DE2131218B2 - - Google Patents

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine ladungsgekoppelte Halbleitervorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, wie sie aus der Zeitschrift »Bell System Technical Journal«, April 1970, Seiten 587 bis 600 bekannt ist.
Die bekannte, mit einer 3phasigen Taktspannung gesteuerte ladungsgekoppelte Halbleitervorrichtung stellt ein Schieberegister dar, welches einen Halbleiterkörper mit einer Vielzahl diskreter Speicherplätze sowie eine Taktsignalquelle zur sequentiellen Übertragung bzw. Verschiebung der gespeicherten Ladungsträger in aufeinanderfolgenden Speicherplätzen aufweist. Jeder Speicherplatz wird durch einen MIS-Kondensator gebildet, wobei sämtliche dieser Kondensatoren in integrierter Schaltkreistechnik ausgebildet sind, d. h. einen gemeinsamen Halbleiterkörper und eine gemeinsame Isolierschicht mit darauf aufgebrachten diskreten Metallelektroden aufweisen. Die zu speichernden Ladungsträger können auf vielfältige Weise mit Hilfe bekannter Einschreibtechniken erzeugt werden, wobei die Anzahl der in jedem Speicherplatz gespeicherten Ladungsträger eine durch das Eingangssignal repräsentierte Information darstellt. Bei Verwendung der bekannten ladungsgekoppelten Halbleitervorrichtung als digitales Bauelement kann das Eingangssignal sequentiell den Speicherplätzen zugeführt werden, wobei das Vorhandensein oder das Fehlen von Ladungsträgern in jedem Speicherplatz einer binären Eins oder einer binären Null entspricht. Bei Anwendung der bekannten ladungsgekoppelten Halbleitervorrichtung als Bildwandlerelement einer Fernsehkamera stellt das Szenenlicht das Eingangssignal dar, wobei die Ladungsträgermenge in jedem Speicherplatz einer bestimmten räumlichen Lichtverteilung entspricht. In allen Anwendungsfällen ist die in jedem einzelnen Speicherplatz gespeicherte Information abhängig von einem Eingangssignal, so daß die bekannte ladungsgekoppelte Halbleitervorrichtung nicht als Festwertspeicher verwendet werden kann, bei welchem unabhängig von einem Einschaltsignal eine festgelegte Information
im englischen Sprachgebrauch als »Read-Only-Memory« bzw. abgekürzt als ROM bezeichnet werden, werden in elektronischen Datenverarbeitungsanlagen häufig benötigt, um beispielsweise einen vorbestimmten Ausgangscode zu erzeugen, der von dem Schaltsignal 5 des Festwertspeichers völlig unabhängig ist
Die Aufgabe der Erfindung besteht demgemäß darin, eine ladungsgekoppelte Halbleitervorrichtung der eingangs erwähnten Art zu schaffen, welche als Festwertspeicher betrieben werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst
Vorteilhafte Weiterbildungen der ladungsgekoppelten Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Bei der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung ist die Speicherkapazität eines oder mehrerer Speicherplätze gegenüber den Speicherkapazitäten der übrigen Speicherplätze unterschiedlich gewählt oder wählbar. Falls die Speicherkapazität eines oder mehrerer Speicherplätze unterschiedlich gewählt ist, handelt es sich um einen ROM-Festwertspeicher, wohingegen die unterschiedliche Wählbarkeit der Speicherkapazität eines oder mehrerer Speicherplätze dem Benutzer eine Programmiermöglichkeit gibt Ein solcher programmierbarer Festwertspeicher wird im englischen Sprachgebrauch als »Programmable Read-Only-Memory« bzw. abgekürzt als PROM bezeichnet. Die erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung kann sowohl in der jo ROM- als auch in der PROM-Version parallel oder seriell ausgelesen werden.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine schematische Ansicht eines Ausführungsbeispiels einer ladungsgekoppelten Halbleitervorrichtung nach der Erfindung;
F i g. 2A, 2B eine Draufsicht bzw. einen Querschnitt auf bzw. durch ein abgewandeltes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen ladungsgekoppelten Halbleitervorrichtung;
Fig.3 eine perspektivische Ansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung;
Fig.4 einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen ladungsgekoppelten Halbleitervorrichtung mit programmierbarem Speicherinhalt;
Fig.5 eine Strom-Spannungs-Kennlinie zur Veranschaulichung einer besonderen Eigenschaft der Isolierschicht zwischen dem Speichermedium und dem Steuerelement für die Speicherkapazität bei der Halbleitervorrichtung nach F i g. 4, und
F i g. 6A, 6B Energiebändermodelle der Halbleitervorrichtung nach Fig.5 für die Fälle eines geladenen τ, und eines ungeladenen Steuerelementes für die Speicherkapazität.
Die Halbleitervorrichtung gemäß Fig. 1 enthält eine Reihe von Merkmalen der bekannten, ladungsgekoppelten Halbleitervorrichtung, wie einen Halbleitergrund- ho körper 10, eine Isolierschicht 11 und metallische Steuerelektroden 12a—12c/, 13a—13c/, 14a-14c/, die über zugeordneten Steuerleitungen 12, 13, 14 an einer Taktspannungsquelle liegen. Durch entsprechende Vorspannung wirken die von den Steuerelektroden (,5 12a— 12c/, den darunter liegenden Teilen des Halbleitergrundkörpers 10 und der Isolierschicht 11 gebildeten
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t.i.u l\unut.lMUlUIVII UH UOUUIIgaU agl.1 .1V.im^M U/.VY.
-akkumulatoren und beinhalten daher die Speicherfunktion der Halbleitervorrichtung. Einige der Elektroden 12a bis 12c/, im dargestellten Beispielsfall die Elektroden 12b und 124 liegen auf einer zusätzlichen, dicken Isolierschicht 15, wodurch die Kapazität dieser MIS-Kondensatoren geringer als diejenige der MIS-Kondensatoren mit den Elektroden 12a, 12c ist Bei Anlegen der Vorspannung an die Leitung 12 könneii sich unter den Elektroden 12a—12c/Ladungsträger der einen Polarität bis zum Erreichen eines Gleichgewichtszustands mit Ladungsträgern der entgegengesetzten Polarität ansammeln. Dieser Vorgang kann durch geeignete Maßnahmen begünstigt werden. Beispielsweise läßt sich bei Beleuchtung des Halbleiterkörpers 10 ein Überschuß an freien Ladungsträgern infolge Photonenabsorption erzielen. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, an einer Stelle Ladungsträger zu injizieren und bis zu den an der Ladungsansammlung beteiligten M IS-Kondensatoren zu verschieben, wobei die Speicherkapazität jedes MiS-Kondensators aufgefüllt wird. Ein ähnliches Ergebnis läßt sich erreichen, wenn alle MIS-Kondensatoren in den Lawinendurchbruch gesteuert werden, so daß an jedem, von den MISKondensatoren gebildeten Speicherplatz Ladungsträger injiziert werden. Eine Ladungsträgeransammlung tritt ferner infolge thermischer Vorgänge auf. Dieser letztgenannte Mechanismus ist wegen seiner Einfachheit besonders interessant und reicht bis auf solche Fälle aus. wo sehr kurze Sammlungsperioden erforderlich sind. Die angesammelten Ladungsträger werden anschließend in der üblichen ladungsgekoppelten Betriebsweise durch sequentielle Ansteuerung der Steuerleitungen 12, 13, 14 mit einer 3phasigen Taktspannung ausgeschoben. Das durch die angesammelten Ladungsträger unter den Elektroden 12a, 12c erzeugte Signal ist dabei größer als das durch die Ladungsträger unterhalb der Elektroden 126, 12c/ erzeugte Signal. Ordnet man den Signalen mit dem höheren Pegel z. B. eine binäre Eins und den Signalen mit dem kleineren Pegel z. B. eine binäre Null zu, so ergibt sich durch diesen seriellen Auslesevorgang die Bitfolge LOLO, deren Zusammensetzung auch bei wiederholtem Auslesen stets gleichbleibt, da sie nur von der Lage der Elektroden 12fc, 12c/ bezüglich der übrigen Elektroden abhängig ist. Im Ergebnis stellt daher die Halbleitervorrichtung nach Fig. 1 einen ROM-Festwertspeicher dar.
Bei der erläuterten seriellen Auslesung der Halbleitervorrichtung nach F i g. 1 kann der Schiebevorgang durch die unterschiedliche Kapazität der MIS-Kondensatoren gestört werden. Diese Störungen lassen sich auf ein Minimum verringern, wenn die Potentiale der zum Ausschieben benutzten Taktspannungen im Vergleich zu der für die Ladungsträgeransammlung verwendeten Vorspannung groß sind und zumindest den doppelten Wert dieser Vorspannung besitzen.
Eine weitere bevorzugte Möglichkeit zu Vermeidung der geschilderten Störungen ist in Fig. 2A dargestellt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ähnelt die Anordnung der Elektroden 12a bis 12c/, 13a-13c/, 14a-14c/ derjenigen nach Fig. 1, wobei jedoch im Unterschied dazu parallel zu den Elektroden 12a—12c/ und den zugehörigen Steuerleitungen 12, 13, 14 eine slreifenförmige Isolierschicht 11' und ein Leiterstreifen 17 verlaufen. An den Stellen 12a' und 12c' in Höhe der Elektroden 12a und 12c ist die Isolierschicht 1Γ teilweise entfernt, so daß hier, wie aus Fig. 2B hervorgeht, der Leiterstreifen 17 teilweise auf der
dieser Verringerung der Isolierschichtdicke an den Stellen 12a' und 12c' wirken diese Stellen als Speicherplätze, an denen sich bei Anlegen einer Vorspannung an den Leiterstreifen 17 Ladungsträger ansammeln. Die angesammelten Ladungsträger repräsentieren eine binäre Eins im Vergleich zum Fehlen von angesammelten Trägern unterhalb des Abschnitts des Leiterstreifens 17 neben den Elektroden i2b, 12c/, was binären Nullen entspricht. Nach Beendigung der Ladungsträgeransammlung wird die Leitung 12 vorgespannt, wodurch sich die angesammelten Ladungen von den Speicherplätzen an den Stellen 12a', 12c' in die Speicherplätze unterhalb der Elektroden 12a, 12c verschieben. Anschließend werden die angesammelten Ladungen in gleicher Weise wie bei dem Ausführungs- !5 beispiel nach F i g. 1 durch Anlegen einer 3phasigen Taktspannung an die Steuerleitungen 12, 13, 14 angeschoben. Für den in F i g. 2 dargestellten Abschnitt der Halbleitervorrichtung ergibt sich auf diese Weise die Bitfolge LOLO am Ausgang. Während des Ausschiebens muß eine Ladungsübertragung zwischen der Speicherstufe 11, 17 und der dazu parallelen Ladungskopplungs- bzw. Schiebestufe 10,11,12a—\2d, 13a—13c/, 14a—14c/ vermieden werden. Hierzu kann z. B. die Dauer des Sammelvorgangs wesentlich länger als die Dauer des Auslesevorgangs gewählt werden, so daß eine Wechselwirkung zwischen der Speicherstufe und der Schiebestufe während des Auslesevorgangs nur wenige Ladungsträger umfaßt, die keine Signalverschlechterung hervorrufen können. Alternativ hierzu kann die Vorspannung von dem Leiterstreifen 17 während des Verschiebevorgangs abgeschaltet werden, so daß sich darunter während dieses Vorgangs keine Träger ansammeln können.
Des weiteren können die Speicherplätze an den J5 Stellen 12a' und 12c' mittels einer gesonderten Steuerelektrode von der Ladungskopplungs- bzw. Schiebestufe baulich getrennt werden, wie sich nachstehend aus F i g. 3 ergibt
Es gibt verschiedene zweckmäßige Wege zur Herstellung der Halbleitervorrichtungen nach Fig. 1 und 2A, wobei vorteilhaft bekannte Halbleiterherstellungsverfahren angewendet werden. Beispielsweise kann die Isolierschicht mit der gewünschten Dicke bei den Elektroden 126, 12c/ (d. h. der Gesamtdicke der Isolierschichten 11, 15 in Fig. 1 oder der Dicke der Schicht 11' in Fig.2A) niedergeschlagen und dann selektiv geätzt werden, um so die dünneren Isolierschichtbereiche zu bilden. Wahlweise kann eine zusammengesetzte Schicht, beispielsweise aus S1O2 und S13N4 niedergeschlagen werden, welche alsdann mit einem geeigneten Ätzmittel selektiv geätzt wird, im die gewünschte Struktur zu erhalten. Diese Verfahren sind an sich bekannt und bilden keinen Bestandteil der Erfindung.
Eine andere Möglichkeit zur Erzielung einer unterschiedlichen Ladungskapazität der an der Ladungsansammlung beteiligten M IS-Kondensatoren besteht in der Verwendung von Metallelektroden mit wesentlich verschiedener elektrischer Austrittsarbeit. Die entsprechende Halbleitervorrichtung ähnelt der Ausführungsform gemäß F i g. 1 mit der Ausnahme, daß die Isolierschicht unterhalb der Elektroden 12a, 12Z>, 12c; YId eine gleichförmige Dicke aufweist Die Elektroden 12a, 12c können hierbei z. B. aus PlatL: bestehen, die Elektroden \2b, 12c können hingegen aus Wolfram bestehen. Die Differenz der elektrischen Austrittsarbeit zwischen diesen Metallen beträgt etwa 1,OVoIt, was eine leicht anzuzeigende Veränderung der Ladungsspei cherung bei normalen Vorspannungen ergibt. Im FaIIi des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 2A brauch lediglich der Leiterstreifen 17 derart unterteilt zi werden, daß die Stelle 12a'init Platin und die Stelle 12c mit Wolfram überdeckt ist. Da diese Stellen normaler weise gleichzeitig vorgespannt werden, kann de gemeinsame Anschluß 16 für beide Stellen 12a', 12c verbleiben.
Eine Abwandlung der Halbleitervorrichtung gemäl Fig.2A ergibt sich aus Fig.3. Zum Zwecke de besseren Darstellung erfolgt der ladungsgekoppelt« Verschiebevorgang bei dieser Halbleitervorrichtunj durch eine 2phasige Taktspannung, was durch eine asymmetrische Struktur der MIS-Kondensatoren er möglicht wird. An der Ladungsansammlung ist durct entsprechende Vorspannung jeder zweite MIS-Kon densator beteiligt. Die dargestellte Halbleitervorrich tung umfaßt wiederum einen Halbleitergrundkörper 30 eine Isolierschicht 31 sowie eine Folge von Steuerelek troden 32a, 33a, 326,336,32c, 33c, 32t* 334 32e, 33e, die in abwechselnder Folge mit den Steuerleitungen 32, 33 verbunden sind. Am vorderen Abschnitt des Halbleiter grundkörpers 30 ist statt einer Isolierschicht 31 ein stetiger, in Längsrichtung verlaufender diffundiertei Bereich 34, vorgesehen, welcher mit dem darunterlie genden Halbleitergrundkörper einen pn-übergang bildet. Dieser pn-übergang ist mittels einer Elektrode 35 außen kurzgeschlossen. Der pn-übergang wirkt in ähnlicher Weise wie die Sourceelektrode eines Feldef fekttransistors mit isolierter Steuerelektrode (sog IGFET) und führt zu einer kontinuierlichen Ladungs trägerinjektion in unmittelbarer Nachbarschaft dei Elektroden 32a bis 33e, ohne jedoch mit diesen gekoppelt zu sein. Vielmehr erfolgt diese Kopplung selektiv durch Steuerelektroden 36, 37, 40. Wie mi gestrichelten Linie angedeutet ist, fehlen an den Stellen 38,39 Steuerelektroden, da an diesen Stellen z. B. binäre Nullen gespeichert sein sollen, und zwar im Gegensatz zu binären Einsen im Bereich der Steuerelektroden 36, 37, 40. Der in dem dargestellten Abschnitt dei Halbleitervorrichtung gespeicherte Code besitzt somi die Bitfolge LOOLL Sobald die Steuerelektroden 36, 37, 40 über die gemeinsame Steuerleitung 41 mit einer Vorspannung beaufschlagt werden, fließt eine Ladung von dem pn-übergang 34 der Sourceelektrode 35 in den Bereich unterhalb der Steuerelektroden 36, 37, 40. Die mit den Steuerelektroden 32a bis 32e der Schiebestufe verbundene Steuerleitung 32 wird gleichzeitig mit der Leitung 41 vorgespannt, wodurch Ladung über die vorgespannten Steuerelektroden 36, 37, 40 in die Schiebestufe fließt Die unter den zugeordneten Steuerelektroden 32a, 32b, 32c, 32ci 32e angesammelte Ladung wird anschließend im üblichen Ladungskopp lungsbetrieb durch sequentielle Beaufschlagung der Steuerleitungen 32, 33 mit einer 2phasigen Taktspan nung ausgeschoben bzw. ausgelesen. Entsprechend dem genannten Code besteht das ausgelesene Binärsigna aus der Bitfolge LOOLL
Anstelle einer einzigen, durchgehenden Sourceelek trode 35 können im Bedarfsfall bei der Halbleitervor richtung nach F i g. 3 auch einzelne, diskrete pn-Über gänge an ausgewählten Stellen zusammen mit einer zugehörigen Steuerelektrode vorgesehen werden.
Die in den F i g. 1 bis 3 dargestellten Halbleitervor richtungen arbeiten digital und können in der gezeigten Form nicht als analoge Bauelemente verwendet werden. Sie unterscheiden sich auch in charakteristischer Weise
von den eingangs beschriebenen Festwertspeichern insofern, als bei diesen Festwertspeichern die Speicherkapazität ausgewählter Speicherplätze programmiert wird, wohingegen die Wirkungsweise als Festwertspeicher bei den vorstehend erläuterten Ausführungsbei- r> spielen auf der Aufladung lediglich bestimmter M IS-Kondensatoren einer ladungsgekoppelten Schiebestufe beruht, wobei die Aufladung durch Kopplung der ausgewählten MIS-Kondensatoren mit einem sofort verfügbaren Ladungsträgervorrat erfolgt. Bei dem ι ο Ausführungsbeispiel nach Fig.2A erfolgt die Aufladung der ladungsgekoppelten Schiebestufe selektiv, jedoch mit einer begrenzten Dauer. Demgegenüber ist bei dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 3 die Aufladedäucr kürzer, so daß für Anwendungen mit möglichst ιί raschem Zugriff zu den gespeicherten Festwerten die Halbleitervorrichtung nach F i g. 3 vorzuziehen ist
Ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung ist in F i g. 4 veranschaulicht, welche von dem Benutzer programmiert werden kann und damit einen PROM-Festwertspeicher darstellt. Der Halbleitergrundkörper 50 dieser Halbleitervorrichtung besteht beispielsweise aus Silicium, auf welchem eine Isolierschichtenfolge 57, 59 angebracht ist. Auf der oberen Isolierschicht 59 sind die Steuerelektroden 51,52,53 einer dreiphasig gesteuerten bzw. getakteten ladungsgekoppelten Schiebestufe angebracht, wobei ebensogut auch eine andere Phasenzahl für die Taktung vorgesehen werden kann. Die obere Isolierschicht 59, welche normalerweise einen homoge- jo nen Isolator eines MIS-Kondensators darstellt, ist im Falle von Fig.4 mit dem Speicherplatz versehen. Und zwar befindet sich an der Grenzschicht zwischen der dünneren Isolierschicht 57 und der dickeren Isolierschicht 59 in letzterer »schwimmend« eingebettet eine Elektrode bzw. Kondensatorplatte 58, die aus Metall oder einem Halbleitermaterial bestehen kann und der Ladungsspeicherung dient. Die dünnere Isolierschicht 57 ist teilweise leitend, wodurch eine Übertragung von Ladung zwischen der Kondensatorplatte 58 und dem Halbleitergrundkörper 50 ermöglicht wird. Die dickere Isolierschicht 59 sollte ausreichend dick sein, um einen Abfluß größerer Ladungsmengen von den Steuerelektroden 51, 52, 53 während ihrer Ansteuerung mit der 3phasigen Taktspannung zu verhindern. 4
Die teilweise leitende Isolierschicht 57 sollte das anhand der Kennlinie gemäß Fig.5 dargestellte nicht-ohmische Verhalten zeigen. Und zwar darf die gespeicherte Ladung an der Grenzfläche zwischen dem Halbleitergrundkörper 50 und der Isolierschicht 57 außer während des Auslesevorgangs nicht zu der Kondensatorplatte 58 abfließen. Wenn die Isolierschicht 57 nicht-ohmischen Typs ist, kann mit einer Feldstärke oberhalb einer Schwellwert-Feldstärke E, die als Festwertspeicher arbeitende Halbleitervorrichtung nach Fig.4 programmiert sowie gelöscht werden. Demgegenüber erfolgt das Auslesen bei einer Feldstärke unterhalb der Schwellwert-Feldstärke Fi.
Der Einlesevorgang, durch welchen die »schwimmende« Kondensatorplatte 58 aufgeladen wird, ist anhand der Energiebändermodelle gemäß Fig.6A und 6B veranschaulicht Und zwar zeigt F i g. 6A ein Energiebändermodell der Halbleitervorrichtung nach F i g. 4 bei Fehlen einer Ladung an der Grenzfläche zwischen dem η-leitenden Halbleitergrundkörper 50 und der Isolierschicht 57, während F i g. 6B ein entsprechendes Energiebändermodell bei Vorhandensein von gespeicherter Ladung an der genannten Grenzfläche zeigt.
Das Vorliegen oder Nichtvorliegen von Ladung (bzw. einer Ladungsmenge) stellt die Information dar, welche in den Festwertspeicher eingelesen wird. Diese Information kann durch einen üblichen Ladungskopplungsvorgang unter die Kondensatorplatte 58 geschoben werden. Sobald sich die Ladung (bzw. im Falle mehrerer Kondensatorplatten 58 das Ladungsmuster) an Ort und Stelle befindet, wird eine verhältnismäßig hohe Spannung Vi an der Halbleitervorrichtung angelegt. Die Größe von V\ ist derart, daß bei fehlender Ladung an der Grenzfläche (Fig.6A) das elektrische Feld am Übergang zwischen der »schwimmenden« Kondensatorplatte 58 und dem Halbleitergrundkörper 50 ausreichend gering ist, um eine Leitung zu verhindern, d. h. unterhalb der Sch weil wert-Feldstärke E, liegt. Sobald sich jedoch eine positive Ladung an der genannten Grenzfläche befindet, ist der Spannungsabfall an der Isolierschicht 57 größer als der Spannungsabfall an dem Halbleitergrundkörper 50, wodurch sich an der dünnen Isolierschicht 57 eine Feldstärke einstellt, die größer als E1 ist. Diese größere Feldstärke ermöglicht eine Elektronenleitung innerhalb der dünnen Isolierschicht 57 und beläßt eine reine positive Ladung an der »schwimmenden« Kondensatorplatte 58. Die auf diese Weise effektiv isolierte Ladung verringert sich entsprechend dem zeitlichen Verlauf des Leckstroms für Feldstärken unterhalb der Schwellwert-Feldstärke E1. Die Größe der Betriebsspannungen für die Halbleitervorrichtung nach F i g. 4 wird kleiner als Vi gewählt, so daß der Leckstrom auf einem geringen Wert gehalten werden kann. Bei geeigneter Wahl der Isolierschicht 57 sowie der Taktspannung kann die Halbwertszeit der gespeicherten Ladung praktisch unbegrenzt gemacht werden. Zum Löschen der Ladung wird an die Elektrode 52 eine positive Spannung gleich oder größer als Vi angelegt, welche Majoritätsladungsträger aus dem Halbleitergrundkörper 50 anzieht, die mit den gespeicherten Ladungsträgern rekombinieren.
Die in die Kondensatorplatte 58 eingelesene Ladung bestimmt die Löcher-Speicherkapazität an der Grenzfläche zwischen dem Halbleitergrundkörper 50 und der Isolierschicht 57, so daß die Halbleitervorrichtung nach F i g. 4 sowohl analog als auch digital betrieben werden kann.
Zum Auslesen der Halbleitervorrichtung nach F i g. 4 werden zunächst durch Anlegen einer Vorspannung an die Leitung 55 Ladungsträger an jedem Speicherplatz nach Maßgabe seiner Kapazität angesammelt. Und zwar wird bei einem η-leitenden Halbleitergrundkörper 50 eine negative Vorspannung an die zugeordnete Leitung 55 angelegt, wodurch sich unterhalb der Elektrode 52 Löcher bis zum Erreichen ihres thermischen Gleichgewichts sammeln können. Anschließend wird die gesammelte Ladung durch sequentielle Beaufschlagung der Steuerelektroden 51, 52, 53 mit einer 3phasigen Taktspannung ausgeschoben. Die Ansammlung von Ladungsträgern kann wiederum durch lichtinduzierte Löcher oder durch Verschiebung von injizierter Ladung mittels einer hohen negativen Spannung beschleunigt werden. Im letzteren Fall wird anschließend die Spannung verringert um jeden Speicherplatz zu sättigen.
Die Ansammlung von Ladungsträgern kann selektiv gesteuert werden, indem ein Lichtbild auf dem Halbleitergrundkörper fokussiert und die Helligkeitsverteilung des Bildes mit dem Speicherinhalt der Halbleitervorrichtung verglichen wird. Auf diese Weise kann die erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung als
Bildvergleicher oder zur Mustererkennung verwendet werden.
Nachstehend soll ein ausgeführtes Beispiel der Halbleitervorrichtung nach F i g. 4 beschrieben werden.
Bei dem ausgeführten Beispiel wurde für den -, Halbleitergrundkörper Silizium mit einem spezifischen Widerstand von 10Ohm-cm verwendet. Die dünne Isolierschicht 57 bestand aus SiO2, das auf eine Dicke von 10—1000 Ä gezüchtet oder niegeschlagen wurde. Die Kondensatorplatten 58 bestanden aus Platin oder Silizium und hatten eine Dicke von 100—1000 A. Die Plattendicke war unkritisch, so daß ein zweckmäßiger Wert gewählt wurde. Eine dicke Kondensatorplatte 58 birgt die Gefahr dielektrischer Diskontinuitäten in der Isolierschicht 59. Die erforderliche Spannung zur Herstellung eines Leitungszustandes zwischen der Platte 58 und dem Halbleitergrundkörper 50 lag in der Größenordnung von 50 Millivolt pro Angstroem Isolierschichtdicke. Der der Schwellwert-Feldstärke E, gemäß F i g. 5 entsprechende Spannungsbereich liegt >o daher zwischen 0,5 und 50 V für den empfohlenen Bereich der Isolierschichtdicke. Als Isolierschicht 59 kann auch SiO2 mit einer Dicke in der Größenordnung von 200 —10 000 Ä vorgesehen werden, wobei aus den vorstehend angegebenen Gründen die Dicke der Isolierschicht 59 zumindest der doppelten Dicke der Isolierschicht 57 entspricht. Falls die Isolierschichten 57, 59 aus unterschiedlichen Werkstoffen zusammengesetzt sind, beispielsweise einer Mischung aus SiO2 und Si3N4, so sollte die Dicke und die dielektrische Festigkeit des Materials so gewählt werden, daß die Isolierschicht 57 zumindest die doppelte Leitfähigkeit besitzt wie die Isolierschicht 59 bei einer vorgegebenen Einschreibspannung. Die Steuerelektroden 51, 52, 53 können aus beliebigem elektrisch leitendem Material bestehen, r> beispielsweise aus Gold, Platin oder aus polykristallinem Silizium. Die Kondensatorplatten 58 können ebenfalls aus einem Halbleitermaterial hergestellt sein, beispielsweise aus Silizium. In vorteilhafter Weise weisen die Kondensatorplatten 58 und die Halbleitergrundkörper 10 bzw. 50 einen unterschiedlichen Leitungstyp auf.
Für die vorstehend erläuterte Funktionsweise der erfindungsgemäßen Halble'tervorrichtung wurde davon ausgegangen, daß die Speicherwirkung auf einer Ladungsträgerverarmung beruht Anstelle dessen kann ^ auch eine Ladungsträgeranreicherung für die Speicherwirkung zugrunde gelegt werden, wobei isolierende Halbleiter, wie beispielsweise ZnO, ZnS, CdS, CdSe, ZnSe, BaTiO3, KTaO3 verwendet werden.
Anstelle der »schwimmenden« Kondensatorplatte 58 gemäß F i g. 4 können auch andere Bauformen vorgesehen werden. Wenn beispielsweise zwei verschiedene Isolationswerkstoffe als Doppelschicht niedergeschlagen werden, wird üblicherweise an der Grenzfläche zwischen den beiden Isolierschichten eine Ladung r>5 eingeschlossen. Diese Ladung befindet sich in tiefen Ladungsträgerfallen, welche an Ladungsträgern verarmt und mittels des vorstehend beschriebenen Wirkungsmechanismus wieder angereichert werden können. Diese Ladungsträgerfallen an der Grenzfläche t>o können als unmittelbares Analogon zu den Kondensatorplatten 58 gemäß Fig.4 betrachtet werden. Als günstige Kombinationen von Isolierstoffen für dieses Ausführungsbeispiel haben sich SiO2-Si3N4 und SiO2-Al2O3 erwiesen, wobei die letztgenannte Kombination μ vom Gesichtspunkt der Herstellung aus besonders zweckmäßig ist Eine derartige Zweifachschicht läßt sich nämlich dadurch herstellen, daß Silizium und Aluminium niedergeschlagen und anschließend anodisch oxidiert werden, beispielsweise durch Plasmaanodisierung. Dieses Herstellungsverfahren erlaubt eine gute Steuerung der Grenzflächeneigenschaften. Ein ähnliches Ergebnis kann für eine Kombination aus S13N4 und AlN erwartet werden. Eine Erläuterung dieser Grenzflächenzustände sowie ihres Verarmungs- und Anreicherungsmechanismus findet sich in der Zeitschrift »RCA-Review«, Band 30, Juni 1969, Seiten 335-382.
Ein weiterer Ladungsspeichermechanismus beruht auf der Ausnutzung tiefer Ladungsträgerfallen in dem Isolierschichtkörper, was die Herstellung sehr einfacher Halbleitervorrichtungen nach der Erfindung gestattet. Hierzu ist lediglich eine homogene Isolierschicht zwischen den Steuerelektroden und dem Halbleitergrundkörper erforderlich. Vom Aufbau her besteht dabei kein Unterschied gegenüber der bekannten, eingangs erläuterten ladungsgekoppelten Halbleitervorrichtung mit Ausnahme der verwendeten Spannungen. Und zwar kann die bekannte ladungsgekoppelte Halbleitervorrichtung mit unterschiedlich hohen Taktspannungen betrieben werden, die jedoch alle unterhalb des Querleitungsschwellwertes der Isolierschicht liegen. Im Normalbetrieb ist eine Trägerinjektion zum oder vom Halbleitergrundkörper unerwünscht. Die Schaffung eines Vorspannungselementes zum Einprägen einer hoch genug liegenden Spannung zur Anreicherung oder Verarmung von Ladungsträgerfallen in der Isolierschicht in einer dem Speicherbetrieb angepaßten Wechselfolge führt daher zu einer Differenzierung gegenüber der bekannten ladungsgekoppelten Halbleitervorrichtung. Bei diesem Ausführungsbeispiel sollte die Isolierschicht zumindest 1016 tiefe Ladungsträgerfalien/cm3 aufweisen.
Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung, bei welchem die Speicherplatzkapazität semipermanent programmierbar ist, ist eine abgestufte Isolierschicht ähnlich wie bei den Ausführungsbeispielen gemäß F i g. 1 und 2A vorgesehen, jedoch mit der Ausnahme, daß die Isolierschicht durch Verwendung e;nes thermoplastischen Materials als Isoliermaterial einstellbar ist, wie es in den Zeitschriften »Journal of Applied Physics«, Dezember 1959, Seiten 1870 bis 1873 und »RCA-Review«, Band XXIII, September 1962, Seite 413 beschrieben ist Diese Werkstoffe sind typischerweise Polymerisate, die bei niedriger Temperatur in den Glaszustand übergehen. Werden diese Werkstoffe auf ihre Plastifizierungstemperatur beim Vorliegen eines elektrischen Feldes aufgeheizt, so werden sie elektrostriktiv und ziehen sich in Richtung des elektrischen Feldes zusammen, bis die elektrostatischen Kräfte mit den Oberflächenspannungskräften im Gleichgewicht sind. Bei anschließender Abkühlung wird das Material in dem verformten Zustand eingefroren. Wird die Temperatur bei Fehlen eines elektrischen Feldes erhöht, führen die Oberflächenspannungskräfte das Material in seinen ursprünglichen Zustand zurück. Da thermoplastische Stoffe nicht besonders komprimiert werden können, bewirkt die erläuterte Striktion des Polymerisatmaterials eine Verschiebung des Materials aus dem Bereich unterhalb der Steuerelektrode. Die Funktionsweise dieses Ausführungsbeispiels ist dabei die gleiche wie die des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1 mit Ausnahme des Einlese- bzw. Speicherungsvorgangs. Hierzu wird eine der gewünschten Bitfolge entsprechende Ladung zu den Steuerelektroden 12a, 126, lic 12c/verschoben. Entsprechend dem vorstehend betrachteten Beispiels-
all der Bitfolge LOLO wird an den den Elektroden 12a, 12c zugeordneten Speicherplätzen Ladung gespeichert, vährend sich unterhalb der Elektroden 12/j, 12J keine ^adung befindet. Die thermoplastische Schicht wird inschließend aufgeheizt, was eine Striktion des Schichtmaterials an den den Elektroden 12a, 12c zugeordneten Speicherplätzen hervorruft, während
unterhalb der Elektroden 126, 12d keine Striktion auftritt. Abschließend wird das thermoplastische Material abgekühlt, wodurch sich die gewünschte, abgestufte Isolierschicht ergibt. Dieses Ausführungsbeispiel läßt sich auch für analoge Spei"her in entsprechender Abwandlung verwenden.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (13)

Patentansprüche:
1. Ladungsgekoppelte Halbleitervorrichtung, bestehend aus einer Kette von in integrierter Schaltkreistechnik ausgebildeten Kondensatoren, insbesondere M IS-Kondensatoren, welche diskrete Speicherplätze für bewegliche, in die Halbleitervorrichtung eingebrachte Ladungsträger bilden und mit einer Taktsignalquelle zur sequentiellen Übertragung der gespeicherten Ladungsträger in aufeinanderfolgenden Speicherplätzen verbunden sind, d a durch gekennzeichnet, daß die Speicherkapazität eines oder mehrerer Speicherplätze gegenüber den Speicherkapazitäten der übrigen Speicherplätze unterschiedlich gewählt oder wählbar ist
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschichtdicke jedes mit unterschiedlicher Speicherkapazität gewählten Speicherplatzes gegenüber der Isolierschichtdicke der übrigen Speicherplätze unterschiedlich bemessen ist (F i g. 1).
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallelektrode jedes mit unterschiedlicher Speicherkapazität gewählten Speicherplatzes eine gegenüber den Metallelektroden der übrigen Speicherplätze unterschiedliche elektrische Austrittsarbeit aufweist
4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht jedes mit unterschiedlicher Speicherkapazität gewählten Speicherplatzes ein elektrostriktives Material enthält, dessen Dicke ggfs. einstellbar ist.
5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht jedes mit unterschiedlicher Speicherkapazität gewählten Speicherplatzes aus einer Folge von zumindest zwei Schichten (57, 59) besteht, zwischen denen eine metallische oder halbleitende Elektrode (58) angeordnet ist, wobei die an den Halbleiterkörper (50) des betreffenden Speicherplatzes angrenzende Schicht (57) teilweise leitend und dünner bemessen ist als die andere, isolierende Schicht (59) der Schichtenfolge (F ig. 4).
6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der isolierenden Schicht (59) zumindest den doppelten Wert der Dicke der teilweise leitenden Schicht (57) besitzt.
7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitfähigkeit der teilweise leitenden Schicht (57) zumindest den doppelten Wert der Leitfähigkeit der isolierenden Schicht (59) besitzt.
8. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die teilweise leitende Schicht (57) aus Siliciumoxid (SiO2) v> und die isolierende Schicht (59) aus Siliciumnitrid (S13N4) oder Aluminiumoxid (AI2O3) besteht.
9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der teilweise leitenden Schicht (57) 10 bis 1000 A beträgt. to
10. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die teilweise leitende Schicht (57) und die isolierende Schicht (59) aus Aluminiumnitrid (AIN) besteht.
11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bs dadurch gekennzeichnet, daß jedem mit unterschiedlicher Speicherkapazität wählbaren Speicherplatz (32a. 320. 32eJeine in integrierter S
ausgebildete Kopplungseinrichtung (36, 37, 40, 41) zur Verbindung des betreffenden Speicherplatzes mit einer Ladungsträgerqueüe (30, 34, 35) zugeordnet ist (F i g. 3).
12. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß als Ladungsträgerquelle (30, 34, 35) ein mit den Speicherplätzen integrierter Feldeffekttransistor und als Kopplungsvorrichtung (36, 37, 40, 41) eine Folge von getakteten Festkörperkondensatoren vorgesehen ist, wobei die Speicherplätze (32a bis 32e, 33a bis 33ej und die Festkörperkondensatoren einen gemeinsamen Halbleiterkörper (30) und eine gemeinsame Isolierschicht (31) aufweisen.
13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der Isolierschicht der mit unterschiedlicher Kapazität gewählten Speicherplätze tiefe Ladungsträgerfallen in einer Anzahl von zumindest 1016/cm3 vorgesehen sind und daß die Isolierschicht mit einer im Takt der Taktsignalquelle arbeitenden Vorspannungsquelle zum periodischen Anreichern und Verarmen der Ladungiträgerfallen verbunden ist.
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