JPH04298002A - 樹脂封止形サーミスタ - Google Patents
樹脂封止形サーミスタInfo
- Publication number
- JPH04298002A JPH04298002A JP6290791A JP6290791A JPH04298002A JP H04298002 A JPH04298002 A JP H04298002A JP 6290791 A JP6290791 A JP 6290791A JP 6290791 A JP6290791 A JP 6290791A JP H04298002 A JPH04298002 A JP H04298002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- thermistor
- sealed
- boundary
- thermistor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 65
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 28
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、主に産業機器あるい
は家電製品等に搭載されて温度測定または温度補償等に
適用される負の抵抗温度係数を有する樹脂封止形サーミ
スタに関し、さらに詳細には、測温部であるサーミスタ
素体を樹脂封止する際に、該サーミスタ素体と素体に付
設された接続端子を固定する半田との境界または該サー
ミスタ素体と樹脂との境界等に発生する熱膨張差に起因
する応力を抑制することにより、該樹脂封止後における
熱衝撃特性の向上並びに経時にともなう耐久性を図った
新規な樹脂封止形サーミスタに関するものである。
は家電製品等に搭載されて温度測定または温度補償等に
適用される負の抵抗温度係数を有する樹脂封止形サーミ
スタに関し、さらに詳細には、測温部であるサーミスタ
素体を樹脂封止する際に、該サーミスタ素体と素体に付
設された接続端子を固定する半田との境界または該サー
ミスタ素体と樹脂との境界等に発生する熱膨張差に起因
する応力を抑制することにより、該樹脂封止後における
熱衝撃特性の向上並びに経時にともなう耐久性を図った
新規な樹脂封止形サーミスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、昇温とともに素体の固有する抵
抗値が減少する負の温度係数を有するサーミスタ素子は
、例えば暖房器、エアコン及び冷蔵庫等の家電製品はも
とより自動車、船舶、農業機械及び工業計測等の産業機
器の制御部に組込まれて、該機器の過熱または過負荷状
態等を検知並びに制御を行う場合に最適である。
抗値が減少する負の温度係数を有するサーミスタ素子は
、例えば暖房器、エアコン及び冷蔵庫等の家電製品はも
とより自動車、船舶、農業機械及び工業計測等の産業機
器の制御部に組込まれて、該機器の過熱または過負荷状
態等を検知並びに制御を行う場合に最適である。
【０００３】さらに、該サーミスタ素子は、小形、簡易
構造及び設計の自由度が大きい等の理由より、前記用途
に広く使用されている。
構造及び設計の自由度が大きい等の理由より、前記用途
に広く使用されている。
【０００４】上記サーミスタ素子は、測温部であるサー
ミスタ素体に電気的入出力部を付与し、さらに湿度及び
機械的振動等の外部環境より保護するための保護部材で
ある樹脂等にて被覆されている。
ミスタ素体に電気的入出力部を付与し、さらに湿度及び
機械的振動等の外部環境より保護するための保護部材で
ある樹脂等にて被覆されている。
【０００５】このように樹脂部材にて保護された樹脂封
止形サーミスタを、図４を参照することにより説明する
。
止形サーミスタを、図４を参照することにより説明する
。
【０００６】測温部であるサーミスタ素体１０の主面に
は、導電性の良好なる銀等の電極が、例えば物理的蒸着
または印刷焼成により形成されている。
は、導電性の良好なる銀等の電極が、例えば物理的蒸着
または印刷焼成により形成されている。
【０００７】該電極には、サーミスタ素体１０と外部と
の電気的接続に供するため、銅等の導線に塩化ビニル等
の絶縁性の良好なる被覆が形成された被覆リード線１４
，１４´が半田等を使用することにより付設されている
。
の電気的接続に供するため、銅等の導線に塩化ビニル等
の絶縁性の良好なる被覆が形成された被覆リード線１４
，１４´が半田等を使用することにより付設されている
。
【０００８】該被覆リード線１４，１４´が付設された
サーミスタ素体１０は、例えばアルミニウム等の材質よ
りなる一端が閉塞された円筒形状を有する外装ケース１
３における内部に挿入され、しかる後、該内部に例えば
エポキシ等の封止樹脂１２が注入され、該注入された封
止樹脂１２が熱風乾燥器等を使用することにより過熱硬
化されて、樹脂封止形サーミスタ１５が形成されている
。
サーミスタ素体１０は、例えばアルミニウム等の材質よ
りなる一端が閉塞された円筒形状を有する外装ケース１
３における内部に挿入され、しかる後、該内部に例えば
エポキシ等の封止樹脂１２が注入され、該注入された封
止樹脂１２が熱風乾燥器等を使用することにより過熱硬
化されて、樹脂封止形サーミスタ１５が形成されている
。
【０００９】上記のように外装ケース１３に収納された
後、該封止樹脂１２により封止された樹脂封止形サーミ
スタ１５に、熱衝撃試験を行った結果を、図５を参照す
ることにより説明する。
後、該封止樹脂１２により封止された樹脂封止形サーミ
スタ１５に、熱衝撃試験を行った結果を、図５を参照す
ることにより説明する。
【００１０】該熱衝撃試験は、前記樹脂封止形サーミス
タ１５に対して、温度範囲を−４０℃〜＋８５℃に順次
変化させるとともに、各上下限温度状態にて３０分保持
することを３０，６０，１００サイクル繰返した後、２
５℃における該樹脂封止形サーミスタ１５の抵抗値を計
測し、該計測値と樹脂封止形サーミスタ１５の初期抵抗
値との比較を抵抗変化率％にて表示したものである。
タ１５に対して、温度範囲を−４０℃〜＋８５℃に順次
変化させるとともに、各上下限温度状態にて３０分保持
することを３０，６０，１００サイクル繰返した後、２
５℃における該樹脂封止形サーミスタ１５の抵抗値を計
測し、該計測値と樹脂封止形サーミスタ１５の初期抵抗
値との比較を抵抗変化率％にて表示したものである。
【００１１】図５によれば、前記熱衝撃試験を１００サ
イクル行った場合、該抵抗変化率は、約４％を中心とし
て計測数量に応じた分散を成しているが、一般に該熱衝
撃試験後における規格値を±５％以内とすると、該分散
の上部値が該規格値よりも逸脱していた。
イクル行った場合、該抵抗変化率は、約４％を中心とし
て計測数量に応じた分散を成しているが、一般に該熱衝
撃試験後における規格値を±５％以内とすると、該分散
の上部値が該規格値よりも逸脱していた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の樹脂封止形
サーミスタによれば、測温部であるサーミスタ素体を外
装ケースに収納し、しかる後、封止樹脂を注入して加熱
硬化する際に、該サーミスタ素体と該素体に接続端子を
固定するための半田との境界または該サーミスタ素体と
樹脂との境界等に各材質の差異による熱膨張係数の差に
起因する応力が発生して、該境界部に経時にともなう破
断等の要因を誘発する恐れがあるという問題点があった
。
サーミスタによれば、測温部であるサーミスタ素体を外
装ケースに収納し、しかる後、封止樹脂を注入して加熱
硬化する際に、該サーミスタ素体と該素体に接続端子を
固定するための半田との境界または該サーミスタ素体と
樹脂との境界等に各材質の差異による熱膨張係数の差に
起因する応力が発生して、該境界部に経時にともなう破
断等の要因を誘発する恐れがあるという問題点があった
。
【００１３】また、前記樹脂封止形サーミスタは、信頼
性の確保並びに仕様に関する保証の目的より、各種規格
に則った試験が慣行されているが、なかでも殊に重要と
される熱衝撃試験を行った際において、サーミスタ素体
と該サーミスタ素体に接続端子を固定するための半田と
の境界または該サーミスタ素体と該サーミスタ素体を封
止する封止樹脂との境界に、該封止樹脂を介して伝達さ
れる急激な温度変化にともなった熱膨張係数の差異に起
因する応力が発生し、該境界での電気的接続等の信頼性
の低下を招く恐れがあるという問題点があった。
性の確保並びに仕様に関する保証の目的より、各種規格
に則った試験が慣行されているが、なかでも殊に重要と
される熱衝撃試験を行った際において、サーミスタ素体
と該サーミスタ素体に接続端子を固定するための半田と
の境界または該サーミスタ素体と該サーミスタ素体を封
止する封止樹脂との境界に、該封止樹脂を介して伝達さ
れる急激な温度変化にともなった熱膨張係数の差異に起
因する応力が発生し、該境界での電気的接続等の信頼性
の低下を招く恐れがあるという問題点があった。
【００１４】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、サーミスタ素体を樹脂封止する際に、該サーミ
スタ素体と該素体に接続端子を固定するための半田との
境界または該サーミスタ素体と樹脂との境界等に発生す
る熱膨張係数の差に起因する応力を抑制することにより
、該樹脂封止後における熱衝撃特性の向上並びに経時に
ともなう耐久性を図った樹脂封止形サーミスタを提供す
るものである。
であり、サーミスタ素体を樹脂封止する際に、該サーミ
スタ素体と該素体に接続端子を固定するための半田との
境界または該サーミスタ素体と樹脂との境界等に発生す
る熱膨張係数の差に起因する応力を抑制することにより
、該樹脂封止後における熱衝撃特性の向上並びに経時に
ともなう耐久性を図った樹脂封止形サーミスタを提供す
るものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、接続端子が付設されたサーミスタ素体
に保護樹脂を塗装するとともに硬化させ、しかる後、該
サーミスタ素体を外装ケース内において封止樹脂により
封止させたことにより、上記目的を達成するものである
。
に、この発明は、接続端子が付設されたサーミスタ素体
に保護樹脂を塗装するとともに硬化させ、しかる後、該
サーミスタ素体を外装ケース内において封止樹脂により
封止させたことにより、上記目的を達成するものである
。
【００１６】
【作用】本発明においては、外部との電気的接続に供す
る接続端子が付設された測温体であるサーミスタ素体に
、保護樹脂を塗装し、硬化させた後において、該サーミ
スタ素体を外装ケースに収納し、封止樹脂により封止す
ることにより、該保護樹脂によりサーミスタ素体と接続
端子との接合境界部が保護されているため、該接合部に
おける熱膨張係数の差異による応力の発生が最小限とな
り、従って該接合境界部での経時にともなう信頼性の低
下防止及び熱衝撃試験等における急激な温度変化に対す
る耐久性の向上を行うことができる。
る接続端子が付設された測温体であるサーミスタ素体に
、保護樹脂を塗装し、硬化させた後において、該サーミ
スタ素体を外装ケースに収納し、封止樹脂により封止す
ることにより、該保護樹脂によりサーミスタ素体と接続
端子との接合境界部が保護されているため、該接合部に
おける熱膨張係数の差異による応力の発生が最小限とな
り、従って該接合境界部での経時にともなう信頼性の低
下防止及び熱衝撃試験等における急激な温度変化に対す
る耐久性の向上を行うことができる。
【００１７】
【実施例】本発明の実施例を、図面に基いて詳細に説明
する。
する。
【００１８】図１は本発明に係わる樹脂封止形サーミス
タの実施例を示す断面図、図２は同実施例におけるサー
ミスタ素体に保護樹脂を塗装した状態を示す断面図、図
３は同実施例における樹脂封止形サーミスタに熱衝撃試
験を行った結果を示す特性図である。
タの実施例を示す断面図、図２は同実施例におけるサー
ミスタ素体に保護樹脂を塗装した状態を示す断面図、図
３は同実施例における樹脂封止形サーミスタに熱衝撃試
験を行った結果を示す特性図である。
【００１９】図１に示されるように樹脂封止形サーミス
タ２５は、測温部であるサーミスタ素体２０に、接続端
子である被覆リード線２４，２４´を半田付等により付
設し、さらに、前記サーミスタ素体２０に各材質の接合
境界部における応力を最小限とするための保護樹脂２１
を塗装且つ硬化し、しかる後、該保護樹脂２１により保
護されたサーミスタ素体２０を外装ケース２３に収納す
るとともに封止樹脂２２を注入して封止することにより
形成されている。
タ２５は、測温部であるサーミスタ素体２０に、接続端
子である被覆リード線２４，２４´を半田付等により付
設し、さらに、前記サーミスタ素体２０に各材質の接合
境界部における応力を最小限とするための保護樹脂２１
を塗装且つ硬化し、しかる後、該保護樹脂２１により保
護されたサーミスタ素体２０を外装ケース２３に収納す
るとともに封止樹脂２２を注入して封止することにより
形成されている。
【００２０】測温部であるサーミスタ素体２０は、マン
ガン、ニッケル及びコバルト等の金属酸化物を混合焼結
して固体状に加工したもの、或いは薄膜形成技術を適用
してアルミナ等のセラミック基材面に金属酸化物膜、シ
リコン膜または炭化シリコン膜等を形成したもの等があ
る。
ガン、ニッケル及びコバルト等の金属酸化物を混合焼結
して固体状に加工したもの、或いは薄膜形成技術を適用
してアルミナ等のセラミック基材面に金属酸化物膜、シ
リコン膜または炭化シリコン膜等を形成したもの等があ
る。
【００２１】該サーミスタ素体２０の主面には、導電性
の良好なる銀等の電極が、例えば物理的蒸着または印刷
焼成により形成されており、該電極には、サーミスタ素
体２０と外部との電気的接続に供するために、銅等の導
線に塩化ビニル等の絶縁性の良好なる被覆が形成された
被覆リード線２４，２４´が半田２６により半田付され
ている。
の良好なる銀等の電極が、例えば物理的蒸着または印刷
焼成により形成されており、該電極には、サーミスタ素
体２０と外部との電気的接続に供するために、銅等の導
線に塩化ビニル等の絶縁性の良好なる被覆が形成された
被覆リード線２４，２４´が半田２６により半田付され
ている。
【００２２】該被覆リード線２４，２４´が付設された
サーミスタ素体２０は、例えば液体状のエポキシ樹脂等
であって加熱硬化型の保護樹脂２１が保蓄された保蓄漕
に該サーミスタ素体２０を浸漬することにより、該素体
周囲に保護樹脂２１が塗装され、さらに、熱風乾燥器等
の使用により該保護樹脂２１を加熱硬化することにより
、図２に示すように、外部環境から保護されるように該
サーミスタ素体２０の周囲に保護樹脂２１が形成されて
いる。
サーミスタ素体２０は、例えば液体状のエポキシ樹脂等
であって加熱硬化型の保護樹脂２１が保蓄された保蓄漕
に該サーミスタ素体２０を浸漬することにより、該素体
周囲に保護樹脂２１が塗装され、さらに、熱風乾燥器等
の使用により該保護樹脂２１を加熱硬化することにより
、図２に示すように、外部環境から保護されるように該
サーミスタ素体２０の周囲に保護樹脂２１が形成されて
いる。
【００２３】前記保護樹脂２１により被覆保護されたサ
ーミスタ素体２０は、例えばアルミニウム等の材質より
なる一端が閉塞された円筒形状を有する外装ケース２３
の内部に挿入され、しかる後、該内部に例えば前記保護
樹脂２１と同等の材質を有する封止樹脂２２が注入され
、該注入された封止樹脂２２が熱風乾燥器等により過熱
硬化されることにより、前記サーミスタ素体２０が外装
ケース２３に封止された樹脂封止形サーミスタ２５が形
成されている。
ーミスタ素体２０は、例えばアルミニウム等の材質より
なる一端が閉塞された円筒形状を有する外装ケース２３
の内部に挿入され、しかる後、該内部に例えば前記保護
樹脂２１と同等の材質を有する封止樹脂２２が注入され
、該注入された封止樹脂２２が熱風乾燥器等により過熱
硬化されることにより、前記サーミスタ素体２０が外装
ケース２３に封止された樹脂封止形サーミスタ２５が形
成されている。
【００２４】上記のように保護樹脂２１により保護され
た後において封止樹脂２２により外装ケース２３に封止
された樹脂封止形サーミスタ２５に、熱衝撃試験を行っ
た結果を、図３を参照することにより説明する。
た後において封止樹脂２２により外装ケース２３に封止
された樹脂封止形サーミスタ２５に、熱衝撃試験を行っ
た結果を、図３を参照することにより説明する。
【００２５】該熱衝撃試験は、先に説明した従来例と同
様に、前記樹脂封止形サーミスタ２５に対して、温度範
囲を−４０℃〜＋８５℃に順次変化させるとともに、各
上下限温度状態にて３０分保持することを３０，６０，
１００サイクル繰返した後、２５℃における該樹脂封止
形サーミスタ２５の抵抗値を計測し、該計測値と樹脂封
止形サーミスタ２５が試験以前において固有していた初
期抵抗値との比較を抵抗変化率％にて表示したものであ
る。
様に、前記樹脂封止形サーミスタ２５に対して、温度範
囲を−４０℃〜＋８５℃に順次変化させるとともに、各
上下限温度状態にて３０分保持することを３０，６０，
１００サイクル繰返した後、２５℃における該樹脂封止
形サーミスタ２５の抵抗値を計測し、該計測値と樹脂封
止形サーミスタ２５が試験以前において固有していた初
期抵抗値との比較を抵抗変化率％にて表示したものであ
る。
【００２６】図３によれば、前記熱衝撃試験を１００サ
イクル行った場合、該抵抗変化率は、約２％を中心とし
て計測数量に応じた分散を成しており、図５を参照して
従来例において説明した抵抗変化率の約４％に比較して
該抵抗変化率が優れていることが判明する。
イクル行った場合、該抵抗変化率は、約２％を中心とし
て計測数量に応じた分散を成しており、図５を参照して
従来例において説明した抵抗変化率の約４％に比較して
該抵抗変化率が優れていることが判明する。
【００２７】上記のように形成された樹脂封止形サーミ
スタ２５においては、測温体であるサーミスタ素体２０
の周囲に保護樹脂２１を塗装し、硬化させた後において
、該サーミスタ素体２０を外装ケース２３に収納し、封
止樹脂２２により封止しているため、該保護樹脂２１に
よりサーミスタ素体２０と被覆リード線２４，２４´を
固定する半田２６との接合境界部または該サーミスタ素
体２０と保護樹脂２１との接合境界部が保護されている
ため、該接合境界部における熱膨張係数の差異による応
力の発生を最小限とすることが可能になる。
スタ２５においては、測温体であるサーミスタ素体２０
の周囲に保護樹脂２１を塗装し、硬化させた後において
、該サーミスタ素体２０を外装ケース２３に収納し、封
止樹脂２２により封止しているため、該保護樹脂２１に
よりサーミスタ素体２０と被覆リード線２４，２４´を
固定する半田２６との接合境界部または該サーミスタ素
体２０と保護樹脂２１との接合境界部が保護されている
ため、該接合境界部における熱膨張係数の差異による応
力の発生を最小限とすることが可能になる。
【００２８】従って、前記樹脂封止形サーミスタ２５に
よれば、前記保護樹脂２１により保護されたサーミスタ
素体２０を外装ケース２３に収納し、しかる後、封止樹
脂２２を注入して加熱硬化する際に、該サーミスタ素体
２０と半田２６との境界または該サーミスタ素体２０と
保護樹脂２１との境界等に各材質の差異による熱膨張係
数の差に起因する応力による該接合境界部における破断
等を防止することができ、該樹脂封止形サーミスタ２５
の経時にともなう信頼性を向上することができる。
よれば、前記保護樹脂２１により保護されたサーミスタ
素体２０を外装ケース２３に収納し、しかる後、封止樹
脂２２を注入して加熱硬化する際に、該サーミスタ素体
２０と半田２６との境界または該サーミスタ素体２０と
保護樹脂２１との境界等に各材質の差異による熱膨張係
数の差に起因する応力による該接合境界部における破断
等を防止することができ、該樹脂封止形サーミスタ２５
の経時にともなう信頼性を向上することができる。
【００２９】また、前記樹脂封止形サーミスタ２５は、
熱衝撃試験を行った際において、前記サーミスタ素体２
０と前記半田２６との境界または該サーミスタ素体２０
と保護樹脂２１との境界に、急激な温度変化による熱膨
張係数の差異に起因する応力を最小限に抑制することが
できるため、該接合境界部における前記熱衝撃試験に対
する耐久性が向上され、ひいては該樹脂封止形サーミス
タ２５の品質を一層良好とすることができる。
熱衝撃試験を行った際において、前記サーミスタ素体２
０と前記半田２６との境界または該サーミスタ素体２０
と保護樹脂２１との境界に、急激な温度変化による熱膨
張係数の差異に起因する応力を最小限に抑制することが
できるため、該接合境界部における前記熱衝撃試験に対
する耐久性が向上され、ひいては該樹脂封止形サーミス
タ２５の品質を一層良好とすることができる。
【００３０】なお、本実施例においては、前記サーミス
タ素体２０の周囲を被覆保護する保護樹脂２１と、該保
護樹脂２１を封止する封止樹脂２２と、に同等の材質を
有する樹脂を適用していたが、例えば該保護樹脂２１に
熱膨張率の小さいシリコン等を、また該封止樹脂２２に
エポキシ等を採用するものであってもよい。
タ素体２０の周囲を被覆保護する保護樹脂２１と、該保
護樹脂２１を封止する封止樹脂２２と、に同等の材質を
有する樹脂を適用していたが、例えば該保護樹脂２１に
熱膨張率の小さいシリコン等を、また該封止樹脂２２に
エポキシ等を採用するものであってもよい。
【００３１】上記のようにサーミスタ素体２０が保護樹
脂２１により被覆保護され、外装ケース２３に収納され
た後、該封止樹脂２２により封止された樹脂封止形サー
ミスタ２５は、前記外部環境に対して優れた特性を有す
るとともに、取扱性に優れており、従って電子回路基板
等への実装の自動化並びに規格特性の均一化に貢献して
いる。
脂２１により被覆保護され、外装ケース２３に収納され
た後、該封止樹脂２２により封止された樹脂封止形サー
ミスタ２５は、前記外部環境に対して優れた特性を有す
るとともに、取扱性に優れており、従って電子回路基板
等への実装の自動化並びに規格特性の均一化に貢献して
いる。
【００３２】
【発明の効果】本発明に係わる樹脂封止形サーミスタは
、上記のように構成されているため、以下に記載するよ
うな効果を有する。
、上記のように構成されているため、以下に記載するよ
うな効果を有する。
【００３３】（１）測温部であって接続端子が付設され
たサーミスタ素体に、保護樹脂を塗装硬化して、しかる
後、該サーミスタ素体を外装ケース内に収納して封止樹
脂により封止することにより樹脂封止形サーミスタが形
成されており、該樹脂封止形サーミスタによれば、該サ
ーミスタ素体と該素体に接続端子を固定するための半田
との境界または該サーミスタ素体と保護樹脂との境界等
に各材質の差異による熱膨張係数の差に起因する応力の
発生を最小限とすることができるため、該境界部に経時
にともなう破断等の発生を防止することが可能となり、
経時にともなう耐久性の向上を図ることができるという
優れた効果を有する。
たサーミスタ素体に、保護樹脂を塗装硬化して、しかる
後、該サーミスタ素体を外装ケース内に収納して封止樹
脂により封止することにより樹脂封止形サーミスタが形
成されており、該樹脂封止形サーミスタによれば、該サ
ーミスタ素体と該素体に接続端子を固定するための半田
との境界または該サーミスタ素体と保護樹脂との境界等
に各材質の差異による熱膨張係数の差に起因する応力の
発生を最小限とすることができるため、該境界部に経時
にともなう破断等の発生を防止することが可能となり、
経時にともなう耐久性の向上を図ることができるという
優れた効果を有する。
【００３４】（２）前記樹脂封止形サーミスタは、信頼
性の確保並びに仕様に関する保証の目的より、熱衝撃試
験等が行われた際において、サーミスタ素体と該サーミ
スタ素体に接続端子を固定するための半田との境界また
は該サーミスタ素体と該サーミスタ素体を封止する封止
樹脂との境界に、急激な温度変化にともなった熱膨張係
数の差異に起因する応力の発生を最小限に抑制すること
が可能となるため、該接合境界部での電気的接続等の信
頼性を向上することができるという優れた効果を有する
。
性の確保並びに仕様に関する保証の目的より、熱衝撃試
験等が行われた際において、サーミスタ素体と該サーミ
スタ素体に接続端子を固定するための半田との境界また
は該サーミスタ素体と該サーミスタ素体を封止する封止
樹脂との境界に、急激な温度変化にともなった熱膨張係
数の差異に起因する応力の発生を最小限に抑制すること
が可能となるため、該接合境界部での電気的接続等の信
頼性を向上することができるという優れた効果を有する
。
【図１】 本発明に係わる樹脂封止形サーミスタの実
施例を示す断面図
施例を示す断面図
【図２】 同実施例におけるサーミスタ素体に保護樹
脂を塗装した状態を示す断面図
脂を塗装した状態を示す断面図
【図３】 同実施例における樹脂封止形サーミスタに
熱衝撃試験を行った結果を示す特性図
熱衝撃試験を行った結果を示す特性図
【図４】 従来の樹脂封止形サーミスタを示す断面図
【図５】 従来の樹脂封止形サーミスタに熱衝撃試験
を行った結果を示す特性図
を行った結果を示す特性図
２０ サーミスタ素体
２１ 保護樹脂
２２ 封止樹脂
２３ 外装ケース
２４ 被覆リード線
２５ 樹脂封止形サーミスタ
Claims (1)
- 【請求項１】 接続端子が付設されたサーミスタ素体
に保護樹脂を塗装するとともに硬化させ、しかる後、該
サーミスタ素体を外装ケース内において封止樹脂により
封止させた樹脂封止形サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6290791A JPH04298002A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 樹脂封止形サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6290791A JPH04298002A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 樹脂封止形サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298002A true JPH04298002A (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=13213797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6290791A Pending JPH04298002A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 樹脂封止形サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04298002A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0635852A2 (en) * | 1993-07-19 | 1995-01-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic device |
| JP2009099662A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Oizumi Seisakusho:Kk | 高温用センサ |
| JP2012522208A (ja) * | 2009-03-27 | 2012-09-20 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | センサ装置および生産方法 |
| JP2016225488A (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 株式会社村田製作所 | 被覆リードタイプ電子部品およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4976134A (ja) * | 1972-10-24 | 1974-07-23 |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP6290791A patent/JPH04298002A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4976134A (ja) * | 1972-10-24 | 1974-07-23 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0635852A2 (en) * | 1993-07-19 | 1995-01-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic device |
| EP0635852A3 (en) * | 1993-07-19 | 1996-04-10 | Murata Manufacturing Co | Ceramic semiconductor device. |
| JP2009099662A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Oizumi Seisakusho:Kk | 高温用センサ |
| JP2012522208A (ja) * | 2009-03-27 | 2012-09-20 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | センサ装置および生産方法 |
| US9086329B2 (en) | 2009-03-27 | 2015-07-21 | Epcos Ag | Sensor arrangement and method for production |
| EP2411778B1 (de) * | 2009-03-27 | 2020-01-15 | TDK Electronics AG | Sensoranordnung und verfahren zur herstellung |
| JP2016225488A (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 株式会社村田製作所 | 被覆リードタイプ電子部品およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100854413B1 (ko) | 서미스터 및 제조 방법 | |
| EP3553481B1 (en) | Temperature sensor, sensor element, and method for manufacturing temperature sensor | |
| JP3725296B2 (ja) | 測定抵抗体を有する温度センサ | |
| US6034421A (en) | Semiconductor device including molded IC fixed to casing | |
| US3214719A (en) | Thermistor device | |
| MXPA97003843A (es) | Sensor de temperatura con resistor de medicion | |
| JPWO2018003497A1 (ja) | 温度センサ及び温度センサを備えた装置 | |
| GB2162686A (en) | Thermistors | |
| US3236936A (en) | Miniature electrical component with protected terminal-wire connections | |
| JPH04298002A (ja) | 樹脂封止形サーミスタ | |
| CN111615622B (zh) | 温度传感器、温度传感器元件及温度传感器的制造方法 | |
| JP7326592B2 (ja) | センサ | |
| JP2515067Y2 (ja) | サーミスタ温度センサ | |
| CN112033561A (zh) | 一种温度传感元件、测温组件及电池包 | |
| JP3152352B2 (ja) | サーミスタ素子 | |
| CN212963757U (zh) | 一种温度传感元件、测温组件及电池包 | |
| CN210774410U (zh) | 温度传感器及电子装置 | |
| JPH11132866A (ja) | サーミスタ温度センサ | |
| JPH062603U (ja) | ４端子電力型面実装抵抗器 | |
| Schuurman et al. | Thermistor Die for Power Module Applications | |
| JP2858352B2 (ja) | 薄膜サーミスタ | |
| KR200167234Y1 (ko) | 적층형칩을내장한엑씨얼타입엔티시써미스타 | |
| Clark et al. | Improved aging results using thick-film hybrid packaging and evacuated miniature ovenized oscillators using such packaging | |
| JPS6059692B2 (ja) | 温度ヒユ−ズ抵抗器 | |
| JPH02180001A (ja) | 薄膜サーミスタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970114 |