DE2117365A1 - Integrierte Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Integrierte Schaltung und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
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Family Applications (1)
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- 1971-04-13 FR FR7112918A patent/FR2086028A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| EP0011443A1 (en) * | 1978-11-08 | 1980-05-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
Also Published As
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