DE2036621B2 - Schichtkörper aus Aluminiumoxidsubstrat und Zinkoxidüberzug - Google Patents

Description

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Zinkoxid-Überzugs auf dem Substrat im wesentlichen welcher die Schicht abgeschieden wird, vorbestimmt,

zu den (41.2)-, (10.0)- und (41.2)- oder äquivalenten Wie aus den spezifischen, nachstehend angegebenen

Ebenen parallel ist. Beispielen ersichtlich wird, ist ferner eine vorbe-

Es kann der Einkristall-Überzug aus einer konti- stimmte Richtung der abgeschiedenen monokristal-

nuierlichen Schicht und mit einer Dicke von mehr als 5 linen Zinkoxid-Schicht 10 parallel zu einer vorbe-

3 μ bestehen. stimmten Richtung der Saphir-Substrat-Oberfläche

Durch die Erfindung wird auch ein Verfahren zur 14. Nach dem Verfahren der Erfindung wird zusätz-

Herstellung des erfindungsgemäßen Schichtkörpers lieh eine Kontrolle der C-Achsenorientierung für das

zur Verfügung gestellt, das dadurch gekennzeichnet auf dem Saphir epitaxial abgeschiedene Zinkoxid zur

ist, daß das Zinkoxid verdampft und mittels einer io Verfügung gestellt, d. h., indem der Schnitt oder die

chemischen Transportreaktion auf dem Saphir-Ein- Orientierung der natürlichen Saphir-Oberfläche spe-

kristall epitaktisch aufgewachsen wird. zifiziert wird, wobei die Orientierungskontrolle für

Entsprechend der Gesamtkonzeption der Erfin- die C-Achse der Zinkoxid-Schicht über einen weiten

dung wird dabei das Substrat mit einer Abschci- Bereich gegeben wird.

dungsoberfläche versehen, welche eine gewählte 15 Wie aus den in der Fig. 1 angegebenen Pfeilen

Orientierung hat, so daß ein Zinkoxid-Uberzug mit und den Miller-Indizes der Richtungen und Flächen

einer vorbestimmten Orientierung gebildet wird. hervorgeht, ergibt das Verfahren der Erfindung eine

Das Transportgas besteht vorzugsweise aus Was- Einkristall-Schicht 10 aus Zinkoxid in der (U.O)-

serstoff. Ebene, parallel zu der Oberfläche 14 der (01.2)-

AIs zusätzliches Transportgas kann Chlorwasser- 20 Ebene des Saphirs. Die (00.1)- und (11.0)- kristallostoff verwendet werden, wobei die Konzentration des grafischen Richtungen in der (H.O)-ZnO-Schicht 10 Chlorwasserstoffs 20 Volumprozent des Transport- sind parallel zu der (Ol.l)-Richtung bzw. zu der gases während der Abscheidung des Zinkoxids nicht (21.0)-Richtung im (O1.2)-Substrat 12. Zur Vereinübersteigt, fachung der Bezeichnung der Ebenen des Saphirs

In einer vorbereitenden Stufe des Verfahrens vor 25 wird das in NBS Circular 539, Volume H, S. 20 bis

der Abscheidung des monokristallinen Zinkoxids auf 23, vom 15. Juni 1953, angegebene Bezugssystem des

dem Substrat kann die Chlorwasserstoff-Konzentra- National Bureau of Standards for Indexing verwen-

tion 20 Volumprozent des Transportgases über- det. Das Saphir-Substrat 12 ist entlang einer Ebene

steigen. (wenn es sich um eine andere als um eine natürliche

Beispiele für das Transportgas sind Wasserstoff, 30 Oberfläche handelt) in der Weise geschnitten, daß

Helium, Argon und/oder Stickstoff. dessen Oberfläche 14, auf welcher das Zinkoxid ab-

Das Substrat wird auf eine Temperatur unterhalb geschieden werden soll, parallel zu der spezifischen

derjenigen des Zinkoxid-Ausgangsmaterials, die des kristallografischen Ebene Hegt, d. h., durch die

Zinkoxid-Ausgangsmaterials im ungefähren Tempe- Orientierung des Saphirs wird eine spezifische Ord-

raturbereich von 200° C bis zum Schmelzpunkt des 35 nung des Wachstums der epitaxiakn Zinkoxid-Ab-

Zinkoxids gehalten. scheidung induziert, wodurch eine Einkristall-Zink-

Schließlich werden nach einer zweckmäßigen Aus- oxid-Schicht in der gewünschten Orientierung, z. B.

führungsform das Zinkoxid auf etwa 825° C und der (11.0)-Ebene, bewirkt wird.

Saphir-Einkristall auf etwa 775° C erhitzt. Aus Laue-Aufnahmen wurde die gleichmäßige

Das zusammengesetzte heteroepitaxiale Gefüge 40 epitaxiale Beziehung der nach dem Verfahren der

gemäß der Erfindung besteht aus einem Film oder Erfindung hergestellten zusammengesetzten Gebilde

einer Schicht aus monokristallinem Zinkoxid, das auf bestätigt. Hierzu wurde ein Röntgenstrahlbündel mit

einem Saphir-Substrat (\-Al₂O₃ oder Korund) abge- einem Durchmesser von 1 mm einer ungefilterten

schieden ist. Es wird auch ein Verfahren zur Ab- Kupferstrahlung verwendet. Diese Ergebnisse wurden

scheidung durch einen chemischen Dampftransport 45 auch mit einem Vollkreis-Goniometer zusammen mit

in Wasserstoff und gasförmigem Chlorwasserstoff in einer Röntgenstrahl-Einheit bestätigt. In gleicher

Betracht gezogen, bei welchem der Niederschlag bis Weise wurden Elektronen-Beugungsmuster erhalten,

zu einem Film der gewünschten Dicke variieren wobei Kikuchi-Banden beobachtet wurden, welche

kann. ein Anzeichen einer qualitativ hochwertigen Ein-

Im folgenden sollen bevorzugte Ausführungsfor- 50 kristall-Abscheidung sind.

men der Erfindung unter Berücksichtigung der Bei dem Verfahren der Erfindung zur Bildung des

Figuren beschrieben werden. Schichtkörpers wird auf eine Einkristall-Saphir-Sub-

Fig. 1 stellt eine vergrößerte perspektivische An- strat-Oberflächc 14, beispielsweise mit einer (01.2)-

sicht des zusammengesetzten heteroepitaxialen Ge- Orientierung, durch eine Transportreaktion die Ein-

bildes gemäß einer bevorzugten Ausführungsform 55 kristall-Zinkoxid-Schicht 10 abgeschieden. Dabei

der Erfindung dar; wird z. B. das Substrat 12 umgekehrt etwa 0,5 bis

F i g. 2 ist eine perspektivische Ansicht eines 2,0 cm über einem pulverförmigen Zinkoxid-Aushexagonalen Zinkoxid-Kristalls, die bevorzugte FIa- gangsmaterial gehalten. Letzteres ist in einem Quarzchenorientierungen des cpitaxialen Überzugs der Schiffchen enthalten, welches auch dazu verwendet Fig. 1 zeigt. 60 wird, die umgekehrten Substrate mit der Oberfläche

In Fig. 1 ist als Beispiel ein zusammengesetztes 14, die direkt oberhalb des gepulverten Zinkoxids heteroepitaxiales Gebilde gemäß der Erfindung ge- angeordnet sind, zu unterstützen. Als Ausgangsmatezeigt, welches aus einer Einkristall-Abscheidung oder rial können pulverförmiges Zinkoxid (lose oder zuSchicht 10 aus Zinkoxid (ZnO) der hexagonalen sammengepreßt) oder großvolumige Kristalle ver-Wurtzit-Klasse besteht, welche epitaxial auf einem 65 wendet werden, obgleich im Interesse eines schnel-Einkristall-Substrat 12 des Saphirs abgeschieden ist. leren Transports beim Verfahren gepulvertes Zink-

Die Ordnung der Zinkoxid-Schicht 10 ist durch oxid bevorzugt wird. Nach Evakuierung des Systems

die Orientierung der Saphir-Substratfläche 14, auf wird his 7u einem nmrl· mn 1 ».+ ™;* DoIi.j:

reinigter Wasserstoff eingeleitet und durch das System strömen gelassen.

Das Zinkoxid-Ausgangsmaterial und das Saphir-Substrat sind mit einzelnen Strahlungserhitzern versehen, die an der Außenseite des Quarzsystems angeordnet sind. Nachdem sich die Temperatur des Systems auf die gewünschte Abscheidungstemperatur von etwa zwischen 200° C und dem Schmelzpunkt des Zinkoxids erhöht hat, wird Chlorwasserstoff eingeleitet, um 0,1 bis 20 % der Gesamtgaskonzentration zu ergeben. Das Substrat wird bei einer niedrigeren Temperatur als das Zinkoxid-Ausgangsmaterial gehalten. Die bevorzugten Temperaturen während des Transports, die eine Abscheidung mit eiiur Wachstumsgeschwindigkeit von 1 μ pro Minute ergeben, sind eine Ausgangsmaterialtemperatur von 825° C und eine Substrat-Temperatur von 775° C.

Die durchschnittliche Wachstumsgeschwindigkeit liegt bei den bevorzugten Bedingungen in der Gegend von 200 A pro Sekunde. Während Zeitspannen von mehreren Stunden wurden Einkristall-Schichten mit einer Dicke von 100 μ gezogen. Die Abscheidung kann auch langsamer mit Geschwindigkeiten von weniger als 0,0254 mm pro Stunde geschehen. Geschwindigkeiten von mehr als 0,127 mm pro Stunde ergeben aber im allgemeinen schlechtere Kristalle. Es sind Temperaturen von 200° C bis zum Schmelzpunkt des Zinkoxid-Kristalls (etwa 1800^c C) vorgesehen. Die bevorzugte untere Grenze des Abscheidungsbereiches ist etwa 600- C, da bei niedrigeren Temperaturen ein geringer Transport erhalten wird. Die obere Grenze des Temperaturbereichs ergibt sich aus der Flüchtigkeit des ZnO (d. h., zu hohe Temperaturen ergeben ein Anätzen des Niederschlags). Hinsichtlich der Einführung des Chlorwasserstoffgases sieht man eine HCl-Gaskonzentration von weniger als 2O°/o vor. Die bevorzugte Konzentration beträgt etwa 2⁰O. Höhere Konzentrationen des Chlorwasserstoffs bewirken oftmals die Entfernung der Zinkoxid-Abscheidung auf dem Substrat durch Ätzen. Diese Technik kann dazu verwendet werden, die Substrate, während sie sich im Reaktionsgefäß befinden, vor dem Abscheiden zu reinigen.

Die mit Chlorwasserstoffgas bei dem Dampftransportverfahren ablaufende Reaktion kann durch folgende Gleichung angegeben werden:

ZnO+ 2HCl+ H,^:

ZnCl₂ + H₂O + H₂

Eine andere Reaktion mit einer weniger zufriedenstellenden Wachstumsgeschwindigkeit läuft nach folgender Gleichung ab:

ZnO + H₂ ^ Zn + H₂O

Das in den obigen Gleichungen angegebene ZnO umfaßt dampfförmiges ZnO und festes ZnO; z. B. besitzt ZnO bei den Abscheidungstemperaturen einen erheblichen Dampfdruck.

Die bei einem beispielsweise durchgeführten Verfahren verwendeten Substrate sind Plättchen mit einer Dicke von 0,25 mm, die aus einem nach Czochralski gewachsenen Saphir geschnitten und an beiden Seiten mechanisch poliert worden sind. Die Plättchen werden vor dem Gebrauch vorzugsweise durch Ultraschall-Reinigung in gereinigtem Wasser, das ein Detergentium enthält, und durch ein nachfolgendes Klarspülen mit entionisiertem Wasser sowie durch ein heißes Dampfbad in Propanol vorbehandelt. Das verwendete Zinkoxid kann von verschiedenartigen Quellen herrühren und braucht nicht von hoher Reinheit zu sein. Das Transportverfahren reinigt nämlich das abgeschiedene Material bis zu einem gewissen Ausmaß. In manchen Fällen kann jedoch ein hochreines Ausgangsmaterial erforderlich sein.

Bei dem Verfahren der Erfindung bestimmt die Auswahl des Einkristall-Substrats und seine spezifische Orientierung die Orientierung der epitaxialen

ίο Abscheidung. Zinkoxid hat ein hexagonales Kristallgitter mit einem starken piezoelektrischen Effekt in Richtung der C-Achse. Die Herstellung eines gerichteten Umwandlers mit den gewünschten piezoelektrischen Eigenschaften, bei welchem beide Elektroden an der oberen Oberfläche des ZnO-Films sind, fordert, daß die C-Achse sich in der Ebene der Einkristall-Zinkoxid-Schicht befindet.

Ursprünglich waren daher die für epitaxial? Abscheidungen zur Bildung von Zinkoxid-Schichten ge-

ao wählten Substrate Plättchen, die entlang der (01.2)-Ebene des Saphirs geschnitten waren. Es wurde festgestellt, daß die erhaltenen Abscheidungen Einkristalle waren, wobei die C-Achse der Schicht 10 parallel zu der (O1.2)-Ebene der Abscheidungsoberfläche 14 des Saphir-Substrats war. Es wurde ferner festgestellt, daß zusätzlich zu dieser vorbestimmten Orientierung der Ebene der Zinkoxid-Abscheidung hinsichtlich der Saphir-Substrat-Abscheidungsfläche die (Ol.l)-Richtung in, Substrat un·-¹ die C-Achse (00.1) der Abscheidung (und äquivalente Richtungen) parallel waren.

Die Wichtigkeit der vorstehenden Ausführungen ergibt sich auf Grund der Verwendung bei piezoelektrischen Einrichtungen. Die epitaxialen Abscheidüngen des Zinkoxids, bei welchen die C-Achse parallel zu der Oberfläche des Saphir-Substrats liegt, d.h. die (O1.2)-Orientierung aufweist, sind für Mikrowellen-Zwecke sehr geeignet. Die C-Achse oder (OO.l)-Richtung der Zinkoxid-Abscheidung 10 ergibt sehr gute piezoelektrische Eigenschaften, einen maximalen Kupplungskoeffizienten und eine minimale Geschwindigkeit in der Richtung der C-Achse. Somit können diese Abscheidungen zur Herstellung von Mikrowellen-Verzögerungsleitungen verwendet werden. In der Richtung 90° von der C-Achse (d. h. entlang der Y-Achse oder in der (11.0)-Richtung) ergeben sich piezoelektrische Eigenschaften der maximalen Geschwindigkeit und eines minimalen Kupplungseffekts.

Der Vorteil der epitaxialen Schichten des Zinkoxids ist zum Teil auf die sich daraus ergebende Vereinfachung bei der Herstellung von Einrichtungen zurückzuführen. Die abgeschiedene Schicht mit einer Orientierung für die gewünschten piezoelektrischen

Eigenschaften kann mit HCl oder anderen Ätzmitteln zur gewünschten Gestalt geätzt werden, beispielsweise mit Lithium dotiert werden, um einen gewünschten höheren Widerstand zu erhalten, und poliert werden, um eine für die Elektroden-Abscheidung geeignete Oberfläche zu schaffen. Das zusammengesetzte Gebilde aus Zinkoxid, das auf Saphir abgeschieden ist, besitzt eine Grenzfläche, welche wegen der Differenz der Geschwindigkeit der akustischen Wellen in Zinkoxid und Saphir eine Isolie-

rung ergibt; d. h., die Geschwindigkeit der Wellen-Übermittlung durch die Zinkoxid-Schicht ist viel geringer als diejenige durch das Saphir-Substrat.

Als weiterer Herstellungsvorteil wird dem derzeiti-

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gen Bedarf bei der Halbleitertechnologie oder der- Bei anderen Beispielen des Verfahrens der Erfinjenigen der planaren integrierten Schaltungen von dung wird das Zinkoxid epitaxial auf den Obermonolithischen Anordnungen mit Einschluß der BiI- fluchen von Substraten in den Zonen einschließlich dung von Leitverbindungen mit Gold, Aluminium Π 1.2)-, (11.3)-, (11.4)- und (11.6)Ebenen abgeschie- oder anderen leitfähigen Materialien auf einer ein- 5 den, um Zinkoxid in de:i (41.2)-, (10.0)-, (41.2)-und zigen Seite eines Plättchens genügt, indem das leit- (10.5)-Ebenen oder in deren Nähe zu ergeben. Wie fähige Material, das auf der Zinkoxid-Schicht in den vorstehend beschriebenen Beispielen der abgeschieden ist, verdampft wird und zur BiI- Zinkoxid-Abscheidungen in den (11.0)-und Grunddung der gewünschten Stromkreisverbindungen geätzt (OO.l)-Ebenen bzw. (01.2)- und (OO.l)-Oberflächen wird. ίο der Saphir-Substrate sind die Richtungen der Zink-Eine weitere gleich wichtige Orientierung der n:rid-Abscheidungen parallel zu den vorbestimmten epitaxialen Zinkoxid-Abscheidung wird nach dem Richtungen der jeweiligen Saphir-Substrate. In der Verfahren der Erfindung zur Verfugung gestellt, bei Zone, die ein Substrat oder mehrere Substrate einweichem die C-Achse der Abscheidung senkrecht zu schließt, die (11.2)-, (11.3)- und (H.4)-Ebenen zeidem Substrat steht. Die piezoelektrischen Eigen- 15 gen, ist die Richtung der C-Achse der epitaxialen schäften der (00.1 )-ZnO-Abscheidungen ergeben eine Zinkoxid-Abscheidung nahe der (Ol.l)-Richtung des Wellentransmission nach allen Richtungen in der Saphir-Substrats. Die (12.0)-Richtung der cpitaxialen Ebene der Abscheidung an Stelle einer gerichteten (10.5)-Zinkoxid-Abscheidung auf der Oberfläche des Wellentransmission, wie sie durch die in Fig. 1 ge- Saphir-Substrats, das zu der (11.6)-Ebene orientiert zeigte Orientierung ergeben wird. Bei dieser Ausfüh- 30 ist, ist parallel z\ der (20.1 )-Richtung des Saphirs,
rungsform wird das Zinkoxid epitaxial auf dem Für Mikrowellen-Zwecke, bei welchen die Ober-Saphir (x-Al₂O₃)-Substrat mit einer wie in F ig. 2 fiächenwellen nach der Kayleigh-Generation übergezeigten Oberflächenorientierung in der Grund- mittek werden, muß die Dicke des Films oder der (OO.l)-Ebene abgeschieden, vrs eine (00.1 )-Ebene- Zinkoxid-Schicht zwei- bis dreimal so groß sein wie Orientierung der Zinkoxid-Abscheidung zu ergeben. 95 die Wellenlänge des Signals. Für Frequenzen von Die (12.0>-Richtungen des Zinkoxids sind zu den etwa 100 bis 150 Megahertz (MHz) sollte daher die (ll.O)-Richtungen der Saphir-Substrate parallel, Zuikoxid-Abscheidung vorzugsweise 0,0254 bis wenn (00.1 )-Substrate verwendet werden. 0,0762 mm dick sein.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

diese Weise erhaltenen dünnen Filme einen gewissen Patentansprüche: Orientierungsgrad zeigen, ergibt jedoch das Röntgen- Beugungsmuster eindeutig das Vorliegen von poly-

1. Schichtkörper, bestehend aus einem Alu- kristallinen Spuren. Abgesehen davon konnten auch miniumoxid-Substrat und einem Zinkoxid-Über- 5 nach diesen Versuchen keine dicken ZnO-Filme oder zug, dadurch gekennzeichnet, daß das Schichten hergestellt werden. Der Grund dafür, daß Zinkoxid einkristallin auf einem Saphir-Ein- diese Versuche ohne Erfolg verliefen, liegt darin, kristall epitaktisch aufgewachsen ist. daß das Zerstäubungsverfahren zur Herstellung von

2. Schichtkörper nach Anspruch 1, dadurch dicken Filmen, die die Charakteristika von haufengekennzeichnet, daß die C-Achse des Einkristall- io förmigen Kristallen aufweisen, nicht geeignet ist. Überzugs parallel oder senkrecht zur Orientierung Ferner ist das Zerstäubungsverfahren auf eine relativ der Abscheidungsoberfläche des Saphir-Substrats niedrige Abscheidungsgeschwindigkeit (^ 1 μ/h) beist. schränkt, wobei außerdem oftmals nur eine schlechte

3. Verfahren zur Herstellung des Schichtkör- Verbindung mit der Substratoberfiäche erhalten wird, pers nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, 15 so daß sich die Filme häufig davon ablösen. Die daß das Zinkoxid verdampft und mittels einer Folgen dieser Haftungsprobleme werden bei gechemischen Transportreaktion auf dem Saphir- steigerter Filmdicke besonders schwerwiegend, so Einkristall epitaktisch aufgewachsen wird. daß dieses Verfahren in den meisten Fällen auf die

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch ge- Bildung von dünnen Filmen beschränkt ist. Diese kennzeichnet, daß als Transportgas Wasserstoff 20 Begrenzung der Dicke ist auch insoweit durch andere verwendet wird. praktische Erwägungen bedingt, als die Abscheidung

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch ge- bei dem Zerstäubungsverfahren mit einer extrem kennzeichnet, daß dem Wasserstoff weniger als niedrigen Geschwindigkeit zu erfolgen hat, da man 20 Volumprozent Chlorwasserstoff zugemischt festgestellt hat, daß größere Abscheidungsgeschwinwerden. 25 digkeiten Kristallfehler und unbrauchbare stöchio-

6. Verfahren nach den Ansprüchen 3 bis 5, da- metr' die Verhältnisse ergeben.

durch gekennzeichnet, daß das Zinkoxid auf etwa Gegenstand der Erfindung ist daher ein Schichten⁰ C und der Saphir-Einkristall auf etwa körper, bestehend aus einem Aluminiumoxid-Sub-775° C erhitzt wird. strat und einem Zinkoxid-Überzug, der dadurch ge-

30 kennzeichnet ist, daß das Zinkoxid einkristallin auf einem Saphir-Einkristall epitaktisch aufgewachsen ist.

Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die C-Achse des Einkristall-Überzugs parallel oder senkrecht zur Orientierung der Ab-

Die Erfindung betrifft einen Schichtkörper aus 35 scheidungsoberfläche des Saphir-Substrats. Aluminiumoxid-Substrat und Zinkoxid-Überzug und Dabei wird die Ordnung des Einkristall-Überzugs

ein Verfahren zu dessen Herstellung. aus Zinkoxid durch die Orientierung des Saphir-

Es hat sich in der Vergangenheit herausgestellt, Substrats, auf welchem der Überzug angeordnet ist, daß polykristallines Zinkoxid die vereinigten piezo- bestimmt, und die Ebene der Orientierung des Überelektrischen Eigenschaften eines höheren Kupplung*- 40 zugs aus Zinkoxid ist parallel zu der Ebene der koeffizienten und die Stabilität hat, die bei den Orientierung des Saphir-Substrats, meisten der bekannten Materialien mit piezoelek- Die Orientierung der Ebene des Überzugs kann in

trischen Eigenschaften nicht festgestellt werden kann. der (11.0)-Ebene oder äquivalenten Ebenen erfolgen. In den letzten Jahren hat die Entwicklung von Halb- Beispielsweise ist die Abscheidungsoberfläche des

leiter-Verbindungen für elektronische Vorrichtungen 45 Saphir-Substrats parallel zu der (O1.2)-Ebene mit im festen Zustand zu einem Bedarf nach piezoelek- Einschluß von äquivalenten Ebenen (10.2), (11.2), trischen Materialien für Mikrowellen-Zwecke geführt, wobei weiterhin der Überzug parallel zu der (11.0)-welche zur Herstellung von monolithischen integrier- Ebene mit Einschluß von äquivalenten Ebenen ist. ten Schaltkreisen geeignet sind. Zur Eignung für die Es können die kristallografische Richtung des

Technologie der Bildung monolithischer Schaltkreise 50 Überzugs und die Richtung des Substrats parallel, besteht demgemäß ein Bedarf nach einem mono- die Richtung des Substrats (01.1) und die Rich-

kristallinen Film oder Schicht aus piezoelektrischem tung des Überzugs (00.1) sein,

Material auf einem Substrat, wodurch ein zusammen- die Saphir-Substratabscheidungsoberfläche und der

gesetztes Gefüge erhalten werden kann, in welchem Einkristall-Überzug aus Zinkoxid die gleiche Oriendas piezoelektrische Material zu einer gewünschten 55 tierung in der (00.1 )-Ebenen haben, Gestalt geätzt und auf sonstige Art den Techniken die kristallografische Richtung des Substrats (W.O)

zur Bildung von monolitischen Schaltkreisen ange- und die kristallografische Richtung des Überzugs paßt werden kann, wobei die Bildung von Konduk- (12.0) sein,

tor-Verbindungen an der Oberfläche der Schicht des die Orientierung der Abscheidungsoberfläche des

piezoelektrischen Materials eingeschlossen werden 60 Substrats aus der Gruppe der (11.6)-Ebene odei soll. Derzeit werden epitaxial abgeschiedene Filme deren äquivalenten Ebenen gewählt werden, wobei von halbleitenden Materialien, z. B. von Silizium, die resultierende Orientierung des Zinkoxid-Über-Germanium und GaHiumarsenide, auf Saphir her- zugs in der (10.5)-Ebene oder in äquivalenten gestellt. Ebenen liegt,

In der USA.-Patentschrift 3 294 660 wird ein Ver- 65 die Orientierung der Abscheidungsoberfläche der fahren beschrieben, bei welchem Zinkoxid auf einem Substratebene in der Zone mit den Ebenen (11.2), Saphir unier Verwendung einer Zerstäubungsein rieh- (11.3) und (11.4) oder äquivalenten Ebenen gewählt tung epitaxial abgeschieden wird. Obgleich die auf werden, wobei die resultierende Orientieninff dps