DE2132427C3 - Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrafluorid - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SiliciumtetrafluoridInfo
- Publication number
- DE2132427C3 DE2132427C3 DE2132427A DE2132427A DE2132427C3 DE 2132427 C3 DE2132427 C3 DE 2132427C3 DE 2132427 A DE2132427 A DE 2132427A DE 2132427 A DE2132427 A DE 2132427A DE 2132427 C3 DE2132427 C3 DE 2132427C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- bed
- reaction
- silica
- hydrogen fluoride
- mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung >o
von Siliciumtetrafluorid durch Reaktion von Fluorwasserstoff mit Siliciumdioxid, wobei ein Gemisch aus
Fluorwasserstoff und Wasser durch ein durchlässiges Bett aus Siliciumdioxid geführt wird.
Bei einem bekannten Verfahren dieser Art (DT-AS 12 45 342 = US-PS 32 33 969) wird das Gemisch in dem
durchlässigen Bett auf einer Temperatur von mehr als 1200C gehalten, wodurch jedwede Kondensation
verhindert und eine reine Dampfphasenreaktion bewirkt wird. Hierdurch sollen besonders hohe Umset- v>
zuiigsgrade erzielt werden, jedoch hat es sich gezeigt, daß die angegebenen hohen Ausbeuten von beispielsweise
95% nur dann erreicht werden können, wenn ideaie Reaktionsbedingungen eingehalten werden. Dies
ist aber bei der großtechnischen Anwendung, also im Werksbetrieb, nicht möglich, vielmehr ist dabei häufig
die Temperaturregelung im Bett ungleichmäßig oder aber auch die Bettemperatur zu hoch. Außerdem bilden
sich in dem durchlässigen Siliciumdioxidbett häufig Kanäle. Diese vom Idealzustand abweichenden Reaktionsbedingungen
führen bei dem bekannten Verfahren dazu, daß der Umsetzungsgrad in aller Regel weit
unterhalb 90% liegt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art zu schaffen, bei
dem sich unter großtechnischen Bedingungen kontinuierlich Umsetzungsgrade von mehr als 90% erreichen
lassen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß das Gemisch im Bett bei einer Temperatur von 95 ^o
bis I15"C in einer Dampf-Flüssig-Phase gehalten wird
und die Flüssigphase durch Aufnahme der aus der Reaktion entstehenden Wärme ungefähr mit der
gleichen Geschwindigkeit verdampft wird, mit der sie in das Bett eingeführt wird. ^
Der Erfindung liegt die überraschende Erkenntnis zugrunde, daß es gelingt, im Unterschied zu dem
Verfahren nach der DT-AS 12 45 342 auch unter großtechnischen Betriebsbedingungen kontinuierlich
Ausbeuten von mehr als 90% zu erzielen, wenn das r« Gemisch im Gegensatz zu dem bekannten Verfahren,
bei dem die Temperatur in dem durchlässigen Bett stets oberhalb I2O°C gehalten wird, das Bett annähernd auf
dem Taupunkt der Mischung, nämlich bei der Temperatur von 95 bis 115°C gehalten wird.
<>,
Bei dem crfindimgsgcmäUen Verfahren finden also
Temperaturen Anwendung, die ein gleichzeitiges Bestehen von verdampftem und flüssigem HF zulassen.
wodurch sowohl die Dampfphase als auch die Flüssigphase kontinuierlich gleichzeitig mit dem Siliciumdioxyd
im Bett reagieren. Die Temperatur und die Einführgeschwindigkeit des Gemisches sind so aufeinander
abgestimmt, daß die Flüssigphase des Gemisches ungefähr mit der gleichen Geschwindigkeit verdampft,
mit der sie in das Bett eingeführt wird, wodurch ein nennenswertes Abziehen der Flüssigphase im ausströmenden
Dampfstrom verhindert wird. Hierdurch unterscheidet sich das erfindungsgemäße Verfahren
beträchtlich von dem bekannten Verfahren, bei dem flüssiger Fluorwasserstoff in das durchlässige Bett aus
Siliciumdioxid eingeführt und plötzlich bei hoher Temperatur oberhalb 12O0C verdampft wird, wodurch
eine Kondensation des Gemisches bewußt vermieden und das durchlässige Siliciumdioxid-Bett trocken gehalten
wird, um so eine Flüssig-Fest-Umsetzung zwischen dem Fluorwasserstoff und dem Siliciumdio:üd zu
vermeiden. Im Gegensatz hierzu enthält das Siliciumdioxid-Bett bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
kontinuierlich eine Flüssig-Fest-Reaktionsphase, die die Erzielung hoher umselzungsgrade von HF zu SiF^,
nämlich kontinuierlich oberhalb von 90%, unter großtechnischen Bedingungen ermöglicht, ohne daß es
zu einem wesentlichen Abzug der Flüssigphase in dem ausströmenden, das Siliciumtetrafluorid enthaltenden
Dampf strom käme.
Vorteilhafterweise wird bei dem Verfahren nach der Erfindung so vorgegangen, daß Fluorwasserstoff und
Wasser als nasser Dampfstrom in das durchlässige Bett aus Siliciumdioxid eingeführt werden. Andererseits
kann aber auch so vorgegangen werden, daß Fluorwasserstoff und Wasser in zwei getrennten Strömen in das
Siliciumdioxid-Bett eingeführt werden, nämlich einmal als Dampfstrom und zum anderen als Flüssigstrom.
Weiterhin kann auch so vorgegangen werden, daß Fluorwasserstoff und Wasser in überwiegend verdampfter
Form in das Siliciumdioxid-Bett eingeführt werden und das Bet ι gekühlt wird, um einen Teil des Gemisches
in der Flüssigphase zu halten.
Fluorwasserstoff und Wasser können auch in überwiegend flüssiger Form in das Siliciumdioxid-Bett
eingeführt werden und das Bett erwärmt werden, um so einen Teil des Gemisches in der Dampfphase zu halten.
Im übrigen kann der mit dem Siliciumdioxid reagierende Fluorwasserstoff aus Flußsäure, Siliciumfluorwasserstoffsäure
und Mischungen hiervon stammen.
Das Mengenverhältnis der Bestandteile des Reaktionsgemisches ist unterschiedlich und hängt unter
anderem von der Zusammensetzung dv; in das Bett geführten Ausgangsstromes sowie vom Reaktionsdruck
ab. Ir, der Praxis läßt sich der ungefähre Taupunkt des Reaktionsgemisches jedoch dadurch bestimmen, daß die
Temperatur des Gemisches geändert wird, um zunächst eine Kondensation und dann reine Dampfphase (oder
umgekehrt) zu erreichen. Danach wird dann die Reaktionstemperatur innerhalb des erfindungsgemäßen
Bereiches auf einer Temperatur in der Nähe des ermittelten Tauchpunktes gehalten, wodurch ein kontinuierliches,
gleichzeitiges Bestehen einer Flüssig- und einer Dampfphase im gesamten Siliciumdioxid-Bett
sichergestellt ist.
Das Mengenverhältnis von Fluorwasserstoff und Wasser in der dem durchlässigen Siliciumdioxid-Bett
zugcfiihrten Mischung ist bei dem erfindiingsgemäßen
Verfahren nicht kritisch, da es keine merkliche Wirkung auf die Ausbeute bei der Umwandlung von Fluorwasserstoff
/11 Siliciumtetrafluorid (SiFi) hat Allgemein
empfiehlt es sich aber, Fluorwasserstoff in Form von Säuren zuzugeben, die leicht erhältlich sind, beispielsweise
wäßriges HF im Bereich von ca. 15 bis ca. 70% und/oder Siliciumfluorwasserstoff von ca. 30% oder
mehr, wodurch das Molverhältnis von Wasser zu HF im S
Ausgangsstrom im Bereich von ca. 0,5 bis ca. 8,5 liegt.
Das durchlässige Siliciumdioxid-Bett, welches beim erfindungsgemäßen Verfahren verwendet wird, ist
vorzugsweise langgestreckt ausgebildet und besteht aus kristallinen Siliciumdioxid-Partikeln hoher Reinheit in
Form von Kieselsteinen oder gebrochenen Steinen. Das durchlässige Siliciumdioxid-Bett kann aber auch aus
Sand bestehen. Vorteilhafterweise befindet sich das Bett in einer langgestreckten Kammer, die isoliert oder mit
einem Kühlmantel versehen umgeben ist, wodurch die Steuerung der Reaktionstemperatur erleichtert wird.
Auf jeden Fall sollte die Fließgeschwindigkeit des Dampfstromes durch das Bett so niedrig sein, daß keine
Flüssigkeit und kein Siliciumdioxid mitgerissen und hierdurch aus dem Bett herausgeblasen werden. Dies
erreicht man dadurch, daß man den Massenfluß des Reaktionsgemisches einschränkt und/oder den Querschnitt
des durchlässigen Siliciumdioxid-Bettes so wählt, daß die Fließgeschwindigkeit nicht übermäßig hoch ist.
Hinsichtlich des Reaktionsablaufes beim erfindungsgemäßen
Verfahren ist anzunehmen, daß in der Praxis gleichzeitig die nachfolgenden Reaktionen in dem
durchlässigen Siliciumdioxid-Bett ablaufen:
1) H2SiF6=^-SiF4I+2HF|
2) 4HF + SiO7V=^SiF4 + 2H2O
3) 6HF + SiO2 'H3SiF6 + 2H2O
4) 3SiF4 + 2H2O '2H2SiF6 + SiO2
i°
.15
Eine hohe Ausbeute bei der Umwandlung von HF zu S1F4 hängt von der in Gleichung 2) gezeigten Reaktion
ab, einer Dampfphasenreaktion, die nur bei Temperaturen oberhalb des Taupunktes von S1F4— HF— H2O-Mischungen
und unterhalb ca. 230°C deutlich nach rechts verläuft. Obwohl die in den Gleichungen 3) und 4)
gezeigten Reaktionen Flüssigphasen-Reaktionen sind, die für sich allein bei der Umwandlung von HF zu S1F4
wesentlich weniger wirksam sind als die reine Dampfphasen-Reaktion, ist hervorzuheben, daß die
Flüssigphasen-Reaktionen nach den Gleichungen 3) und 4) bei der Erfindung in vorteilhafter Weise in
Verbindung mit den in den Gleichungen I) und 2) gezeigten Reaktionen verwendet werden, woraus eine
im wesentlichen vollständige Reaktion des HF mit Siliciumdioxid bewirkt wird. Beispielsweise reagiert
gemäß Gleichung 3) der Fluorwasserstoff in der Flüssigphase mit dem Siliciumdioxid unter Erzeugung
wäßriger Siliciumfluorwasserstoffsäure, jedoch wird diese, wie bereits beschrieben wurde, letztendlich
wiederum verdampft, woraus sich in Übereinstimmung mit der in Gleichung 1) gezeigten Reaktion in der
Gasphase S1F4 und HF ergeben. Der so erhaltene gasförmige Fluorwasserstoff reagiert dann in Überein- f,o
Stimmung mit Gleichung 2) mit dem Siliciumdioxid, Ein Teil des SiF4 in dem beschriebenen System reagiert
wahrscheinlich mit Wasser in der Flüssigphase entsprechend Gleichung 4), woraus sich wiederum wäßrige
Siliciumfluorwasserstoffsäure ergibt, die letztendlich (^
verdampft und in der eben beschriebenen Weise zu SiF1
umgewandelt wird. Wenn im Sysk-m die Reaktion 4)
stattfindet, wird das hierdurch cr/euetc Siliciumdioxid
nach Reaktion 2) direkt zu SjF^ oder nach der an
Reaktion I) anschließenden Reaktion 3) indirekt zu SiF4
umgewandelt.
Überraschenderweise liegt die Reaktionsgeschwindigkeit von HF zu S1F4 bei dem erfindungsgemäßen
Verfahren beträchtlich höher als bei einem Dampf-Fest-System, das nur in Übereinstimmung mit Gleichung 2)
betrieben wird. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich der gleichmäßige Kontakt der Reaktiopspartner
und die einheitliche Bett-Temperatur besser steuern. Es sei aber betont, daß das Gesamtgleichgewicht
für das Reaktionssystem aus der Gleichung 2) bestimmt wird, so daß das erfindungsgemäße Verfahren
vom Vorhandensein sowohl einer Dampf- als auch einer Flüssigphase im Reaktionssystem abhängig ist.
Der aus dem durchlässigen Siliciumdioxid-Bett ausströmende Dampfstrom enthält das Wasser des
Ausgangsstromes, zusätzliches, durch die Reaktion des Fluorwasserstoffes mit dem Siliciumdioxid erzeugtes
Wasser, das hergestellte S1F4 und eine geringe Menge Fluorwasserstoff. Die tatsächlich im ausströmenden
Dampfstrom enthaltene HF-Menge hängt natürlich vom Umsetzungsgrad ab. In vorteilhafter Weise kann
der ausströmende Dampfstrom nach Verlassen des Bettes überhitzt werden, um die Kondensation und
Bildung von Siliciumfluorwasserstoffsäure und Siliciumdioxid in Übereinstimmung mit der oben angegebenen
Reaktionsgleichung 4) zu verhindern. Der ausströmende Dampfstrom sollte jedoch nur dann stark überhitzt
werden, wenn die Bildung von Pigment-Siliciumdioxid gewünscht ist, da die Reaktion 2) bei Temperaturen
oberhalb ca. 595° C deutlich nach links verläuft.
Der ausströmende Dampfstrom kann natürlich direkt zur Herstellung von Rauch-Pigment-Siliciumdioxid
durch Dampfphasen-Hydrolyse des Siliciumtetrafluorids bei Temperaturen oberhalb ca. 595" C und
nachfolgende Abtrennung des Siliciumdioxids verwendet werden. Es ist jedoch gegebenenfalls auch möglich,
den aus dem Siliciumdioxid-Bett ausströmenden Dampfstrom mit einem Trocknungsmittel, eeispielsweise
konzentrierter Schwefelsäure, zur Herstellung eines im wesentlichen reinen SiF4-Stromes zu behandeln.
Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung, in der die Wirksamkeit
der Erfindung an Hand von Beispielen erläutert ist. Dabei wird in Beispiel 1 nach dem Stand der Technik
(DT-AS 12 45 342) gearbeitet, während Beispiel 2 im Vergleich hierzu das erfindungsgemäße Verfahren
zeigt.
204 kg Quarzkieselsteine hoher Reinheit mit einem
Durchmesser von ca. 25 mm wurden in einer vertikal angeordneten zylindrischen Kammer aus Kohlenstoff-Ziegelsteinen,
die einen Durchmesser von 380 mm und eine Länge von 152 cm hatte, angeordnet. Die Tiefe des
erhaltenen Bettes aus Siliciumdioxid-Kieselsteinen betrug ungefähr 152 cm. Die Kammer war isoliert, um
die Wärmeabgabe an die Atmosphäre gering zu halten.
Wäßriger Fluorwasserstoff mit einer Konzentration von 47,6% wurde mit einer Geschwindigkeit von
11,9 kg/h vollständig verdampft. Die erhaltenen Dämpfe
wurden dann in den unteren Abschnitt der Kammer mit einer Temperatur von ca. 12(TC eingeführt. Der
ausströmende Dainpfstrom, bestehend aus Wasserdampf. SiliciuiTitetraFluorid und nicht umgesetztem HF,
wurde aus dem oberen Teil der Kammer oberhalb des
Bettes aus den Siliciumdioxid-Kieselsteinen entfernt.
Die Reaktion wurde vier Stunden lang durchgeführt, wobei die folgenden Temperaturen (Durchschnittswerte)
im Bett beobachtet wurden:
308 mm oberhalb des Kammerbodens = 121°C
610 mm oberhalb des Kammerbodens = 154CC
915 mm oberhalb des Kammerbodens = 135° C
1220 mm oberhalb des Kammerbodens = 127° C
Das Siliciumdioxid-Bett wurde anschließend auf seinen Gewichtsverlust hin überprüft, indem die
Kammer gewogen wurde. Der Umsetzungs-Wirkungsgrad von HF zu S1F4 wurde zu 713% bestimmt. Dabei
sei bemerkt, daß die Reaktionstemperatui zwar in dem Bereich von ca. 120 bis 155°C gehalten wurde, jedoch
innerhalb des durchlässigen Bettes etwas unregelmäßig war. Stets erfolgte die Reaktion aber oberhalb des
Taupunktes, d. h., oberhalb einer Temperatur von 120° C, wodurch also jedwede Kondensation der
Dämpfe bewußt vermieden wurde.
Nachdem das in Beispiel 1 beschriebene durchlässige Siliciumdioxid-Bett aus Kieselsteinen wieder auf sein
ursprüngliches Gewicht und seine ursprüngliche Höhe gebracht worden war, wurde dem Bett Fluorwasserstoff
gleicher Konzentration wie in Beispiel 1 mit derselben Geschwindigkeit zugeführt, jedoch wurden in diesem
Fall 20 Gew.-% des gesamten Gemisches dem oberen Abschnitt des Bettes als Flüssigkeit bei Umgebungstemperatur
zugeführt, während die restlichen 80 Gew.-% dem unteren Abschnitt des Bettes in völlig verdampfter
Form bei 120° C zugeführt wurden. Wie bei Beispiel 1
wurde der ausströmende Dampfstrom vom oberen Abschnitt des Bettes entfernt. Der Strom aus flüssigem
Fluorwasserstoff wurde so in das Bett eingeführt, daß wenig oder keine Flüssigkeit in den ausströmenden
Strom übernommen wurde, während man die Flüssigkeit durch das durchlässige Siliciumdioxid-Bett aus
Kieselsteinen rieseln ließ. Die Reaktion wurde 31/:?
Stunden durchgeführt, wobei die folgenden Temperatu ren (Durchschnittswerte) im Bett beobachtet wurden:
308 mm oberhalb des Kammerbodens = 107°C
610 mm oberhalb des Kammerbodens = 1070C
915 mm oberhalb des Kammerbodens = 107° C
1220 mm oberhalb des Kammerbodens = 107°C
In diesem Fall wurde festgestellt, daß der Umsetzungsgrad
von HF zu SiF* 92,5% betrug. Zu bemerken ist, daß die Temperaturen im gesamten Bett außergewöhnlich
einheitlich waren und wesentlich niedriger lagen als bei Beispiel 1, in dem nach dem Stand der
Technik gearbeitet wurde. Der realisierte Betrieb beim Taupunkt zeichnete sich durci. eine sehr geringe
Übernahme von Siliciumfiuorwasserr. [offsäure in dem
ausströmendem Strom aus. Durch Überhitzen des Stromes auf ca. 150°C wurde verdampft. Der auf diese
Weise überhitzte Strom wurde in einen Ofen eingebracht und darin mit heißen Flammgasen gemischt, die
durch Verbrennen von Methan mit Luft hergestellt wurden. Hierdurch bildete sich eine Hydrolysemischung
mit einer Temperatur von ca. 870 bis 980°C. Das SiFi
wurde dabei zur Schaffung eines Rauch-Pigment-Siliciumdioxides mit einer Partikelgröße von ca. 7
Millimikron und einer B.E.T.-Oberflächenausdehnung
von ca. 300 m2/g hydrolysiert. Aus den Rammgasen, dem Fluorwasserstoff und dem überschüssigen Wasserdampf
wurde das Rauch-Siliciumdioxid durch einen Beutelfilter abgetrennt.
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrafluorid durch Reaktion von Fluorwasserstoff mit Siliciumdioxid, wobei ein Gemisch aus Fluorwasserstoff und Wasser durch ein durchlässiges Bett aus Siliciumdioxid geführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Gemisch im Bett bei einer Temperatur von 95 bis 115°C in einer Dampf-Flüssig-Phase gehalten wird und die Flüssigphase durch Aufnahme der aus der Reaktion entstehenden Wärme ungefähr mit der gleichen Geschwindigkeit verdampft wird, mit der sie in das Bett eingeführt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US5169970A | 1970-07-01 | 1970-07-01 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2132427A1 DE2132427A1 (de) | 1972-01-05 |
DE2132427B2 DE2132427B2 (de) | 1977-09-08 |
DE2132427C3 true DE2132427C3 (de) | 1978-04-13 |
Family
ID=21972835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2132427A Expired DE2132427C3 (de) | 1970-07-01 | 1971-06-30 | Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrafluorid |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3674431A (de) |
JP (1) | JPS5323791B1 (de) |
BE (1) | BE769289A (de) |
DE (1) | DE2132427C3 (de) |
FR (1) | FR2098119A5 (de) |
GB (1) | GB1322843A (de) |
NL (1) | NL7109021A (de) |
SE (1) | SE360845B (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2079262B (en) * | 1980-07-02 | 1984-03-28 | Central Glass Co Ltd | Process of preparing silicon tetrafluoride by using hydrogen fluoride gas |
US4470959A (en) * | 1983-06-20 | 1984-09-11 | Allied Corporation | Continuous production of silicon tetrafluoride gas in a vertical column |
DE3432678C2 (de) * | 1984-09-05 | 1986-11-20 | D. Swarovski & Co., Wattens, Tirol | Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrafluorid |
ZA95482B (en) * | 1994-01-31 | 1995-10-09 | Atomic Energy South Africa | Treatment of a chemical |
US6956348B2 (en) * | 2004-01-28 | 2005-10-18 | Irobot Corporation | Debris sensor for cleaning apparatus |
JP4014451B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2007-11-28 | セントラル硝子株式会社 | 四フッ化珪素の製造法 |
JP5341425B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2013-11-13 | ステラケミファ株式会社 | フッ化物ガスの製造方法 |
DE102013104398A1 (de) * | 2013-04-30 | 2014-10-30 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zur Herstellung von Siliziumtetrafluorid |
-
1970
- 1970-07-01 US US51699A patent/US3674431A/en not_active Expired - Lifetime
-
1971
- 1971-06-30 FR FR7123895A patent/FR2098119A5/fr not_active Expired
- 1971-06-30 DE DE2132427A patent/DE2132427C3/de not_active Expired
- 1971-06-30 JP JP4733771A patent/JPS5323791B1/ja active Pending
- 1971-06-30 SE SE08438/71A patent/SE360845B/xx unknown
- 1971-06-30 NL NL7109021A patent/NL7109021A/xx unknown
- 1971-06-30 GB GB3056871A patent/GB1322843A/en not_active Expired
- 1971-06-30 BE BE769289A patent/BE769289A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2098119A5 (de) | 1972-03-03 |
NL7109021A (de) | 1972-01-04 |
SE360845B (de) | 1973-10-08 |
DE2132427A1 (de) | 1972-01-05 |
JPS5323791B1 (de) | 1978-07-17 |
US3674431A (en) | 1972-07-04 |
BE769289A (fr) | 1971-11-03 |
GB1322843A (en) | 1973-07-11 |
DE2132427B2 (de) | 1977-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1163784C2 (de) | Verfahren zur Oberflaechenbehandlung von hochdispersen Oxyden | |
DE2931092A1 (de) | Verfahren zur herstellung von synthetischem, mit fluor dotiertem siliciumdioxid | |
DE2132427C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrafluorid | |
DE2240014C3 (de) | Verfahren zur Hydrophobierung von hochdispersen Oxiden | |
DE964232C (de) | Verfahren zur Aufarbeitung von kieselsaeurehaltigem Flussspat mit Fluorwasserstoffsaeure | |
DE2147705A1 (de) | Verfahren zur Herstellung uraniumdioxidreicher Gemische aus Uranhexafluorid | |
DE2247873B2 (de) | Verfahren zur herstellung von silanen | |
DE3228535C2 (de) | Verfahren zur Reinigung von Siliciumtetrafluoridgas | |
DE2800272C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Fluorwasserstoff und Siliziumdioxid aus Siliziumtetrafluorid | |
CH661918A5 (de) | Verfahren und einrichtung zur erzeugung von silizium aus siliciumtetrafluorid. | |
DE2923182A1 (de) | Verfahren zur pyrogenen herstellung von feinstteiligem oxid eines matalls und/oder eines metalloids | |
DE1194832B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abkuehlen eines heissen, TiO-haltigen Gasgemisches | |
DE2251787C2 (de) | Verfahren zur Gewinnung von hochaktivem Siliciumdioxid und reinem Fluorwasserstoff aus Siliciumtetrafluorid und Fluorwasserstoff enthaltenden Abgasen | |
DE1592471C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Urandioxidpulvern und -granulaten | |
EP1534630B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer wässrigen lösung von hydroxylamin | |
DE1112053B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Alkaliphosphaten | |
DE1814580A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Aluminium | |
DE1966970C2 (de) | Verfahren zur kontinuierlichen Hydrophobierung von hochdispersen Oxiden | |
DE1519712A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Konzentrierung waessriger Loesungen und Suspensionen | |
DE2842635C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Chlorwasserstoffsäure | |
DE1022569B (de) | Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrafluorid | |
DE1159403B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Polyphosphorsaeure | |
EP0011084A1 (de) | Verfahren zur pyrogenen Herstellung von feinstteiligem Oxid eines Metalls und/oder eines Metalloids | |
DE1245342B (de) | Verfahren zur Herstellung von feinteiligem amorphem Siliciumdioxid | |
AT232960B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Entfernung von Halogen und/oder Halogenwasserstoff aus hochdispersen Oxyden, Oxydgemischen oder Mischoxyden |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |