DE2341311A1 - Verfahren zum einstellen der lebensdauer von ladungstraegern in halbleiterkoerpern - Google Patents
Verfahren zum einstellen der lebensdauer von ladungstraegern in halbleiterkoerpernInfo
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Description
Licentia Patent Verwaltungs-G.m.b.H.
6 Frankfurt/Main 70, Theodor-Stern-Kai 1
Jacobsohn/gö PBE 72/58
7.8.1973 --=-««—
"Verfahren zum Einstellen der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleiterkörpern"
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einstellen der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleiterkörpern für
Halbleiterbauelemente durch Eindiffusion von Rekombinationszentren.
Halbleiterbauelemente durch Eindiffusion von Rekombinationszentren.
Die gezielte und reproduzierbare Einstellung der Lebensdauer von Ladungsträgern spielt in der Halbleitertechnologie
eine wichtige Rolle, da einige Eigenschaften, wie etwa die Frequenzgrenze von Flächentransistoren oder die Freiwerdezeit
von Thyristoren, die das Verhalten der Halbleiterbauelemente im Hinblick auf ihre dynamischen Eigenschaften wesentlich
mitbestimmen, von der Lebensdauer der Ladungsträger abhängig sind.
Es ist bekannt, daß z. B. durch Eindiffusion von Gold
oder Platin in einen Halbleiterkörper aus Silizium die Lebensdauer der Ladungsträger herabgesetzt werden kann.
oder Platin in einen Halbleiterkörper aus Silizium die Lebensdauer der Ladungsträger herabgesetzt werden kann.
Sofern die Forderung besteht, Freiwerdezeiten von Thyristoren
innerhalb eines ganz bestimmten Bereiches einzuhal-
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- 'd - FBE 72/38
ten, stellt sich die Aufgabe, auch die Konzentration der Rekombinationszentren
im Halbleiter auf einen bestimmten Wert einzustellen. Dies bedeutet z. B. für Frequenzthyristoren,
bei denen die Freiwerdezeit etwa in einem Bereich zwischen 5 und 50/Usec liegen soll, daß im Silizium eine Goldkonzen-
1? 14 3I
tration len ist.
1? 14- — 3I
tration zwischen rund 10 und 10 Atomen-cm ■>
einzustelDie gezielte und kontrollierte Einstellung solcher geringer Konzentrationen nach der Menge und gegebenenfalls auch
mit ausreichend hoher Trennschärfe nach der Atomart ließ sich bisher mit wirtschaftlich vertretbarem Aufwand nicht
erreichen. Bei einer Diffusion der Rekombinationszentren von der Oberfläche her ist nämlich hierfür eine äußerst geringe
Oberflächenbelegung erforderlich. Beispielsweise müßte für eine Siliziumscheibe üblicher Dicke von etwa 0,3 mm die
11 12 Flächenbelegung vor der Diffusion nur etwa 10 bis 10
_p
Atome-cm betragen, wenn die Konzentration der Rekombinationszentren
nach Beendigung der Eindiffusion und angenommener gleichmäßiger "Verteilung die oben angegebenen Werte
3 von e
soll.
g g gg
12 13 -3
von einigen 10 bis einigen 10 Atomen·cm aufweisen
Eine derartig geringe Oberflächenbelegung in der Größen-
11 · 1'S —2 Ordnung von 10 bis 10 J Atomen*cm konnte bisher durch
keines der bekannten und üblicherweise verwendeten Verfahrens aufgebracht werden. Weder durch Aufdampfen oder auf
chemischem bzw. galvanischem Wege, ζ. Β. durch Abscheiden aus wäßriger Lösung, und anschließender Temperung lassen
sich solche Oberflächenbelegungsdichten erzeugen. Die nach solchen Verfahren-hergestellten Bauelemente zeigen praktisch
immer eine weiche Sperrkennlinie und damit eine verminderte Sperrfähigkeit. Vermutlich ist die Ursache dieser
verminderten Sperrfähigkeit auf die besondere Art der Golddiffusion zurückzuführen.
Die Eindiffusion von beispielsweise Gold in Silizium geht bekanntlich nach dem Frank-Turnbull-Mechanismus vor sich.
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- I - FBE 72/38
Die Goldatome diffundieren nach diesem Mechanismus zunächst auf Zwischengitterplätze und werden dann durch Anlagerung
an Leerstellen in substitutionell gebundene Atome umgewandelt. Es stellt sich dabei ein Konzentrationsgleichgewicht
zwischen den Gitterleerstellen, den Zwischengitterplätzen und den substitutionell eingebauten Atomen her. Nur die in
die Gitterleerstellen substitutionell eingebauten Goldatome wirken in diesem Gleichgewicht als elektrisch- aktiv, d. h.
als Rekombinationszentren.
Wird bei der Eindiffusion mehr Gold in das Silizium eingebracht, als zur Besetzung der Leerstellen notwendig ist,
so muß das überschüssige Gold auf den Zwischengitterplätzen verbleiben, wo es sich beim Abkühlen unter Umständen an Kristallversetzungen
in Form von Klumpen wieder ausscheiden kann. Es wird vermutet, daß das verminderte Sperrvermögen
auf dieses überschüssige Gold, das sich auf Zwischengitterplätzen befindet oder an Kristallversetzungen angelagert
ist, zurückzuführen ist. Es gibt somit Gründe, die Konzentration des Goldes nicht bis an die Grenze der Löslichkeit,
16 -3 die z. B. in Silizium bei etwa 10 Atomen·cm ^ liegt, zu
erhöhen. Bei einer so hohen Goldkonzentration würde überdies die Lebensdauer der Ladungsträger zu klein werden.
Aufgabe der ErfirLung ist es, die erforderliche Trägerlebensdauer
in Halbleiterkörpern für Halbleiterbauelemente durch gezielte und reproduzierbare Einstellung einer unterhalb
der maximalen Löslichkeit liegenden und auf einer solchen Höhe festgelegten Konzentration von Rekombinationszentren
herzustellen, daß möglichst der gesamte die Rekombinationszentren erzeugende Stoff an Leerstellen angelagert ist
und nicht an Zwischengitterplätzen verbleibt, und auf diese Weise die thermischen und dynamischen Eigenschaften von
Halbleiterbauelementen, insbesondere von Frequenzthyristoren, zu verbessern.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zum Einstellen der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleiterkörpern für
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- 4 - . PBE 72/38
Halbleiterbauelemente durch Eindiffusion von Rekombinationszentren erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine der erforderlichen
Konzentration im Halbleiterkörper entsprechende Menge von Rekombinationszentren bildenden Stoffen durch Ionenimplantation
auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht und in die Oberflächenschicht eingebracht und
dann anschließend in einem Temperprozeß weiter eindiffundiert wird, bis sich ein annähernd stationärer Wert der Lebensdauer
einstellt. Dabei kann sowohl in Halbleiterkörper mit einheitlicher Leitfähigkeit und einheitlichem Leitungstyp als auch in solche mit einem oder mehreren pn-Übergängen
implantiert werden. Die Implantationsenergie wird vorteilhaft
derart gewählt, daß die Eindringtiefe mindestens 50 2.
beträgt.
Im Gegensatz zu den bekannten Verfahren wird die Halbleiterdotierung,
welche die Lebensdauer bestimmt, nicht durch die Diffusionstemperatur und die Zeit, sondern durch die implantierte
Dosis bei ausreichend langer Diffusion eingestellt.
Insbesondere wird z. B. die Einstellung der Lebensdauer von Ladungsträgern in einem Halbleiterkörper aus Silizium
in vorteilhafter Weise durch eine Goldimplantation in die der Oberfläche nahen Schichten erreicht, der sich darauf
zur weiteren Verteilung des implantierten Goldes im Volumen des Halbleiterkörpers eine Temperung in einer Schutzgasatmosphäre
bei einer Temperatur oberhalb von 700 C anschließt. Die Einstellung der Lebensdauer der Ladungsträger wird gegebenenfalls
an Stelle einer Goldimplantation auch durch eine Platinimplantation vorgenommen.
Durch das Verfahren nach der Erfindung wird erreicht, daß
auch kleinste Stoffmengen für Plächenbelegungsdichten in der
10 13S —2
Größenordnung von etwa 10 bis 10 ^ Atomen*cm überhaupt
und sicher gehandhabt werden können und auf diese Weise die oben geschilderten möglichen Nachteile einer zu hohen Störstellenkonzentration
im Bereich der Löslichkeitsgrenze, wie
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- 51 - FBE 72/38
das Ausfallen eines nicht mehr gelösten Anteils im metallischen Zustand während des Abkühlens und dessen schädliche
elektrische Nebenwirkungen, mit Sicherheit vermieden werden.
Darüber hinaus gelingt es, solche kleinen Stoffmengen,
wie sie oben aufgeführt wurden, mit wirtschaftlich vertretbarem Aufwand auch genau zu dosieren, weil die bei der Ionenimplantation
einzubringende Stoffmenge durch eine elektrische Messung verhältnismäßig leicht eingestellt und kontrolliert
werden kann.
Ein weiterer Vorteil der Ionenimplantation ist darin zu sehen, daß beim Einbringen des Dotierungsstoffes eine Massenselektion
und eine Beschränkung auf das allein vorgesehene Störstellenelement vorgenommen wird, wodurch die Gefahr
der Eindiffusion von unerwünschten Verunreinigungen und deren möglicher nachteilige Einfluß vermieden werden.
Schließlich wird bei der Anwendung des Verfahrens gemäß der Erfindung auch der eigentliche DiffusionsVorgang erleichtert
und die Möglichkeit seiner Überprüfung verbessert. Nach der Implantation befindet sich nämlich der Dotierungsstoff
bereits genügend tief unter der Oberfläche des Halbleiterkörpers, so daß die Diffusion in das Innere nicht mehr durch
eine auf der Oberfläche befindliche Oxidhaut beeinträchtigt wird. Dadurch wird eine höhere Gleichmäßigkeit der Diffusionsfront
und der anschließenden Verteilung erzielt.
Nicht zuletzt wirkt sich bei dem Verfahren nach der Erfindung vorteilhaft aus, daß bei der Endverteilung die Ein
stellung der Höhe der Konzentration der Störstellen im wesentlichen von der sicher zu handhabenden Dosis der implantierten Störstellen bestimmt wird, was bei den bisher bekannten Verfahren nicht der Fall ist.
An einem Ausführungsbeispiel soll das Verfahren nach der
Erfindung noch einmal näher beschrieben und die Arbeitsbedingungen bei der Ionenimplantation angegeben werden. Als
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- 6 - FBE 72/38
Halbleitermaterial ist Silizium ausgewählt worden, das mit
Gold dotiert werden soll. Man geht hierbei von diffundierten Siliziumscheiben aus, die eine Dicke von etwa 0,3 mm besitzen.
Die Flächenbelegung soll zwischen 1-1011 und 5*101^
Gold-Atome«cm betragen.
Die Ionenimplantation der Rekombinationszentren, wie z. B. Gold, erfolgt mit so hoher Energie, daß eine genügende
Eindringtiefe erreicht und eine Zerstäubung der Oberfläche vermieden wird. Für Gold ergibt sich bei einer Energie von
10 bis 300 keV eine Eindringtiefe von 100 bis 1000 5L Andererseits
zerstört eine zu hohe Implantationsenergie so stark, daß nachteilige Effekte bei der Golddiffusion auftreten.
Günstige Werte für die Implantationsenergie liegen
bei etwa 100 keV, wobei sich für Gold eine Eindringtiefe von etwa 600 S ergibt. Die implantierte Dosis wird über den
Ionenstrom gesteuert. Durch Selektion der Ionenmassen im Magnetfeld wird eine hohe Reinheit des implantierten Stoffes
gewährleistet.
Die so vorbereiteten Halbleiterscheiben werden nun in einer Schutzgasatmosphäre, beispielsweise aus Wasserstoff, während
einer Dauer von einigen Minuten bis zu mehreren Stunden bei einer Temperatur oberhalb von 700 0O, vorzugsweise
zwischen 800 und 1000 0C, getempert, um die gewünschte Freiwerdezeit
zu erhalten.
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Claims (8)
- - 7 - FBE 72/58Patentansprüche :ί1.)Verfahren zum Einstellen der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleiterkörpern für Halbleiterbauelemente durch Eindiffusion von Rekombinationszentren, dadurch gekennzeichnet, daß eine der erforderlichen Konzentration im Halbleiterkörper entsprechende Menge von Rekombinationszentren bildenden Stoffen durch Ionenimplantation auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht und in die Oberflächenschicht eingebracht und dann anschließend in einem Temperprozeß weiter eindiffundiert wird, bis sich ein annähernd stationärer Wert der Lebensdauer im gesamten Volumen einstellt.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Implantationsenergie so gewählt wird, daß die Eindringtiefe mindestens 50 S. beträgt.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Rekombinationszentren bildender Stoff Gold implantiert wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Rekombinationszentren bildender Stoff Platin implantiert wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4-, dadurch gekennzeichnet, daß der die Rekombinationszentren bildende Stoff in einen Halbleiterkörper aus Silizium implantiert wird.
- 6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der die Rekombinationszentren bildende Stoff in einem Temperprozeß unter einer Schutzgasatmosphäre aus Wasserstoff weiter eindiffundiert wird.509812/0422- Γ» - FBE 72/38
- 7· Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Temperatur oberhalb von 700 0C eindiffundiert wird.
- 8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Temperatur zwischen 800 und 1000 0C eindiffundiert wird.509812/0422
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US05/497,143 US3953243A (en) | 1973-08-16 | 1974-08-12 | Method for setting the lifetime of charge carriers in semiconductor bodies |
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Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2406301A1 (fr) * | 1977-10-17 | 1979-05-11 | Silicium Semiconducteur Ssc | Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs rapides |
US4203780A (en) * | 1978-08-23 | 1980-05-20 | Sony Corporation | Fe Ion implantation into semiconductor substrate for reduced lifetime sensitivity to temperature |
US5283202A (en) * | 1986-03-21 | 1994-02-01 | Advanced Power Technology, Inc. | IGBT device with platinum lifetime control having gradient or profile tailored platinum diffusion regions |
US5262336A (en) * | 1986-03-21 | 1993-11-16 | Advanced Power Technology, Inc. | IGBT process to produce platinum lifetime control |
US5528058A (en) * | 1986-03-21 | 1996-06-18 | Advanced Power Technology, Inc. | IGBT device with platinum lifetime control and reduced gaw |
US4990466A (en) * | 1988-11-01 | 1991-02-05 | Siemens Corporate Research, Inc. | Method for fabricating index-guided semiconductor laser |
US5284780A (en) * | 1989-09-28 | 1994-02-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for increasing the electric strength of a multi-layer semiconductor component |
IT1244119B (it) * | 1990-11-29 | 1994-07-05 | Cons Ric Microelettronica | Processo di introduzione e diffusione di ioni di platino in una fetta di silicio |
DE4421529C2 (de) * | 1994-06-20 | 1996-04-18 | Semikron Elektronik Gmbh | Schnelle Leistungsdiode |
GB9509301D0 (en) * | 1995-05-06 | 1995-06-28 | Atomic Energy Authority Uk | An improved process for the production of semi-conductor devices |
US5859465A (en) * | 1996-10-15 | 1999-01-12 | International Rectifier Corporation | High voltage power schottky with aluminum barrier metal spaced from first diffused ring |
KR100342073B1 (ko) * | 2000-03-29 | 2002-07-02 | 조중열 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US9349799B2 (en) * | 2014-08-14 | 2016-05-24 | Infineon Technologies Ag | Adjusting the charge carrier lifetime in a bipolar semiconductor device |
US9209027B1 (en) | 2014-08-14 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Ag | Adjusting the charge carrier lifetime in a bipolar semiconductor device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1187326B (de) * | 1958-08-13 | 1965-02-18 | Western Electric Co | Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Schaltdiode |
US3655457A (en) * | 1968-08-06 | 1972-04-11 | Ibm | Method of making or modifying a pn-junction by ion implantation |
DE2162219A1 (de) * | 1971-01-11 | 1972-08-03 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL122120C (de) * | 1959-06-30 | |||
US3473976A (en) * | 1966-03-31 | 1969-10-21 | Ibm | Carrier lifetime killer doping process for semiconductor structures and the product formed thereby |
US3640783A (en) * | 1969-08-11 | 1972-02-08 | Trw Semiconductors Inc | Semiconductor devices with diffused platinum |
-
1973
- 1973-08-16 DE DE2341311A patent/DE2341311C3/de not_active Expired
-
1974
- 1974-08-07 JP JP49091180A patent/JPS5046480A/ja active Pending
- 1974-08-12 US US05/497,143 patent/US3953243A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-08-13 FR FR7428093A patent/FR2241141B1/fr not_active Expired
- 1974-08-16 GB GB3622474A patent/GB1455368A/en not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1187326B (de) * | 1958-08-13 | 1965-02-18 | Western Electric Co | Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Schaltdiode |
US3655457A (en) * | 1968-08-06 | 1972-04-11 | Ibm | Method of making or modifying a pn-junction by ion implantation |
DE2162219A1 (de) * | 1971-01-11 | 1972-08-03 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Internationale elektronische Rundschau, 27. Jg., 1973, H. 3, S. 53-57 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5046480A (de) | 1975-04-25 |
GB1455368A (en) | 1976-11-10 |
FR2241141B1 (de) | 1979-03-09 |
DE2341311C3 (de) | 1981-07-09 |
DE2341311B2 (de) | 1977-08-11 |
US3953243A (en) | 1976-04-27 |
FR2241141A1 (de) | 1975-03-14 |
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