DE2205991B2 - Verfahren zur bildung eines fuer lawinendurchbruch vorgesehenen uebergangs in einem halbleiter-bauelement - Google Patents

Verfahren zur bildung eines fuer lawinendurchbruch vorgesehenen uebergangs in einem halbleiter-bauelement

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DE2205991B2 DE19722205991 DE2205991A DE2205991B2 DE 2205991 B2 DE2205991 B2 DE 2205991B2 DE 19722205991 DE19722205991 DE 19722205991 DE 2205991 A DE2205991 A DE 2205991A DE 2205991 B2 DE2205991 B2 DE 2205991B2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1.
Wenn bei einer pn-Diode, wie sie der Emitter-Basis-Übergang eines npn-Transistors darstellt, eine genügend große Sperrspannung an den Übergang angelegt wird, bricht er durch und leitet in der Sperrichtung. Diese Eigenschaft ist als Lawinendurchbruch bekannt. Übergänge dieser Art werden typischerweise mittels Diffusion von Dotierstoffen, die den Leilfähigkeitstyp der diffundierten Zone umzukehren vermögen, durch öffnungen in Masken hindurch gebildet. Der sich ergebende Übergang zeichnet sich durch einen planaren Mittelteil und einen gekrümmten, umlaufenden Randteil aus, der bis zur Oberfläche reicht. Diese Form des Übergangs begünstigt das Auftreten des Durchbruchs an der Oberfläche oder am gekrümmten Rand des Übergangs. Ein Durchbruch an der Oberfläche kann die Wirkungsweise des Übergangs und deshalb die Leistungsfähigkeit des Transistors verschlechtern.
Ein Oberflächendurchbruch läßt sich vermeiden, wenn man die in der US-PS 33 45 221 beschriebene s Methode anwendet. Dabei wird zur Vergrößerung der Sperrichtungsdurchbruchsschwelle an der Oberfläche einer Diode am oberen Ende einer p + -leitenden Schicht eine p-leitende Schicht aufgebracht. Bei Anwendung dieser bekannten Methode sind bereits für eine
lu Lawinendurchbruchsdiode ein Epitaxieschritt, ein Oxidmaskenschritt und ein Diffusionsschritt oder zwei Oxidmaskenschritte und zwei Diffusionsschritte erforderlich. Zur Herstellungeines Lawinendurchbruchstransistors wären bei Anwendung dieser Methode entweder zwei Maskierungs-, zwei Diffusionsschritte und ein zwischen den Diffusionsschritten durchzuführender Epitaxie-Schritt erforderlich oder drei Maskierungsunddrei Diffusionsschriae.
Aus der US-PS 35 14 846 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Lawinendurchbruch-Photodiode bekennt, bei dem der Lawinendurchbruch an der Oberfläche des Bauelementes ebenfalls dadurch verhindert wird, daß auf ein ρ+ -leitendes Substrat eine p-leitende Epitaxieschicht aufgebracht und diese selek-
tiv maskiert und η-leitend diffundiert wird. Bei Anwendung dieses bekannten Verfahrens zur Herstellung eines Lawinendurchbruchstransistors wären — wenn man von der Herstellung der Kontaktierungsschichten absieht — zwei Oxidmaskenschritte, ein
jo Epitaxieschritt und zwei Diffusionsschritte erforderlich.
Aus dem IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 13,
Nr. 6, November 1970, Seiten 1423 bis 1424, IS1 eine Methode zur Herstellung eines schnellen Transistors bekannt, bei dem der Tunneldurchbruch an der Transistoroberfläche vermieden wird, indem die Dotierungskonzentration an der Oberfläche des Emitter-Basis-Übergangs reduziert wird. Zu diesem Zweck werden zwei Basisdiffusionen und zwei Emitterdiffusionen durchgeführt. Für die erste Basisdiffusion wird in einem ersten Maskierungsschritt eine relativ große Diffusionsöffnung erzeugt. Für die zweite Basisdiffusion wird auf der ersten Oxidmaske eine zweite Oxidschicht erzeugt, die in einem über der ersten Basisdiffusionszone liegenden Bereich mit einer relativ kleinen Diffusionsöffnung versehen wird. Nach Durchführung der zweiten Basisdiffusion wird durch dieselbe Diffusionsöffnung die erste Emitterdiffusion vorgenommen. Danach wird diese Diffusionsöffnung durch Ätzen vergrößert und eine zweite Emitterdiffusion durchgeführt. Durch dieses Herstellungsverfahren liegt der Basis-Emitter-Übergang an der Transistoroberfläche im Bereich der p-leitenden ersten Basisdiffusionszone, während der restliche Bereich des Basis-Emitter-Übergangs in dei p + -leitenden zweiten Basisdiffusionszone liegt. Urr einen noch nicht mit Kontaktierungsschichten versehe nen Transistor herzustellen, sind bei diesem bekannter Verfahren zwei Maskierungsschritte, ein Maskenöff nungserweiterungsschritt und vier Diffusionsschrittf erforderlich.
bo In der Halbleitertechnologie besteht eines dei wichtigsten Ziele darin, die Anzahl der während de: Herstellungsverfahrens benötigten Maskierungsschritti so klein wie möglich zu machen. Denn es ist bei de Massenherstellung vor. Halbleiter-Bauelementen nich
i,5 nur zeitraubend, sondern auch nur in begrenzten Rahmen möglich, trotz Beobachtung durch das Mikro skop Photomasken über einer bereits eine Struktu aufweisenden Halbleiteroberfläche exakt zu justierer
Fs müssen deshalb Maskeniustiertoleranzen in Kauf genommen werden, die neben dem zeitraubenden und damit verteuernd wirkenden Effekt auch zu Streuungen im Verhalten der einzelnen bauelemente führen, insbesondere bei sehr schnellen oder hochfrequenten Transistoren, wobei diese Streuungen bis zur Funktionsunfähigkeit reichen können. Ferner wird immer eine Reduzierung der erforderlichen Diffusionsschritte angestrebt, weil bei jedem zusätzlichen Diffusionsschritt infolge der damit einhergehenden Erwärmung des Halbleitermaterials auf hohe Temperaturen solche Dotierstoffe, die in vorangehenden Dotierungsschritten eingebracht worden sind, in einer erneuten Diffusion weiter in das Halbleitermaterial eindringen. Ein solches Nachdiffundieren führt jedoch ebenfalls zu Herstellungstoleranzen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren verfügbar zu machen, mit dem unter Ausführung einer möglichst geringen Anzahl von Herstellungsschritten in einem Halbleiterbauelement ein Übergang, an dem ein Lawinendurchbruch möglichst nur im Inneren und nicht an der Oberfläche des Halbleiterbauelementes auftritt, hergestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird bei dem im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Verfahren durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 genannten Merkmale gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen dieses Verfahrens sind in den Unteransprüchen angegeben.
Mit dem Verfahren nach der Erfindung kann ein Lawinendurchbruch-Transistor unter Verwendung einer Oxidmaske mit einer öffnung, durch welche sowohl die Basis- als auch Emitterdiffusion stattfindet, hergestellt werden. Die Vergrößerung der seitlichen Ausdehnung der öffnung bewirkt, daß der Oberflächenbereich des Emitter-Basis-Übergangs in einem Bereich gebildet wird, in dem die Dotierungskonzentration geringer ist als entlang des flachen Hauptbereiches des Übergangs, und deshalb findet ein Lawinen-Durchbruch unterhalb des Oberflächenbereichs des Emitter-Basis-Übergangs statt.
Die Vergrößerung der öffnung führt dazu, daß der Oberflächenbereich des Emitter-Basis-Überganges näher zum Kollektor des Transistors hin gebildet wird, als es der Fall wäre, wenn die öffnung nicht vor der Emitterdiffusion vergrößert worden wäre. Dies bringt die Möglichkeit mit sich, daß verstärkt Emitter-Kollektor-Kurzschlüsse auftreten. Um den Schutz gegen Emitter-Kollektor-Kurzschlüsse zu vergrößern, ohne die effektive Basisweite zu verringern, wird bei einer vorteilhaften Ausführungsform eine η-leitende Epitaxieschicht auf ein η+-leitendes Substrat aufgebracht, und dann wird eine p-leitende Basis vollständig durch die Epitaxieschicht hindurch bis in das η+ -leitende Substrat diffundiert. Da hierbei eine Basisdiffusion durchgeführt wird, die in seitlicher Richtung größer ist als in vertikaler Richtung, wird ein größerer Abstand zwischen dem Emitter und dem Kollektor gewährleistet, und dies verringert die Möglichkeit von Emitter-Kollektor-Kurzschlüssen, ohne die effektive Basisweite zu h) erhöhen.
Im folgenden soll die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläuter« werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigt
F i g. 1 einen Querschnitt durch einen Transistor, h.
Fig. 2A bis 2D den Transistor von Fig. 1 'n verschiedenen Herstellungsstufen,
Fig. 3 eine graphische Darstellung einer Oberflächendotierungskonzentration als Funktion des Abstandes.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten Transistor 10 ist ein einkristallines Siliziumplättchen 11 zusammengesetzt aus einem Haupttei! 12 aus n-lcitendem Material niedrigen spezifischen Widerstandes und einem Oberflächenteil mit einer η-leitenden Zone 14 höheren spezifischen Widerstandes, die eine begrenzte n-leitende Zone 18 niedrigen spezifischen Widerstandes umgibt. Die Zone 18 bildet mit einer Zone 16 einen im wesentlichen ebenen pn+ -Übergang. Die Zone 16 bildet auch einen im wesentlichen flachen pn-übergang 20A mit dem Hauptteil 12 des Substrates und einen gekrümmten Randteil 20S mit der η-leitenden Zone 14.
Wenn der durch die Zonen 16 und 18 gebildete pn-übergang genügend in Sperrichtung vorgespannt ist, wird ein Lawinen-Durchbruchbetrieb erreicht. Der Durchbruch neigt normalerweise dazu, an der Übergangsoberfläche 22Λ oder entlang des gekrümmten Übergangsteils 22B aufzutreten. Ein Grund für den unerwünschterweise bevorzugt an der Oberfläche auftretenden Durchbruch ist die Wirkung des unterbrochenem Übergangs auf elektrische Feldlinien. Wiederholter Durchbruch an der Oberfläche 22Λ neigt zur Zerstörung des Bauelementes und verschlechtert damit dessen Wirkungsweise. Wenn die Dotierungskonzentration an der Übergangsoberfläche 22Λ bedeutend verringert wird, besteht die Neigung, daß der Durchbruch von der Oberfläche entfernt entlang dem gekrümmten Teil 22ß oder dem relativ flachen Übergangsteil 22C auftritt. Dadurch wird eine Verschlechterung der Transistorwirkungsweise vermieden.
Ein Metallkontakt 24 ist mit der Zone 18 verbunden, die als Emitter dient. Die Epitaxieschicht 14 wirkt als Kollektor. Ein Metallkontakt 26 ist mit der n + -leitenden Zone 28 verbunden, die von der Epitaxieschicht 14 umgeben und mit dieser in elektrischem Kontakt ist.
Der in F i g. 1 dargestellte Transistor mit nicht kontaktierter Basis kann folgendermaßen hergestellt werden. Es sei F i g. 2A betrachtet. In einem einkristallinen Siliziumplättchen 12 ist Arsen der bei weitem vorherrschende Dotierstoff mit einer Konzentration von etwa 1018 Atomen pro cm3, um zu einem η+ -leitenden Plättchen mit einem spezifischen Widerstand von etwa 0,03 Ohm · cm zu kommen. Auf einer Oberfläche des Siliziumplättchens 12 ist unter Verwendung herkömmlicher Methoden eine etwa 2 μΐη dicke Epitaxieschicht 32 aufgewachsen. In dieser Schicht ist Arsen der vorherrschende Dotierstoff mit einer Konzentration von etwa 1015 Atomen/cm3, um zu einer η-leitenden Schicht mit einem spezifischen Widerstand von etwa 0,5 Ohm- cm zu kommen. Als nächstes läßt man unter Verwendung herkömmlicher Methoden eine 8000 Ä dicke Oxidschicht 30, typischerweise aus Siliziumdioxid, oben auf die Epitaxieschicht 32 aufwachsen, und darauf wird eine öffnung in dem Oxid gebi'det. Dann wird unter Verwendung wohlbekannter Methoden Bor als Dotierstoff durch die gesamte öffnung in der Maskierungsschicht in den freigelegten Mittelteil der Epitaxieschicht bis zum Substrat und in das Substrat hinein diffundiert. Der Bordotierstoff wandelt die Zone, in welche man diffundiert hat und die als Basis 34 des Transistors dient, von η-leitendem in p-hitendes Materia! urn. Die p-leiten.de Basisdiffusion 34 bii.i^t mit dem η+ -leitenden Substrat 12 und der n-leitenien Epitaxieschicht 32 einen pn-Übergang.
Normalerweise ist die seitliche Ausdehnung der Diffusion eines pn-Überganges etwa ihrer vertikalen
Ausdehnung gleich; in diesem Fall war jedoch die seitliche Ausdehnung der Basis etwa 3 μηι, während die vertikale Ausdehnung nur etwa 2 μηι betrug. Die vergrößerte seitliche Diffusion wird durch die Tatsache erreicht, daß, wenn die vertikale Basisdiffusion das η+ -leitende Substrat erreicht, die Konzentration der p-Dotierstoffe kleiner ist als die Konzentration der n-Dotierstoffe. Dadurch wird die vertikale Diffusion effektiv angehalten, während die seitliche Diffusion in der Epitaxieschicht weiterläuft.
Das Plättchen wird dann einer gepufferten Fluorwasserstoff-Ätzlösung ausgesetzt, die etwa 2500 A von der Oxidschicht und irgendwelche Verunreinigungen entfernt, die sich über der freigelegten Epitaxiezone gebildet haben können. Der sich ergebende Aufbau ist in F i g. 2B dargestellt, wo der Durchmesser der öffnung in der Oxidmaske 36 um einen Betrag Ix3 vergrößert worden ist.
Es wird nun F i g. 2C betrachtet. Es wird nun eine Fotolackbeschichtung auf dem gesamten Plättchen aufgebracht, und unter Verwendung herkömmlicher Methoden wird eine zweite öffnung in der Oxidschicht gebildet, um eine zweite Zone in der Epitaxieschicht freizulegen. Das Plättchen wird dann in einen Phosphordiffusionsofen gebracht, wo ein n-Leitungstyp liefernder Döiierstöff durch sowohl die verbreiterte erste öffnung als auch die zweite öffnung diffundiert wird, um η+ -leitende Zonen 18 und 28 zu bilden. Diese Diffusion wandelt die Zone 18 vom p-leitenden Material in einen n + -leitenden Emitter und die Zone 28 vom η-leitenden Material der Epitaxieschicht in eine Zone η + -leitenden Materials um.
Die Basiszone 16 umgibt die Zone 18 und bildet mit ihr einen pn+ -Übergang mit einem Oberflächenteii 22Λ, einem gekrümmten Teil 22ß und einem relativ flachen Teil 22C. Die η+ -leitende Zone 28 wurde in der Epitaxieschicht 14 gebildet, um eine Oberfläche mit niedrigem spezifischen Widerstand zu erzeugen, um auf dieser einen Metallkontakt aufzubringen. Unter Verwendung herkömmlicher Methoden wird ein Metallkontakt 26 auf der η+ -leitenden Zone 28 und ein anderer Metallkontakt 24 auf der η+ -leitenden Zone 18 gebildet.
Es wird nun F i g. 2D betrachtet, wo eine vergrößerte Teilansicht der Fig. 2C dargestellt ist. Der Betrag der Verschiebung des Öffnungsrandes in der Oxidmaske ist durch x3 dargestellt. Unter Verwendung des Randes der ursprünglichen öffnung als Bezugspunkt ist der Abstand, an welchem sich der Oberflächenteil des Emitter-Basis-Überganges bildet, als *2 dargestellt. Der Abstand, an welchem sich der Übergang gebildet hätte, wenn die Öffnung vor der Emitterdiffusion nicht vergrößert worden wäre, ist als Ai dargestellt, und der gekrümmte Teil des Übergangs 38 ist mit einer gestrichelten Linie gezeigt.
Als nächstes wird F i g. 3 betrachtet. Es ist dort eine einfach logarithmische grafische Darstellung der Emitter- und der Basis-Oberflächendotierungskonzentration als Funktion des Abstandes vom ursprünglichen Öffnungsrand in der -+· v-Richtung aufgetragen. Der Punkt .V = O entspricht dem Rand der ursprünglichen öffnung vor der Verbreiterung. Kurve 1 ist die grafische Darstellung der Basis-Oberflächendotierungskonzeniration als Funktion des Abstandes vom Bezugspunkt \ — 0. Die gestrichelte Kurve 2 stellt eine angenommene grafische Darstellung der Eminer-Oberflächendonerungskonyentrauon ir. Abhängigkeit vom Abstand unier -kr ^nn-lin-c d,:r. -±-.J. :l·.? Emitter- und die ßasisdiffusion beide durch die ursprüngliche, nicht vergrößerte öffnung durchgeführt worden sind. Kurve 3 ist eine grafische Darstellung der wirklichen Emitter-Oberflä chendotierungskonzentration, die man bei Anwendung der Erfindung erhält; d. h„ wenn die öffnung vor der Emitterdiffusion um einen Betrag x., (siehe Fig. 2D) vergrößert worden ist.
Der Wert y\ der y-Koordinate, der den Schnittpunk! der Kurven 1 und 2 bedeutet, ist die Dotierungskonzen tration, die an der Oberfläche eines pn-Überganges auftreten würde, der durch Diffundieren der Basis- und der Emitter-Dotierstoffe durch die ursprüngliche, nicht vergrößerte öffnung gebildet würde. Der Wert der Dotierstoffkonzentration entlang des flachen Hauptbc reiches einer solcherart hergestellten Diode würde etwa dem Oberflächenwert gleich sein. Wie schon diskutiert wurde, wäre dies ein unerwünschter Zustand, da ein Lawinen-Durchbruch in diesem Fall dazu neigen würde, entlang der Oberfläche des pn-Überganges aufzutreten.
was die Transistorwirkungsweise verschlechtern würde. Es ist deshalb wünschenswert, die Oberflächenkonzen tration der Dotierstoffe zu verringern, ohne die Hauptteilkonzentration zu beeinflussen, um zu errei chen, daß der Durchbruch unterhalb der Oberfläche auftritt.
Kurve 3. die eine grafische Darstellung der wirklichen Emitteroberflächendotierstoff-Konzentration in Ab hängigkeit vom Abstand zur ursprünglichen öffnung darstellt, ist identisch mit Kurve 2, ausgenommen daß sie von Kurve 2 um einen Betrag xs versetzt ist. Der Betrug der Versetzung von Kurve 3 bezüglich der Kurve 2 ist bestimmt durch eine Verschiebung der Kurve 2 in -x-Richtung, bis sie Kurve 1 an der /-Koordinate v. schneidet, die um mindestens eine Größenordnung kleiner als y\ ist. Der Verschiebungsbetrag x., ist der effektive Betrag, um den die öffnung vor der Emitterdiffusion vergrößert werden muß, um die Oberflächenkonzentration der Dotierstoffe des resume renden pn-Überganges zu verringern, um sichcrzustel- len, daß ein Lawinen-Durchbruch unterhalb der Oberfläche des Überganges auftritt.
Ai, die x-Koordinate des Schnittpunktes der Kurven 1 und 2, stellt den seitlichen Abstand vom Rand de, ursprünglichen öffnung dar, der sich aus dem resultierenden Oberflächenbereich des pn-Überganges ergeben würde, wenn der Emitter und die Basis durch die exakt gleiche öffnung dotiert würden, v;, die Λ-Koordinate des Schnittpunktes der Kurven ! und 3 stellt den Abstand vom Rand der ursprünglicher
öffnung dar, wo der Oberflächenbereich des wirkliche! Emitter-Basis-Überganges gebildet worden ist. Wie au* der grafischen Darstellung klar hervorgeht, ist Koordi nate vj positiver als Koordinate x\. Der Oberflachenbo reich des pn-Überganges, der sich bildet, wenn du
öffnung vor der Emitterdiffusion um einen Beirag ν vergrößert wird, befindet sich an einer Stelle entlang de Oberfläche des Transistors, die vom ursprüngliche! öffnungsrand entfernter und näher bei n-leitendei Epitaxiekollektor liegt, als es der Fall wäre, wem
«! sowohl die Basis- als auch die Emiiierdifiusion durc! '!;--elbe öffnung durchgeführt worden wäre. Dit.". Abslandsverringerung zwischen Emitter und Koilektu neigt dazu, Emitter-Kollekior-Kur/.schüisst- :>v. verur:-.; chen, die sehr unerwünscht sind.
Eine Lösung des Probmlems der r.::i!Uer-Ki>llekn·' Kurzschlüsse besteh', dann, die Ausdehnung üsenlichen Basisdiffusion vu vergilben! <Av- d: Ausdehnung der seitlichen l:.niiitcrdif!:isiu'.i / ;i:i-J-':
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Eine vergrößerte Ausdehnung der seitlichen Basisdiffuüion würde einen größeren ursprünglichen Abstand zwischen dem ursprünglich nicht vergrößerten Öffnungsrand und dem η-leitenden Epitaxieschicht-Kollektor schaffen, als dies normalerweise der Fall wäre. Dieser vergrößerte Abstand gleicht die vergrößerte Ausdehnung der seitlichen Emitterdiffusion aus, die durch die Öffnungsvergrößerung vor der Emitterdiffusion verursacht wird.
Eine übliche Methode zum Vergrößern der Ausdehnung der seitlichen Basisdiffusion besteht darin, die Ausdehnung der vertikalen Basisdiffusion zu vergrößern, da die Ausdehnung der seitlichen Diffusion im allgemeinen direkt proportional zur vertikalen Diffusion ist. Diese Methode hat die unerwünschte Wirkung, die effektive Basisweite des Transistors zu vergrößern und begrenzt deshalb solche Transistorparameter wie Beta und Basislaufzeit.
Das Problem der Emitter-Kollektor-Kurzschlüsse
wird dadurch gelöst, daß die Ausdehnung der seitlichen Basisdiffusion vergrößert wird, ohne die effektive Basisweite des Transistors zu vergrößern. Wie in der Diskussion von F i g. 2A erklärt worden ist, wurde dies dadurch erreicht, daß auf einem η+ -leitenden Substrat 12 eine η-leitende Epitaxieschicht 32 aufgebracht und eine Basis 34 aus p-leitendem Material vollständig durch die Expitaxieschicht in das Substrat diffundiert wurde. Die sich ergebende Vergrößerung der Ausdehnung der seitlichen Basisdiffusion bei nichtvergrößerter effektiver Basisweite löst das Problem der Emitter-Kollektor-Kurzschlüsse, ohne Transistorparameter zu begrenzen. Die Basiszone kann lichtempfindlich gemacht werden, um so einen Photo-Lawinendurchbruch-Transistor zu schaffen. Zusätzlich können anstelle der oben speziel erwähnten Materialien andere verwendet werden Weiterhin kann das Substrat als Emitter und die η + -Diffusion als Kollektor verwendet werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

  1. Patentansprüche:
    1, Verfahren zur Bildung eines für Lawinendurchbruch vorgesehenen Übergangs in einem Halbleiter-Bauelement durch Maskieren eines Oberflächenbereiches eines Halbleiterplättchens eines ersten Leitfähigkeitstyps mit Ausnahme eines ersten Teiles, Diffundieren eines ersten Dotierstoffs in den nicht maskierten ersten Teil des Oberflächenbereiches zur Bildung einer ersten Zone des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps im Halbleiterplättchen, und Diffundieren eines zweiten Dotierstoffs in einen mit dem ersten Teil teilweise übereinstimmenden zweiten unmaskierten Teil des Oberflächenbereiches zur Bildung einer vollständig innerhalb der ersten Zone gelegenen, den ersten Leitfähigkeitstyp aufweisenden zweiten Zone und eines sich bis zur Oberfläche des Halbleiterplättchens erstreckenden Übergangs zwischen der ersten und der zweiten Zone, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche des nicht maskierten ersten Teils der Oberfläche des Halbleiterplättchens vor dem Eindiffundieren des zweiten Dotierstoffs zur Bildung des zweiten unmaskierten Teils so weit vergrößert wird, daß nach dem Eindiffundieren des zweiten Dotierstoffs der entstandene Übergang in einem Bereich an die Oberfläche des Halbleiterplättchens tritt, in dem die an dem Übergang vorhandene Konzentration des ersten Dotierstoffes einen bedeutend niedrigeren Wert alü im !nnern des Halbleiterplättchens hat, wodurch ein Lawinendurchbruch in der Nähe der Oberfläche verhindert wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Vergrößern des nicht maskierten ersten Teils eine weitere Öffnung in der Maskierschicht gebildet und mittels Dotierung durch diese weitere Öffnung hindurch eine unterhalb dieser Öffnung gelegene Zone (28) von relativ 'iiohem spezifischen Widerstand auf relativ niedrigen spezifischen Widerstand gebracht wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Halbleiterplättchen ein Substrat niedrigen spezifischen Widerstandes mit einer Epitaxie-Schicht hohen spezifischen Widerstandes umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Dotierstoff durch die Epitaxie-Schicht hindurch bis in das Substrat hinein diffundiert wird.
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