DE2351373A1 - Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen

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Albert Wayne Fisher
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US3748198A (en) * 1970-01-22 1973-07-24 Ibm Simultaneous double diffusion into a semiconductor substrate
LU61435A1 (enExample) * 1970-07-29 1972-04-12

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2718894A1 (de) * 1976-05-11 1977-11-24 Philips Nv Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung

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