DE2328090A1 - Halbleiterkondensator mit grosser kapazitaet und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents
Halbleiterkondensator mit grosser kapazitaet und verfahren zu seiner herstellungInfo
- Publication number
- DE2328090A1 DE2328090A1 DE19732328090 DE2328090A DE2328090A1 DE 2328090 A1 DE2328090 A1 DE 2328090A1 DE 19732328090 DE19732328090 DE 19732328090 DE 2328090 A DE2328090 A DE 2328090A DE 2328090 A1 DE2328090 A1 DE 2328090A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- capacitor
- semiconductor
- dielectric
- grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(oxomethylidene)benzenesulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)N=C=O)C=C1 VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910021340 platinum monosilicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors with potential-jump barrier or surface barrier
- H01L29/94—Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS
- H01L29/945—Trench capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4846—Connecting portions with multiple bonds on the same bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12032—Schottky diode
Description
Dallas, Texas 75222/V.St.A.
Claims (1)
- Patentansprüche[ 1.^öalbleiterkondensator mit hoher Kapazität gekennzeichnet durch(a) ein Halbleitersubstrat mit einer ersten und einer zweiten Oberfläche und mit in dieser ersten Oberfläche parallel verlaufende!, in einem bestimmten Abstand befindlichen Rinnen, " ~" "(b) eine diese erste Oberfläche überziehende Schicht aus dielektrischem Material und(e) eine zur Aufnahme von elektrischen"Anschlüssen'geeignete Leiterschicht auf dieser dielektrischen Schicht... .2. Kondensator naich. Anspruch 1, gekennzeichnet durch elektrische Anschlüsse-an die Leiterschicht und.die zweite Oberfläche.3. Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das die erste Oberfläche überziehende dielektrische Material die Rinnen nicht ausfüllt.4. Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet* daß die Seitenwände der Rinnen etwa senkrecht zu dem Substrat verlaufen.5. Kondensator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat aus Silicium besteht.6i Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Schicht" aus Siliciumdioxid besteht.309850/10117» Kondensator nach Anspruch 5> dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat aus einem Körper aus einkristallinem . Silicium besteht und daß die erste und die zweite Oberfläche etwa in der (110) kristallografischen Ebene liegen und das jede der parallelen Rinnen in der (111) kristallografischen Ebene liegt, die etwa senkrecht zu den Oberflächen verläuft»8. Verfahren zur Herstellung des Halbleiterkondensators von Anspruch .1 in einem Halbleitersubstrat mit einer ersten und einer zweiten Oberfläche, dadurch gekenn-• zeichnet, daß man(a) mehrere in einem bestimmten Abstand voneinander parallel verlaufende Rinnen in der ersten Oberfläche bildet(b) die erste Oberfläche mit einer Schicht aus dielektrischem Material überzieht und(c) diese dielektrische Schicht mit einer Schicht aus leitendem Material überzieht.9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß man an die Schicht aus leitendem Material und an die zweite Öberfläche"-eibektr±sche'i:AnsiihTüsse anlegt.10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleitersubstrat Silicium verwendet wird.11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Oberfläche etwa in djer kristallo-3098507101 1grafischen (110) Ebene liegen.12. Verfahren nach Anspruch 11,. dadurch gekennzeichnet, daß die Seitenwände der Rinnen in einer kristallografisehen (111) Ebene liegen, die etwa senkrecht zu der Oberfläche verläuft. ·13. In einem monolithischen Halbleiterkörper eingeschlossener Halbleiterkondensator nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch(a) eine aktive elektronische Halbleitervorrichtung,(b) einen Kondensator, bestehend aus . '(1) einem elektrisch isolierten Teil des Halbleiterkörpers mit mehreren in·einem bestimmten Abstand voneinander befindlichen parallelen darin liegenden Rinnen,(2) einer die Rinnen aufweisenden Teil überziehenden Schicht aus dielektrischem Material und(3) einer Schicht aus diese dielektrische Schicht überziehendem leitendem Material und(c) die elektronische Vorrichtung mit dem leitenden Material und dem isolierten Teil^verbindende elek- . trische'Kontakte. '14. Schaltung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper von einem 'Leitungstyp ist und der , elektrisch isolierte Teil unter dem dielektrischen Überzug eine Schicht vom entgegengesetzten Leitungstyp ist.15. Halbleiter nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch(a) ein stark dotiertes Halbleitersubstrat von einem Leitungstyp mit einer ersten und einer zweiten Oberfläche mit in der ersten Oberfläche in einem bestimmten Abstand gebildeten parallel verlaufenden Rinnen,.(b) eine Schicht vom entgegengesetzten Leitungstyp über der ersten Oberfläche und(c) an .der zweiten Oberfläche und an der Schicht vom entgegengesetzten Leitungstyp angebrachte elektrische Kontakte. "16. Verfahren zur Herstellung des Halbleiterkondensators von Anspruch 1 in einer monolithischen integrierten Schaltung mit einem Halbleiterkörper von einem Leitungstyp mit elektrisch isoliertem Teil und aktiven elektronischen Halbleitervorrichtungen.darin, gekennzeichnet durch(a) Bildung mehrerer paralleler, in einem bestimmten Abstand befindlicher Rinnen in einem elektrisch isolierten Teil des Körpers unter Bildung von Säulen zwischen den Rinnen,(b) Bildung einer Schicht vom entgegengesetzten Leitungstyp in der Oberfläche des isolierten Teils,(c) Bildung einer Schicht aus leitendem Material über der Schicht vom entgegengesetzten Leitungstyp und(d) Schaffung elektrischer Kontakte zur Verbindung der elektronischen Vorrichtungen und 'des Leitermaterials und des isolierten Teils.'309850/101 12328017. Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet; daß die. Leiterschicht unterbrochen ist und selektiv angeordnete Leersteilen darin auf freist, die einzelne Teile der Leiterschicht, welche über bestimmten Rinnen liegt, elektrisch isolieren» '18. Kondensator nach Anspruch 17» gekennzeichnet durch eine zweite Leiterschicht, die selektiv di e unterbrochene Leiterschicht zur Bildung eines programmierbaren Kondensators mit hoher Kapazität verbindet,19. Kondensator nach .Anspruch 17, gekennzeichnet durch Mittel zur selektiven Verbindung der selektiven Teile unter Schaffung eines programmierbaren Kondensators mit abstimmbarer Kapazität,ZO. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß in die Säulen eine stark dotierte Halfoleiterschieht eindiffundiert wird.21. Verfahren nach Anspruch ID, dadurch gekiennzeiehnet, daß das Silieiuissubstrat stark dotiert ist.22. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Überziehen und ansehllessend an die Bildung mehrerer Rinnen eine Schicht aus lioch dotiertem Halbleitermaterial in die erste Oberfläche eindiffundiert wird.23. Integrierte Schaltung nach Anspruch 12>i dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisehisolierten Teile unter dem3139850/1011- 30 - ■ . ■dielektrischen Überzug eine static dotierte Halbleltersehieht aufweisen.Verfahren nach Anspruch iß-, dadurch gekennzeichnet, daß ansehliessend an die Bildung paralleler Rinnen und vor der Bildung einer hoch dotierteirSonicht eine hohe Konzentration an Dotierungsiiaittj?l von dem einen Leitungstyp in den elektrisch isolierten Teil eindiffundiert wird. ; -25. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleitersubstrat stark dotiertes Silicium verwendet wird. A
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US25933272A | 1972-06-02 | 1972-06-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2328090A1 true DE2328090A1 (de) | 1973-12-13 |
DE2328090C2 DE2328090C2 (de) | 1987-01-22 |
Family
ID=22984501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19732328090 Granted DE2328090A1 (de) | 1972-06-02 | 1973-06-01 | Halbleiterkondensator mit grosser kapazitaet und verfahren zu seiner herstellung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5648976B2 (de) |
DE (1) | DE2328090A1 (de) |
GB (1) | GB1439351A (de) |
NL (1) | NL185432C (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3521891A1 (de) * | 1984-08-20 | 1986-02-20 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo | Halbleiterspeichereinrichtung und verfahren zur herstellung derselben |
EP0528281A2 (de) * | 1991-08-14 | 1993-02-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltungsstuktur mit mindestens einem Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE19713052A1 (de) * | 1997-03-27 | 1998-10-01 | Siemens Ag | Kondensatorstruktur |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51148385A (en) * | 1975-06-14 | 1976-12-20 | Fujitsu Ltd | Semiconductor memory cell |
JPS583259A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Fujitsu Ltd | たて型キヤパシタの製造方法 |
JPS5891669A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPS58137242A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Seiko Epson Corp | 集積回路装置 |
JPS6012752A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JPS6023506B2 (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置 |
JPS6023507B2 (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置 |
JPS6023505B2 (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置 |
JPS60158654A (ja) * | 1984-01-28 | 1985-08-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPS6099549U (ja) * | 1984-10-11 | 1985-07-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JPS61177767A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS61228660A (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
JPH02191370A (ja) * | 1989-12-15 | 1990-07-27 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
FR2808924B1 (fr) * | 2000-05-09 | 2002-08-16 | Centre Nat Rech Scient | Condenseur a capacite variable |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE635797C (de) * | 1930-07-26 | 1936-09-28 | Hermsdorf Schomburg Isolatoren | Hochspannungskondensator mit einem Dielektrikum aus keramischem Stoff oder Glas |
DE897861C (de) * | 1951-06-29 | 1953-11-26 | Siemens Ag | Elektrischer Durchfuehrungskondensator |
DE1097563B (de) * | 1958-04-26 | 1961-01-19 | Elektroteile G M B H | Zugmagnet fuer Gleich- oder Wechselstrom mit vom Anker angetriebener Zahnstange |
US3149399A (en) * | 1962-09-25 | 1964-09-22 | Sprague Electric Co | Silicon capacitor |
DE1965408A1 (de) * | 1968-12-31 | 1970-07-16 | Texas Instruments Inc | Verfahren zur Herstellung einer Schaltungskomponente in einem Halbleiterkoerper |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS512699Y2 (de) * | 1971-01-23 | 1976-01-26 |
-
1973
- 1973-05-09 GB GB2203573A patent/GB1439351A/en not_active Expired
- 1973-06-01 JP JP6173973A patent/JPS5648976B2/ja not_active Expired
- 1973-06-01 NL NL7307686A patent/NL185432C/xx active Search and Examination
- 1973-06-01 DE DE19732328090 patent/DE2328090A1/de active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE635797C (de) * | 1930-07-26 | 1936-09-28 | Hermsdorf Schomburg Isolatoren | Hochspannungskondensator mit einem Dielektrikum aus keramischem Stoff oder Glas |
DE897861C (de) * | 1951-06-29 | 1953-11-26 | Siemens Ag | Elektrischer Durchfuehrungskondensator |
DE1097563B (de) * | 1958-04-26 | 1961-01-19 | Elektroteile G M B H | Zugmagnet fuer Gleich- oder Wechselstrom mit vom Anker angetriebener Zahnstange |
US3149399A (en) * | 1962-09-25 | 1964-09-22 | Sprague Electric Co | Silicon capacitor |
DE1965408A1 (de) * | 1968-12-31 | 1970-07-16 | Texas Instruments Inc | Verfahren zur Herstellung einer Schaltungskomponente in einem Halbleiterkoerper |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
DE-Z: Funk-Technik 1961, Nr. 8, S.253-256 * |
DE-Z: Funk-Technik, 1962, S. 184-186 * |
US-Buch: S. M. Sze, Physics of Semoconductor Devices, New York 1969, S. 442 * |
US-Z: J. Electrochemical Soc., Bd. 114, 1967, S. 965 * |
US-Z: Proc. IEEE, Bd. 57, 1969, S. 1469 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3521891A1 (de) * | 1984-08-20 | 1986-02-20 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo | Halbleiterspeichereinrichtung und verfahren zur herstellung derselben |
EP0528281A2 (de) * | 1991-08-14 | 1993-02-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltungsstuktur mit mindestens einem Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung |
EP0528281A3 (de) * | 1991-08-14 | 1994-04-06 | Siemens Ag | |
US5759903A (en) * | 1991-08-14 | 1998-06-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Circuit structure having at least one capacitor and a method for the manufacture thereof |
DE19713052A1 (de) * | 1997-03-27 | 1998-10-01 | Siemens Ag | Kondensatorstruktur |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL185432C (nl) | 1990-04-02 |
DE2328090C2 (de) | 1987-01-22 |
NL7307686A (de) | 1973-12-04 |
JPS5648976B2 (de) | 1981-11-19 |
GB1439351A (en) | 1976-06-16 |
JPS4957779A (de) | 1974-06-05 |
NL185432B (nl) | 1989-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0018501B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von hochverdichteten vertikalen FETs und eine daraus gebildete Matrixanordnung | |
EP0002670B1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines bipolaren Transistors in einem Halbleitersubstrat | |
DE1614283C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
DE1933731C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung | |
DE60130647T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einer versenkten isolierschicht mit veränderlicher dicke | |
DE1196297C2 (de) | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2224634C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE2328090A1 (de) | Halbleiterkondensator mit grosser kapazitaet und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2214935A1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung | |
DE2335799A1 (de) | Sperrschicht-feldeffekttransistoren in dielektrisch isolierten mesas | |
DE2502235A1 (de) | Ladungskopplungs-halbleiteranordnung | |
EP0001100A2 (de) | Verfahren zum Herstellen von in Silicium eingelegten dielektrischen Isolationsbereichen mittels geladener und beschleunigter Teilchen | |
DE2238450C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung | |
DE1207014C2 (de) | Verfahren zum herstellen einer integrierten halbleiterschaltungsanordnung | |
DE2749607B2 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE2420239A1 (de) | Verfahren zur herstellung doppelt diffundierter lateraler transistoren | |
DE1924712C3 (de) | Integrierter Dünnschicht-Abblockbzw. Entkopplungskondensator für monolithische Schaltungen und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2133976C3 (de) | Monolithisch integrierte Halbleiteranordnung | |
DE2550346A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines elektrisch isolierenden bereiches in dem halbleiterkoerper eines halbleiterbauelements | |
DE2218680C2 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2748222A1 (de) | Kondensatorspeicheranordnung | |
DE2953394T1 (de) | Dielectrically-isolated integrated circuit complementary transistors for high voltage use | |
DE2141695B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines monolithischen halbleiterbauelementes | |
DE2525529B2 (de) | Halbleiteranordnung mit komplementaeren transistorstrukturen und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE2133977C3 (de) | Halbleiterbauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 2366589 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 2366589 |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 2366587 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 2366587 |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 2366588 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 2366588 |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 2366586 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 2366586 |
|
AH | Division in |
Ref country code: DE Ref document number: 2366589 Format of ref document f/p: P Ref country code: DE Ref document number: 2366588 Format of ref document f/p: P Ref country code: DE Ref document number: 2366586 Format of ref document f/p: P Ref country code: DE Ref document number: 2366587 Format of ref document f/p: P |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |