DE2247873A1 - Verfahren zur herstellung von silanen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von silanenInfo
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Description
PATENTANWÄLTE
BANKKONTO:
BANKHAUS H. AUFHÄUSER
8 MÜNCHEN 2,
14/20/ge
2/2/1
2/2/1
Case 47P4-13-3
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO., LTD., Kawasaki-shi/Japan
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Silanen der allgemeinen Formel
SinH2n+2
in der η eine ganze Zahl von 1 "bis 3 bedeutet.
in der η eine ganze Zahl von 1 "bis 3 bedeutet.
Silan ist unentbehrlich für die Halbleitertechnik als Eohmaterial
für hochreines Silikon von Halbleiterqualität. Bislang wurden eine Vielzahl von Verfahren zur Herstellung eines derartigen
Silans vorgeschlagen. Silan ist eine Verbindung, aus der
rasch Silicium kristallisiert und die'sich schnell selbst in
Silicium und V/asserstoff zersetzt, wenn sie einer höheren Temperatur
als 7000C ausgesetzt wird, v/ie aus dem folgenden Formelschema
hervorgeht: .
= Si + 2H2 - 7,3 Kcal/mol
3 098 U/11 26
"Silicium, das aus Silan bei einer derart relativ niedrigen Tem-
peratur auskristallisiert, besitzt eine hohe Reinheit und ist
im wesentlichen frei von Verunreinigungen, die sonst von einem Reaktionsgefäß eingebracht würden. Silan, insbesondere Nonosilan,
SiH1, besitzt eine Anzahl bedeutender Vorteile; sein Siedepunkt
ist extrem niedrig, wie -111,9°C; es kann leicht von Verunreinigungen
getrennt werden; es enthält eine große Menge an Silicium und erfordert infolgedessen eine relativ geringe Menge zu
behandelndes Monosilan in bezug auf die Mengeneinheit an herzustellendem
Silicium; es entwickelt nur Wasserstoff als Zersetzungsnebenprodukt
und entwickelt keine anderen schädlichen Nebenprodukte, wie Chlor und Chlorwasserstoff, *fie es bei der
Zersetzufig von -Chlorsilan der Fall ist.
Silan-Herstellungsverfahren, die bisher vorgeschlagen wurden,
umfassen:
1) Verfahren zur Zersetzung von Magnesiumsilicid mit verdünnter Salzsäure gemäß dem folgenden Formelschema
Mg2Si + 4HCl ->
SiH^ + 2MgCl2
Dieses Verfahren hat den Nachteil, daß nicht nur Monosilan (SiH7,), sondern auch andere höhere Silane gleichzeitig entstehen,
wie SiH4 (40%), Si2H6 (30%), Si,Hg (15%) und
Si4H^0 (10%) und daß die Ausbeute an Monosilan lediglich
40% beträgt.
2) Die Herstellung von Silan durch Umsetzung von Siliciumtetrachlorid
mit Lithiumaluminiumhydrid gemäß der folgenden Gleichung ■ .
SiCl4 + LiAlH4 -^SiH4 + LiCl + AlCl5
Dieses Verfahren für Silicium mit Halbleiterqualität besitzt
den Nachteil größerer Herstellungskosten.
3098U/1126
3) Disproportionierungsverfalxren von .Triäthoxysilan·
HSi(OCpHc)τ- mit Natrium gemäß dem folgenden Formelschema
Na
4HSi(OC2H5)5 > SiH4 + 3Si(OC2H5)4
4HSi(OC2H5)5 > SiH4 + 3Si(OC2H5)4
Dieses Verfahren besitzt den Nachteil, daß die obige Eeaktion
nicht lange fortgesetzt werden kann, da Natrium, das
ein extrem aktives Metall darstellt, sehr rasch in seiner Wirkung beeinträchtigt wird, was zu einer Behinderung des
Verfahrens dieser Disproportionierungsreaktion führt.
Der Mechanismus, durch den die Wirkung des Natriums beeinträchtigt
wird, ist vermutlich auf die folgenden Nebenreaktionen zurückzuführen:
a) SiH(OC2H5)5 + 3Na -* Si + ^H2 + 3C2H5ONa
worin Silicium während der Umsetzung von Natrium mit Triäthoxysilan, wie es in dem obigen Nebenreaktionsschema
zum Ausdruck kommt, gebildet wird, und sich dieses freie Silicium auf der Oberfläche des Natriums absetzt, wodurch
dann die Umsetzung von Silan zum Abbruch kommt.
b) Si(OC2H5)4 + 2Na -* C2H5Si(OC2H5), + Na2O
C2H5Si(OC2H5)3 + 2Na -* (C3H5)2Si(OC2H5)2 + Na3O
Wie aus diesen Reaktionen hervorgeht, reagiert das Tetraäthoxysilan
Si(OCpHn-)/,* das aus der Disproportionierung
von Triäthoxysilan entsteht, weiter mit Natrium unter Bildungvinaktiven Natriumoxyds
Die obige Beeinträchtigung des Natriums kann in der Tat durch Aktivierung der Oberfläche des Natriums durch Zugabe
von Alkohol gemäß der folgenden Gleichung
30981A/ 1126
25 + Na * C2H5ONa +
verhindert werden.
verhindert werden.
Wie aus dieser Gleichung jedoch hervorgeht, verursacht die Reaktion
des Alkohols mit dem Natrium die Entwicklung von Wasser-Stoff,
der in unerwünschter Weise das erhaltene Silan verdünnt. Weiterhin reagiert Triäthoxysilan mit Alkohol unter Bildung von
Tetraäthoxysilan, wie aus der folgenden Gleichung hervorgeht
HSi(OC2H5)5 + C2H5OH 4 Si(OC2Ht)4
Da das Entstehen von Tetraäthoxysilan gleichbedeutend ist mit einem Verlust an . rohem Triäthoxysilan, ist die zuvor genannte
Zugabe von Alkohol nicht erwünscht.
Erfindungsgemäß sollen diese Nachteile, die mit den zuvor genannten
früheren Silanherstellungsverfahren verbunden sind, verhindert werden, und ein Verfahren zur Herstellung von Silan in
guter Ausbeute, insbesondere Monosilan SiH. von besonders hoher
Reinheit, welches in der Halbleiterindustrie verwendet wird,
zur Verfügung gestellt werden. Dieses Verfahren besteht darin,
Alkoxysilane der allgemeinen Formel
worin R eine Alkylgruppe mit weniger als 4 Kohlenstoffatomen und η eine ganze Zahl von 1 bis 3 bedeutet, in Silane der allgemeinen
Formel
SinH2n+2
worin η eine ganze Zahl von 1 bis 3 bedeutet, in Gegenwart von
Alkoholat der allgemeinen Formel
ROM
worin R eine Alkylgruppe mit weniger als 4 Kohlenstoffatomen
und M ein Alkalimetall, Erdalkalimetall oder Aluminium bedeutet,
3098U/ 1 1 26
zu zersetzen. . .
Figur 1 stellt eine schematische Darstellung einer Vorrichtung·
zur Herstellung von Silanen dar und
Figur 2 ist eine graphische Darstellung, die den Zusammenhang zwischen der Konzentration des Natriumalkoholats in dem Reaktionssystem
und der Menge des erhaltenen Silans zum Ausdruck bringt.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Silanen ist
dadurch gekennzeichnet, daß ein Alkohol zur Disproportionierung von Alkoxysilanen in Silan und Tetraalkoxysilan verwendet wird.
In dieser Zersetzungsreaktion übt Alkoholat,"beispielsweise Natriumäthyl-at eine weit größere Wirkung aus, als ein Katalysator
aus metallischem Natrium, der bisher bei der Zersetzung von Triäthoxysilan verwendet wurde. Der Grund hierfür besteht darin,
daß Natriumäthylat nicht aufgrund von auftretenden Nebenreaktionen in seiner Wirkung beeinträchtigt wird, was zur Folge hat,
daß diese Disproportionierungsreaktion über eine längere Zeit
ohne Unterbrechung fortgesetzt werden kann, wodurch die Herstellung
von Silan mit hoher Reinheit und in guter Ausbeute ermöglicht wird. Alkoholat besitzt nicht die gefährlichen Eigenschaften
des metallischen Natriums und ist leicht zu handhaben, wodurch die Instandsetzung und die Wartung der Reaktionstemperatur
gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren leichter durchgeführt v/erden kann, als im Falle einer Verwendung von.metallischem
Natrium. v -
Für das Ziel dieser Erfindung v/ird aus Gesichtspunkten der Wirtschaftlichkeit
und leichten Handhabung bevorzugt Natriumäthylat verwendet. Jedoch läßt die Erfindung auch die Anxtfendung jedes
anderen Alkoholattypes der Formel ROM, in der R eine Alkylgruppe'mit
weniger als 4 Kohlenstoffatomen bedeutet, und M ein Alkalimetall, Erdalkalimetall oder Aluminium darstellt, zu.
30 98 14/1126
Bedeutet M Kalium, so wird wenig Unterschied in der Wirkung der gewünschten Silanherstellung beobachtet, da Kalium im wesentlichen
die gleiche Reaktivität wie Natrium besitzt. Bedeutet M irgendeines der Erdalkalimetalle, so läßt dieses Erdalkalimetall
keine Möglichkeit zu, daß schädliche Alkaliionen in
das Silan mit Halbleiterqualität eindringen, obgleich dieses Erdalkalimetall eine etwas geringere Reaktivität als ein Alkalimetall
besitzt. Daher sind Erdalkalimetalle bei der Herstellung von Silan als Rohmaterial eines Halbleiters verwendbar, der vor
dem Einschluß besonderer Alkaliionen bewahrt werden sollte.
Das in dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendete Alkoholat
ROM kann direkt aus einer Alkoholatlösung geliefert werden,
die durch Auflösen eines Metalles M in einem Alkohol "ROH hergestellt
wird. Jedoch wird bevorzugt eine Lösung verwendet, die durch Auflösen des Alkoholates in Tetraalkoxysilan Si(OR)1, erhalten
wird.
Es wurde experimentell bestätigt, daß, wenn das Alkoholat mehr als 0,1 Gew.-% des Reaktionssystems ausmacht, sich Silan kontinuierlich
bildete. Figur 2 ist eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwischen der Konzentration des Natriumalkoholats
in dem Reaktionssystem und der Menge des erhaltenen Silans zum Ausdruck bringt. Wie aus dem Diagramm hervorgeht, sollte das
Natriumalkoholat eine Konzentration von mehr als 0,1 Gew.-% besitzen.
Unter Bezugnahme auf Figur 1 wird im Folgenden die Anordnung einer Reaktionsapparatur beschrieben, die in dem nachstehenden
erfindungsgemäßen Beispiel sowie in den Vergleichsbeispielen verwendet wird.
Ein Reaktionsgefäß 1 aus Druckglas ist mit einer Alkoxysilaneinlaßleitung
2a, einer Alkoholateinlaßleitung 2b, einer ßilan-
309814/1 126
auslaßleitung 3» einer Nebenproduktauslaßleitung 4, einem Rührer 5j einem Druckmesser 6 und einem Temperatur kontrollierenden
Thermoelement 7 versehen. Die Silanauslaßleitung 3 ist mit einer gaschromatographisehen Apparatur 8 und mit einem
Silansammler 9 verbunden. Der Silansammler 9 ist ebenfalls mit einem Druckmesser 10 versehen. Die Außenwände des Reaktionsgefäßes 1 sind mit einer Heizvorrichtung 11 versehen, um
das Reaktionsgefäß bei der gewünschten Temperatur zu halten.
Das Innere des Reaktionsgefäßes 1 ist derart, daß es von der Aussenseite beobachtet werden kann. Hummer 12 stellt einen Hahn
zum öffnen oder Schließen der Nebenproduktauslaßleitung 4 dar.
Die Reaktion findet statt, wenn Alkoxysilane·, beispielsweise Triäthoxysilan, in das Reaktionsgefäß 1 durch eine den Zufluß
regulierende Pumpe (niht gezeigt) eingeführt werden. Das durch die Umsetzung gebildete Silan SiH7, wird in dem Kollektor 9 gesammelt und ein Teil des Silanes wird der gaschromatographischen
Apparatur 8 zur Bestimmung seiner Zusammensetzung zugeführt. Zur Feststellung der Reaktionsgeschwindigkeit wird von den Druckmessern
6 oder 10 der in dem Reaktionsgefäß 1 oder in dem Silansammler 9 ansteigende Druck kontinuierlich aufgezeichnet. Dieser
ansteigende Druck ist hauptsächlich auf die Entwicklung von gasförmigem Wasserstoff und Silan zurückzuführen. Das Tetraäthoxysilan
SiCOC^c)^ wird aus dem Reaktionsgefäß 1 durch die Auslaßleitung
4 unter Verwendung des Druckes in dem Reaktionsgefäß 1
entnommen.
Das Reaktionsgefäß 1 wird mit 60 g metallischem Natrium als Katalysator beschickt und es wurde Triäthoxysilan mit einer
Geschwindigkeit von 3 1/ Std. kontinuierlich in das Gefäß 1
eingeführt. Zu Anfang behielt die Oberfläche des metallischen Natriums einen metallischen Glanz bei. Das infolge der fort-
3098 U/1126
schreitenden Reaktion gebildete Gas· wurde beim AuetretenjUi die
Luft entzündet, was zum Ausdruck brachte,"dall in dem leaktionsgefäß
1 kontinuierlich Silangas gebildet wurde. 3 bie 5 Stunden
später jedoch war die Oberfläche des Natriums schwär»'geworden.
Zu diesem Zeitpunkt wurde in dem Reaktionsgeflß 1 kein Druckanstieg
mehr noch eine Bildung von Silangas beobachtet. Diese Tatsache zeigte, daß das metallische Natrium seine katalytisch^
Wirkung vollständig verloren hat.
.der
Das metallische Natrium beeinträchtigt das Fortschreiten ^Reaktion
aufgrund seiner im Beispiel 1 beobachteten Zerstörung. Aus
diesem Grunde wurde, bevor das metallische Natrium seine katalytische
Wirkung vollkommen verloren hatte, ein Versuch unternommen, dessen Oberfläche durch Einführen von Alkohol in das
Reaktionsgefäß 1 gemäß des folgenden ReaktionsSchemas zu reaktivieren:
C2H5OH + Na -» C2H^ONa + ^H2
Obgleich in diesem Fall die Natriumoberfläche wieder einen metallischen
Glanz erhielt, und die Entwicklung von gasförmigem ßilan beobachtet wurde, nahm jedoch die Ausbeute an Silan beträchtlich
auf 10 bis 30% ab.
Der Grund hierfür liegt darin, daß die Umsetzung des Natriums mit Alkohol die Entwicklung von Wasserstoff herbeiführte und
eine weitere Umsetzung des Triäthoxysilans mit Alkohol gemäß der nachfolgenden Gleichung zu der Bildung von Tetraäthoxysilan
und Wasserstoff führte, wodurch ein Verlust an rohem Triäthoxysilan
entstand.
HSi(OC2H5), + C2H5OH 4 Si(OC2IlJ4 + H2
3098U/ 1126
In das Eeaktionsgefäß 1 wurde Triäthoxysilan mit einer Geschwindigkeit
von 20 1/Std. durch die Alkoxysilan-Einlaßleitung 2a
eingeführt. Andererseits wurde-eine Katalysatorlösung durch
Lösen von Natriumäthyl at CoHj-ONa in Tetraäthoxysilan
Si(OCpHc)/, hergestellt. Diese Katalysatorlösung wurde mit einer
Geschwindigkeit von 1 1/Std. in das Reaktionsgefäß 1 durch die Alkoholat-Einlaßleitung 2b eingeführt. Es hat sich dann bestätigt,
daß der Druck in dem Reaktionsgefäß 1 fortschreitend zunahm
und sich Silan (SiH/,) kontinuierlich bildete; die Ausbeute
an Silan betrug 70 bis 90 % des theoretischen Werte's und die
Disproproportionierungsreaktion schritt rasch voran«, Es stellte sich auch heraus, daß Rühren der Beschickungsmasse durch den ·
Rührer 5 nicht so wirksam in bezug auf die Beschleunigung dieser
Disproportionierungsreaktion"war, wie es erwartet wurde. Die Disproportionierungsreaktion, die in diesem Beispiel stattfand,
kann durch das folgende Formelschema wiedergegen werden:
-5- 3Si(0C2H5)4
flüssig Gas flüssig
Wie aus dem obigen Reaktionsschema hervorgeht, sind Triäthoxysilane
und Tetraäthoxysilane Flüssigkeiten, wohingegen Silan ein Gas darstellt. Mit fortschreitender Reaktion wurde das
Reaktionsgefäß 1 zunehmend mit Silangas gefüllt und es wurde
flüssiges Tetraäthoxysilan als Nebenprodukt erhalten. Es war daher notwendig, dieses Reaktionsprodukt und Nebenprodukt aus
dem Reaktionsgefäß 1 kontinuierlich oder periodisch abzuführen
Gleichzeitig wurde ein Teil des Natriumäthylatkatalysators
unvermeidlich abgezogen, so daß auch der Katalysator kontinuierlich oder periodisch ergänzt werden mußte.
309314/1126
Claims (9)
- _ ίο -PatentansprücheΛ\ Verfahren zur Herstellung von Silanen der allgemeinen FormelSinH2n+2worin η eine ganze Zahl von 1 bis 3 bedeutet, dadurch gekennzeichnet , daß man Alkoxysilane der allgemeinen FormelHnSi<0BVnworin R eine Alkylgruppe mit weniger als 4 Kohlenstoffatomen und η eine ganze Zahl von 1 bis 3 bedeutet, in Gegenwart von Alkoholat der allgemeinen FormelROMworin R eine Alkylgruppe mit weniger als 4· Kohlenstoffatomen und M ein Alkalimetall, Erdalkalimetall oder Aluminium bedeutet, disproportioniert.
- 2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man ein Alkoxysilan verwendet, in dem η 1 bedeutet.
- 3. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als Alkoxysilan Triäthoxysilan verwendet.
- 4. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man ein Alkoholat ROM verwendet, in dem M ein Alkalimetall darstellt.
- 5. Verfahren gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man als Alkoholat Natriumäthylat verwendet.
- 6. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß309814/1126man Alkoholat in einer ffenge von mehr.als O1I Gew»-% des Reaktionssystems verwendet«
- 7. Verfahren gemäß Anspruch I9 dadurch gekennzeichnet, daßman Alkoholat in gelöstem Zustand in Tetraalkoxysilan der allgemeinen Formelworin R eine Alkylgruppe mit weniger als Λ Kohlenstoffatomen bedeutet, verwendet.
- 8. Verfahren gemäß Anspruch 7S dadurch gekennzeichnet, daß man als Tetraalkoxysilan Tetraäthoxysilan verwendet*
- 9. Verfahren zur Herstellung von Silanen der allgemeinen FormelSi_H<^ ο
η Zn+din der η eine ganze Zahl von 1 bis 3 bedeutet gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man Trialkoxysilane der allgemeinen FormelHSi(OR)3worin R eine Alkylgruppe mit weniger als 4 Kohlenstoffatomen darstellt in Gegenwart von Alkoholaten der allgemeinen Formel ·ROMin der R eine Alkylgruppe mit weniger als ^ Kohlenstoffatomen und M ein Alkalimetall, Erdalkalimetall oder Aluminium bedeutet, in Silan und Tetraalkoxysilan disproportioniert.3098U/1 126ι Λ · Leerseite
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4904460A (en) * | 1988-04-13 | 1990-02-27 | Mitsubishi Kasei Corporation | Process for producing monosilane |
CN110799458A (zh) * | 2017-06-01 | 2020-02-14 | 赢创运营有限公司 | 用于制备锗-硅-层的三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基-三氯甲锗烷以及由三氯甲硅烷基-三苯基甲锗烷制备其的方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4667047A (en) * | 1985-05-16 | 1987-05-19 | Mitsubishi Chemical Industries Limited | Method for producing monosilane and a tetraalkoxysilane |
US4824657A (en) * | 1985-11-27 | 1989-04-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for reducing silicon, germanium and tin halides |
DE3828549A1 (de) * | 1988-08-23 | 1990-03-08 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur entfernung von silanverbindungen aus silanhaltigen abgasen |
US5998574A (en) * | 1996-07-10 | 1999-12-07 | Basf Corporation | Compositions of polytetramethylene ether glycols and polyoxy alkylene polyether polyols having a low degree of unsaturation |
US6103942A (en) * | 1999-04-08 | 2000-08-15 | Midwest Research Institute | Method of high purity silane preparation |
DE10059625A1 (de) * | 2000-09-18 | 2002-05-16 | Peter Plichta | Verfahren zur Herstellung von Höheren Silanen im Hinblick auf ihre Verwendung als Treibstoffe |
WO2014054843A1 (en) * | 2012-10-02 | 2014-04-10 | Oci Company Ltd. | Method for preparing monosilane by using trialkoxysilane |
JP6728974B2 (ja) | 2016-05-23 | 2020-07-22 | 株式会社ジェイテクト | ボールねじ機構及びステアリング装置 |
JP6684154B2 (ja) | 2016-06-01 | 2020-04-22 | 株式会社ジェイテクト | ボールねじ装置、ボールねじ装置を用いたステアリング装置及びボールねじ装置のリテーナの製造方法 |
JP6699364B2 (ja) | 2016-06-01 | 2020-05-27 | 株式会社ジェイテクト | ボールねじ装置の製造方法及びボールねじ装置を用いたステアリング装置の製造方法 |
JP6787139B2 (ja) | 2017-01-11 | 2020-11-18 | 株式会社ジェイテクト | ボールねじ装置、及びボールねじ装置を備えるステアリング装置 |
JP2019039519A (ja) | 2017-08-28 | 2019-03-14 | 株式会社ジェイテクト | ボールねじ装置、ボールねじ装置の製造方法及びボールねじ装置を備えたステアリング装置 |
JP2019055758A (ja) | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 株式会社ジェイテクト | ステアリング装置 |
US11505239B2 (en) | 2018-10-01 | 2022-11-22 | Jtekt Corporation | Steering system and method for manufacturing steering system |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2530367A (en) * | 1947-12-06 | 1950-11-21 | Linde Air Prod Co | Disproportionation of alkoxysilanes |
US2723984A (en) * | 1952-10-17 | 1955-11-15 | Union Carbide & Carbon Corp | Disproportionation of arylalkoxysilanes |
-
0
- BE BE789534D patent/BE789534A/xx not_active IP Right Cessation
-
1971
- 1971-10-01 JP JP46076281A patent/JPS5120040B2/ja not_active Expired
-
1972
- 1972-09-26 US US00292394A patent/US3829555A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-09-27 GB GB4457272A patent/GB1365616A/en not_active Expired
- 1972-09-29 FR FR7234510A patent/FR2156655B1/fr not_active Expired
- 1972-09-29 DE DE2247873A patent/DE2247873C3/de not_active Expired
- 1972-09-30 IT IT53093/72A patent/IT966133B/it active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2530367A (en) * | 1947-12-06 | 1950-11-21 | Linde Air Prod Co | Disproportionation of alkoxysilanes |
US2723984A (en) * | 1952-10-17 | 1955-11-15 | Union Carbide & Carbon Corp | Disproportionation of arylalkoxysilanes |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4904460A (en) * | 1988-04-13 | 1990-02-27 | Mitsubishi Kasei Corporation | Process for producing monosilane |
CN110799458A (zh) * | 2017-06-01 | 2020-02-14 | 赢创运营有限公司 | 用于制备锗-硅-层的三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基-三氯甲锗烷以及由三氯甲硅烷基-三苯基甲锗烷制备其的方法 |
CN110799458B (zh) * | 2017-06-01 | 2023-05-26 | 赢创运营有限公司 | 用于制备锗-硅-层的三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基-三氯甲锗烷及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5120040B2 (de) | 1976-06-22 |
FR2156655B1 (de) | 1975-03-14 |
IT966133B (it) | 1974-02-11 |
BE789534A (fr) | 1973-01-15 |
JPS4840698A (de) | 1973-06-14 |
US3829555A (en) | 1974-08-13 |
DE2247873C3 (de) | 1981-10-29 |
DE2247873B2 (de) | 1976-04-01 |
GB1365616A (en) | 1974-09-04 |
FR2156655A1 (de) | 1973-06-01 |
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