DE2341568A1 - Verfahren zum umkehren von metallbildern - Google Patents

Verfahren zum umkehren von metallbildern

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DE2341568A1 DE19732341568 DE2341568A DE2341568A1 DE 2341568 A1 DE2341568 A1 DE 2341568A1 DE 19732341568 DE19732341568 DE 19732341568 DE 2341568 A DE2341568 A DE 2341568A DE 2341568 A1 DE2341568 A1 DE 2341568A1
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Description

PHN.6487. Va/EVH.
AnmeiJer: N. V. ?;i,li,'i'GLGEiLAMPENFABRiEKEH
Akte: PHU- 6487
Anmeldung vom· -Jg. J^Ug0 I973
Verfahren zum Umkehren von Metallbildern
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren, bei dem auf photοgraphischem Wege erhaltene Metallbilder umgekehrt werden, so dass ein ursprünglich negatives Bild in ein positives Bild umgewandelt wird.
Bei der Silberhalogenidphotographie ist die Umkehrentwicklung längst bekannt; siehe z.B. Dr. E Mutter, "Kompendium der Photographic", Band II, S. 254-278. Lichtempfindliches Silberhalogenidmaterial wird zu diesem Zweok zunächst belichtet, wodurch ein latentes Bild erhalten wird, das bis zu einer gewissen Schwärzung chemisch entwickelt wird. Das entwickelte Bild wird dann mit Hilfe eines starken Oxydationsmittels, wie Kaliumbichromatschwefelsäure oder Kaliumpermanganat, entfernt. Vor oder nach dem Bleichen wird
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eine gleichmässige Belichtung mittels einer diffusen Lichtquelle durchgeführt, wonach eine zweite chemische Entwicklung stattfindet. Schliesslich wird das Bild fixiert. Dieses Bild ist in bezug auf die erste Belichtung positiv.
Nach dem "Bleichen" des ersten entwickelten Bildes findet auch noch eine Entfärbungsbehandlung der Gelatineschicht, die sogenannte "Klärung" (clearing), statt, um Reste des Oxydationsmittels zu entfernen.
Aus der deutschen Offenlegungsschrift 1 902 hO8 ist ein lichtempfindliches Material bekannt, das ein aromatisches Diazosulfid, auch als Diazothioäther bezeichnet, als lichtempfindliche Verbindung ent litt It. Diese Verbindung, die molekular-dispers in einer hydrophilen Trägerschicht angeordnet und somit kornfrei ist, hat die Eigenschaft, nach Belichtung ein Lichtreaktionsprodukt zu liefern, das mit Mercuroionen in Gegenwart von Feuchtigkeit und vorzugsweise auch in Gegenwart von Silberionen unter Bildung von Quecksilber- oder Silberamalgam in Form eines latenten physikalisch entwickelbaren Metallkeimbildes reagieren kann« Dieses Diazosulfid hat die Struktur
N SR,
X
wobei X einen oder mehrere Substituenten an jeder möglichen Stelle im Benzolring darstellt, während R eine gegebenenfalls verzweigte Alkyl- oder Aralkylgruppe ist.
Dieses lichtempfindliche Material eignet sich zum Erzeugen schöner schleierfreier Bilder und weist eine
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Regression des Belichtungsergebnisses auf, die für praktische Anwendung vernachlässigbar gering ist und es ermöglicht, z.B. zum repetierenden Abbilden von Photomaskennegativen, eine Vielzahl von Belichtungen nacheinander auf einer Platte durchzuführen, ohne dass das Ergebnis der ersten und das Ergebnis der letzten Belichtung nach Entwicklung des Ganzen einen messbaren Unterschied aufweisen.
Bei bekannten Verfahren, bei denen eine physikalische Entwicklung angewandt wird, wurde bisher nie an ein Umkehrverfahren gedacht, weil die dabei verwendeten meistens organischen lichtempfindlichen Stoffe gegen eine Behandlung mit starken Säuren und starken Oxydationsmitteln nicht beständig sind.
Nach der Erfindung wurde nun überraschenderweise gefunden, dass die Benzoldiazosulfide, obgleich sie in Lösung ebenfalls nicht gegen Säuren beständig sind, in der photographischen Schicht eine genügend hohe Beständigkeit gegen das Wegbleiben der nach Belichtung erzeugten, gegebenenfalls physikalisch entwickelten Keimbilder aufweisen und sich daher zum Durchführen des Umkehrverfahrens eignen. Diese Möglichkeit schafft eine günstige Erweiterung des Anwendungsbereiches von Benzoldiazosulfiden. Eine dieser neuen Anwendungen ist z.B. die Herstellung von Mustern auf beiden Seiten einer Glasplatte, von denen eines das Spiegelbild des anderen sein muss. Auch in der Photomaskenherstellung ist das Umkehrverfahren von Bedeutung. Dies ist interessant, weil bekannte photographische Materialien für die Herstellung von Photomasken diese Anwendungsmöglichkeit nicht aufweisen. Für die Herstellung von Präzisionsskalen,
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wie sie u.a. in modernen Waagen verwendet werden, ist das Umkehrverfahren von besonderem Interesse. Es stellt sich heraus, dass die beim Silberhalogenid-Umkehrverfahren erforderliche Entfärbungsbehandlung beim erfindungsgemässen Verfahren überflüssig ist.
Das Verfahren zum Umkehren von Metallbildern, die durch Belichtung von lichtempfindlichem Material und Entwicklung dadurch erhalten worden sind, dass die Bilder zunächst mit Hilfe eines Oxydationsmittels gebleicht werden und dann das Material gleichmässig belichtet wird, wobei die Reihenfolge der beiden letzteren Bearbeitungen erwünscht enf al Is abgeändert werden kann, wonach aufs neue entwickelt wird, ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass dazu ein an sich bekanntes lichtempfindliches Material verwendet wird, das als lichtempfindliche Verbindung ein Benzoldiazosulfid der folgenden Struktur
y—N=N S R
enthält, wobei X einen oder mehrere Substituenten an jeder möglichen Stelle im Benzolring darstellt und R eine gegebenenfalls verzweigte Alkyl- oder Äralkylgruppe ist, wobei das lichtempfindliche Material nach der Belichtung mit Mercuroionen in Gegenwart von Feuchtigkeit und vorzugsweise auch in Gegenwart von Silberionen unter Bildung eines aus Quecksilber- oder Silberalmalgamkeimen bestehenden latenten Bildes in Berührung gebracht wird, wonach das Bild durch physikalische Entwicklung zu einem Metallbild verstärkt wird.
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Offenbar wirkt beim Wegbleichen des Metallbildes das Bildmetall katalytisch für die Zersetzung des lichtempfindlichen Stoffes.
Mit Hilfe des Umkehrverfahrens nach der Erfindung hat es sich als möglich erwiesen, Umkehrbilder mit demselben hohen-Auflösungsvermögen des Negativs zu erhalten. Es hat sich als möglich erwiesen, Linien mit einer Breite von 0,3/um abzubilden.
Bei dem Umkehrverfahren, das auf dem Silberhalogenidsystem beruht, werden in der Praxis zwei verschiedene Entwickler für die Bildentwicklung vor dem Wegbleichen und für die Entwicklung des Bildes nach gleichm&ssiger Belichtung nach dem Wegbleichen benötigt. Es ist vorteilhaft, dass nach der Erfindung für beide Zwecke derselbe physikalische Entwickler brauchbar ist. Es ist sogar möglich, die erste Entwicklung völlig fortzulassen, also sofort das Keimbild wegzubleichen.
Für dae Wegbleichen sind die meisten für das bekannte Umkehrverfahren verwendeten Oxydationsmittel, wie Bichromatschwefölsäure, Ammoniumpersulfat und Kaliumferricyanid, ebenfalls geeignet. Einige Oxydationsmittel, wie Permanganatschwefölsäure und Ferrinitrat, sind als solche nicht geeignet.
Schliesalich haben sich einige für diesen Zweck nicht bekannt· Oxydationsmittel als für das Umkehrverfahren nach der Erfindung besonders geeignet erwiesen, und zwar u.a. Bichromatnatriumbisulfat und Cer(lV)-sulfatsalpetersäure, - da· letztere Bad gegebenenfalls unter Zusatz von Ferrinitrat.
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Vorzugsweise wird eine Lösung von Cer(lV)-sulfat, Kaliumbichroraat, Salpetersäure und Schwefelsäure verwendet.
Bei der Herstellung umgekehrter Mikrobilder wird manchmal eine etwas körnige Struktur erhalten. Eine Verbesserung in dieser Hinsicht kann dadurch erzielt werden, dass nach dem Bleichen und der gleichmässigen Belichtung in einer alkalischen Lösung und danach gegebenenfalls in einer verdünnten sauren Lösung gespült wird. Geeignete Lösungen sind u.a. Lösungen von NaOH1 Natriumacetat, Anilin, Pyridin oder Chinolin.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand einiger spezifischer Ausführungsbeispiele näher erläutert* Beispiel 1
Ein Streifen einer bis zu einer Tiefe von 2/um verseiften Cellulosetriacetatfolie wird dadurch lichtempfindlich gemacht, dass er mit einer Lösung von 0,1 Mol/l 3,5-Dichlor-4-dimethylaminobenzoldiazo-tert-butylsulfid in Aethanol imprägniert, über ein Sensitometer belichtet, 2 Sekunden lang in einem wässrigen Keimeinführungabad mit 0,01 η Hgp(N0_)p, 0,03 η AgNO« und 0,01 η HNO,, und anschliessend k Sekunden lang in entionisiertem Wasser gespült und k Minuten lang in einem physikalischen Entwickler entwickelt wird, der pro Liter Wasser aus 0,05 Mol Ferroammoniumsulfat, 0,01 Mol Perrinitrat, 0,1 Mol Citronensäure, 0,01 Mol Silbernitrat, 0,02 Gew.# "Armac 12D" und 0,02 Gew.# "Lissapol N" besteht.
Die beiden zuletzt genannten oberflächenaktiven Verbindungen können auch durch die Kombination
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0,02 Gew,# "Alamac 26D" und
0,04 Gew,# "Triton X 165"
ersetzt werden.("Armac 12D" ist ein Gemisch, das zu 90$ aus Dodecylaminacetat, zu etwa 9$ aus Tetradecylaminacetat und zum übrigen aus Alkylaminacetaten mit noch grösserer Kettenlänge besteht; "Lissapol N" ist ein Kondensationsprodukt von Alkylphenolen mit Polyäthylenglykolj "Alamac 26DW ist ein Gemisch von 01eyl~« Palmityl- und Stearylaminacetaten; "Triton X 165" ist ein Octylphenyläther eines PolyoxySthylens mit 30 Gruppen),
Das so erhaltene negative Bild wird in entionisiertem Wasser gespült und dadurch gebleicht, dass es 2 Minuten lang in einer wässrigen Lösung von 250 mg KgCrgO- und 5 ml H„S0k (d sä 1,84) pro Liter bewegt wird« Aufs neue wird die Folie gespült,. getrocknet und dann 1 Minute lang in einer Entfernung von 100 cm von einer 125 W-HPR-Quecksilberdampflampe gleichmassig belichtet.
Schliesslich wird 4 Sekunden lang im obengenannten Keimeinführungsbad und 4 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült und 4 Minuten lang in der obenstehenden physikalischen Entwicklungsflüssigkeit entwickelt«
Es wird ein ausgezeichnetes Umkehrbild erhalten, das von E s 2,0m J cm her bei der ersten Belichtung völlig transparent ist,
Beispiel 2
Ein Streifen eines Materials nach Beispiel 1 wird über ein Sensitometer belichtet, 2 Sekunden lang in das
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Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, 4 Sekunden lang gespült, 2 Minuten lang im Entwickler nach Beispiel 1 entwickelt, nochmals 1 Minute lang gespült und schliesslich getrocknet«
Der Streifen wird dann 4 Minuten lang in einer Entfernung von 100 cm von einer 125 W-HPR-Quecksilberdampflampe gleichmassig belichtet, dadurch gebleicht, dass der Streifen 30 Sekunden lang in einer wässrigen Lösung mit 250 mg/l KgCrgO- und 5 ml konzentrierter HgSO2, (d = 1,84) bewegt wird, 10 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült, 4 Sekunden lang in das Keimeinftthrungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, wieder 4 Sekunden lang gespült und 4 Minuten lang im Entwickler nach Bei'spiel 1 entwickelt.
Es wird ein gutes Umkehrbild erhalten, das von
—2
E β 1,6n<X cm her völlig transparent ist und während der ersten Belichtung erhalten wird,
Beispiel 3
Eine über eine Dicke von 1 /um verseifte Schicht aus Celluloseacetobutyrat auf Glas wird mit einer Lösung von 0,1 Mol/l 3,5-Dlchlor-4-dimethylaminobenzoldiazo-te.rt-butylsulfid in Aethanol sensibilisiert. Eine Platte aus dem Material wird über ein Sensitometer belichtet, 2 Sekunden lang in das Keimeinftthrungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, 4 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült, 4 Minuten lang in dem physikalischen Entwickler nach Beispiel 1 verstärkt, 1 Minute lang gespült, 5 Sekunden lang in einer Entfernung von 4θ cm von einer 125 W-HPR-Quecksilberdampflampe gleichmässig belichtet, dadurch gebleicht, dass
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die Platte 8 Sekunden lang in eine w&ssrige Lösung von 10 g/l K2Cr2O7 + 50 g/l NaHSO^ eingetaucht wird, und 1 Minute lang gespült. Dann wird die Platte 4 Sekunden lang in dem Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 bewegt, 4 Sekunden lang gespült und schliesslich 4 Minuten lang in der Flüssigkeit nach Beispiel 1 physikalisch entwickelt.
Es wird ein gutes Umkehrbild erhalten, das von E a 1,6m J cm*" her völlig transparent ist und während der ersten Belichtung erhalten wird.
Es ist auch möglich, ein Bleichbad zu verwenden, das
10 g/l KgCrgO- + 50 ml/l konzentrierte HgSOr enthalt,
—2 Das Bild ist dann von E = 0,8 mJ cm her völlig transparent.
Auch kann mit einer Lösung von 20 g/l K„Fe(CN), + 75 g/l Na2SgO- gebleicht werden. Das Umkehrbild ist dann von E a 2,0 mJ cm" her transparent.
Beispiel 4
Eine Platte aus dem Material nach Beispiel 3 wird über ein Sensitometer belichtet, 2 Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, 4 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült, dadurch gebleicht, dass die Platte 8 Sekunden lang in einer Lösung von 10 g/l KgCrgO« + 50 g/l NaHSOj, bewegt wird, 1 Minute lang gespült, 5 Sekunden lang in einer Entfernung von 40 cm von einer 125 W-HPR-Lampe gleichmässig belichtet, 4 Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, 4 Sekunden lang gespült und schliesslich 4 Minuten lang physikalisch in der Flüssigkeit nach Beispiel 1 entwickelt.
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- 10 - PHN.6487.
Es wird ein ausgezeichnetes Umkehrbild erhalten,
—2
das von E » 80 m J cm her völlig transparent ist und wahrend der ersten Belichtung erhalten wird. Beispiel 5
Eine Platte aus dem Material nach Beispiel 3 wird über ein Sensitometer belichtet, 1 Sekunde lang in dem Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 behandelt, h Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült und getrocknet. Dann wird sie 5 Sekunden lang in einer Entfernung von 40 cm von einer 125 W-HPR-Lampe gleichmässig belichtet, Anschliessend wird das Keimbild durch 8-sekundiges Bleichen in einer Lösung von 10 g/l E^Cr^O,- und 50 ml/l konzentrierter H2SOj, entfernt, die Platte 1 Minute lang gespült, 4 Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, nochmal· h Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült und schliesslich k Minuten lang physikalisch in der Lösung nach Beispiel 1 entwickelt.
Es wird ein schönes Umkehrbild enthalten, das von E » 2,5 m J cm"" her völlig transparent ist und wShrend der ersten Belichtung erhalten wird. Beispiel 6
Eine 2 ,um dicke verseifte Celluloseacetobutyratschioht auf Glas wird mit einer Lösung von 0,1 Mol/l 4-Nitrobenzoldiazo-tert-butylsulfid in Aethanol sensibilisiert. Eine Platte aus diesem Material wird auf völlig gleiche Weise wie im Beispiel 3 behandelt, ausgenommen eine gleichmassige Belichtung, die wahrend 20 Sekunden in einem Abstand von 60 cm von einer 125· W-HPR-Quecksilberlampe durchgeführt wird.
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-1Ϊ-. PHN.6487.
Bs wird ein auegezeichnetes Umkehrbild erhalten, das
-2
von E β 2,5 πι J cm her transparent ist und während der ersten Belichtung erhalten wird.
Wenn von einem Material ausgegangen wird, das mit 2-Chlor-4-nitrobenzoldiazo-tert-butylsulfid lichtempfindlich gemacht worden ist, wird ein Umkehrbild erhalten, das von
—2
E = 6,3 m J cm her transparent ist und während der ersten Belichtung erhalten wird.
Bei Anwendung von 0,06 Mol/l 4-Nitrobenzoldiazoisooctylsulfid
°2N"\ /~N -N-S-C- G5H11
CH3
in Aethanol als lichtempfindlichem Stoff wird nach Durchführung des obenbeschriebenen Verfahrens ein Umkehrbild
_2
erhalten, das von E = 5,0 m J cm her transparent ist und während der ersten Belichtung erhalten wird.
Auch 0,02 Mol/l 4-Nitrobenzoldiazo-triphenylmethylsulfid, in Methylglykol gelöst, kann als lichtempfindlicher Stoff verwendet werden. Wenn dieser Stoff mit einem Keim« einführungsbad aus 0,01 η Hg2(N0„)2 + 0,001 η AgNO g + 0,01 η HNOo verwendet wird, wird unter Anwendung der im übrigen obenbeschriebenen Verfahrensschritte ein Umkehrbild erhalten, das von E = 4θ ra J cm her transparent ist und während der ersten Belichtung erhalten wird. Beispiel 7
Eine Glasplatte mit einer 2/um dicken verseiften Celluloseacetobutyratschicht wird dadurch lichtempfindlich
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gemacht, dass sie mit einer Lösung von 0,1 Mol/l 3,5-Dichlor- ^-dimethylamino-benzoldiazo-tert-butylsulfid in Aethanol imprägniert wird. Nach Trocknung wird die Platte in Kontakt mit einer Photomaeke unter einer 125 W-HPR-Quecksilberdampflampe belichtet. Danach wird die Platte 2 Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, k Sekunden lang gespült, k Minuten lang in dem physikalischen Entwickler nach Beispiel 1 entwickelt, 1 Minute lang gespült, 8 Sekunden lang gleichmässig in einer Entfernung von 4o cm von einer 125 ¥-HPR-Lampe belichtet, dadurch gebleicht, dass sie 2 Minuten lang in einer Lösung von 100 g/l Ce(SO^)2«4HgO +100 g/l konzentrierter HNO „ bewegt wird, 1 Minute lang in entmineralisiertem Wasser gespült, k Sekunden lang in dasselbe Keimeinftihrungsbad eingetaucht, k Sekunden lang gespült und schliesslich k Minuten lang physikalisch in derselben Flüssigkeit entwickelt.
Auf diese Weise wird eine schleierfreie Abbildung der Photomaske mit Details bis zu 1 /um erhalten, Beispiel 8
Eine Glasplatte mit einer lichtempfindlichen Schicht wie im vorangehenden Beispiel wird zur Herstellung einer Abbildung einer Photomaeke bis zu der zweiten gleichmttseigen Belichtung auf entsprechende Weise behandelt. Die gleichmSssige Belichtung erfolgt 5 Sekunden lang in einer Entfernung von ho cm von einer 125 W-HPR-Lampe, Die belichtete Platte wird dann 8 Sekunden lang in einer Lösung von 10 g/l KgCrgO_ + 50 g/l NaHSO^ bewegt, 30 Sekunden lang in
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entmineralisiertem Wasser gespült, 2 Minuten lang in Wasser mit. 10$ Pyridin bewegt, aufs neue 30 Sekunden lang in Wasser gespült, 4 Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, 4 Sekunden lang gespült und schliesslioh 4 Hinuten lang physikalisch in der Entwicklungsflüssigkeit nach Beispiel 1 entwickelt·
Bs wird eine gute Abbildung der Photomaske mit sehr hohem Auflösungsvermögen mit Details von 0,5/um und einer guten Randschärfe erhalten· Statt des pyridinhaltigen Bades kann auch eine Lösung -von Anilin, Chinolin oder Na-Acetat verwendet werden« Beispiel 9
Zur Herstellung einer Abbildung der Photomaske wird dasselbe Material wie im Beispiel 7 verwendet und wird das in diesem Beispiel beschriebene Verfahren bis zu der zweiten gleichmassigen Belichtung durchgeführt, die nun 10 Sekunden lang statt 8 Sekunden lang erfolgt« Dann wird die Glasplatte 20 Sekunden lang in einer wässrigen Lösung bewegt, die pro Liter enthält»
50 g Ce(SO^)2.4H2O
5 g K2Cr2O7 200 g konz, HNO« (d = 1,43)
25 ml konz. H2SO^ (d = 1,84).
Dann wird die Platte 1 Minute lang in entmineralisiertem Wasser gespült, 30 Sekunden lang in 0,1 η NaOH, 10 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser, 20 Sekunden lang in 0,14 η HNOo» aufs neue 10 Sekunden lang in entmineralisiertem
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- 1k - PHN.6487.
Wasser gespült, k Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, k Sekunden lang in Wasser gespült und k Hinuten lang physikalisch in dem Bad nach Beispiel 1 entwickelt*
Bs wird eine gutes schleierfreies Umkehrbild mit einer groseen Randschürfe und einem hohen Auflösungsvermögen mit Details von 0,3/um erhalten.
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Claims (6)

  1. - 1.1 - PHN.6^87.
    PATENTANSPRUECHE t
    Verfahren zum Umkehren von Metallbildern, die durch Belichtung von lichtempfindlichem Material und Entwicklung dadurch erhalten worden sind, dass die Bilder zun&chst mit Hilfe eines Oxydationsmittel gebleicht werden und dann das Material gleichmSssig belichtet wird, wobei die Reihenfolge der beiden letzteren Bearbeitungen erwünschtenfalle abgeändert werden kann, wonach aufs neue entwickelt wird, dadurch gekennzeichnet, dass dazu ein an sich bekanntes lichtempfind-
    liches Material verwendet wird, das als lichtempfindliche Verbindung ein Benzoldiazosulfid der folgenden Struktur
    — N=. N S R
    enthält, wobei X einen oder mehrere Substituenten an jeder möglichen Stelle im Benzolring darstellt und R eine gegebenenfalls verzweigte Alkyl- oder Aralkylgruppe ist, wobei das lichtempfindliche Material nach der Belichtung mit Mercuroionen in Gegenwart von Feuchtigkeit und vorzugsweise auoh in Gegenwart von Silberionen unter Bildung eines aus Quecksilber- oder Silberalmalgamkeimen bestehenden latenten Bildes in Berührung gebracht wird, wonach das Bild durch physikalische Entwicklung zu einem Metallbild verstärkt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das primSr erhaltene Keimbild ohne Entwicklung gebleicht wird.
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    - 16 - PHN.6^87.
    ? 3 A 1 S 6 8
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Oxydationsmittel eine Lösung von Bichromat und Natriumbisulfat in Wasser verwendet wird,
  4. h. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Oxydationsmittel eine Lösung von Cer(IV)-Sulfat, Bichromat, Schwefelsaure und Salpetersäure in Wasser verw end e t wird.
  5. 5. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Bleichen und nach gleichmässiger Belichtung in einer alkalischen Lösung und anschliessend in einer verdünnten sauren Lösung gespult wird.
  6. 6. Trägermaterial, das mit photographischen Bildern versehen ist, die durch das Umkehrverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche erhalten sind.
    AO 9 81 1 /0861
DE19732341568 1972-09-06 1973-08-17 Positiv-Positiv-Verfahren zur Herstellung von Metallbildern Expired DE2341568C3 (de)

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