Raychem Corporation PTC Devices comprising oxygen barrier layers
DE2902909A1 (de) * 1979-01-26 1980-07-31 Eichenauer Fa Fritz Schaltschrank-heizgeraet
US4425497A (en) 1979-08-17 1984-01-10 Raychem Corporation PTC Heater assembly
US4547659A (en) * 1979-08-17 1985-10-15 Raychem Corporation PTC Heater assembly
US4673801A (en) * 1979-08-17 1987-06-16 Raychem Corporation PTC heater assembly
DE2948592C2 (de) * 1979-12-03 1990-05-10 Fritz Eichenauer GmbH & Co KG, 6744 Kandel Elektrisches Widerstandsheizelement
US4407704A (en) * 1979-12-04 1983-10-04 Ngk Insulators, Ltd. Oxygen concentration detector and a method of detecting oxygen concentration
US4398084A (en) * 1981-06-15 1983-08-09 Raychem Corporation End seal for strip heaters
JPS59181627A (ja) * 1983-03-31 1984-10-16 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4823064A (en) * 1987-05-07 1989-04-18 Gte Products Corporation Quick reset motor starting device
US4804805A (en) * 1987-12-21 1989-02-14 Therm-O-Disc, Incorporated Protected solder connection and method
US5057030A (en) * 1990-07-02 1991-10-15 Itt Corporation Grommet/seal member for a connector assembly
JPH04298002A (ja) * 1991-03-27 1992-10-21 Taiyo Yuden Co Ltd 樹脂封止形サーミスタ
US5414241A (en) * 1992-05-11 1995-05-09 Sekisui Kaseihin Kogyo Kabushiki Kaisha Heater, a method of manufacturing the same, and an anti-condensation mirror incorporating the same
US5367282A (en) * 1992-07-21 1994-11-22 Texas Instruments Incorporated Electric motor protector sensor
CA2106112A1 (en) * 1992-09-22 1994-03-23 Unison Industries, Inc. Potted electrical components and methods of making the same
EP0784859B1 (de) * 1995-08-07 2006-06-14 BC Components Holdings B.V. Mehrelement-ptc-widerstand
WO1997006660A2 (en) * 1995-08-15 1997-02-27 Bourns, Multifuse (Hong Kong), Ltd. Surface mount conductive polymer devices and method for manufacturing such devices
TW309619B (de) * 1995-08-15 1997-07-01 Mourns Multifuse Hong Kong Ltd
JP3344684B2 (ja) * 1996-05-20 2002-11-11 株式会社村田製作所 電子部品
DE19621000C2 (de) 1996-05-24 1999-01-28 Heraeus Sensor Nite Gmbh Temperatur-Sensor mit einem Meßwiderstand
US6020808A (en) 1997-09-03 2000-02-01 Bourns Multifuse (Hong Kong) Ltd. Multilayer conductive polymer positive temperature coefficent device
US6242997B1 (en) 1998-03-05 2001-06-05 Bourns, Inc. Conductive polymer device and method of manufacturing same
US6172591B1 (en) 1998-03-05 2001-01-09 Bourns, Inc. Multilayer conductive polymer device and method of manufacturing same
US6236302B1 (en) 1998-03-05 2001-05-22 Bourns, Inc. Multilayer conductive polymer device and method of manufacturing same
CN1319235A (zh) 1998-09-25 2001-10-24 伯恩斯公司 制备正温度系数聚合材料的两步方法
US6429533B1 (en) 1999-11-23 2002-08-06 Bourns Inc. Conductive polymer device and method of manufacturing same
DE10026257A1 (de) * 2000-05-26 2001-12-06 Epcos Ag Elektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10062293A1 (de) * 2000-12-14 2002-07-04 Epcos Ag Elektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1666286A1 (de) * 2004-12-02 2006-06-07 Delphi Technologies Inc. Heizeinrichtung
US20060152330A1 (en) * 2005-01-12 2006-07-13 Jong-Sung Kang PTC current limiting device having molding part made of insulating material
US20090128276A1 (en) * 2007-11-19 2009-05-21 John Horowy Light weight reworkable inductor
EP2365492B1 (de) * 2008-11-07 2019-05-01 Littelfuse Japan G.K. Ptc-anordnung
KR101008310B1 (ko) * 2010-07-30 2011-01-13 김선기 세라믹 칩 어셈블리
DE102010042978B4 (de) * 2010-10-27 2023-06-15 Continental Automotive Technologies GmbH Düseneinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
CN111440449B (zh) * 2020-05-14 2022-04-05 成都拓利科技股份有限公司 一种有机硅柔性包封材料及其制备方法和用途

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3214719A (en) * 1964-03-20 1965-10-26 Westinghouse Electric Corp Thermistor device

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2829320A (en) * 1955-01-12 1958-04-01 Bell Telephone Labor Inc Encapsulation for electrical components and method of manufacture
US3081374A (en) * 1960-05-27 1963-03-12 Itt Encapsulated diode assembly
US3210701A (en) * 1962-05-14 1965-10-05 Automatic Elect Lab Wound toroidal core shell
US3242393A (en) * 1963-05-24 1966-03-22 Int Rectifier Corp Double headed lead
US3254282A (en) * 1963-12-18 1966-05-31 Gen Electric Encapsulated electrical capacitor
US3251015A (en) * 1964-05-20 1966-05-10 Gen Electric Miniature magnetic core and component assemblies
DE1439460A1 (de) * 1964-10-19 1968-12-12 Siemens Ag Elektrisches Bauelement,insbesondere Halbleiterbauelement,mit einer aus isolierendemStoff bestehenden Huelle
JPS4317265Y1 (de) * 1965-03-05 1968-07-17
US3504132A (en) * 1965-05-14 1970-03-31 Susquehanna Corp Memory unit for repertory dialler utilizing coded encapsulated resistors
JPS431726Y1 (de) * 1965-07-05 1968-01-25
US3442014A (en) * 1966-03-04 1969-05-06 Carborundum Co Method of stabilizing resistance in semiconductor manufacture
US3396315A (en) * 1966-04-06 1968-08-06 M E C Inc Electrolytic capacitor
US3375774A (en) * 1967-01-05 1968-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Fully automatic electric coffee pot
US3517111A (en) * 1968-03-12 1970-06-23 Superior Continental Corp Encapsulated electronic components and method of making same
US3437790A (en) * 1968-05-27 1969-04-08 Texas Instruments Inc Component oven
US3697863A (en) * 1971-01-04 1972-10-10 Texas Instruments Inc Overcurrent protection system and sensor used therewith

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3214719A (en) * 1964-03-20 1965-10-26 Westinghouse Electric Corp Thermistor device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2805427A1 (de) * 1977-02-21 1978-08-24 Philips Nv Heizelement mit einem ptc-widerstandskoerper
DE2948349A1 (de) * 1978-12-01 1980-06-12 Raychem Corp Ptc-vorrichtung mit sauerstoffsperren
EP0461864A1 (de) * 1990-06-15 1991-12-18 Daito Communication Apparatus Co. Ltd. Überstrom-Schutzelement mit selbsttätiger Rückstellung
DE4410468A1 (de) * 1993-03-30 1994-10-06 Murata Manufacturing Co Thermistor-Bauelement
US6201464B1 (en) 1993-03-30 2001-03-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Thermistor device having uninsulated peripheral edge
US7145430B2 (en) 2000-08-30 2006-12-05 Epcos Ag Electrical component and method for making the component
US7430797B2 (en) 2000-08-30 2008-10-07 Epcos Ag Method for making an electrical component
EP3115759A1 (de) * 2014-03-07 2017-01-11 Shibaura Electronics Co., Ltd. Temperatursensor und verfahren zur herstellung eines temperatursensors
EP3115759A4 (de) * 2014-03-07 2017-03-29 Shibaura Electronics Co., Ltd. Temperatursensor und verfahren zur herstellung eines temperatursensors
US10156483B2 (en) 2014-03-07 2018-12-18 Shibaura Electronics Co., Ltd. Temperature sensor and temperature sensor manufacturing method
EP3115759B1 (de) 2014-03-07 2020-02-26 Shibaura Electronics Co., Ltd. Temperatursensor und verfahren zur herstellung eines temperatursensors
CN114364949A (zh) * 2020-06-17 2022-04-15 Tdk电子股份有限公司 具有壳体和硅树脂填充物的传感器

Also Published As

Publication number Publication date
DE2351956C2 (de) 1982-12-30
JPS5652887U (de) 1981-05-09
NL7313514A (de) 1974-04-26
JPS547057B2 (de) 1979-04-03
JPS5834716Y2 (ja) 1983-08-04
DK147415B (da) 1984-07-23
US3824328A (en) 1974-07-16
JPS4976134A (de) 1974-07-23
DK147415C (da) 1985-02-04

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