DE2240044C3 - Verfahren zum Züchten synthetischer Granate - Google Patents

Verfahren zum Züchten synthetischer Granate

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DE2240044C3
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
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    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/28Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets

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Description

Galliumoxid-Oberschuß von 4 Gewichtsprozent, für verschiedene Sauerstoffkonzentrationen.
Die in der Fig. 1, 2 und 3 aufgezeichneten Daten zeigen bei verschiedenen Sauerstoffkonzentrationen, das eine bestimmte Zeitspanne vor dem Züchten erforderlich ist, um eine vollständige Oxidation von Ausfällungen zu erreichen. So kann man aus Fig. 1 ersehen, daß bei 2 Volumenprozent Sauerstoff etwa anderthalb Stunden erforderlich sind, um die Ausfällungen zu eliminieren, wohingegen bei einem halben Volumenprozent Sauerstoff eine Zeitspanne von etwa 7 Stunden nötig ist, um dieses Ziel zu erreichen. Die Fig. 2 und 3 stellen in graphischer Form Daten für Gadolinium-Galliumgranat-Schmelzen mit einem Überschuß von 4 Gewichtsprozent Gadoliniumoxid bzw. Galliumoxid dar. Die in diesen Figuren aufgezeichneten Ergebnisse zeigen, daß die zum Eliminieren von Ausfällungen erforderlichen Zeitspannen voi dem Züchten im wesentlichen für jeden Fail gleich sind.
Beispiel 1
214,85 g Gadoliniumoxid und 185,15 g Galliumoxid, beide kommerziell beschafft, wurden in einem Iridiumschmelztiegel gewogen und auf die Temperatur des Schmelzpunktes der Mischung von etwa 1700 C in einem HF-Induktionsofen erhitzt. Der Schmelztiegel wurde darauf zusammen mit seinem Inhalt auf einer Temperatur von 1750 C gehalten. Bei dieser Temperatur war die gesamte Ladung flüssig. Vor dem Einleiten von Sauerstoff wurde die Schmelze eine halbe Stunde lang in einer neutralen Stickstoffatmosphäre gehalten, um eine konstante Bildungsrate des reduzierten Gemisches sicher zu stellen. Danach wurde Sauerstoff mit einem Partialdruck von 15,2 mm Quecksilbersäule in das System eingeführt, und die Schmelze 2 Stunden lang in dieser Atmosphäre bei einer Temperatur von 1750 C gehalten. Anschließend wurde ein 51 · IO-3 cm dicker Platindraht mit einem Impfkristall aus Gadolinium-Galliumgranat in die Schmelze getaucht, und das Czochralski-Ziehverfahren angewendet und ein Gadolinium-Galliumgranat mit 13 mm Durchmesser mit einer Züchtungsrate von 5 mm pro Std. in der 2 Volumenprozent Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre gezüchtet. Eine Scheibe aus der Mitte des Längsschnitts des gezüchteten Kristalls wurde zur Bestimmung der Einschlußdichte analysiert. Es wurde festgestellt, daß der in flüssigem Granat normalerweise auftretende Reaktionszerfall, der in einer neutralen Atmosphäre über die gesamte Länge des Kristalls zu Einschlußbildung führt, in der oxidierenden Atmosphäre nicht auftrat. Die Einschlußdichte betrug O.
55
Beispiel 2
Das Verfahren nach Beispiel 1 wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß der Sauerstoffpartialdruck vor und während des Züchtens auf 0,5 Volumenprozent gehalten wurde, wobei der Verfahrensabschnitt vor dem Züchten 7 Std. dauerte. Es wurde festgestellt, daß die Einschlußdichte in dem sich ergebendem gezüchteten Kristal.! O betrug.
Beispiel 3
Das Verfahren nach Beispiel 1 wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß der Sauerstoffpartialdruck vor und während des Züchtens auf einem Volumenprozent gehalten wurde, wobei der Verfahrensabschnitt vor dem Züchten 5 Std. dauerte. Es wurde eine Einschlußdichte O in dem gezüchteten Kristall gefunden.
Beispiel 4
Das Verfahren nach Beispiel 1 wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß die Schmelze 4 Gewichtsprozent Gadoliniumoxid im Überschuß enthielt, wobei der Verfahrensabschnitt vor dem Züchten 2 Std. dauerte. Der gezüchtete Kristall hatte die Einschlußdichte O.
Beispiel 5
Das Verfahren nach Beis siel 2 wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß die Schmelze 4 Gewichtsprozent Gadoliniumoxid im Überschuß enthielt, wobei der Verfahrensabschnitt vor dem Züchten 4 Std. dauerte. Der gezüchtete Kristall hatte die Einschlußdichte O.
Beispiel 6
Das Verfahren nach Beispiel 3 wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß die Schmelze 4 Gewichtsprozent Gadoliniumoxid im Überschuß enthielt, wobei der Verfahrensabschniu vor dem Züchten 4 Std. dauerte. Der gezüchtete Kristall hatte die Einschlußdichte O.
Beispiel 7
Das Verfahren nach Beispiel I wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß die Schmelze 4 Gewichtsprozent Galliumoxid im Überschuß enthielt, wobei der Verfahrensabschniu vor dem Züchten 2,5 Std. dauerte. Der gezüchtete Kristai! hatte die Einschlußdichte O.
Beispiel 8
Das Verfahren nach Beispiel 2 wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß die Schmelze 4 Gewichtsprozent Galliumoxid im Überschuß enthielt, wobei der Verfahrensabschnitt vor dem Züchten 7 Std. dauerte. Der gezüchtete Kristall hatte die Einschlußdichte O.
Beispiel 9
Das Verfahren nach Beispiel 3 wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß die Schmelze 4 Gewichtsprozent Galliumoxid enthielt, wobei der Verfahrensabschniu vor dem Züchten 5 StO. dauerte. Der gezüchtete Kristall hatte die Einschlußdichte O.
Beispiel 10
Das Verfahren nach Beispiel 1 wurde unter Verwendung von 70,59 g Gadoliniumoxid, 17,91 g Scandiumoxid und 36,50 g Galliumoxid wiederholt. Die Schmelztemperatur betrug 1825"C. Vor dem Züchten wurde die Temperatur 2 Std. lang auf 1875 C erhöht. Der gezüchtete Gd3Sc2Ga3O12-KrIsIaIl hatte die Einschlußdichte O.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

nie Anwendungeiner sauerstoffhaltigen Atmosphäre Λ Temreraturen von 650 bis 800JC bei der Film-Patentansprüche: uocknungdient hier ausschließlich der Kristallisation
1. Verfahren zum Züchten synthetischer Granate des Fl1™^ der französischen Patentschrift 1 474 141 der allgemeinen Formel M3Me4Me^O12, in der M 5 AV~\f rf ._ ^1 Herstellung von einkristallinen mindestens ein Element aus der Gruppe Seltenen- ist ein V(=r G t. md anderen Kristallen beErden der Atomzahl 62 bis 71 bedeutet, Me aus und hexagow ^^ langsames Abkühlen der der Gruppe aus Gallium und Scandium ausgewählt £annt\ """.· aaem geeigneten Nährstoff und ist und Me' Gallium und O Sauerstoff darstellen, s.chme^.'™Vj Flußmittel besteht. Um den Verlust bei dem eine Schmelze aus den beteiligten Granat- io «™**W£to während der relativ langen Beheikt i Oidf htllt und ein lesnuum
£to während der relati g Behei
komponenten in Oxidform hergestellt und ein lesnuum sdjmebe md der langsamen Abküh-Granatkristall im Kristallziehverfahren gezüchtet ■■»»«»? « reduzieren und der Zerstörung des die wird dadurch gekennzeichnet daß ·""#*!" PliTil b
i g ? reduzieren und der Zerstörung des die
wird, dadurch gekennzeichnet, daß ·""#*!" enthaltenden Platin-Tiegels vorzubeugen,
die Schmelze vor dem Kristallin einer sauer- Schmelze «Ujwai ^^ Gasdnick yon 10 ^
Sff wird aieN h
die Schmelze vor dem Kristallin einer saue j ^^ Gasdnick yon 10 ^
stoffhaltigen Atmosphäre mit einem Sauerstoff- .5 wird ^aieN durchgeführt, wobei die Atmosphäre in
Partialdruck im Bereich von 3,8 bis 19,4 Torr fur I^kg/cm durchget r^ Sauerstoff u^u^ k
die Dauer von I bis 10 Stunden ausgesetzt wird, "^J^^reich von Granaten, die nach
wobei die kürzeren Zeitspannen den höheren „"u?° „«führten Verfahren hergestellt wurden.
Sauerstoffdrücken und umgekehrt zugeordnet sind, df .^"^SSsse kleiner Partikeln beschränkt,
und daß der Sauerstoff-Partialdruck innerhalb des ao ,st durch &*«*« iSlkomrnenheit der Granate
Partialdruckbereiches für die Dauer des Knstail- -^^X^oberflächenquaütät beeinträch-
Wachstums aufrechterhalten wird. unü oesonuci»
tus afrhter
2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch ^5J- rfjd hat ^ sich zur Aufgabe gemacht, ein gekennzeichnet, daß die Schmelze eines der ^^n^ächten von synthetischen Granaten Oxide in einem Überschuß bis zu 7 Gewichts- a5 Verfahren z«m w dem die Entstehung von Prozent über dessen stöchiometnscher Menge auf- J*£*^ J^ düniniert wird.
W, w -ru UA UiJ-J λ* Piese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch
3. Verfahren nach Anspruch 1 ode. Z,da- De«' ™& yor dem KristaIIziehen einer
rüÜ Ä'™^"?1 ' f f'e , ,o Sueioffhaltigen Atmosphäre mit einem Sauerstoff-Überschuß an Galliumoxid aufweist. 3« sauersxonnaiugt κ
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch Partialdruck ,mlB^h von^3« Tojt f ur d. gekennzeichnet, daß ein Sauerstoff-Partialdruck Dauer von 1 bis 10 Stunden ausgesetzt wire1 wobei In 15,2 Torr vor und während des Krista..- dK: kürze-^^ ^^^^St Wachstums aufrechterhalten w.rd. StoSartSruck innerhalb des Partialdruck-
bereichs für die Dauer des Kristallwachstums aufrechterhalten wird.
Nach einer Weiterbildung der Erfindung kann die
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Züchten Schmelze eines der Oxide in einem Ü^rschuß bis m
synthetischer Granate der allgemeinen Formel 4o 7 Gewichtsprozent über des^n..st^Xe^en v""
M3MeaMe'3O12, in welcher M mindestens ein Element geundeinen Überschuß an Gallmmo^'11^Tt!
aus dir Gruppe der Seltenen-Erden der Atomzahl und während des Knstal Wachstums kann^eu^ Sauer-
bis 71 bedeutet, Me aus der Gruppe aus Gallium stoff-Partialdruck von 15,2 Torr aufrechterhalten
und Scandium ausgewählt ist und Me' Gallium und O werden.
Sauerstoff darstellen, bei dem eine Schmelze aus den 45 Die Verwendung von GaHiiirn und von Seltene-
Oxiden der beteiligten Granatkomponenten hergestellt Erden-Oxiden im Überschuß über die angegebenen
und ein Granatkristall im Kristallziehverfahren herge- Grenzen hinaus führt zur BiWung eines polyknstal-
stellt wird. linen Materials, das fur elektronische Bauelemente
Aus der deutschen Offenlegungsschrift 2 041 847 praktisch wertlos ist.
ist ein Verfahren zur Herstellung einkristalliner 50 Experimentell wurde festgestellt, daß die nach dem
ferrimagnetischer Filme bekannt, bei dem auf dem erfindungsgemäßen Verfahren durchgeführte Züchtung
Substratmaterial aus Granat mit den Kristallrichtun- von Granaten zur totalen Ehmimerung der schädlichen
gen [1111 oder [100] und der Summenformel R3Al6O12, Einflüsse geführt hat.
in der R Yttrium oder ein Element der Seltenen- Die Erfindung ist nachfolgend mit Ausfuhrungs-
Erden-Metaile ist, ein Film aufgebracht wird aus 55 beispielen an Hand der Zeichnung naher erläutert.
einem Material mit der Summenformel Es zeigt . _ „ . r- ui η
Fig. 1 eine graphische Darstellung der Einschluß-
Gd3-JrM^Fe5O12, dichte jn Abhängigkeit von der Züchtungszeit für
und bei dem der Film einer sauerstoffhaltigen Atmo- stöchiometrische Schmelzen von Gadoliniumgallium-
Sphäre ausgesetzt wird, bis die Kristallisation statt- 60 granat bei verschiedenen Sauerstoffkonzentrationen,
findet Fig. 2 eine graphische Darstellung der Einschluß-
Das Aufbringen des Filmes auf das Substratmaterial dichte in Abhängigkeit der Züchtungszeit, für Schmel-
erfolgt durch Spinnen aus einer wäßrigen Lösung zen aus Gadoliniumgalliumgranat, mit 4 Oewicnts-
geeigneter Zusammensetzung mit nachfolgender Um- prozent Gadoliniumoxid Überschuß, bei Verwendung
Wandlung in den kristallinen Zustand. Durch Erhitzen 65 verschiedener Sauerstoffkonzentrationen,
auf Temperaturen von ungefähr 650 bis 8000C. In Fig. 3 eine graphische Darstellung der Einschluß-
Anwensenheit einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre dichte in Abhängigkeit von der Zucntungszeit, fur
wird dann der kristalline Granat gewonnen. Schmelzen aus Gadoliniumgalliumgranat mit einem
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SE (1) SE385437B (de)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS529438B2 (de) * 1973-01-16 1977-03-16
US4187139A (en) * 1973-02-14 1980-02-05 U.S. Philips Corporation Growth of single crystal bismuth silicon oxide
JPS5611679B2 (de) * 1973-03-14 1981-03-16
US4040890A (en) * 1975-06-27 1977-08-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Neodymium oxide doped yttrium aluminum garnet optical fiber
NL7606482A (nl) * 1976-06-16 1977-12-20 Philips Nv Eenkristzl van calcium-gallium-germanium granaat, alsmede substraat vervaardigd van een dergelijk eenkristzl met een epitaxiaal opgegroeide beldo- meinfilm.
US4199396A (en) * 1976-06-24 1980-04-22 Union Carbide Corporation Method for producing single crystal gadolinium gallium garnet
US4302280A (en) * 1978-11-14 1981-11-24 Texas Instruments Incorporated Growing gadolinium gallium garnet with calcium ions
US4315832A (en) * 1979-03-05 1982-02-16 Hughes Aircraft Company Process for increasing laser crystal fluorescence yield by controlled atmosphere processing
GB2047113B (en) * 1979-04-12 1983-08-03 Union Carbide Corp Method for producing gadolinium gallium garnet
FR2469478A1 (fr) * 1979-11-09 1981-05-22 Rhone Poulenc Ind Procede de fabrication de grenat polycristallin comportant l'aluminium et/ou le gallium et/ou l'indium et au moins un element pris dans le groupe constitue par les terres rares et l'yttrium, monocristaux correspondants
FR2469477A1 (fr) * 1979-11-09 1981-05-22 Rhone Poulenc Ind Procede de fabrication de grenat polycristallin, grenat polycristallin et monocristal correspondant
JPS5988398A (ja) * 1982-11-08 1984-05-22 Shin Etsu Chem Co Ltd ガリウムガ−ネツト単結晶の製造方法
US5691279A (en) * 1993-06-22 1997-11-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army C-axis oriented high temperature superconductors deposited onto new compositions of garnet
WO2004073024A2 (en) * 2003-02-06 2004-08-26 Brown University Method and apparatus for making continuous films ofa single crystal material

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3272591A (en) * 1959-05-08 1966-09-13 Union Carbide Corp Production of single crystals from incongruently melting material
US3079240A (en) * 1960-05-13 1963-02-26 Bell Telephone Labor Inc Process of growing single crystals

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Publication number Publication date
SE385437B (sv) 1976-07-05
DE2240044A1 (de) 1973-03-01
IT964946B (it) 1974-01-31
DE2240044B2 (de) 1974-05-09
GB1394290A (en) 1975-05-14
CA954776A (en) 1974-09-17
US3723599A (en) 1973-03-27
BE787642A (fr) 1972-12-18
NL7208408A (de) 1973-02-20
NL146403B (nl) 1975-07-15
FR2149518B1 (de) 1975-09-12
JPS4831200A (de) 1973-04-24
FR2149518A1 (de) 1973-03-30
JPS5246198B2 (de) 1977-11-22

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