DE2247873B2 - Verfahren zur herstellung von silanen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von silanenInfo
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Description
1. Verfahren zur Zersetzung von Magnesiumsilicid mit verdünnter Salzsäure gemäß dem folgenden
Formelschema
Mg2Si + 4HCl - S1H4 + 2MgCb
Dieses Verfahren hat den Nachteil, daß nicht nur Monosilan (S1H4), sondern gleichzeitig auch andere
höhere Silane entstehen wie S12H6 (30%), ShHe (15%) und S14H10 (10%) und, daß die Ausbeute an
Monosilan lediglich 40% beträgt.
2. Die Herstellung von Monosilan durch Umsetzung von Siliciumtetrachlorid mit Lithiumaluminiumhydrid
gemäß der folgenden Gleichung
SiCU + ÜAIH4- S1H4 + LiCI + A ICl 3
Dieses Verfahren zur Herstellung von Silicium mit Halbleiterqualität besitzt den Nachteil größerer
Herstellungskosten.
3. Disproportionierungsverfahren von Triäthoxysilan HSi(OC2H5)3 mit Natrium gemäß dem folgenden
Formelschema
Na
4HSi(OC2H5J3
SiH4 4- 3Si(OC2H5I4
Dieses Verfahren besitzt den Nachteil, daß die obige Reaktion nicht lange fortgesetzt werden kann, da
Natrium, das ein extrem aktives Metall darstellt, sehr rasch in seiner Wirkung beeinträchtigt wird.
Der Mechanismus, durch den die Wirkung des Natriums beeinträchtigt wird, ist vermutlich auf die
folgenden Nebenreaktionen zurückzuführen:
a) SiH(OC2H5J3 + 3Na ► Si +
Das gebildete freie Silicium setzt sich auf der Oberfläche des Natriums ab, wodurch die Umsetzung zum
Abbruch kommt.
b) Si(OC2H5I4 + 2Na >
C2H5Si(OC2H5I3 + Na2O
C2H5Si(OC2H5J3 + 2Na ► (C2H5J2Si(OC2H5J2 + Na2O
Wie aus diesen Reaktionen hervorgeht, reagiert das Tetraäthoxysilan Si(OC2H5)4, das aus der Disproportionierung
von Triäthoxysilan entsteht, weiter mit Natrium unter Bildung des inaktiven Natriumoxyds Na2O.
Die erläuterte Beeinträchtigung des Natriums kann durch Aktivierung seiner Oberfläche durch Zugabe von
Alkohol gemäß der folgenden Gleichung
C2H5OH +- Na ■- -► C2H5ONa + \ H2
verhindert werden.
Wie jedoch aus dieser Gleichung hervorgeht, verursacht die Reaktion des Alkohols mit dem Natrium
die Entwicklung von Wasserstoff, der in unerwünschter Weise das erhaltene Silan verdünnt. Weiterhin reagiert
Triäthoxysilan mit Alkohol unter Bildung von Tetraäthoxysilan, wie aus der folgenden Gleichung hervorgeht
HSi(OC2H5I3 + C2H5OH — ■-·>
Si(OC2H5I4 + H2
Da das Entstehen von Tetraäthoxysilan gleichbedeutend ist mit einem Verlust an rohem Triäthoxvsilan. ist
die zuvor genannte Zugabe von Alkohol nicht erwünscht.
Erfindungsgemäß sollen diese Nachteile, die mit den genannten bekannten Silanherstellungsverfahren verbunden
sind, behoben und ein V^.iahren zur Herstel- >
lung von in der Halbleiterindustrie verwendbaren Silanen, insbesondere von Monosilan SiH-t, in guter
Ausbeute und von besonders hoher Reinheit zur Verfügung gestellt werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Silanen der allgemeinen Formel
SinH2n+2
worin η eine ganze Zahl von 1 bis 3 bedeutet, durch Disproportionierung von Alkoxysilanen der allgemei- is
nen Formel
H„Si(OR)4-n
worin R eine Alkylgruppe mit weniger als 4
Kohlenstoffatomen darstellt und η eine ganze Zahl von 1 bis 3 bedeutet in Gegenwart eines Alkoholats der
allgemeinen Formel
ROM
worin R die vorstehend angegebene Bedeutung besitzt und M ein Alkalimetall, Erdalkalimetall oder Aluminium
bedeutet, ist dadurch gekennzeichnet, daß man in Gegenwart einer Lösung des Alkoholats in Tetraalkoxysilan
der allgemeinen Formel
Si(OR)*
worin R die vorstehend angegebene Bedeutung besitzt, disproportioniert.
An Hand von Vergleichsversuchen konnte gezeigt werden, daß man überraschenderweise höhere Silanausbeuten
erhält, wenn man das Alkoholat in Form einer Lösung desselben in dem Tetraalkoxysilan der Formel
Si(OR>t verwendet. Dieser Effekt tritt besonders stark
auf, wenn man relativ hohe Beschickungsmengen an Trialkoxysilanen einsetzt.
Das bei der erfindungsgemäßen Disproportionierung von Alkoxysilanen in Silane und Tetraalkoxysilane
verwendete Alkoholat, beispielsweise Natriumäthylat, ist weitaus wirksamer als metallisches Natrium, das
bisher bei der Zersetzung von Triäthoxysilan verwendet wurde. Der Grund hierfür ist, daß Natriumäthylat nicht
durch Nebenreaktionen in seiner Wirkung beeinträchtigt wird. Dies hat zur Folge, daß die Disproportionierungsreaktion
über eine längere Zeit ohne Unterbrechung fortgesetzt werden kann. Außerdem sind so
Alkoholate nicht so gefährlich wie metallisches Natrium und somit auch leichter zu handhaben. Die Instandsetzung
und die Wartung der Reaktionsapparatur kann daher leichter durchgeführt werden.
Aus Gründen der Wirtschaftlichkeit und leichten Handhabung wird bevorzugt Natriumäthylat verwendet.
Natriumalkoholate und Kaliumalkoholate besitzen im wesentlichen die gleiche Reaktivität. Erdalkalialkoholate
besitzen zwar eine etwas geringere Reaktivität als die Alkalialkoholate, doch verhindern sie, daß f,0
schädliche Alkaliionen in das Silan eindringen. Daher sind Erdalkalialkoholate für die Herstellung von Silanen
als Rohmaterial eines Halbleiters, der vor dem Einschluß bestimmter Alkaliionen bewahrt werden soll,
geeignet.
Es wurde experimentell bestätigt, daß sich Silane kontinuierlich bilden, wenn das Alkoholat mehr als 0,1
Gew.-°/o des Reaktionssystems ausmacht. F i g. 2 ist eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwischen der
Konzentration von Natriumalkoholat in dem Reaktionssystem und der Menge des erhaltenen Silans zum
Ausdruck bringt. Wie aus dem Diagramm hervorgeht, sollte das Natriumalkoholat eine Konzentration von
mehr als 0,1 Gew.-% besitzen.
Unter Bezugnahme auf F i g. 1 wird im folgenden die Anordnung einer Reaktionsapparatur beschrieben, die
in dem nachstehenden Beispiel sowie in den Vergleichsbeispielen verwendet wird.
Ein Reaktionsgefäß t aus Druckglas ist mit einer Alkoxysilaneinlaßleitung 2a, einer Alkoholateinlaßleitung
2b, einer Silanauslaßleitung 3, einer Nebenproduktauslaßleitung 4, einem Rührer 5, einem Druckmesser 6
und einem Temperatur kontrollierenden Thermoelement 7 versehen. Die Silanauslaßleitung 3 ist mit einer
gaschromatographischen Apparatur 8 und mit einem Silansammler 9 verbunden. Der Silansammler 9 ist
ebenfalls mit einem Druckmesser 10 versehen. Die Außenwände des Reaktionsgefäßes 1 sind mit einer
Heizvorrichtung 11 versehen, um das Reaktionsgefäß bei der gewünschten Temperatur zu halten. Das Innere
des Reaktionsgefäßes 1 ist derart, daß es von der Außenseite beobachtet werden kann. Nummer 12 stellt
einen Hahn zum öffnen oder Schließen der Nebenproduktauslaßleitung
4 dar.
Zur Durchführung des Vertahrens werden Alkoxysilane,
beispielsweise Triäthoxysilan, in das Reaktionsgefäß 1 durch eine den Zufluß regulierende Pumpe (nicht
gezeigt) eingeführt. Das durch die Umsetzung gebildete Silan wird in dem Kollektor 9 gesammelt und ein Teil
des Silans wird der gaschromatographischen Apparatur 8 zur Bestimmung seiner Zusammensetzung zugeführt.
Zur Feststellung der Reaktionsgeschwindigkeit wird von den Druckmessern 6 oder 10 der in dem
Reaktionsgefäß 1 oder in dem Silansammler 9 ansteigende Druck kontinuierlich aufgezeichnet. Dieser
ansteigende Druck ist hauptsächlich auf die Entwicklung von gasförmigem Wasserstoff und Silanen zurückzuführen.
Das bei der Reaktion gebildete Tetraalkoxysilan, z. B. Tetraäthoxysilan, wird aus dem Reaktionsgefäß 1
durch die Auslaßleitung 4 unter Verwendung des Druckes in dem Reaktionsgefäß 1 entnommen.
Die nachfolgenden Beispiele erläutern die Erfindung.
In das Reaktionsgefäß 1 wurde Triäthoxysilan mit einer Geschwindigkeit von 201/Std. durch die Alkoxysilan-Einlaßleitung
la eingeführt. Es wurde eine Katalysatorlösung durch Lösen von Natriumäthylat in Tetraäthoxysilan
hergestellt. Diese Katalysatorlösung wurde mit einer Geschwindigkeit von 1 1/Std. in das Reaktionsgefäß
1 durch die Alkoholat-Einlaßleitung 2b eingeführt. Der Druck in dem Reaktionsgefäß 1 nahm fortschreitend
zu, und es bildete sich kontinuierlich Monosilan. Die Ausbeute an Silan betrug 70 bis 90% des
theoretischen Wertes, und die Disproportionierungsreaktion schritt rasch voran. Es stellte sich auch heraus,
daß ein Rühren der Beschickungsmasse durch den Rührer 5 keinen großen Einfluß in bezug auf die
Beschleunigung der Disproportionierungsreaktion hatte. Diese kann durch das folgende Formelschema
wiedergegeben werden:
4HSi(OC2H5)., --■» SiH4 + 3Si(OC2H5I4
(flüssiu) (Gas) (flüssig)
(flüssiu) (Gas) (flüssig)
Mit fortschreitender Reaktion wurde das Reaktionsgefäß 1 zunehmend mit gasförmigem Silan gefüllt, und
es wurde flüssiges Tetraäthoxysilan als Nebenprodukt erhalten. Es war daher notwendig, das Reaktionsprodukt
und das Nebenprodukt aus dem Reaktionsgefäß 1 kontinuierlich oder periodisch abzuführen. Gleichzeitig
wurde unvermeidlich ein Teil des Natiriumäthylats abgezogen, so daß auch der Katalysator kontinuierlich
oder periodisch ergänzt werden mußte.
IO
Vergleichsbeispiel 1
Das Reaktionsgefäß 1 wurde mit 60 g metallischem Natrium als Katalysator beschickt, und es wurde
Triäthoxysilan mit einer Geschwindigkeit von 3 1/Std. kontinuierlich in das Gefäß 1 eingeführt. Zu Anfang
behielt die Oberfläche des metallischen Natriums einen metallischen Glanz bei. Das infolge der fortschreitenden
Reaktion gebildete Gas wurde beim Austreten an die Luft entzündet, was zum Ausdruck brachte, daß in dem
Reaktionsgefäß 1 kontinuierlich Monosilan gebildet wurde. 3 bis 5 Stunden später jedoch war die Oberfläche
des Natriums schwarz geworden. Zu diesem Zeitpunkt wurde in dem Reaktionsgefäß 1 kein Druckanstieg
mehr, noch eine Bildung von Monosilan beobachtet. Diese Tatsache zeigte, daß das metallische Natrium
seine katalytische Wirkung vollständig verloren hatte.
Vergleichsbeispiel 2
Es wurde, bevor das metallische Natrium seine katalytische Wirkung vollkommen verloren hatte, ein
Versuch unternommen, dessen Oberfläche durch Einführen von Alkohol in das Reaktionsgefäß 1 gemäß dem
folgenden Reaktionsschema zu reaktivieren:
C2H5OH + Na--* C2H5ONa + ~ H2
Obgleich in diesem Fall die Natriumoberfläche wieder einen metallischen Glanz erhielt und die
Entwicklung von gasförmigem Silan beobachtet wurde, nahm die Ausbeute an Silan auf 10 bis 30% ab.
Der Grund hierfür liegt darin, daß die Umsetzung des Natriums mit Alkohol die Entwicklung von Wasserstoff
herbeiführte und eine weitere Umsetzung des Triäthoxysilans mit Alkohol gemäß der nachfolgender
Gleichung zu der Bildung von Tetraäthoxysilan unc Wasserstoff führte, wodurch ein Verlust an roherr
Triäthoxysilan entstand.
+ C2H5OH - Si(OC2Hs)4 + H2
Vergleichsbeispiel 3
Es wurde Triäthoxysilan unter Erzielung vor Monosilan gemäß dem Stand der Technik (1) und
erfindungsgemäß (2) disproportioniert. Gemäß (Γ wurden 190 g körnchenförmiges Natriumäthylat ir
einen Reaktor gemäß Fig. 1 eingebracht. Gemäß (2]
wurden 101 einer Lösung verwendet, die durch Löser von Natriumäthylat in Tetraäthoxysilan erhalten wurde
Der Natriumäthylatgehalt betrug 2 Gew.-%, wobei die Gesamtmenge 190 g entsprach. Diese Lösung wurde ir
den gleichen Reaktor mit einer Geschwindigkeit von 1 pro Std. eingebracht. Die Triäthoxysilanlösung wurde ir
beiden Fällen mit einer Geschwindigkeit von 3 1 pro Std eingebracht, und die Reaktionstemperatur betrug
jeweils 500C.
Die erhaltenen Ergebnisse sind in der nachstehender Tabelle angegeben, wobei in den Spalten (a), (b) und (c
die Umwandlungen für Beschickungsmengen an Triäthoxysilan von 101,201 bzw. 301 angegeben sind.
Umwandlung
(a)
(a)
(b)
(C)
53%
65%
65%
43%
68%
39% 68%
Die vorstehende Tabelle zeigt, daß die Umwandlung gemäß dem Stand der Technik merklich niedriger ist al:
diejenige gemäß der Erfindung. Weiterhin nimmt die Umwandlung gemäß dem Stand der Technik mit dei
Zunahme an in den Reaktor eingebrachtem Triäthoxysi lan ab. Es wird somit ersichtlich, daß das erfindungsge
mälJe Verfahren demjenigen gemäß dem Stand dei
Technik überraschend überlegen ist, insbesondere, wenr es sich um Disproportionierungen in kommerzieller
Maßstäben handelt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zur Herstellung von Silanen der allgemeinen Formelworin η eine ganze Zahl von 1 bis 3 bedeutet, durch Disproportionierung von Alkoxysllanen der allgemeinen Formelworin R eine Aikylgnippe mit weniger als 4 Kohlenstoffatomen darstellt und η eine ganze Zahl von 1 bis 3 bedeutet in Gegenwart eines Alkoholais ■> der allgemeinen Forme!ROMworin R die vorstehend angegebene Bedeutung besitzt und M ein Alkalimetall Erdalkalimetall oder Aluminium bedeutet, dadurch gekennzeichnet, daß man in Gegenwart einer Lösung des Alkoholats in TetraaikovviSiian der allgemeinen Formelworin R die vorstehend angegebene Bedeutung besitzt, disproporoonien.3°Silane sind für die Halbleitenechnik als Rohmaterial für hochreines Silicium von Halbleiterqualität unentbehrlich. Es handelt sich, wie aus dem folgenden Formelschema für das Monosilan hervorgeht, um Verbindungen, aus denen rasch Silicium kristallisiert und die sich schnell in Silicium und Wasserstoff zersetzen, wenn sie einer höheren Temperatur als 7000C ausgesetzt werden.SiH4 = Si + 2H2 - 7,3 kcal/MolSilicium, das aus Silanen bei einer derartigen relativ niedrigen Temperatur auskristallisiert, besitzt eine hohe Reinheit und ist im wesentlichen frei von Verunreinigungen, die von dem Reaktionsgefäß herrühren. Silane, insbesondere Monosilan der Formel SiH-s, besitzen eine Anzahl bedeutender Vorteile. So sind ihre Siedepunkte sehr niedrig. Derjenige des Moncsilans beträgt z. B. -111,9°C. Sie können leicht von Verunreinigungen getrennt werden. Weiterhin enthalten sie einen hohen Anteil an Silicium. Insbesondere beim Monosilan ist daher eine relativ geringe Menge in bezug auf die Menge an herzustellendem Silicium erforderlich. Sie entwickeln als Zersetzungsnebenprodukt nur Wasserstoff und keine schädlichen Komponenten wie Chlor und Chlorwasserstoff, wie es bei der Zersetzung von Chlorsilan der Fall ist
Bekannte Silan-Herstellungsverfahren umfassen:
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US4824657A (en) * | 1985-11-27 | 1989-04-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for reducing silicon, germanium and tin halides |
DE68907631T2 (de) * | 1988-04-13 | 1994-02-24 | Mitsubishi Chem Ind | Verfahren zum Herstellen von Monosilan. |
DE3828549A1 (de) * | 1988-08-23 | 1990-03-08 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur entfernung von silanverbindungen aus silanhaltigen abgasen |
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US6103942A (en) * | 1999-04-08 | 2000-08-15 | Midwest Research Institute | Method of high purity silane preparation |
DE10059625A1 (de) * | 2000-09-18 | 2002-05-16 | Peter Plichta | Verfahren zur Herstellung von Höheren Silanen im Hinblick auf ihre Verwendung als Treibstoffe |
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