DE2304974C3 - Wassergekühlte Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Stäben aus Halbleitermaterial - Google Patents

Wassergekühlte Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Stäben aus Halbleitermaterial

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DE2304974C3
DE2304974C3 DE19732304974 DE2304974A DE2304974C3 DE 2304974 C3 DE2304974 C3 DE 2304974C3 DE 19732304974 DE19732304974 DE 19732304974 DE 2304974 A DE2304974 A DE 2304974A DE 2304974 C3 DE2304974 C3 DE 2304974C3
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    • H05B6/02Induction heating
    • H05B6/36Coil arrangements
    • H05B6/42Cooling of coils
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
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Description

Gegenstand der Patentanmeldung P 21 60 694.0 ist eine wassergekühlte Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Stäben aus Halbleitermaterial, die mindestens zwei durch Schraubenverbindungen miteinander verbundene Bauteile aufweist, die u. a. ein- oder mehrwind.o ausgebildet ist und zwei Innenteile aufweist, die mit dem inneren Wandungsteil in Kontakt stehen.
Mittels einer solchen Induktr-nheizspule ist es möglich, Halbleitcrstäbe mit größerem Durchmesser als dem Innendurchmesser der Spule durch das tiegelfreie Zonenschmelzen herzustellen, ohne daß die Spule nach Beendigung des Schmelzzonendurchgangs »ausgefädelt« oder der Halbleiterstab auscinanderge/ogen oder gebrochen Bar 1 EM/04.12.78 werden muß. Dies ist insbesondere wichtig bei der Herstellung versetzungsfreier Siliciumcinkristalle, bei der oft mehrere Schmelz zonendurchgänge erforderlich sind.
Die Erfindung stellt eine weitere Verbesserung der eingangs erwähnten Induklionsheizspule dar und ist dadurch gekennzeichnet, daß die eine Hälfte des Induktionsteils mit der Spule fest verbunden ist und die Trennflächen der Innenteilhälften senkrecht zur Spulenebene liegen.
In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, an den Trennflächen der Innenteilhälften Stege aus leitendem Material zur Verbindung der beiden Hälften anzubringen. Gemäß einem besonderen günstigen Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung bestehen diese Verbindungsstege aus versilbertem Messing und sind durch Hartlöten an den
ίο lnneneinsatzhäiften befestigt
Zweckmäßigerweise besteht die Spule aus Kupfer und/oder Silber.
Diese Induktionsheizspule hat gegenüber der in der Hauptpatentanmeldung beschriebenen Induktionsheiztpule den Vorteil, daß sie leichter herzustellen und zu montieren ist. Für die Herstellung von Siliciumeinkristallstäben durch das tiegelfreie Zonenschmelzverfahren ist es auch im Dauerbetrieb sehr gut geeignet.
Nähere Einzelheiten der Erfindung sind den in der Zeichnung befindlichen F i g. 1 und 2 zu entnehmen.
Fig.! zeigt in Draufsicht eine aus den zwei Teilen ί und 2 bestehende Induktionsheizspule. Zum Teil 1 gehört, wie aus Fig. 1 zu ersehen ist, die ringförmige Innenteilhälfte 3 mit den sie umgegebenden Windungen 4 und 5 sowie der Stromzuführung 6. Teil 2 enthält die ringförmige Innenteilhälfte 7 und die Stromzuführung 8. Zur Verbindung der beiden Teile I und 2 sind an der jeweiligen Trennfläche 9 und 10 der Innenteilhälften 3 und 7 Stege in Form von Verbindungsflanschen 11 und
jo 12 angelötet, welche beim Zusammenbau der Spule in Kontakt gebracht und durch eine Schraubenverbindung miteinander verbunden werden. Dabei liegt die Trennfuge zwischen den beiden Innenteilhälften 3 und 7 senkrecht zur Spulebene. Die Montage der Spule um den bereits in Halterungen eingespannten Halbleiterstab ist sehr einfach, da die Innenteilhälfte 2 lediglich mittels der Schrauben 17, welche oben und unten durch die in den Flanschen 11 und 12 befindlichen Löcher 13 und i4 hindurchgeführl sind, mit der Jie Spulenwindungen 4 und 5 enthaltenden Innenteilhälfte 1 verbunden wird.
Fig. 2 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt der Verbindungsstelle an den beiden Innenteilhälften. Dabei ist der für den Kühlwasserdurchfluß der Spule vorgesehene Kanal mit 15 und die Gummidichtung mit 16 bezeichnet. Ansonsten gelten die gleichen Bezugszeichen wie in F i g. 1.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Wassergekühlte Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Stäben aus Halbleitermaterial, die mindestens zwei durch Schraubverbindungen miteinander verbundene Bauteile aufweist, ein- oder mehrwindig ausgebildet ist und zwei Inntenteile aufweist, die mit dem inneren Windungsteil in Kontakt stehen, nach Patentanmeldung P 21 60 694.0-43, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Hälfte des Innenteils mit der Spule fest verbunden ist und die Trennflächen der Innenteilhälften senkrecht zur Spulebene liegen.
2. Induktionsheizspule nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an den Trennflächen der Innenteilhälften Stege aus leitendem Material zur Verbindung der beiden Hälften vorgesehen sind.
3. Induktionsheizspule nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungsstege aus versilbertem Messing bestehen und durch Hartlöten an den lnneneinsatzhäiften befestigt sind.
DE19732304974 1972-11-24 1973-02-01 Wassergekühlte Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Stäben aus Halbleitermaterial Expired DE2304974C3 (de)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2938793A1 (de) * 1979-09-25 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen
JPH0363294U (de) * 1988-11-17 1991-06-20
FR2654583B1 (fr) * 1989-11-22 1992-09-11 Expanchimie Procede d'extraction du cholesterol contenu dans une matiere grasse d'origine animale.

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DE2304974B2 (de) 1979-10-11
BE810520R (fr) 1974-05-29
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